对比文件名称：2004-07-23_KR1020040065667A_发明公开_KR1020040065667A 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含透明阳极作为第一电极。 **直接公开** | 对比文件[42]：“阳极是ITO, IZO, 锌氧化物, 锡氧化物等透明且高功函数材料。” | 对比文件明确列出了透明氧化物ITO、IZO等作为阳极材料，直接公开了透明阳极。 |
| 技术特征B：包含透明阴极作为第二电极。 **直接公开** | 对比文件[79]：“如果要从阴极侧发光，可以制备透明阴极，例如在薄金属阴极上沉积ITO或IZO。” | 对比文件直接教导了透明阴极的制备方法，即使用ITO或IZO等透明金属氧化物，因此直接公开了透明阴极。 |
| 技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层。 **直接公开** | 对比文件[70]：“发光层位于空穴传输层之上，可使用Alq3等材料。”实施例1（[97]）具体形成Alq3发光层。 | 对比文件明确描述了发光层的位置和材料，发光层必然位于阳极和阴极之间，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层。 **直接公开** | 对比文件[126]比较例3：“结构为基板/ITO阳极/式1a的HAT/NPB/...”，其中HAT层直接与ITO阳极接触。 | 对比文件虽然在本发明实施例中使用缓冲层，但比较例3明确公开了不含缓冲层时式1化合物（HAT）与阳极直接接触的方案，因此直接公开了与第一电极接触的第一有机材料层（含式1化合物）。 |
| 技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层。 **未公开** | 对比文件未公开任何与阴极直接接触且包含式1化合物的有机层。阴极通常直接接触电子传输层（如Alq3）或LiF等绝缘层，没有式1化合物。 | 对比文件未教导或暗示在阴极侧设置包含式1化合物的有机材料层，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物。 **未公开** | 对比文件仅在第一有机材料层（空穴注入层）中使用式1化合物（HAT），第二有机材料层不存在。 | 对比文件未公开第二有机材料层及其包含式1化合物，因此未公开特征F。 |
| 技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层。 **未公开** | 对比文件未公开与第二电极接触的第二有机材料层，也未公开在发光层与该层之间设置含n型掺杂剂的第三有机材料层。 | 对比文件的电子传输层不含n型掺杂剂，且无第二有机材料层，因此未公开。 |
| 技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层。 **直接公开** | 对比文件[68]：“在空穴注入层（HAT）上形成空穴传输层（NPB）。”实施例1（[95]）具体形成NPB层。NPB层位于HAT（第一有机材料层）与发光层之间，且与HAT接触。 | 对比文件直接公开了空穴传输层（p型有机材料层）位于发光层和第一有机材料层（HAT）之间并与之接触，因此直接公开。 |
| 技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低。 **未公开** | 对比文件未涉及n型掺杂剂，也未公开第二有机材料层，更未提及LUMO能级差。 | 对比文件未公开任何能级差值，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高。 **隐含公开** | 对比文件[68]公开了空穴传输层使用NPB。NPB是本领域公知的空穴传输材料，其HOMO能级约为5.4eV。 | 对比文件虽未直接给出数值，但本领域技术人员公知NPB的HOMO能级高于5eV，且对比文件明确使用了NPB，因此可以合理推断出该特征，故隐含公开。 |
| 技术特征K：[式1] **直接公开** | 对比文件[29]公开了化学式1，其结构与目标专利的式1一致（均为六氮杂苯并菲骨架）。 | 对比文件直接给出了与目标专利式1相同的结构式，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺。 **直接公开** | 对比文件[32]：“R是-CN, -SO₂R', -SOR', -SO₂NR'₂, -SO₃R', -NO₂, -CF₃等。” 这些基团均属于特征L所列选项中的一部分。 | 对比文件公开了R为氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基，这些具体基团落在特征L的范围内，因此直接公开了特征L的下位概念。 |
| 技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料。 **未公开** | 对比文件未公开第二有机材料层，更未提及两者材料相同。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环。 **未公开** | 对比文件未公开任何n型掺杂剂。 | 对比文件未公开n型掺杂剂及其类型。 |
| 技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%。 **未公开** | 对比文件未公开任何n型掺杂剂及含量。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团。 **未公开** | 对比文件未公开n型掺杂层，也未提及这些官能团。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料。 **直接公开** | 对比文件[42]阳极功函数>4.5eV；[13]阴极使用小功函数金属如Ca、Li、Mg等（功函数约2-3eV）。 | 对比文件公开的阳极功函数（>4.5eV）和阴极功函数（约2-3eV）均落在2-6eV范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成。 **直接公开** | 对比文件[42]阳极可由金属氧化物（ITO、IZO等）形成；[79]阴极可由透明金属氧化物（ITO、IZO）形成。 | 对比文件已明确教导阳极和阴极均可由金属氧化物形成，且可以相同（如均为ITO）或不同，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成。 **隐含公开** | 对比文件[42]和[79]分别公开了阳极和阴极均可由ITO等金属氧化物形成，但未明确强调两者相同。 | 本领域技术人员结合对比文件可以合理推断出阳极和阴极可以采用相同材料（如ITO）形成，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料。 **直接公开** | 对比文件[42]公开透明阳极；[79]公开透明阴极。 | 对比文件直接公开了透明阳极和透明阴极，因此至少一者透明，直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极。 **直接公开** | 对比文件[81]：“基本结构为基板/阳极/.../阴极。” 附图1-4均显示阳极在下、阴极在上的层叠结构。 | 对比文件直接公开了阳极作为下电极、阴极作为上电极的常规结构，因此直接公开。 |
| 技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层。 **直接公开** | 对比文件[43]：“缓冲层位于阳极和空穴注入层之间”；[45]列举了金属氧化物（如Al₂O₃、TiO₂等）作为缓冲层材料。 | 对比文件直接公开了在阳极和第一有机材料层（空穴注入层）之间设置金属氧化物等缓冲层，因此直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层。 **未公开** | 对比文件未公开第二有机材料层和第三有机材料层，因此无相关界面层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤。 **直接公开** | 对比文件实施例1（[91]）在ITO阳极上形成MTDATA缓冲层；[45]公开了各种金属氧化物作为缓冲层。 | 对比文件直接公开了形成缓冲层的步骤，包括金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤。 **未公开** | 对比文件未公开相关步骤。 | 对比文件未公开。 |
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