**对比文件名称：** 2007-10-04_US2007228404A_发明申请_US20070228404A1 SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING WHITE-LIGHT LIGHT EMITTING DIODES
**目标专利名称：** 1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称：** 大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 无 | 对比文件仅描述了金属衬底作为支撑，未公开任何用于支撑阵列的基底片等第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何结合层。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 无 | 对比文件既未公开结合层，也未公开第一支撑构件，因此无此布置。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 段落[0023]：“每个LED包括通过激光剥离工艺形成的金属衬底70。” | 对比文件明确公开了金属衬底70，作为导电支撑基板，相当于第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层，因此没有公开这种布置。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 段落[0023]：“p电极72位于金属衬底70上方。接下来，反射镜和p接触74以及p-GaN部分76位于p电极72上方。形成有源区78（包括多量子阱），并且n-GaN部分82形成在有源区78上方。” | 对比文件公开了由p-GaN、有源区、n-GaN构成的发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 同上，发光结构形成在金属衬底70上方。 | 对比文件发光结构通过p电极等层位于金属衬底上，因此布置在第二支撑构件上。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 段落[0023]：“n-GaN部分82”。 | 对比文件公开了n-GaN作为第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 段落[0023]：“p-GaN部分76”。 | 对比文件公开了p-GaN作为第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 段落[0023]：“有源区78”。 | 对比文件公开了有源区位于p-GaN和n-GaN之间。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 段落[0030]-[0031]：“接触金属层99（例如Ni/Cr）沉积在光刻胶掩模层顶部，与磷光体层96耦合并与n-GaN 80接触”；“焊盘98形成在图案化磷光体层96上方以形成n焊盘。” | 对比文件公开了n电极（焊盘）作为第一电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，n电极接触n-GaN。 | 对比文件公开了第一电极设置在n-GaN上，即布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何金属层连接相邻器件的第二支撑构件。切割前金属衬底连续但未形成独立金属层；切割后器件分离。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层及其边缘位置。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层及其凹凸结构。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无 | 对比文件未公开第一支撑构件及其表面凹凸结构。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件未公开连接相邻器件的金属层及其组成。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件未公开结合层及相关金属层。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件未公开相关金属层。 |
| 技术特征U：欧姆层（直接公开） | 段落[0023]：“反射镜和p接触74”。 | 对比文件公开了p接触，其形成欧姆接触，相当于欧姆层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 段落[0023]：p接触74位于p-GaN 76和金属衬底70之间（通过p电极72）。 | 对比文件公开了p接触位于p-GaN和金属衬底之间，因此欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。 |
| 技术特征X：反射层（直接公开） | 段落[0023]：“反射镜和p接触74”中的反射镜部分。 | 对比文件公开了反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 段落[0023]：反射层与p接触（欧姆层）集成，未单独形成。 | 对比文件中的反射层与欧姆层是同一层，未公开反射层单独布置在欧姆层和第二支撑构件之间。本领域技术人员不能毫无疑义地得出该结构。 |
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