对比文件的名称：2006-05-04_US2006091420A_发明申请_US20060091420A1 Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
目标专利的名称：一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层《直接公开》 | [0016] 通过VPE在蓝宝石衬底上形成缓冲GaN层。<br>[0031] 在透明衬底100（有益为蓝宝石衬底）上形成缓冲层120。该缓冲层可以是单层或多层，例如包含GaN层110。<br>[0032] GaN层110可形成约40-50nm的厚度。 | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（第一支撑衬底）上形成缓冲GaN层（即氮化镓外延层）。该缓冲层的作用是改善后续GaN层的生长质量，本领域技术人员公知其用于降低晶格失配和热膨胀系数差别。因此，对比文件直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底《未公开》 | 无 | 对比文件在形成各半导体层后直接去除蓝宝石衬底，并在p-GaN侧形成透明导电层和电极，未形成任何额外的第二支撑衬底。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何钝化层，也未涉及第二支撑衬底的侧面和上表面。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底《未公开》 | 无 | 对比文件去除蓝宝石衬底采用激光剥离方法，未使用钝化层作为掩膜进行蚀刻。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层《未公开》 | 无 | 对比文件无钝化层和第二支撑衬底，故未公开该特征。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层《未公开》 | 无 | 对比文件在去除蓝宝石衬底后，在暴露的n-GaN缓冲层上形成n型电极，而非形成单晶氮化镓层。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成《未公开》 | 无 | 对比文件未提及任何钝化层及其材料。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征H：形成所述钝化层后进行固化工艺《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及钝化层的形成，更未提及固化工艺。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种《直接公开》 | [0031] 在透明衬底100（有益地为蓝宝石衬底，氧化物）上形成缓冲层120。<br>[0008] 使用碳化硅（SiC）衬底。 | 对比文件具体公开了蓝宝石（氧化物）和碳化硅（碳化物）作为衬底材料，均属于技术特征I所列的范围。因此，对比文件直接公开了技术特征I。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底《未公开》 | 无 | 对比文件去除衬底采用激光剥离，而非湿蚀刻。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及钝化层，更未提及其去除溶剂。该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成《未公开》 | 无 | 对比文件未公开第二支撑衬底，故未涉及该特征的材料选择。该技术特征未被对比文件公开。 |
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