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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx

对比文件的名称:2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method

目标专利的名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利权利要求的技术特征划分,结合目标专利说明书对技术特征的解释,对对比文件JP2004039867A进行逐一比对和公开性判断。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A《直接公开》**【0021】回路モジュール1には、多層配線回路部2内に、薄膜技術や厚膜技術によってキャパシタ素子14やレジスタ素子15**或いはスパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。对比文件明确公开了在多层布线电路部内形成“螺旋型电感元件”。该电感元件必然包含导电材料(例如,通过电镀形成的导体金属层)。这与技术特征A“第一电感器绕组,其包括导电材料”的技术方案相同,被直接公开。
**技术特征B《隐含公开》**【0021】回路モジュール1には、多層配線回路部2内に、薄膜技術や厚膜技術によってキャパシタ素子14やレジスタ素子15**或いはスパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。对比文件明确公开了可以形成电感元件。虽然未明确描述存在两个独立的“电感器绕组”,但本领域技术人员基于该文件公开的“多层布线电路模块”这一整体技术方案,可以理解为了实现电路功能(例如,构成耦合电感或不同功能的电感),完全有可能在电路模块内部设置两个或更多的电感元件。因此,技术特征B“第二电感器绕组,其包括导电材料”被隐含公开。
**技术特征C《未被公开》**无对应内容。目标专利的“填充物”是横向位于两个电感器绕组之间,专门用于提供“结构耦合”的独立部件(如环氧树脂)。对比文件中的绝缘层(第1绝缘层22、第2绝缘层23)是用于形成布线图案和通孔的介质材料,其作用是电绝缘和构建布线层结构,而非专用于横向连接并机械固定两个分立电感器绕组。两者作用不同,结构位置也不同。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。
**技术特征D《未被公开》**无对应内容。如特征C所述,对比文件中的绝缘层不承担“提供结构耦合”的功能。其目的是形成高密度布线,而非将两个分立电感器绕组在无基板状态下结合成一个稳固的机械结构。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征E《未被公开》**【0019】...多層配線回路部2が、平坦な主面上に剥離層21を設けた**ベース基板20**上に第1層単位配線層8が形成され...。【0046】ベース基板剥離工程は、...**ベース基板20**から剥離される。目标专利强调“没有作为基底部分的基板”,即电感器结构自身不包含作为支撑基础的基板。对比文件明确记载了在“基板(ベース基板20)”上制造多层布线电路部,虽然最终有一个“剥离”步骤,但剥离后得到的产品(多层布线电路部)本身可能仍包含其内部的绝缘层作为结构支撑,且剥离步骤是可选的(例如,基板也可被减薄而非完全移除)。这与目标专利明确限定“没有作为基底部分的基板”的结构存在区别。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F《未被公开》**无对应内容。对比文件未描述两个电感元件(如果存在多个)是否“横向共面”。其电感元件16可以形成在任何一层单位布线层中,可能位于不同层,而非必然在同一平面内横向排列。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征G《隐含公开》**【0021】...**スパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。对比文件明确公开了“螺旋型”的电感元件。虽然未明确记载两个独立的电感器分别具有螺旋形状,但本领域技术人员可以合理推断,当需要设置两个电感器时,采用文件已公开的、常见的螺旋形状来实现是显而易见的可能性。因此,技术特征G被隐含公开。
**技术特征H《未被公开》**无对应内容。对比文件仅提及“螺旋型”,未描述电感器绕组具有“拉长的圆形形状”。该形状是特定的形状限定,不能从“螺旋型”毫无疑义地或合理地推断出来。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征I《隐含公开》**【0021】...**スパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。【0038】...配線パターン26とともにマザー基板3に実装するための**接続パッドや入出力電極**が形成される。螺旋电感元件要实现电连接,必然具有输入端子和输出端子(两个端子)。对比文件也提到会形成用于连接的电极和焊盘。虽然未明确描述一个电感器具有两个端子,但这是电感器元件的基本属性。本领域技术人员可以毫无困难地推断出所公开的电感元件必然包括端子。当存在两个电感器时,自然分别包括各自的端子。因此,技术特征I被隐含公开。
**技术特征J《隐含公开》**基于特征I的引用。端子耦合至电感器绕组的两端,是电感器实现其功能的基本连接方式。本领域技术人员从公开的螺旋电感元件及其必然存在的端子,可以合理推断出端子与绕组端部的连接关系。因此,技术特征J被隐含公开。
**技术特征K《未被公开》**【0026】...多層配線回路部2を構成する第1層単位配線層8乃至第5層単位配線層12が例えば**5μm程度**の厚みを以って形成され、多層配線回路部2の全体の厚みも**数十μm程度**までに押さえられる。对比文件提到了单位布线层和整体电路部的厚度在微米量级,但并未明确记载“电感器绕组的厚度”这一具体参数,更未提及“小于0.2毫米(200微米)”的数值限定。虽然其整体结构可能很薄,但无法直接或隐含地得出电感器绕组本身满足该厚度要求。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征L《未被公开》**【0029】第1の絶縁層22は、例えば**ポリイミド系或いはエポキシ系**のネガ型感光性絶縁樹脂材が用いられ...。【0032】第2の絶縁層23も、第1の絶縁層22と同様に例えば**ポリイミド系或いはエポキシ系**のネガ型感光性絶縁樹脂材が用いられ...。对比文件公开的绝缘层材料可以是环氧树脂。但如特征C所述,该绝缘层并非目标专利中定义的、位于两个电感器绕组之间并起结构耦合作用的“填充物”。因此,即使材料相同,由于其功能和结构位置不同,不能认为公开了技术特征L。
**技术特征M《未被公开》**无对应内容。对比文件全文未提及在电感器结构附近设置铁磁层。因此,该技术特征既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征N《隐含公开》**【0016】回路モジュール1は、...多層配線回路部2の第2の主面2bに多数個の半導体実装用バンプ5を介して搭載された複数個...の半導体チップ(LSI)6A、6Bと、...から構成される。对比文件描述的多层布线电路模块(1)在结构上包含一个多层布线部(2)以及堆叠搭载在其上的多个半导体芯片(6A, 6B)。这实质上就是一种层叠封装(PoP)结构。因此,当电感元件(16)集成在该电路模块内部时,本领域技术人员可以合理推断其被集成在了一种PoP结构上。技术特征N被隐含公开。
**技术特征O《隐含公开》**【0021】回路モジュール1には、**多層配線回路部2内に**、...**スパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。对比文件明确公开了电感元件(16)形成在“多层布线电路部(2)内”。该多层布线电路部在功能上可作为封装基板(或称中介板)。电感元件可以形成在其内部各层,也可以理解为形成在其“表面”(即最上层的表面)。因此,技术特征O被隐含公开。
**技术特征P《隐含公开》**【0021】回路モジュール1には、**多層配線回路部2内に**、...**スパイラル型のインダクタ素子16**が成膜形成されてなる。如上所述,对比文件明确记载了电感元件形成在“多层布线电路部(2)内”。这直接对应于技术特征P“被集成在封装基板内部”。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征Q《直接公开》**【0015】...回路モジュール(以下、単に回路モジュールと略称する)1は、例えば情報通信機能やストレージ機能等を有して、**パーソナルコンピュータ、携帯電話機或いはオーディオ機器等の各種電子機器に搭載**され...。对比文件明确说明了其电路模块用于个人计算机、移动电话、音频设备等各种电子设备中。因此,技术特征Q“电感器结构被纳入在电子设备中”被直接公开。

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