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对比文件列表
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx

对比文件名称:2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
A:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料 《直接公开》说明书第[0026]段:“变压器202可以是采用单金属层和基于布局设计而被电介质材料分开的各绕组的内绕线型...”;说明书第[0028]段:“高电压铜绕组306和低电压铜绕组310...”;说明书第[0028]段:“...变压器各绕组的铜金属的宽度可以为20μm...”。对比文件明确公开了变压器包含绕组,且绕组由导电材料(铜)构成。例如,“高电压铜绕组306”和“低电压铜绕组310”直接公开了第一电感器(或变压器绕组)由导电材料(铜)构成。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
B:第二电感器绕组,其包括导电材料 《直接公开》说明书第[0026]段:“变压器202可以是采用单金属层...的内绕线型...”;说明书第[0028]段:“高电压铜绕组306和低电压铜绕组310...”。对比文件明确公开了变压器包含两个绕组,即高电压绕组和低电压绕组。这两个绕组均由导电材料(铜)构成。因此,第二电感器绕组(低电压铜绕组310)包括导电材料的技术特征被直接公开。
C:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间, 《直接公开》说明书第[0026]段:“...各绕组因布局设计而分开。”;说明书第[0026]段:“...被电介质材料分开...”;说明书第[0028]段:“...分开高电压铜绕组线圈306和低电压铜绕组线圈310的BCB层...”。对比文件公开了在两个绕组(306和310)之间存在电介质材料(如BCB),该材料将两个绕组隔开。根据图4的剖视图,该电介质层(BCB)横向位于两个绕组之间。本领域技术人员能毫无疑义地得出存在位于两绕组之间的填充/隔离材料。
D:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合, 《隐含公开》说明书第[0026]段:“...被电介质材料分开...”;说明书第[0028]段:“...分开高电压铜绕组线圈306和低电压铜绕组线圈310的BCB层...”。对比文件公开了电介质材料(BCB)位于两绕组之间,其主要作用是电隔离。虽然对比文件未明确记载该材料用于“提供结构耦合”,但本领域技术人员可以理解,位于两绕组之间的固体电介质材料(BCB)在物理上连接并支撑两个绕组,客观上起到了将两个绕组结构耦合在一起的作用。这种结构耦合作用是材料物理存在的必然结果。因此,该特征被隐含公开。
E:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。 《未公开》说明书第[0022]段:“本文公开和要求保护的主题提供在一层或者多层金属层中,但是在石英晶片之上而不是硅晶片之上,产生电隔离变压器的工艺。”;说明书第[0023]段:“电介质衬底204可以包括,但不局限于,石英晶片或任何绝缘晶片...”;图2、3、4均明确示出变压器形成在石英衬底上。目标专利的核心之一是“无基板”,即电感器结构没有作为基底部分的基板(参见说明书[0051]段)。对比文件明确且反复强调其变压器是形成在“石英衬底”、“电介质衬底”之上的(例如图2的204,图3的302),该衬底构成了整个变压器结构的基底。因此,对比文件公开的技术方案具有明确的基底(石英衬底),与目标专利要求保护的“没有作为基底部分的基板”的技术特征相反。
F:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。 《直接公开》说明书第[0025]段:“内绕线型采用单金属层,并且各绕组因布局设计而分开。”;说明书第[0026]段:“变压器202可以是采用单金属层...的内绕线型...”。对比文件明确记载了“内绕线型采用单金属层”,并且附图3、4所示的内绕线变压器300的两个绕组(306,310)均形成在同一个石英衬底表面上,属于同一金属层,因此是横向共面的。本领域技术人员能直接且毫无疑义地得出该结论。
G:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。 《直接公开》说明书第[0028]段:“...螺旋线圈有7个绕组...”;说明书第[0030]段:“图6所示的是内绕线八角变压器设计...”。对比文件明确记载了变压器绕组是“螺旋线圈”,并且图6显示了“八角变压器设计”,这属于螺旋形状的一种具体实施方式。因此,第一和第二绕组都具有螺旋形状的技术特征被直接公开。
H:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。 《未公开》无相关记载。对比文件虽然公开了绕组具有螺旋形状(特征G),但并未具体限定其形状为“拉长的圆形形状”(如赛马场形)。说明书第[0028]段描述的尺寸(2100x2100μm外侧,800x800μm内侧)更接近方形,图6显示为八角形。因此,对比文件没有公开“拉长的圆形形状”这一具体形状特征。
I:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。 《隐含公开》说明书第[0023]段:“焊线214...将变压器202电气连接在第一集成电路206和第二集成电路210之间”;图3示出了焊线304连接至高电压绕组306,焊线308连接至低电压绕组310。对比文件公开的变压器绕组需要与外部电路(集成电路)进行电气连接,这必然要求每个绕组具有两个电连接端(即端子),以便电流流入和流出。图3中通过焊线304、308进行连接,隐含了每个绕组都有两个端子用于连接。因此,本领域技术人员能够合理推断出该技术特征。
J:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。 《隐含公开》说明书第[0023]段及图3:焊线304连接至高电压绕组306,焊线308连接至低电压绕组310。为了构成有效的电感器或变压器绕组,其两个端子必须分别耦合至绕组线圈的两端(起始端和结束端)。对比文件通过焊线将外部电路连接至绕组,这必然意味着焊线所连接的点就是绕组的端子,并且这些端子分别位于绕组的两端以实现电气功能。因此,本领域技术人员能够合理推断出该技术特征。
K:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。 《直接公开》说明书第[0028]段:“...各绕组的厚度可以为5μm。”对比文件明确记载了绕组(铜金属)的厚度为5微米(μm),即0.005毫米,该数值远小于目标专利权利要求中限定的0.2毫米。因此,该厚度特征被直接公开。
L:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。 《未公开》说明书第[0026]、[0028]段:电介质材料为BCB(苯并环丁烯)。对比文件明确记载了位于绕组之间的填充/隔离材料是特定的电介质材料“BCB”(苯并环丁烯),而非目标专利中限定的“环氧树脂”。两者属于不同的具体材料,本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出填充物为环氧树脂。
M:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。 《未公开》说明书第[0026]段:“本文所述变压器是空气芯变压器;”。对比文件明确说明其变压器是“空气芯变压器”,即没有磁芯,更未提及在填充物相邻位置设置铁磁层。目标专利说明书[0063]段提及的铁磁层用于提高Q因子和提供磁屏蔽,是对比文件完全没有涉及的技术内容。
N:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。 《未公开》无相关记载。对比文件描述的是将变压器形成在独立的石英衬底上,然后通过键合、焊线等方式与硅管芯集成在一个封装(如PLCC)内(参见说明书[0030]段)。整个技术方案未涉及“层叠封装(PoP)结构”这一具体的先进封装形式。
O:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。 《未公开》对比文件中的变压器是形成在作为独立部件的“石英衬底”上(见说明书[0022]、[0023]段),该石英衬底是变压器的基底,并非“封装基板”。虽然石英衬底最终会与其他部件一起被封装,但变压器结构本身并非直接“集成在封装基板的表面上”。目标专利的该特征强调电感器结构直接制作或放置于封装基板的表面(参见说明书[0013]、[0045]段及图7-9)。对比文件的技术方案是将变压器制作在独立的石英晶片(衬底)上,该石英衬底本身不是封装基板,而是作为一个单独的器件衬底。两者结构不同。
P:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。 《未公开》无相关记载。对比文件完全没有提及将变压器集成到封装基板的内部。其变压器结构位于独立的石英衬底之上,与封装基板内部集成是完全不同的技术概念和结构。
Q:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。 《隐含公开》说明书第[0001]段:“本发明关于电气系统中的电隔离...”;说明书第[0023]段:“集成电路系统200...”。对比文件公开的“电隔离变压器”应用于“集成电路系统”中,而集成电路系统是电子设备的核心组成部分。本领域技术人员能够毫无困难地理解,这种用于电路隔离的变压器必然会被纳入到诸如通信设备、计算机等电子设备中使用。因此,该特征被隐含公开。

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