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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx

对比文件名称:2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER

目标专利名称:无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》说明书第[0024]段:“...the copper high voltage winding 306 of the inter-wound transformer 300...”;第[0024]段:“...the copper low voltage winding 310 of the inter-wound transformer 300.”对比文件公开了变压器(transformer)具有高压绕组(high voltage winding)和低压绕组(low voltage winding),并明确指出绕组材料为铜(copper)。铜是导电材料,因此对比文件直接公开了包含导电材料的第一电感器绕组(高压绕组)。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》同上。如上所述,对比文件公开了变压器的低压绕组(low voltage winding),其材料同样为铜(copper)。因此对比文件直接公开了包含导电材料的第二电感器绕组(低压绕组)。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>《直接公开》说明书第[0024]段:“...the copper high voltage winding 306 and the copper low voltage winding 310 are separated by a dielectric, e.g., benzocyclobutene (BCB)...”;附图4显示了绕组之间由BCB层隔开。对比文件明确指出,高压绕组(第一绕组)和低压绕组(第二绕组)之间由介电材料(例如BCB)隔开。该介电材料位于两个绕组之间,起到电隔离作用,其物理位置关系对应于“横向位于...之间”。因此,该介电材料相当于“填充物”,被直接公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>《未公开》说明书第[0024]段:“...are separated by a dielectric, e.g., benzocyclobutene (BCB), having a minimum winding separation thickness that is based upon layout design.”对比文件中介电材料(BCB)的主要和明确作用是提供绕组间的电隔离(“separated by a dielectric”),以满足高电压隔离要求(参见背景技术[0006]-[0009])。虽然介电材料客观上对绕组有物理支撑作用,但本领域技术人员从对比文件公开的内容中,无法毫无疑义地得出或合理推断出该材料被“配置成”专门用于提供“结构耦合”,即以机械方式将两个绕组固定在一起以形成自支撑的无基板结构这一特定目的。目标专利中填充物的核心作用是替代基板,提供机械稳定性和结构完整性(见说明书[0051]段)。两者作用不同。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>《未公开》说明书第[0020]段:“...provides a process whereby a galvanic isolation transformer may be created in one or more layers of metal, but above a quartz wafer rather than a silicon wafer.”;第[0022]段:“...both the first semiconductor die 208 and the second semiconductor die 212 are also formed on the dielectric substrate 204.”;附图2、3、4均明确显示了变压器形成在石英(quartz)基板302/204上。对比文件的核心创新点之一正是将变压器制作在石英(介电)基板(quartz substrate)上,以解决硅基板导致的寄生损耗和耐压问题(见[0020], [0026]段)。整个变压器结构(包括绕组和介电层)是明确形成并依赖于该石英基板之上的。虽然说明书[0025]段提到石英晶圆在封装前可以被减薄(“thinned down”),但并未教导或暗示完全移除该基板以形成“没有作为基底部分的基板”的结构。目标专利明确要求移除基板以实现无基板结构(见[0054]段)。因此,对比文件未公开此特征。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>《直接公开》说明书第[0024]段描述的是“inter-wound transformer”(交错绕制变压器);附图3和4的布局图和截面图显示,高压绕组306和低压绕组310位于同一平面,并由同一介电层(BCB)隔开。对比文件公开的“inter-wound transformer”是一种平面变压器,其高压绕组和低压绕组在同一金属层上通过布局设计相互交错(参见[0005]段),附图3和4也清晰显示两个绕组位于同一平面。因此,第一电感器绕组(高压绕组)与第二电感器绕组(低压绕组)是横向共面的,被直接公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>《直接公开》说明书第[0028]段:“Although the transformers are shown in FIG. 6 as an inter-wound octaganal design...”;附图3、6显示了变压器的平面螺旋形状布局。对比文件公开的变压器是“inter-wound”设计,从附图3和6可以明确看出,其绕组(无论是高压侧还是低压侧)均具有平面螺旋形状(例如八边形螺旋)。因此,第一绕组和第二绕组各自具有螺旋形状,被直接公开。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>《未公开》说明书第[0028]段提及“inter-wound octaganal design”(交错绕制的八边形设计);附图3、6显示的绕组形状为多边形(如八边形)螺旋,并非拉长的圆形(如椭圆形或赛马场形)。对比文件公开的变压器绕组形状为八边形螺旋(octaganal),属于多边形。目标专利说明书[0059]段明确将“拉长的圆形形状(例如,赛马场形状)”与“正方形、矩形、椭圆形”等形状并列。八边形螺旋不属于拉长的圆形形状。因此,该特征未被公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>《直接公开》说明书第[0022]段:“...wire bonds 214 that electrically connect the transformer 202 between the first integrated circuit 206 and the second integrated circuit 210.”;附图3显示了绕组通过键合线(wire bonds 304, 308)连接到外部电路。任何具有实际功能的电感器或变压器绕组都必须具有两个电连接端(端子)以实现电流的流入和流出。对比文件中,变压器绕组(306,310)通过键合线(304,308)连接到集成电路,这必然意味着每个绕组有两个端子用于电连接。因此,该特征被直接公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>《直接公开》同上。基于技术特征I的论述,绕组通过键合线连接意味着其端子必然连接至绕组的端部。这是电感器/变压器绕组的常规电气连接方式,本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出。因此,该特征被直接公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>《直接公开》说明书第[0024]段:“...the thickness of the windings may be 5 μm...”对比文件明确公开了绕组(windings)的厚度为5微米(μm),即0.005毫米,该数值小于0.2毫米。因此,该特征被直接公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>《未公开》说明书第[0024]段:“...separated by a dielectric, e.g., benzocyclobutene (BCB)...”对比文件明确列举的介电材料(填充物)示例是BCB(苯并环丁烯),并未提及环氧树脂。虽然环氧树脂是常见的封装或填充材料,但对比文件并未公开或暗示使用它作为绕组间的填充物。因此,该特征未被公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>《未公开》说明书第[0023]段:“The transformers described herein are air core transformers;...”对比文件明确指出其所描述的变压器是“空芯变压器”(air core transformers),这意味着其没有使用铁磁材料作为磁芯。因此,对比文件不仅没有公开“至少一个铁磁层”这一附加特征,反而教导了与之相反的技术方案(空芯)。该特征未被公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>《未公开》全文未提及“层叠封装(PoP)”或“Package on Package”。对比文件主要描述将变压器与芯片共同集成在石英基板上,然后进行封装(如[0028]段提及44 Lead PLCC封装)。对比文件公开的集成方式是将变压器制作在石英基板上,并与芯片一起封装在一个标准的引线框封装(如PLCC)内。这不同于目标专利中所述的将电感器结构集成在“层叠封装(PoP)结构”的特定三维堆叠封装形式上。该特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>《未公开》对比文件中的变压器是形成在独立的石英基板(dielectric substrate)上,该石英基板随后作为一个整体部件被封装(见[0022], [0028]段)。并未描述将变压器直接制作在“封装基板(package substrate)”的表面上。目标专利的该特征指将电感器结构制作在封装基板(如有机层压基板)的表面上(见说明书[0013], [0092]段)。对比文件使用的是专门的石英基板,其作用更类似于芯片的承载基板,而非通常意义上的“封装基板”。两者基板的材料、作用和集成层次不同。该特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>《未公开》同上。对比文件未描述将变压器嵌入到封装基板内部的腔体或层间结构中。目标专利该特征涉及将电感器结构嵌入封装基板内部(如[0013], [0103]-[0119]段,图10-11)。对比文件中的变压器始终是位于石英基板的表面层,未公开任何嵌入封装基板内部的结构。该特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>《隐含公开》说明书第[0002]段:“The present invention relates to galvanic isolation in an electrical system...”;第[0022]段描述变压器用于连接两个集成电路以传输数据。对比文件明确其变压器用于“电气系统(electrical system)”中,为集成电路提供电隔离和数据传输功能(见[0002], [0022]段)。本领域技术人员知晓,具有此类功能的集成电路系统最终会被应用于各种电子设备(如通信设备、计算机等)中。因此,可以合理推断出该电感器(变压器)结构会被纳入电子设备中,该特征被隐含公开。

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