对比文件名称：2009-06-24_JP4286104B_发明专利_JP4286104B2 Use of the semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：资深专利代理师评估模型（Mistral Large）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A: 第一支撑构件（隐含公开） | 基底ケーシング8（基底壳体8），参见说明书段落[2]：“不透過性の、場合によっては事前に製造された基底ケーシング８内に埋込まれている。” | 对比文件公开了基底壳体8，作为支撑构件用于安装电气连接端子和半导体基体。虽然其具体形式（壳体）与目标专利的基底片（带状）不同，但均属于支撑构件，本领域技术人员有可能从对比文件推理出第一支撑构件的概念，因此隐含公开。 |
| B: 至少两个结合层（不公开） | 无直接对应。对比文件提及“導電性結合手段”（导电结合手段，如金属焊料或粘合剂），用于连接半导体基体1到第一连接端子2，但仅为一层且作用不同。 | 对比文件未公开至少两个结合层，其结合手段是单个且用于连接发光结构到第二支撑构件，而非目标专利中用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件的结合层，因此不公开。 |
| C: 所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（不公开） | 同上。 | 对比文件未公开任何结合层布置在第一支撑构件上，因此不公开。 |
| D: 第二支撑构件（直接公开） | 第１の電気接続端子２（第一电气连接端子2），参见说明书段落[2]：“半導体基体１は導電性結合手段、例えば、金属性ろう又は接着剤を用いて、第１の電気接続端子２上の背面電極コンタクト１１に取り付けられている。” | 对比文件的第一连接端子2是导电的支撑件，用于支撑半导体基体，与目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板）在结构和功能上实质等同，均起到支撑和电连接作用，因此直接公开。 |
| E: 所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（不公开） | 无。 | 对比文件没有结合层，且第一连接端子直接支撑半导体基体，未通过结合层布置，因此不公开。 |
| F: 发光结构（直接公开） | 半導体基体１，包括多層構造７，参见说明书段落[2]：“半導体基体１は...複数の様々の層から成る多層構造７を有し。” | 对比文件的半导体基体1包含多层发光结构，能够发射光束，与目标专利的发光结构实质相同，因此直接公开。 |
| G: 所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 同上，半导体基体1安装在第一连接端子2上。 | 对比文件中，发光结构通过背面电极和导电粘合剂直接布置在第一连接端子（第二支撑构件）上，因此直接公开。 |
| H: 第一导电类型半导体层（直接公开） | 图9中的ｎ導電形ＧａＮ層20、22，参见说明书段落[2]：“ｎ導電形ＧａＮ層２０。” | 对比文件公开了n型GaN层，属于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| I: 第二导电类型半导体层（直接公开） | 图9中的ｐ導電形ＧａＮ層24，参见说明书段落[2]：“ｐ導電形ＧａＮ層２４。” | 对比文件公开了p型GaN层，属于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| J: 被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 说明书段落[2]：“１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 对比文件的多层结构包含有源区（active zone），位于n型和p型层之间，用于发光，相当于目标专利的有源层，因此直接公开。 |
| K: 第一电极（直接公开） | 前面コンタクト１２（前面电极12），参见说明书段落[2]：“前面コンタクト１２。” | 对比文件公开了前面电极，作为第一电极用于电连接，因此直接公开。 |
| L: 所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，前面电极12形成在半导体基体1上。 | 对比文件的前面电极直接布置在半导体基体（发光结构）上，因此直接公开。 |
| M: 其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（不公开） | 无。 | 对比文件仅涉及单个发光器件，未公开多个器件之间的金属层连接，因此不公开。 |
| N: 其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（不公开） | 无。 | 对比文件没有结合层，因此不公开。 |
| O: 其中所述结合层包括凹凸结构（不公开） | 无。 | 对比文件没有结合层，因此不公开。 |
| P: 所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（不公开） | 无。 | 对比文件未公开凹凸结构，因此不公开。 |
| Q: 其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（不公开） | 无。 | 对比文件没有金属层，因此不公开。 |
| R: 其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（不公开） | 无。 | 对比文件没有金属层和结合层，因此不公开。 |
| S: 其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（不公开） | 无。 | 对比文件没有金属层，因此不公开。 |
| T: 进一步包括（不单独判断） | - | - |
| U: 欧姆层（直接公开） | 背面コンタクト１１（背面电极11），参见说明书段落[2]：“背面コンタクト１１。” | 对比文件公开了背面电极，位于半导体基体1和第一连接端子2之间，用于欧姆接触，与目标专利的欧姆层功能相同，因此直接公开。 |
| V: 所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 同上，背面电极11位于半导体基体背面（与第二导电类型层接触）和第一连接端子2之间。 | 对比文件的背面电极直接布置在第二导电类型层和第二支撑构件之间，位置关系相同，因此直接公开。 |
| W: 进一步包括（不单独判断） | - | - |
| X: 反射层（不公开） | 反射器として構成された部分16（反射器部分16），但并非独立层，参见说明书段落[2]：“反射器として構成された部分１６。” | 对比文件没有独立的反射层，仅壳体具有反射形状，不位于欧姆层和第二支撑构件之间，因此不公开。 |
| Y: 所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（不公开） | 无。 | 对比文件没有反射层，因此不公开。 |
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