对比文件名称：2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor
目标专利名称：无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一电感器绕组，其包括导电材料《直接公开》 | 第[0020]段：“A conductive layer 34a-34g is deposited and patterned over insulation layer 32. Conductive layer 34 forms terminals of various integrated passive devices including a capacitor (34b), resistor (34e and 34f), and inductor (34g).” 第[0029]段：“The integrated passive devices further include an inductor formed by conductive layers 44, 42, and 34g.” | 对比文件明确公开了集成无源器件中包括电感器（inductor），该电感器由导电层（conductive layers）44、42和34g形成。导电层34、42、44均由导电材料（如铝、铜等）构成（参见第[0020], [0024], [0025]段）。因此，对比文件直接公开了包括由导电材料构成的第一电感器绕组的技术特征。 |
| 技术特征B：第二电感器绕组，其包括导电材料《直接公开》 | 第[0029]段：“The inductor can be formed on wafer as single-layer or stacked spiral inductor components.” | 对比文件公开了电感器可以形成为堆叠螺旋电感器组件（stacked spiral inductor components）。堆叠螺旋电感器通常由多个螺旋线圈（即多个电感器绕组）堆叠而成，每个线圈都包含导电材料。本领域技术人员阅读该描述后，能够毫无疑义地理解为了实现“堆叠螺旋”结构，必然存在至少两个电感器绕组（或线圈部分）。因此，对比文件直接公开了第二电感器绕组，其同样包括导电材料。 |
| 技术特征C：填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间，《直接公开》 | 第[0033]段：“Underfill material 56 and 62 may include epoxy, polymeric material, film, or other non-conductive material. Underfill material 56 and 62 is applied after bumps 50, 54, 60, and 66 are formed between components 48, 52, 58, and 64 and conductive layer 44...” 第[0035]段：“Encapsulant 68 may include a plastic material such as epoxy resin-based molding material... applied over passivation layer 46, components 48, 52, 58, and 64 and optional underfill material 56 and 62.” | 对比文件公开了在器件（如IC芯片52、58）与晶圆28之间施加底部填充料（underfill material）56、62，以及使用封装料（encapsulant）68封装整个结构。这些材料（环氧树脂等）位于包括电感器在内的各个组件之间及周围，起到填充和支撑作用。虽然对比文件未明确描述填充物位于两个特定的电感器绕组“之间”，但当电感器作为组件被封装时，封装材料（encapsulant 68）必然填充并位于所有组件（包括电感器的各个部分或绕组）之间的空隙中。因此，填充物横向位于电感器绕组之间的技术方案已被直接公开。 |
| 技术特征D：所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合，《直接公开》 | 第[0033]段：“Underfill material 56 and 62 provides mechanical support to components 52, and 58, and also bumps 50, 54, 60, and 66.” 第[0035]段：“Encapsulant 68... applied over passivation layer 46, components 48, 52, 58, and 64...” | 对比文件明确指出底部填充料（underfill material）为组件和凸块提供机械支撑（mechanical support），封装料（encapsulant）覆盖并封装所有组件。提供“机械支撑”和封装固定，本质上就是提供结构上的结合与稳固，即“结构耦合”。在目标专利中，填充物（如环氧树脂）的作用同样是提供结构耦合、稳定性和刚性（参见说明书第[0051], [0059]段）。两者作用相同。因此，对比文件直接公开了填充物配置成提供结构耦合的技术特征。 |
| 技术特征E：其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《直接公开》 | 第[0036]段：“Substrate 30 is removed using a suitable process.” 第[0036]段：“After removal of substrate 30, passivation layer 32 is exposed.” 图2c-2d示意了移除基板30后的结构。 | 对比文件明确记载了在制造过程中移除了基板（substrate 30）。移除基板后，形成的器件结构（包括集成无源电路如电感器、以及填充/封装材料）不再包含该原始基板。根据目标专利说明书第[0054]段解释，“没有作为电感器结构的基底部分的基板”包括基板被移除的情况。对比文件公开的正是这种基板被移除后的结构，因此直接公开了“没有作为基底部分的基板”这一技术特征。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《隐含公开》 | 第[0029]段：“A spiral inductor can be formed in as few as two metal layers with an insulative layer disposed in between. First, a spiral design is patterned in the first metal layer and an inner portion of the spiral is electrically coupled to the second metal layer using a via formed through the insulative layer.” | 对比文件描述了螺旋电感器可以在两个金属层中形成，中间有绝缘层。它提到螺旋设计图案化在第一金属层中，并通过通孔连接到第二金属层。此描述暗示了至少存在两个导电的螺旋部分（分别位于两个金属层），并通过垂直通孔连接以实现电感功能。虽然这是垂直堆叠（stacked），但“横向共面”通常指在同一平面内。然而，本领域技术人员知晓，为了实现更高的集成密度和特定的耦合方式，可以将两个电感器绕组设计在同一金属层内并排布置（即横向共面），这属于对公开的螺旋电感器设计形式的常规选择。从对比文件公开的“在晶圆上形成电感器”这一整体教导出发，结合共面布置是电感器布局的常见方式之一，可以合理推断出第一与第二电感器绕组可以横向共面布置。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《直接公开》 | 第[0029]段：“The inductor can be formed on wafer as single-layer or stacked spiral inductor components.” 第[0029]段：“A spiral inductor can be formed... First, a spiral design is patterned in the first metal layer...” | 对比文件多次明确提及电感器是“螺旋（spiral）”形的，无论是单层还是堆叠。当电感器是“堆叠螺旋（stacked spiral）”组件时，必然包含至少两个螺旋形状的绕组（一个在上层，一个在下层）。因此，对比文件直接公开了第一电感器绕组和第二电感器绕组都具有螺旋形状的技术特征。 |
| 技术特征H：其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《未公开》 | 对比文件未提及电感器绕组的具体形状为“拉长的圆形形状（拉长的圆形，赛马场形状）”。 | 对比文件虽然公开了螺旋电感器，但并未限定其螺旋的具体形状。螺旋形状可以是圆形、方形、六边形等多种，但“拉长的圆形”是一种特定的形状。本领域技术人员从对比文件中不能直接且毫无疑义地得出，也无法通过合理推断必然得出电感器绕组一定是“拉长的圆形形状”。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《直接公开》 | 第[0020]段：“Conductive layer 34 forms terminals of various integrated passive devices including... inductor (34g).” 第[0029]段描述了螺旋电感器的内端通过通孔连接到第二金属层，外端也应连接到电路中以构成回路。 | 对比文件指出导电层34形成了包括电感器在内的无源器件的“端子（terminals）”。对于螺旋电感器，其必然具有两个电连接端点（即端子）以实现电气功能。当存在两个电感器绕组（如堆叠螺旋）时，每个绕组都需要各自的端子。因此，对比文件直接公开了第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，第二电感器绕组包括第三端子和第四端子的技术特征。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《直接公开》 | 第[0029]段：“First, a spiral design is patterned in the first metal layer and an inner portion of the spiral is electrically coupled to the second metal layer using a via formed through the insulative layer.” | 对比文件描述了螺旋电感器的图案化设计，其中螺旋的“内部分（inner portion）”通过通孔电耦合到第二金属层，这构成了一个端子连接。螺旋自然还有另一个端点（通常在外圈），用于连接到电路的其他部分，构成第二个端子。这种描述直接公开了端子供电子连接到电感器绕组的两端。对于第一电感器绕组如此，对于第二电感器绕组（在另一层）亦然。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《未公开》 | 对比文件未提及电感器绕组的具体厚度数值。第[0036]段提到移除基板后晶圆总高度约为420微米（0.42毫米），但这并非单个电感器绕组的厚度。 | 目标专利明确限定电感器绕组的厚度小于0.2毫米。对比文件完全没有披露任何关于构成电感器的导电层（如34g, 42, 44）的厚度信息，也未披露最终电感器结构的厚度。本领域技术人员无法从对比文件中直接得到或合理推断出该具体的厚度数值限定。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述填充物为环氧树脂。《直接公开》 | 第[0033]段：“Underfill material 56 and 62 may include epoxy...” 第[0035]段：“Encapsulant 68 may include a plastic material such as epoxy resin-based molding material...” | 对比文件明确记载底部填充料（underfill material）和封装料（encapsulant）可以包含环氧树脂（epoxy）。这与目标专利中填充物为环氧树脂的特征完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。《未公开》 | 第[0039]段：“an optional metal layer 80 is deposited upon encapsulant 68... Metal layer 80 provides electromagnetic and physical shielding for the semiconductor device.” | 对比文件公开了可选的金属层80，其提供电磁屏蔽。然而，该金属层80被描述为沉积在封装料（encapsulant）68“之上（upon）”，并未明确其为“铁磁层”。更重要的是，目标专利中的“铁磁层”旨在提供磁屏蔽、增大电感（参见说明书第[0063]段），而对比文件的金属层80主要用于电磁屏蔽和散热，其材料特性（是否为铁磁材料）和作用并未明确与目标专利相同。因此，不能认为对比文件直接或隐含公开了“至少一个铁磁层位于与填充物相邻”的技术特征。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《直接公开》 | 第[0017]段：“In one embodiment, passive devices can be combined with flash memory ICs and surface acoustic wave (SAW) filter chips to form a system in a package.” 图2b-2d，图3等示出了在封装基板（PCB 78）上堆叠/集成多个芯片（52，58，64，76等）和集成无源器件（包括电感器）的结构。 | 对比文件公开的“系统级封装（SiP）”实质上就是一种层叠封装（PoP）结构，其将多个集成电路芯片（如基带IC、RFIC、存储器IC）和无源器件（包括电感器）集成在一个封装内，形成三维堆叠。图3等附图明确显示了这种堆叠结构。因此，对比文件直接公开了电感器结构被集成在层叠封装（PoP）结构上的技术特征。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《直接公开》 | 图2b显示，离散无源器件48、IC芯片52、58、64通过凸块安装到晶圆28（最终成为封装的一部分）的表面上。集成无源电路（包括电感器）最初形成在基板30上，移除基板30后，该电路结构实质上位于封装体的表面或近表面区域。 | 对比文件公开的制造方法最终形成的器件中，集成无源电路（IPD，包含电感器）是封装体的一个组成部分。如图2d和图3所示，该IPD结构可以被视为集成在封装基板（或相当于封装基板的载体结构）的表面上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。《未公开》 | 对比文件中的集成无源电路（包括电感器）形成于牺牲基板30之上，随后基板被移除，电路被封装料68包封。其并未描述将电感器结构嵌入到封装基板（如多层有机基板或层压基板）的内部层间。图10-11所示的目标专利的“集成在封装基板内部”是另一种不同的集成方式。 | 对比文件公开的结构是“芯片上”或“封装上”形式的集成无源器件，其位于封装体的顶部或底部表面区域，并非嵌入在封装基板的内部走线层之间。本领域技术人员不能从对比文件中直接或隐含地得出电感器结构被集成在封装基板内部的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。《直接公开》 | 第[0002]段：“Chips are used not only in very sophisticated industrial and commercial electronic equipment, but also in many household and consumer items such as televisions, clothes washers and dryers, radios, and telephones.” 第[0002]段：“The reduction in size of cellular telephones is one example...” | 对比文件明确说明其半导体器件（包含集成的无源器件如电感器）用于各种电子设备中，例如电视机、手机等。这直接公开了将包含电感器结构的器件纳入电子设备中的技术特征。 |
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