对比文件的名称：2006-11-16_US2006258028A_发明申请_US20060258028A1 Color control by alteration of wavelength converting element
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光结构《直接公开》 | 【0022】“FIG. 1A illustrates a side view of a transparent optical element 102 and a light emitting diode (LED) die 104” (翻译：图1A示出了透明光学元件102和发光二极管(LED)芯片104的侧视图) | 对比文件明确公开了LED芯片104，其相当于发光结构，因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》 | 【0024】“LED die 104 includes a first semiconductor layer 108 of n-type conductivity and a second semiconductor layer 110 of p-type conductivity. Semiconductor layers 108 and 110 are electrically coupled to an active region 112.” (翻译：LED芯片104包括n型导电类型的第一半导体层108和p型导电类型的第二半导体层110。半导体层108和110电耦合到有源区112。) | 对比文件明确公开了LED芯片104包括第一半导体层108（相当于第一导电半导体层）、第二半导体层110（相当于第二导电半导体层）以及有源区112（相当于有源层），因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征C：发光结构上的透射层《直接公开》 | 【0022】“FIG. 1A illustrates a side view of a transparent optical element 102 and a light emitting diode (LED) die 104”；【0033】“After the LED die 104 is mounted to the submount 106, the optical element 102 is thermally bonded to the LED die 104.” (翻译：图1A示出了透明光学元件102和LED芯片104的侧视图；在LED芯片104安装到底座106之后，光学元件102被热结合到LED芯片104。) | 对比文件公开了透明光学元件102位于LED芯片104上，该光学元件用于透射光，相当于透射层，因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征D：透射层上的荧光材料层《直接公开》 | 【0033】“optical element 102 may be covered with a wavelength converting material 124” (翻译：光学元件102可以覆盖有波长转换材料124) | 对比文件公开了波长转换材料124（即荧光材料层）覆盖在光学元件102（即透射层）上，因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征E：荧光材料层包括图案《直接公开》 | 【0064】“a series of lines 8081 and spaces 808s may be used to alter the thickness of the wavelength converting member 808”；【0065】“FIG. 15A illustrates ... with the wavelength converting member 818 ablated with a series of holes 818h” (翻译：一系列线8081和空间808s可用于改变波长转换成员808的厚度；图15A示出了波长转换成员818被烧蚀有一系列孔818h) | 对比文件明确公开了通过激光烧蚀在波长转换材料（荧光材料层）中形成线/空间图案或孔图案，因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且，发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠《隐含公开》 | 【0064】“the wavelength converting member is completely removed in localized areas to expose the underlying LED die 802” (翻译：波长转换成员在局部区域被完全去除以暴露下面的LED芯片802)；【0033】公开了光学元件102（透射层）位于LED芯片104上，荧光材料层124在光学元件上。 | 对比文件公开了通过烧蚀完全去除荧光材料以暴露发光结构（LED芯片）或暴露透射层（光学元件）的技术，但未明确同时暴露两者。然而，本领域技术人员根据对比文件的教导，能够合理推断通过在同一芯片上控制烧蚀深度，部分区域完全去除荧光材料暴露透射层，部分区域进一步去除透射层暴露发光结构，从而实现部分地暴露透射层和发光结构两者。此外，对比文件明确公开了发光结构、透射层、荧光材料层垂直堆叠结构（如图1B），因此发光结构垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《直接公开》 | 【0070】“wavelength converting material 520 is bonded to the LED die 502 (and optionally over the edges of the LED die 502)” (翻译：波长转换材料520被结合到LED芯片502（并且可选地在LED芯片502的边缘上）) | 对比文件公开了波长转换材料（荧光材料层）形成在LED芯片（发光结构）的侧面（边缘），因此该技术特征被直接公开。 |
| 特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上《隐含公开》 | 【0033】“no bonding layer may be used and the optical element 102 may be bonded directly to the LED die 104” (翻译：可以不使用结合层，光学元件102可以直接结合到LED芯片104) | 对比文件公开了光学元件（透射层）可以直接结合到LED芯片（发光结构）的顶表面，即底表面直接设置在顶表面。虽然其他实施例中使用了结合层，但直接结合的可能性使得本领域技术人员能够合理推断该特征，因此该技术特征被隐含公开。 |
| 特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 对比文件未明确公开透射层的厚度范围。 | 对比文件没有公开透射层（光学元件）的厚度在2μm至200μm之间，也没有暗示该范围，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 对比文件未明确公开荧光材料层的厚度范围。 | 对比文件没有公开荧光材料层的厚度在5μm至500μm之间，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件未公开该面积比例范围。 | 对比文件没有公开构图后保留的荧光材料层面积与发光面积的比例具体范围，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件未公开在发光结构的横向侧面上的荧光材料层具有图案。 | 对比文件虽然公开了荧光材料层可覆盖侧面，但未公开在侧面进行图案化，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 对比文件未公开该厚度关系。 | 对比文件没有提及侧面荧光材料层厚度与顶部荧光材料层厚度之间的具体数值关系，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极《未公开》 | 对比文件未公开在发光结构下面设置第二电极。 | 对比文件中的LED芯片采用倒装结构，其电极（n-contact和p-contact）位于芯片同一侧，而非发光结构下面，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件未公开在发光结构顶表面设置第一电极。 | 对比文件中的LED芯片倒装结构，电极位于底部，顶表面为超衬底，没有电极，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《直接公开》 | 【0065】“FIG. 15A illustrates a top plan view of a device similar to the device shown in FIG. 13C, but with the wavelength converting member 818 ablated with a series of holes 818h.” (翻译：图15A示出了与图13C所示装置类似的顶视图，但波长转换成员818被烧蚀有一系列孔818h)。结合图1B，光学元件（透射层）上覆盖有荧光材料层。 | 对比文件公开了通过烧蚀在荧光材料层中形成孔（holes）的图案，这些孔暴露下面的透射层（光学元件），并且孔是垂直烧蚀形成，因此至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠。该技术特征被直接公开。 |
| 特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小《未公开》 | 对比文件未公开发光结构宽度与第二电极宽度的比较关系。 | 对比文件没有描述发光结构横向宽度与第二电极宽度的关系，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件未公开在发光结构下设置非导电衬底。 | 对比文件中的LED芯片可以包含超衬底（如蓝宝石），但位于发光结构上方（倒装结构），而非下方，因此该技术特征未被公开。 |
| 特征S：透射层包括硅胶《未公开》 | 对比文件未公开透射层包括硅胶。 | 对比文件的光学元件（透射层）通常由玻璃、高折射率玻璃等制成，未提及硅胶，因此该技术特征未被公开。 |
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