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对比文件列表
2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx

对比文件名称:2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用模型名称:DeepSeek最新版本模型

作为资深专利代理师,我将严格遵循您的要求,对目标专利权利要求的技术特征进行逐一比对和公开性判断。以下是根据目标专利权利要求划分的特征比对表格及详细论述。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用 (翻译成中文)公开性论述
**技术特征A《直接公开》**<br>包括:第一电感器绕组,其包括导电材料说明书第[0030]段:“FIG. 3A shows a multi-phase ‘buck’ type switching power converter with multiple (N) inductors 304...”;<br>第[0035]段:“FIG. 4A shows an inductor suitable for use as one of the embedded inductors 304... It comprises spaced apart vias 404 coupled together at common (e.g., ‘lower’) ends with a portion (e.g., trace) 406 of a conductive layer. At their other ends, they are coupled to conductive layer portions 402, which serve as terminals for the inductor.” (图4A示出了适合用作嵌入电感器304之一的电感器……它包括间隔开的通孔404,这些通孔在其公共(例如,“下部”)端通过导电层的一部分(例如,迹线)406耦合在一起。在它们的另一端,它们耦合到导电层部分402,这些部分充当电感器的端子。)对比文件明确公开了由导电材料(如铜通孔和金属迹线)形成的电感器结构。图4A及相应描述展示了一个完整的电感器,其包括导电部分(通孔404和导电层部分406),这些部分共同构成了电感器绕组。本领域技术人员能够毫无疑义地确定,该电感器结构包含由导电材料构成的绕组。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
**技术特征B《直接公开》**<br>第二电感器绕组,其包括导电材料说明书第[0048]段:“FIG. 6B shows eight inductors (L1 to L8) coupled together using complementary pairs...”(图6B示出了八个电感器(L1至L8)使用互补对耦合在一起……);<br>结合图6A、6B,多个电感器(如L1, L5等)的结构与图4A所述类似,均由导电通孔和导电层构成。对比文件公开了多个电感器(例如L1和L5构成一对)的结构。每个电感器都是独立的结构,由导电通孔和导电层形成。因此,第二电感器绕组(如L5)同样包括导电材料。本领域技术人员能从图6A/B及全文描述中直接、毫无疑义地得出存在多个由导电材料构成的电感器绕组。因此,技术特征B被直接公开。
**技术特征C《直接公开》**<br>填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间说明书第[0027]段:“The substrate 104 comprises an insulative core (e.g., made from plastic, ceramic, or some other suitable material) 113 sandwiched between conductive core layers 111, insulative (e.g., core) layers 109, and conductive build-up layers 107.”(基板104包括夹在导电芯层111、绝缘(例如,芯)层109和导电积层107之间的绝缘芯(例如,由塑料、陶瓷或其它合适材料制成)113。);<br>第[0029]段:“Typically, vias are formed from a hole lined and/or filled with a conducting material (e.g., copper).”(通常,通孔由衬有和/或填充有导电材料(例如,铜)的孔形成。)<br>结合图1B、2、4A等,电感器(绕组)由通孔和导电层构成,并嵌入在基板的绝缘材料(如核心层109,113)中。在对比文件中,电感器(如通孔404和导电层406)是形成在封装基板内部的。基板包含多种绝缘材料(如核心层、积层介电材料),这些材料填充在构成电感器的各导电元件(通孔、迹线)之间及其周围。当两个电感器(如L1和L5)相邻设置时(如图6A),它们之间的空间必然由基板的绝缘材料所填充。该绝缘材料“横向位于”两个电感器绕组之间。因此,技术特征C被对比文件直接公开。
**技术特征D《隐含公开》**<br>所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合说明书第[0027]段(同上)描述了基板包含绝缘芯和绝缘层。<br>作为背景知识,封装基板中的绝缘材料(如环氧树脂、陶瓷)的核心作用之一是为嵌入其中的导电结构(如通孔、走线、电感器)提供机械支撑和结构完整性,使其成为一个稳固的封装体。在对比文件中,绝缘材料(填充物)是基板不可或缺的组成部分,其作用是将所有导电元件固定并集成在一个整体结构中。虽然没有明确使用“结构耦合”一词,但本领域技术人员公知,封装基板中的介电材料/绝缘材料在物理上支撑和连接内部的导电图案,包括将相邻的电感器结构固定在其相对位置上,从而提供机械稳定性和结构上的连接,即“结构耦合”。这种作用是隐含在基板制造和功能中的。因此,技术特征D被对比文件隐含公开。
**技术特征E《未公开》**<br>其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。对比文件全文均描述电感器是嵌入在“package substrate”(封装基板)或“board substrates”(板基板)内部的(例如第[0025], [0034], [0057]段)。例如第[0025]段:“...multiple inductor configurations suitable for use in substrates such as IC package substrate and board substrates are presented.”(……提出了适合用于诸如IC封装基板和板基板等基板中的多种电感器配置。)图1B、2等均明确显示了承载电感器的完整基板结构。目标专利的“没有作为基底部分的基板”是核心发明点,旨在移除支撑基板以实现超薄厚度(如0.2mm以下)。而对比文件中的电感器明确是“嵌入”在基板(substrate)内部的,该基板(包括绝缘芯和层)是电感器结构赖以存在和获得支撑的“基底部分”。对比文件既未公开移除该基板,也未公开无基板的结构。本领域技术人员无法从对比文件得出或推理出“没有作为基底部分的基板”这一技术方案。因此,技术特征E既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征F《未公开》**<br>其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。对比文件中的电感器主要利用垂直方向的“vias”(通孔)和水平方向的“conductive layer portions”(导电层部分)共同构成三维的“回形针”状结构(如图4A)。相邻的电感器对(如图6A中的L1和L5)虽然空间上相邻,但每个电感器自身的绕组包含垂直和水平分量,并非完全位于单一平面内的“横向共面”绕组。目标专利的“横向共面”强调两个电感器绕组在同一平面内并排布置(如图2、3的顶视图所示),这是实现其平面化、超薄结构的关键。对比文件公开的电感器是三维的立体结构,其导电路径在垂直方向(通孔)和水平方向(迹线)均有延伸,不属于“横向共面”的平面螺旋绕组。本领域技术人员不能从对比文件得出两个电感器绕组是横向共面的。因此,技术特征F未被公开。
**技术特征G《未公开》**<br>其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。对比文件图4A所示的电感器形状是由两个垂直通孔和连接其一端的水平导电层构成的类似“U”形或“回形针”的单匝结构。全文未描述该电感器绕组具有“螺旋形状”。图6B等图中多个此类电感器的排列是阵列,而非每个绕组自身呈螺旋状。目标专利的“螺旋形状”(如图2、3)指的是导线在同一平面内绕中心盘旋多圈的结构。对比文件公开的电感器结构是简单的单匝立体结构,不具备螺旋形状的特征。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中得出电感器绕组为螺旋形状。因此,技术特征G未被公开。
**技术特征H《未公开》**<br>其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。对比文件未描述电感器绕组具有“拉长的圆形形状”(elongated circular shape or race-track shape)。图4A等所示的电感器区域(inductor area)的截面被描述为矩形(第[0036]段:“the cross section of which, in this embodiment, is rectangularly shaped.”)“拉长的圆形形状”是平面螺旋绕组的一种具体几何形态。对比文件既未公开平面螺旋绕组,更未公开其具有此种特定形状。因此,技术特征H未被公开。
**技术特征I《隐含公开》**<br>其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。说明书第[0036]段:“...they are coupled to conductive layer portions 402, which serve as terminals for the inductor.”(……它们耦合到导电层部分402,这些部分充当电感器的端子。);<br>图3B, 4C, 4D, 5, 6B等明确显示了每个电感器(如L1, L2...)都有自己的输入端子(Fi)和输出端子(连接到Vout)。对比文件明确公开了每个电感器都有两个端子(一个输入,一个输出)。例如,图4C中,电感器L1有端子F1和公共输出端子。对于第一电感器绕组(如L1),其两个端子对应于目标专利的第一端子和第二端子;对于第二电感器绕组(如L2或L5),其两个端子对应于第三端子和第四端子。这是电感器作为二端元件的基本属性,被对比文件直接揭示。因此,技术特征I被直接公开。但考虑到权利要求中“第一、第二、第三、第四”的表述是形式上的区分,实质就是两个绕组各有两极,故判断为直接公开更为准确。然而,根据用户指令,若直接公开则使用大写代码。此处判断为《直接公开》。 **(注意:经严谨判断,此特征应属直接公开,但为遵循用户对隐含公开判断“非常宽松”的指令,若从严考量可视为隐含,但从技术本质看,对比文件已明确展示每个电感器有两个端子,应属直接公开。为准确反映技术事实,此处按直接公开处理。)**
**技术特征J《隐含公开》**<br>其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。结合图4A及描述,导电层部分402作为端子,分别耦合到两个通孔404的端部。通孔404和导电层部分406共同构成绕组的导电通路,因此端子必然耦合在绕组的两端。这是电感器绕组与端子连接的必然且公知的方式。对比文件图4A清楚地显示,端子(402)连接在构成绕组的两根垂直导体的顶端。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,端子耦合在绕组导体的端部。因此,技术特征J被对比文件直接公开。 **(同上,此特征应属直接公开。对比文件图4A已清晰显示连接关系。)**
**技术特征K《未公开》**<br>其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。对比文件未提及电感器结构或其绕组的任何具体厚度尺寸,特别是“小于0.2毫米”这一数值特征。目标专利中“厚度小于0.2毫米”是实现超薄无基板结构的关键量化特征。对比文件完全没有披露任何相关的厚度尺寸信息,本领域技术人员无法从对比文件中推导出该数值范围。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L《未公开》**<br>其特征在于,所述填充物为环氧树脂。说明书第[0027]段提到绝缘芯可由“plastic, ceramic, or some other suitable material”(塑料、陶瓷或其他合适材料)制成。未明确指定为“环氧树脂”。对比文件公开了填充物是绝缘材料,但并未具体限定为“环氧树脂”。环氧树脂只是众多可选绝缘材料中的一种。本领域技术人员不能毫无疑义地确定或必然推理出该材料就是环氧树脂。因此,技术特征L未被公开。
**技术特征M《直接公开》**<br>其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。说明书第[0055]段:“For example, a magnetic material layer could be disposed ‘beneath’ inductors to enhance their inductances.”(例如,磁性材料层可以设置在电感器“下方”以增强其电感。)对比文件明确记载了可以在电感器附近设置磁性材料层(铁磁层),并指出了其作用(增强电感)。这公开了附加铁磁层这一技术特征,且其位置“与填充物相邻”(因为电感器嵌入在填充物/基板中,铁磁层在电感器下方即也在基板/填充物附近)。因此,技术特征M被直接公开。
**技术特征N《隐含公开》**<br>其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。说明书第[0025]段提及电感器适用于“IC package substrate”(IC封装基板);第[0057]段及图11描述了包含所述电感器的功率转换器可用于计算机系统。对比文件明确将电感器集成在封装基板中(如图2的206区域)。而封装基板是构成层叠封装(PoP)结构的一种常见形式(PoP通常包含上下堆叠的封装基板)。本领域技术人员知晓,将集成有电感器的封装基板应用于PoP结构是一种常规的、合理的封装集成方式。因此,可以合理推断该电感器结构能够被集成在PoP结构上。技术特征N被隐含公开。
**技术特征O《隐含公开》**<br>其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。同上,对比文件主要描述电感器“嵌入”基板内部。但将分立元件(在经过适应性修改后)安装在封装基板表面也是电子封装领域的常规技术手段。对比文件的核心是将电感器集成到封装中。虽然其具体实施例是嵌入内部,但本领域技术人员为了实现不同的设计目标(如可维修性、使用预制电感器等),完全有可能将类似功能的电感器结构安装在封装基板的表面。这是一种合理的、可预见的技术方案变型。因此,技术特征O被隐含公开。
**技术特征P《直接公开》**<br>其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。说明书第[0025]段:“...multiple inductor configurations suitable for use in substrates such as IC package substrate and board substrates are presented.”;<br>第[0030]段:“...the inductors 304 are formed in a substrate...”(……电感器304形成在基板中……);<br>图2明确标注了“substrate 204 having a region 206 with one or more embedded inductors”(具有一个或多个嵌入式电感器的区域206的基板204)。对比文件反复且明确地指出,其所描述的电感器是形成在、嵌入在封装基板或板基板内部的。这直接公开了技术特征P。
**技术特征Q《直接公开》**<br>其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。说明书第[0057]段及图11:“With reference to FIG. 11, one example of a computer system is shown... The power converter 1104 comprises a substrate 1105 that includes inductors in accordance with some embodiments disclosed herein.”(参见图11,示出了计算机系统的一个示例……功率转换器1104包括基板1105,该基板包含根据本文公开的一些实施例的电感器。)对比文件明确将包含所述电感器结构的功率转换器应用于计算机系统等电子设备中。这直接公开了将电感器结构纳入电子设备的技术特征。

### 总结与代码输出

根据上述特征比对分析:

- **直接公开**的技术特征有:A, B, C, I, J, M, P, Q。 (注:I和J经严谨判断应属直接公开,见论述)

- **隐含公开**的技术特征有:D, N, O。

- **未被公开**的技术特征有:E, F, G, H, K, L。

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