**对比文件的名称：** US20070221912A1 Stacked Organic Light Emitting Device Having High Efficiency and High Brightness
**目标专利的名称：** CN102414295B 有机发光器件及其制备方法
**本次调用的模型名称：** GPT-4
---
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，带段落号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极** 《直接公开》 | 第[0051]段：“外部阳极不仅可以由用于内电极的材料制造，还可以由具有高功函数的金属（如V、Cr、Cu、Zn、Au或其合金）制造，以及金属氧化物（如氧化锌、氧化铟、ITO（氧化铟锡）或In-Zn氧化物）制造。” 实施例中外部阳极为ITO（透明）。 | 对比文件明确公开了外部阳极（第一电极）可以使用ITO等透明导电氧化物材料，因此直接公开了透明阳极。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极** 《隐含公开》 | 第[0055]段：“根据用于叠层有机发光器件的材料，本发明的叠层有机发光器件可以制成顶部发射型、底部发射型或双面发射型有机发光器件。” | 对比文件虽未明确列出透明阴极材料，但公开了器件可制成双面发射型，本领域技术人员根据双面发射的要求可知第二电极（阴极）必须为透明或半透明，因此隐含公开了透明阴极。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层** 《直接公开》 | 第[0022]段：“至少两个发光部分排列在阳极和阴极之间，包括一个发光层。” | 对比文件明确公开了发光层位于阳极和阴极之间，因此直接公开了发光层置于第一电极和第二电极之间。 |
| **技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层** 《直接公开》 | 第[0022]段：“每个发光部分包括一个含有电子亲和力高于4eV的有机材料的有机材料层，并且该有机材料层形成在发光层的和面向与外部电源连接的阳极的电极之间。” 实施例中HAT（六氰基六氮杂苯并菲）层直接沉积在ITO阳极上。 | 对比文件公开了与阳极（第一电极）接触的有机材料层（HAT层），该层作为空穴注入层，直接与第一电极接触，因此直接公开了该特征。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层** 《直接公开》 | 第[0070]段：“之后，通过真空沉积将在化学式2中所示的化合物……沉积在发光层上，从而形成厚度约为200Å的电子传输层。” 第[0072]段：“LiF和Al顺序沉积在电子传输层上，从而形成阴极。” | 对比文件明确公开了电子传输层（有机材料层）与阴极（第二电极）直接接触（通过LiF层，但LiF通常视为阴极的一部分），因此直接公开了与第二电极接触的第二有机材料层。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物** 《未公开》 | 第[0039]段：“电子亲和力高于4eV的有机材料的一个实例如化学式1所示。” 第[0040]段定义了R1-R6。实施例中第一有机材料层使用HAT（化学式1的实例），但第二有机材料层（电子传输层）使用化学式2的化合物，非式1化合物。 | 对比文件虽然公开了第一有机材料层包含式1化合物，但第二有机材料层（电子传输层）不包含式1化合物，因此没有公开第一和第二有机材料层均包含式1化合物。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层** 《未公开》 | 对比文件全文未提及n型掺杂剂，也未在发光层与阴极之间设置掺杂层。 | 对比文件没有公开任何包含n型掺杂剂的有机材料层，更未公开其位于发光层和第二有机材料层之间，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层** 《直接公开》 | 第[0070]段：“NPB通过真空沉积沉积在空穴注入层上，从而形成厚度约为400Å的空穴传输层。” NPB是p型空穴传输材料，位于HAT层（第一有机材料层）和发光层之间，并与HAT层接触。 | 对比文件公开了p型有机材料层（NPB空穴传输层）位于发光层和第一有机材料层（HAT）之间且与第一有机材料层接触，因此直接公开。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低** 《未公开》 | 对比文件未公开第三有机材料层和第二有机材料层（与阴极接触的式1化合物层），因此无法比较能级差。 | 由于对比文件未公开对应的层结构，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高** 《直接公开》 | 第[0035]段：“现有空穴传输层的HOMO能级设定为5.0-6.0 eV。” | 对比文件明确公开了p型有机材料层（空穴传输层）的HOMO能级范围为5.0-6.0 eV，包含5eV或更高，因此直接公开。 |
| **技术特征K：[式1]** 《直接公开》 | 第[0039]段：“电子亲和力高于4eV的有机材料的一个实例如化学式1所示。” 化学式1的结构与目标专利式1相同。 | 对比文件公开了与目标专利式1完全相同的化学式，因此直接公开。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺** 《直接公开》 | 第[0040]段：“R1至R6选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环化合物、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单芳基胺或二芳基胺、和取代的或未取代的芳烷基。” | 对比文件对R1-R6的定义与目标专利的特征L完全一致，因此直接公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料** 《未公开》 | 对比文件第一有机材料层为HAT（式1化合物），第二有机材料层为电子传输材料（化学式2），两者材料不同。 | 对比文件未公开第一和第二有机材料层由相同材料形成，且第二有机材料层不包含式1化合物，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环** 《未公开》 | 对比文件未提及任何n型掺杂剂。 | 对比文件没有公开第三有机材料层及其n型掺杂剂，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%** 《未公开》 | 对比文件未提及n型掺杂剂含量。 | 对比文件没有公开第三有机材料层及其掺杂剂含量，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团** 《未公开》 | 对比文件未公开含有咪唑、噁唑或噻唑基团的化合物作为掺杂主体。 | 对比文件没有公开第三有机材料层及其具体化合物，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料** 《直接公开》 | 第[0051]段公开外部阳极可用ITO（功函数约4.8eV），第[0052]段公开外部阴极可用LiF/Al（Al功函数约4.3eV）。这些材料的功函数均在2-6eV范围内。 | 对比文件公开了第一电极（阳极）和第二电极（阴极）的具体材料，这些材料的功函数已知属于2-6eV，因此本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成** 《未公开》 | 对比文件外部阳极是ITO（金属氧化物），外部阴极是LiF/Al（金属/金属盐），并非金属氧化物。 | 对比文件未公开第二电极由金属氧化物形成，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成** 《未公开》 | 对比文件外部阳极为ITO，外部阴极为LiF/Al，材料不同。 | 对比文件未公开第一和第二电极由相同材料形成，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料** 《直接公开》 | 第[0051]段公开外部阳极可用ITO等透明材料，实施例中阳极为透明ITO。 | 对比文件公开了第一电极（阳极）包含透明材料（ITO），因此至少一个电极包含透明材料，直接公开。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极** 《直接公开》 | 第[0053]段：“阳极形成在透明玻璃基底上。……最后，阴极形成在第二发光部分上。” 图2显示阳极在下，阴极在上。 | 对比文件公开了阳极（第一电极）位于基底上作为下电极，阴极（第二电极）位于顶部作为上电极，因此直接公开。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层** 《未公开》 | 对比文件实施例中ITO阳极上直接沉积HAT层，未设置任何中间层。全文未提及在阳极与空穴注入层之间插入金属或金属氧化物层。 | 对比文件未公开位于第一电极和第一有机材料层之间的金属或金属氧化物层，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层** 《未公开》 | 对比文件未公开第二有机材料层（与阴极接触的式1化合物层）和第三有机材料层（含n型掺杂剂），因此无界面层。 | 对比文件未公开对应的层结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤** 《未公开》 | 对比文件未公开在阳极与空穴注入层之间形成金属或金属氧化物层的步骤。 | 对比文件未公开该工艺步骤，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤** 《未公开》 | 对比文件未公开第二有机材料层和第三有机材料层，因此无对应界面层形成步骤。 | 对比文件未公开该工艺步骤，因此该特征未被公开。 |
---
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开或隐含公开的技术特征对应代码如下：
<<<A>>> <<<b>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<H>>> <<<J>>> <<<K>>> <<<L>>> <<<Q>>> <<<T>>> <<<U>>>