对比文件的名称：2004-02-12_JP2004048040A_发明专利_JP2004048040A Semiconductor light emitting device
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A：包括发光结构（直接公开） | 对比文件图2的说明：“图301是蓝宝石基板，302是n型GaN接触层，303是n型AlGaN包覆层，304是InGaN有源层，305是p型AlGaN包覆层，306是p型GaN接触层，307是p侧电极，308是n侧电极。”（[2]中图2的描述） | 对比文件公开了LED芯片11，其包含发光结构（图2的层叠结构），本领域技术人员可直接确定该发光结构包含导电半导体层、有源层等，因此直接公开特征A。 |
| B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 同上，图2明确示出n型GaN接触层（第一导电半导体层）、InGaN有源层、p型GaN接触层（第二导电半导体层）等。 | 对比文件图2的LED结构直接公开了第一导电半导体层（n型）、有源层、第二导电半导体层（p型），且功能与目标专利相同，因此直接公开特征B。 |
| C：所述发光结构上的透射层（直接公开） | 对比文件图6的说明：“图30是由对LED11发出的初级光透明的树脂形成的透镜。”（[2]中图6的描述） | 对比文件公开了在LED发光结构上形成透明树脂透镜30，该透镜位于LED与荧光体之间，起到透射光的作用，与目标专利的透射层位置和功能实质相同，因此直接公开特征C。 |
| D：所述透射层上的荧光材料层（直接公开） | 同上图6：“其特征在于，在其表面涂布RGB荧光体。”（[2]中图6的描述） | 对比文件明确在透镜30的表面涂布荧光体，即荧光材料层直接形成在透射层上，因此直接公开特征D。 |
| E：所述荧光材料层包括图案（直接公开） | 对比文件图7的说明：“其特征在于，将RGB荧光体13-15分开涂布在LED60的三个分割的发光区域的上部。”（[2]中图7的描述） | 对比文件公开了荧光材料层被分为三个区域（图案），分别涂布不同荧光体，该区域划分构成荧光材料层的图案，与目标专利的“图案”概念一致，因此直接公开特征E。 |
| F：所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件全文未涉及荧光材料层部分暴露透射层或发光结构的结构，也未提及发光结构垂直重叠于透射层和荧光材料层两者（图6的透镜覆盖整个LED，荧光体覆盖整个透镜，未暴露）。 | 对比文件所有实施例的荧光材料层均完全覆盖透射层或发光结构，没有部分暴露的设计，也未公开垂直重叠的具体关系，因此特征F未公开。 |
| G：所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 对比文件图1的说明：“在引线框架12上设置凹部12A，LED芯片11以嵌入凹部12A内部的方式安装。” 以及“LED周围的荧光体涂布厚度”（[2]中图1的描述） | 由于LED嵌入凹槽，荧光体涂布在凹槽内，必然覆盖LED的横向侧面（即整个区域），因此荧光材料层形成在发光结构的横向侧面上，直接公开特征G。 |
| H：所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（直接公开） | 对比文件图6中透镜30形成于LED11上，即透镜底表面直接接触LED顶表面（[2]中图6的描述）。 | 透镜底表面直接设置在LED顶表面，与目标专利的透射层底表面设置位置完全一致，因此直接公开特征H。 |
| I：所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未提及透射层（透镜）的厚度数值。 | 对比文件没有任何关于透镜厚度的具体数值或范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出2-200μm的厚度，因此特征I未公开。 |
| J：所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件未提及荧光材料层的厚度数值。 | 对比文件没有公开荧光层的厚度范围，因此特征J未公开。 |
| K：在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未涉及荧光材料层的构图工艺，也未提及保留面积的比例。 | 对比文件没有公开任何构图工艺或面积比例，因此特征K未公开。 |
| L：所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层在横向侧面具有图案（图7的图案仅在顶部，侧面未单独处理）。 | 对比文件侧面荧光材料层是连续覆盖，没有图案，因此特征L未公开。 |
| M：所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未提及侧面荧光层厚度与顶部荧光层厚度的比例关系。 | 对比文件没有公开任何厚度比例，因此特征M未公开。 |
| N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（直接公开） | 对比文件图8的说明：“在n型GaN基板701的背面形成共用的n侧电极308。”（[2]中图8的描述） | 对比文件公开了发光结构下方具有n侧电极（第二电极），位于基板背面，因此直接公开特征N。 |
| O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（直接公开） | 对比文件图2的LED具有p侧电极307和n侧电极308，均位于发光结构顶表面（[2]中图2的描述）。 | 图2的横向结构中，两个电极（p侧和n侧）均形成在发光结构顶表面，因此直接公开特征O。 |
| P：所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未公开荧光材料层具有孔洞，也未提及孔洞重叠。 | 对比文件的所有实施例中荧光材料层均为连续层，无孔洞结构，因此特征P未公开。 |
| Q：所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 对比文件未明确比较发光结构宽度与第二电极宽度。 | 对比文件没有公开发光结构横向宽度与第二电极的相对大小关系，因此特征Q未公开。 |
| R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（直接公开） | 对比文件图2的LED包括蓝宝石基板301（非导电衬底）（[2]中图2的描述）。 | 蓝宝石基板是非导电绝缘衬底，位于发光结构下方，因此直接公开特征R。 |
| S：所述透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件图6的透镜由“透明树脂”形成，未指定为硅胶。 | 对比文件没有公开透射层的材料为硅胶，仅笼统称为透明树脂，因此特征S未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<N>>><<<O>>><<<R>>>