对比文件名称：2009-09-30_CN101546795A_发明公开_CN101546795A 半导体发光元件
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：无
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 对比文件具体实施方式：“半导体芯片4设于导热体3上并位于穿孔23形成的内槽中，半导体芯片4可以为任一种发光二极管芯片” | 对比文件明确公开了半导体芯片4作为发光结构，因此直接公开技术特征A。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《隐含公开》 | 对比文件具体实施方式：“半导体芯片4可以为任一种发光二极管芯片，举例来说，其可以为氮化镓(GaN)发光二极管芯片” | 虽然对比文件未明确描述层结构，但本领域技术人员公知，氮化镓发光二极管芯片必然包括n型半导体层（第一导电半导体层）、p型半导体层（第二导电半导体层）以及位于两者之间的有源层（如多量子阱层）。因此，从对比文件公开的发光二极管芯片可以合理推断出其包含这些层，故隐含公开。 |
| 技术特征C：发光结构上的透射层《直接公开》 | 对比文件具体实施方式：“封装胶体6覆盖于半导体芯片4上，并充满穿孔23形成的内槽及凹槽24” | 对比文件公开了封装胶体6直接覆盖在半导体芯片4上，该封装胶体由透光材料制成，相当于发光结构上的透射层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：透射层上的荧光材料层《直接公开》 | 对比文件具体实施方式：“封装胶体6表面上覆盖了一荧光层7” | 对比文件明确公开了荧光层7覆盖在封装胶体6表面，即透射层上的荧光材料层，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》 | 对比文件全文未提及荧光层具有图案 | 对比文件中的荧光层7是整层覆盖，未公开任何图案结构，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件没有描述荧光层部分暴露下层结构，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件的荧光层7位于封装胶体表面，并非直接形成在芯片横向侧面，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》 | 对比文件具体实施方式：“封装胶体6覆盖于半导体芯片4上” | 封装胶体覆盖芯片，其底表面必然设置在芯片顶表面，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 对比文件全文未提及透射层厚度 | 对比文件未公开封装胶体的厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 对比文件全文未提及荧光层厚度 | 对比文件未公开荧光层的厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未涉及荧光层构图工艺及面积比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未公开荧光层在芯片侧面的图案，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未公开任何厚度关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未描述半导体芯片下方的电极，仅提到导热体，但导热体并非电极，且导线架与导热体分离，因此未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《隐含公开》 | 对比文件具体实施方式：“导线架5设于壳体2上，包括两个分别设于导热体3两侧并与导热体3相间隔的部件51，及多条分别电连接各部件51与半导体芯片4的金属导线52” | 对比文件公开了导线架通过金属导线与半导体芯片电连接，这必然要求芯片顶表面具有至少两个电极接触点（第一电极），本领域技术人员可以合理推断出芯片顶表面设有至少两个第一电极，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未公开荧光层图案具有孔，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未公开芯片与电极的宽度关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件全文未公开 | 对比文件未公开非导电衬底，芯片直接置于导热体上，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《直接公开》 | 对比文件具体实施方式：“封装胶体6皆由具有高穿透性的透光材料(如硅胶、环氧树脂等)所制成” | 对比文件明确公开封装胶体可由硅胶制成，即透射层包括硅胶，因此直接公开。 |
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