好的，我们开始进行对比分析。
**对比文件名称**：2009-03-19_JP2009060142A_发明专利_JP2009060142A Nitride semiconductor light emitting device
**目标专利名称**：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
**本次调用的模型名称**：无特定模型名称（由用户指定）
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层<br>《直接公开》 | 对比文件第1实施例（[2]段）："まず、図２に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、約４００μｍの厚みを有する成長用基板としてのサファイア基板２１の（０００１）面上に、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＧａＮまたはＡｌＧａＮからなるバッファ層２２を成長させる。"（译文：首先，如图2所示，使用MOCVD法，在厚度约400μm的生长用基板即蓝宝石基板21的（0001）面上，生长厚度约10nm～100nm的由GaN或AlGaN构成的缓冲层22。） | 对比文件明确在蓝宝石（第一支撑衬底）上形成GaN缓冲层（氮化镓外延层），该缓冲层在氮化物半导体生长领域中公知用于降低晶格失配和热膨胀系数差别，其作用与目标专利中的GaN外延层作为缓冲层的作用完全相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底<br>《未公开》 | 对比文件在各实施例中，在生长用基板上依次生长缓冲层、底层、光透过层、n型层、活性层、p型层等，之后在p型层上形成p侧电极，再接合导电性基板（第二支撑衬底）。例如第1实施例（[2]段）："次に、図４に示すように、ｐ側電極２の上面上に、約５０μｍ〜約２ｍｍの厚みを有する導電性基板１を接合する。"（译文：接着，如图4所示，在p侧电极2的上表面上，接合厚度约50μm～2mm的导电性基板1。） | 对比文件中，导电性基板（第二支撑衬底）并非直接形成在GaN外延层（缓冲层）上，而是形成在远离缓冲层的p型层上，中间隔有多个层（包括光透过层、n型层、活性层、p型层等）。因此，对比文件未公开在氮化镓外延层上直接形成第二支撑衬底。技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层<br>《未公开》 | 对比文件在一些实施例中形成保护膜，例如第3实施例（[2]段）："光透過層４９およびｎ側電極５１の上面以外の領域には、窒化物系半導体素子層４０を覆うように、約３００ｎｍの厚みを有するＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＴｉＯ２またはＺｒＯなどからなる保護膜５２が形成されている。"（译文：在光透过层49和n侧电极51的上面以外的区域，形成覆盖氮化物半导体素子层40的厚度约300nm的由SiO2、SiN、TiO2或ZrO等构成的保护膜52。） | 对比文件中的保护膜仅覆盖氮化物半导体素子层的侧面，并未覆盖整个GaN外延层（相当于缓冲层/下地层）的侧面以及第二支撑衬底（导电性基板）的侧面和上表面，且其作用为器件保护而非作为去除生长用基板的蚀刻掩膜。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底<br>《未公开》 | 对比文件中去除生长用基板的方法包括研磨、激光照射、湿蚀刻、分离开等，但均未使用钝化层作为掩膜。例如第4实施例（[2]段）："この後、熱リン酸液などによるウェットエッチング技術を用いて、Ｓｉ基板９１およびバッファ層９２を除去する。"（译文：之后，使用热磷酸液等湿蚀刻技术，去除Si基板91和缓冲层92。） | 对比文件在湿蚀刻去除Si基板时，没有使用任何钝化层作为掩膜，而是直接蚀刻暴露的基板。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层<br>《未公开》 | 对比文件在去除生长用基板后，通常直接露出光透过层或氮化物半导体层，之后可能形成电极或保护膜，但不存在去除钝化层的步骤。例如第1实施例（[2]段）："これにより、図５に示すように、光透過層９の表面が露出された状態にする。"（译文：由此，如图5所示，使光透过层9的表面露出。） | 由于对比文件未形成技术特征C所述的钝化层，因此也不存在去除该钝化层的步骤。对比文件露出的是光透过层，而非氮化镓外延层和第二支撑衬底。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层<br>《未公开》 | 对比文件在去除生长用基板后，后续步骤包括形成n侧电极、形成凹凸表面、素子分离等，并未在露出的氮化物层上再生长单晶GaN层。例如第1实施例（[2]段）后续形成n侧电极；第6实施例（[2]段）后续形成开口和n侧电极。 | 对比文件的目的在于制作发光器件，而非制作GaN衬底，因此没有在去除基板后生长单晶GaN层的步骤。技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成<br>《未公开》 | 对比文件中提及的保护膜材料为SiO2、SiN、TiO2、ZrO等无机材料，或金属、导电性树脂等，未提及搪瓷、特氟龙、石蜡、聚酯等有机材料。例如第3实施例（[2]段）保护膜52由SiO2、SiN、TiO2、ZrO等构成。 | 对比文件未公开任何由液体搪瓷、特氟龙、石蜡、聚酯及其组合构成的钝化层。技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺<br>《未公开》 | 对比文件在形成保护膜后，未提及进行固化工艺。例如形成保护膜52后直接进行后续步骤。 | 对比文件未公开形成钝化层后的固化工艺。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种<br>《直接公开》 | 对比文件在各实施例中使用了多种生长用基板：第1实施例使用蓝宝石（Al2O3）基板21（氧化物衬底）；第3实施例使用SiC基板61（碳化物衬底）；第4实施例使用Si基板91（硅衬底）。 | 对比文件明确公开了第一支撑衬底（生长用基板）可以是氧化物衬底（蓝宝石）、碳化物衬底（SiC）、硅衬底（Si），与目标专利的技术特征I完全一致。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底<br>《直接公开》 | 对比文件第4实施例（[2]段）："この後、熱リン酸液などによるウェットエッチング技術を用いて、Ｓｉ基板９１およびバッファ層９２を除去する。"（译文：之后，使用热磷酸液等湿蚀刻技术，去除Si基板91和缓冲层92。）第6实施例（[2]段）："この後、ウェットエッチング技術を用いて、Ｓｉ基板１４２を除去する。"（译文：之后，使用湿蚀刻技术，去除Si基板142。） | 对比文件明确记载了通过湿蚀刻工艺去除第一支撑衬底（Si基板），该工艺可选择性地蚀刻Si基板而不损伤其他层。因此，技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除<br>《未公开》 | 对比文件未提及使用醇溶剂（如甲醇、丙酮、异丙醇）去除任何层。 | 由于对比文件未形成相当于目标专利的钝化层，因此也未公开用醇溶剂去除钝化层。技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成<br>《直接公开》 | 对比文件第1实施例（[2]段）："導電性基板１は、半導体、金属、導電性樹脂フィルム、または、金属と金属酸化物との複合材料からなる。導電性基板１に使用される半導体としては、劈開性を有するＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓおよびＺｎＯなどがある。また、導電性基板１に使用される金属としては、Ａｌ、Ｆｅ−ＮｉおよびＣｕ−Ｗなどがある。"（译文：导电性基板1由半导体、金属、导电性树脂薄膜、或金属与金属氧化物的复合材料构成。用于导电性基板1的半导体包括具有劈开性的Si、SiC、GaAs、ZnO等。另外，用于导电性基板1的金属包括Al、Fe-Ni、Cu-W等。） | 对比文件公开了第二支撑衬底（导电性基板）可以由金属（Al、Fe-Ni、Cu-W等）等导电材料制成，也可以由SiC（与第一支撑衬底SiC相同）等半导体材料制成。因此，技术特征L被直接公开。 |
**结论**：
- 直接公开的技术特征：A、I、J、L
- 隐含公开的技术特征：无
- 未公开的技术特征：B、C、D、E、F、G、H、K
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