对比文件名称：2003-05-27_US6570322B_发明授权_US06570322B1 Anode screen for a phosphor display with a plurality of pixel regions defining phosphor layer holes
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《未公开》 | 对比文件涉及场发射显示器的阳极屏，其结构包括透明基板、透明导电层和荧光层，没有公开半导体发光结构。 | 目标专利的发光结构特指包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层的半导体发光二极管。对比文件中的荧光层通过电子束激发发光，但并非半导体层叠结构，本领域技术人员不能从对比文件得出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《未公开》 | 对比文件未公开任何半导体层结构。 | 对比文件没有教导或暗示任何半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《未公开》 | 对比文件没有透射层。其结构为基板、透明导电层和荧光层，荧光层直接形成在导电层上。 | 目标专利的透射层（如硅胶）位于发光结构上，用于热隔离和光透射。对比文件没有任何层对应于该透射层，本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《未公开》 | 对比文件荧光层形成在透明导电层上，而非透射层上。 | 对比文件没有透射层，因此荧光层不是形成在透射层上，而是直接形成在导电层上，该特征未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《直接公开》 | “根据本发明的一个实施例，面板组件包括层叠在基板上的荧光粉。荧光粉的壁限定了多个贯穿的开口。”（SUMMARY OF THE INVENTION）<br>“形成基本上连续的荧光粉层16。荧光粉16的壁28，如图3所示，贯穿荧光粉层16限定了多个孔26。”（DETAILED DESCRIPTION） | 对比文件明确公开了荧光层（phosphor layer）具有多个穿过该层的开口（holes），即荧光材料层包括图案（孔）。该特征与目标专利的“荧光材料层包括图案”在结构上相同，本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 对比文件荧光层的开口暴露的是下方的透明导电层，而非透射层和发光结构；且对比文件没有透射层和发光结构（LED）。 | 对比文件没有透射层和发光结构，因此无法暴露它们，也不存在垂直重叠关系。该特征未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 对比文件荧光层形成在基板上的导电层上，为平面结构，未形成在发光结构的横向侧面上。 | 对比文件没有发光结构，且荧光层仅位于基板平面，没有侧面覆盖。该特征未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《未公开》 | 对比文件没有透射层和发光结构。 | 对比文件没有透射层和发光结构，因此不存在底表面与顶表面的设置关系。该特征未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 对比文件没有透射层。 | 对比文件未公开任何透射层，因此未公开其厚度范围。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | “沉积荧光粉至高达20μm的厚度，更优选在5到8μm之间。”（DETAILED DESCRIPTION） | 对比文件公开了荧光层厚度可达20μm，优选5-8μm，但未公开5-500μm的整个范围，且未教导或暗示可以达到500μm。本领域技术人员不能直接或毫无疑义地得出该厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件未提及荧光层保留面积与发光面积的比例。 | 对比文件没有公开任何关于荧光材料层保留面积比例的信息，该特征未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件荧光层的图案（孔）位于顶面，未涉及发光结构的横向侧面。 | 对比文件没有发光结构，且荧光层图案不在侧面，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 对比文件没有发光结构、透射层及侧面荧光层。 | 对比文件未公开任何相关结构，因此未公开厚度关系。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《未公开》 | 对比文件在荧光层下方有透明导电层作为阳极电极，但该结构并非LED发光结构下的第二电极。 | 目标专利的第二电极是用于LED的反射电极或导电衬底等，位于半导体发光结构下方。对比文件虽然存在电极层，但其位置和功能与目标专利不同，且不涉及半导体发光结构，因此未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件荧光层上方没有电极。 | 对比文件没有第一电极，更未公开在发光结构顶表面上的两个第一电极，该特征未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 对比文件荧光层具有多个孔，但暴露的是导电层，不是透射层；且没有透射层。 | 对比文件没有透射层，孔暴露的是导电层，且不存在垂直重叠关系的描述，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 对比文件未公开发光结构（LED）与第二电极的横向宽度比较。 | 对比文件没有发光结构，且其电极与荧光层的关系不同于目标专利，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件包括透明玻璃基板，为非导电衬底，但位于荧光层下方，而非LED发光结构下。 | 目标专利的非导电衬底（如蓝宝石）位于LED发光结构下方。对比文件的基板位于荧光层下方，但荧光层并非半导体发光结构，因此本领域技术人员不能得出该特征。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》 | 对比文件没有透射层，更未公开硅胶材料。 | 对比文件没有任何层对应于透射层，因此未公开透射层材料。 |
### 结论
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征E，未直接公开或隐含公开其他技术特征。
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