对比文件名称：2011-06-23_JP2011518440A_发明专利_JP2011518440A The method of manufacturing a magnetic tunnel junction device using two mask
目标专利名称：用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模CN106104830B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠 | [第2段]：“伝導性のある第１の電極３０、基準固定磁気層スタック３２（固定反強磁性層及び合成反強磁性層を含み、どちらも図３に示されない）、トンネルバリア層１２、自由層１１及び第２の電極６を含む、一連の層が当該表面上に堆積される。”<br>[第4段]：“第３の電極１５は、平坦化された構成の上に堆積される。” | 目标专利的“第一导电硬掩模”是位于第二电极层（即顶部电极）之上的导电层，用于在蚀刻过程中作为硬掩模。对比文件中，在第2步蚀刻后，沉积了“第３の電極１５”。该电极位于“第２の電極６”（即目标专利的第二电极层/顶部电极）之上，并覆盖MTJ堆叠。在半导体制造中，位于MTJ堆叠顶部的电极层在图案化蚀刻过程中通常充当硬掩模。因此，“第３の電極１５”实质上就是位于第二电极层上并用作硬掩模的导电层。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征B**：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体 | [第6段]：“不動態化バリア層８は、定められたＭＴＪスタックを含む、全表面上に堆積される。...不動態化バリア層８は、ＭＴＪスタックを包み、不動態化し、保護する。” | 目标专利的“第一间隔体”覆盖在MTJ堆叠的暴露表面（包括侧壁和顶部）上，起到保护作用。对比文件中，在蚀刻形成MTJ堆叠后，沉积了“不動態化バリア層８”（钝化/阻隔层），该层覆盖“定められたＭＴＪスタックを含む、全表面上”，这必然包括第一导电硬掩模（第3电极15）的侧壁、第二电极层（第2电极6）的侧壁以及MTJ层堆叠（自由层11、隧穿阻挡层12等）的表面。其作用是“包み、不動態化し、保護する”，与目标专利中第一间隔体的保护作用相同。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征C**：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上 | 未找到对应内容。 | 目标专利的“第二导电硬掩模”是通过先在间隔体上形成凹槽，再用导电材料填充形成的特殊结构，其与第一间隔体的侧壁对准，并位于第一导电硬掩模和第一间隔体之上。对比文件公开了“第３の電極１５”作为顶部电极/硬掩模，以及覆盖其侧壁的“不動態化バリア層８”。但对比文件完全没有公开在所述钝化层之上或之内，再形成一个与间隔体侧壁对准的“第二导电硬掩模”。该结构是目标专利的核心创新点之一。因此，该特征**未被直接公开，也未被隐含公开**。 |
| **技术特征D**：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。 | 未找到对应内容。 | 该特征描述了第二导电硬掩模的位置关系和图案定义功能。由于对比文件未公开“第二导电硬掩模”这一结构，因此该特征所描述的交叠关系和对准关系也必然不存在。**未被公开**。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。 | 未找到对应内容。 | 由于对比文件未公开“第二导电硬掩模”，其与第一导电硬掩模的电连接关系自然也不存在。**未被公开**。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。 | [第4段]：“電極メタライゼーション１５は、タンタル（Ta）のような耐火性金属を含む、様々な金属から選択されてもよい。” | 对比文件公开了“第３の電極１５”的材料可以是钽（Ta）等耐火金属。然而，目标专利中该材料限定是针对“第二导电硬掩模”。由于对比文件中的“第３の電極１５”对应于目标专利的“第一导电硬掩模”，而非“第二导电硬掩模”。因此，对比文件虽然公开了相同的材料组，但并未应用于“第二导电硬掩模”这一特定部件上。该特征**未被公开**。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。 | 未找到对应内容。 | 对比文件未提及“不動態化バリア層８”（第一间隔体）的具体厚度数值范围。**未被公开**。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。 | 未找到对应内容。 | 目标专利中，第一介电层（如SiO2）沉积在第一间隔体上，用于后续平坦化和形成凹槽。对比文件中，在“不動態化バリア層８”（第一间隔体）之上沉积的是“第２のＩＬＤ４４”（第二层间电介质），其材料可能是SiO2等，但并未描述为“SiNx”。更重要的是，目标专利的“第一介电层”与间隔体共同作用以形成凹槽的特定工艺步骤在对比文件中完全不存在。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。 | [第2段]：“伝導性のある第１の電極３０、基準固定磁気層スタック３２（固定反強磁性層及び合成反強磁性層を含み、どちらも図３に示されない）、トンネルバリア層１２、自由層１１及び第２の電極６を含む、一連の層が当該表面上に堆積される。” | 目标专利的“第一电极层”是MTJ堆叠底部的电极。对比文件明确公开了“第１の電極３０”，其位于MTJ堆叠（基准固定磁气层32、隧道阻挡层12、自由层11）之下并与之电连接。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征J**：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。 | [第6段]：“不動態化バリア層８は、定められたＭＴＪスタックを含む、全表面上に堆積される。” | 目标专利的“第二间隔体”是在第二蚀刻步骤后，覆盖在包括第一电极层和MTJ堆叠侧壁以及第二导电硬掩模上的保护层。对比文件中，在最终图案化MTJ堆叠（包括第一电极30、MTJ层、第二电极6和第三电极15）后，沉积的“不動態化バリア層８”覆盖整个定形的MTJ堆叠，这必然包括第一电极层和作为顶部电极/硬掩模的第三电极15（对应于目标专利的第一导电硬掩模）之上。其作用是保护整个结构。因此，该覆盖层相当于目标专利的“第二间隔体”。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征K**：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。 | [第6段]：“不動態化バリア層８は、定められたＭＴＪスタックを含む、全表面上に堆積される。” | 如上所述，对比文件的“不動態化バリア層８”沉积在“全表面上”，这必然覆盖了MTJ堆叠（包括自由层、隧穿层、钉扎层等）的侧壁。由于在沉积该层时，之前的“不動態化バリア層８”（对应目标专利的第一间隔体）已经存在，并且第三电极15（对应第一导电硬掩模）也已形成，因此新沉积的“不動態化バリア層８”（对应第二间隔体）也会覆盖在这些已有结构的侧壁上。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征L**：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。 | [第7段]：“第２のＩＬＤ４４は、結果として生じる構成を十分に沈めるように堆積され、誘電性バリア層８を露出させるために平坦化されてもよい。” | 目标专利的“第二介电层”沉积在第二间隔体之上。对比文件中，在“不動態化バリア層８”（第二间隔体）之上，明确沉积了“第２のＩＬＤ４４”（第二层间电介质层）。该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。 | [第7段]：“標準メタライゼーションマスク...は、第３の電極１５を露出させるための誘電性不動態化バリア層８においてトレンチ４２を定めるために用いられる。ビットライン相互接続のような別の相互接続メタライゼーション３５は、第３の電極１５に接続するホール４２に堆積されてもよい。” | 目标专利的“导电互连”穿过第二间隔体和第二介电层，连接到第二导电硬掩模。对比文件中，形成了穿过“第２のＩＬＤ４４”（第二介电层）和“不動態化バリア層８”（第二间隔体）的孔（トレンチ４２/ホール４２），并填充“相互接続メタライゼーション３５”（导电互连）连接到“第３の電極１５”。然而，目标专利的互连是连接到“第二导电硬掩模”，而对比文件的互连是连接到“第３の電極１５”（即目标专利的“第一导电硬掩模”）。由于对比文件不存在“第二导电硬掩模”，因此该连接关系不同。该特征**未被公开**。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。 | [第2段]：“例えば、遠隔ユニットは、携帯電話、ハンドヘルドパーソナルコミュニケーションシステム（ＰＣＳ）ユニット、計測器のような固定ロケーションデータユニット，エンターテイメントユニット，映像再生機，音楽再生機，セットトップボックス，ナビゲーションデバイス（ＧＰＳ対応デバイスのような），パーソナルデータアシスタントのようなポータブルデータユニット...であってもよい。” | 对比文件明确列举了包含所制造MTJ器件的设备，包括移动电话（携帯電話）、机顶盒（セットトップボックス）、音乐播放器（音楽再生機）、视频播放器（映像再生機）、娱乐单元（エンターテイメントユニット）、导航设备（ナビゲーションデバイス）、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元（ポータブルデータユニット）和固定位置数据单元（固定ロケーションデータユニット）。计算机虽然没有明确列出，但属于此类电子设备的通常范畴。该特征被**直接公开**。 |
### 结论
根据以上比对分析：
- 技术特征A、B、I、J、K、L、N被对比文件**直接公开**。
- 技术特征C、D、E、F、G、H、M**未被对比文件公开**（既非直接公开，也非隐含公开）。
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