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对比文件列表
1995-03-17_None_发明专利_JPH0775026A Image pickup device_+++A_B_D_E_F_O_P_Q_R_S_T_U_X_c_m_n_v_w+++.docx
2026-03-23 23:51
1995-11-28_US5471515A_发明授权_US5471515A Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer_+++O_a_b_n_q_r_t_u_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
1996-11-01_None_发明专利_JPH08289205A Light receiving element and image input device using the same_+++A_B_O_Q_R_T_U_W_X_c_d_f_m_n_p_s_v+++.docx
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2000-09-05_US6115065A_发明授权_US6115065A Image sensor producing at least two integration times from each sensing pixel_+++A_B_O_n_p_q_r_s_t_u_v_w_x+++.docx
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2001-03-16_JP2001069408A_发明专利_JP2001069408A Solid-state image pickup device, its drive method and camera system_+++A_B_O_c_d_v_x+++.docx
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2002-07-05_JP2002190983A_发明专利_JP2002190983A Image compositing circuit_+++D_E_M_a_b_o+++.docx
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2002-12-10_US6493030B_发明授权_US06493030B1 Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset_+++O_V+++.docx
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2003-03-18_US6535247B_发明授权_US06535247B1 Active pixel sensor with capacitorless correlated double sampling_+++O_a_b_n_v_w_x+++.docx
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2003-07-31_JP2003219281A_发明专利_JP2003219281A Imaging apparatus and method for driving shutter thereof_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_X_n+++.docx
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2004-04-29_US2004080652A_发明申请_US20040080652A1 Electric camera_+++A_B_F_G_H_I_J_O_P_Q_R_T_U_V_X_c_d_k_l_m+++.docx
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2004-09-24_JP2004266347A_发明专利_JP2004266347A Image processor, program for the same, and recording medium for the processor_+++A_B_O_c_d_e_m+++.docx
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2004-09-28_US6798451B_发明授权_US06798451B1 Solid-state image pickup device and method for driving the same_+++A_B_O_V_X_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2005-03-03_US2005046708A_发明申请_US20050046708A1 Apparatus and method for improving the quality of a picture having a high illumination difference_+++A_B_O_c_d_e_m+++.docx
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2005-03-08_KR1020050022748A_发明公开_KR1020050022748A 조도차가 다른 영상의 재구성 장치 및 방법_+++A_B_M_X_c_d_o_v+++.docx
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2005-10-20_JP2005295336A_发明专利_JP2005295336A Light receiving part and solid-state image pickup device_+++A_B_O_Q_R_T_U_V_W_X_n+++.docx
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2005-11-17_US2005253935A_发明申请_US20050253935A1 Image input apparatus having addition and subtraction processing_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_v_w_x+++.docx
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2006-03-28_US7019277B_发明授权_US07019277B2 Imaging device_+++A_B_V_X_o+++.docx
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2006-03-30_US2006066750A_发明申请_US20060066750A1 Image sensors_+++A_B_O+++.docx
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2006-07-20_US2006158542A_发明申请_US20060158542A1 Photosensitive part and solid-state image pickup device_+++A_B_N_O_R_U_V_W_X_q_t+++.docx
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2006-08-10_US2006177148A_发明申请_US20060177148A1 Image processing device, image processing program, and program-recording medium_+++A_B_C_D_M_O_e+++.docx
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2006-08-17_US2006181624A_发明申请_US20060181624A1 Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter_+++A_B_N_O_V_W_X_m_r_u_x+++.docx
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2006-10-19_JP2006287612A_发明专利_JP2006287612A Solid-state imaging apparatus_+++A_B_N_O_X_d_v+++.docx
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2007-08-15_EP1819151A_发明公开_EP1819151A1 Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera_+++A_B_P_R_S_U_V_X_f_g_h_i_j_n_o_q_t_w+++.docx
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2007-08-21_US7259413B_发明授权_US07259413B2 High dynamic range image sensor_+++O_W_v_x+++.docx
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2007-11-22_US2007268396A_发明申请_US20070268396A1 IMAGE PICKUP DEVICE AND IMAGE PICKUP APPARATUS_+++A_B_F_O_V_X_d_e_m_n+++.docx
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2007-12-20_JP2007329896A_发明专利_JP2007329896A Imaging element and imaging apparatus_+++A_B_F_O_V_X_d_e+++.docx
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2008-02-14_US2008036889A_发明申请_US20080036889A1 Solid-state imaging device and driving method for a solid-state imaging device_+++A_B_N_O_Q_R_T_V_W_u_x+++.docx
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2008-06-12_WO2008069015A_发明申请_WO2008069015A1 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置_+++A_B_F_G_H_I_J_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_d_e_k_l+++.docx
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2008-06-19_US2008143841A_发明申请_US20080143841A1 Image stabilization using multi-exposure pattern_+++A_B_O_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n+++.docx
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2010-06-17_JP2010136078A_发明专利_JP2010136078A Imaging apparatus and driving control method thereof_+++A_B_H_J_O_P_Q_R_S_T_U_f_k_l+++.docx
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2010-08-02_KR1020100086987A_发明公开_KR1020100086987A 색상 보간을 위한 감소된 라인 메모리를 갖는 고명암비 이미지 센서_+++A_B_E_O_c_d_m+++.docx
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JP2004064165A_Description_20260320_0224_+++A_B_O_Q_R_T_U_X_k_l_n_p_v+++.docx
2026-03-23 23:51
JP2008277894A_Description_20260320_0224_+++A_B_G_H_I_J_O_X_f_k_l_m_v+++.docx
2026-03-23 23:51
JPH09181979A_Description_20260320_0224_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_X_n+++.docx
2026-03-23 23:51
US2006209204A1_Description_20260320_0224_+++A_B_O_P_Q_R_S_T_U_n+++.docx
2026-03-23 23:51
US2007216789A1_Description_20260320_0224_+++O_a_b_v_w_x+++.docx
2026-03-23 23:51
US2009086085A1_Description_20260320_0224_+++A_B_F_O_e_p+++.docx
2026-03-23 23:51
US2009109306A1_Description_20260320_0224_+++A_B_O+++.docx
2026-03-23 23:51
2006-10-19_JP2006287612A_发明专利_JP2006287612A Solid-state imaging apparatus_+++A_B_N_O_X_d_v+++.docx

**对比文件名称**:2006-10-19_JP2006287612A_发明专利_JP2006287612A Solid-state imaging apparatus

**目标专利名称**:374高动态范围图像传感器CN103141081B

**本次调用的模型名称**:GPT-4

以下是根据您的要求创建的特征比对表格及公开性判断。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本《直接公开》[第2段] 画素部12には、レンズ17を介して光が入射され、光電変換によって入射光量に応じた電荷が生成される。<br>**(译文)** 在像素部12中,光通过透镜17入射,通过光电转换生成与入射光量相对应的电荷。<br>[图3说明部分] フォトダイオードPD部でTS=0.5H期間電荷を蓄積した後、1回目と同様に画素部12にパルス信号RESETn,READn,ADRESnを供給してフォトダイオードPDで光電変換を行い、蓄積した信号電荷を読み出す。 ... AD変換した信号(デジタルデータ)はラッチ回路15に保持し、水平走査期間の後半の0.5H期間でセンサコア部11より切替信号STSnとして出力している。<br>**(译文)** 在光电二极管PD部分电荷积累TS=0.5H期间后,与第一次同样地向像素部12提供脉冲信号RESETn, READn, ADRESn,通过光电二极管PD进行光电转换,读取积累的信号电荷。 ... A/D转换后的信号(数字数据)被锁存电路15保持,在水平扫描期间的后半0.5H期间,作为切换信号STSn从传感器核心部11输出。对比文件公开了在像素单元(光电二极管PD)中生成与光量对应的电荷(信号),并在一个时间点(例如,在第一帧的第一次读取,对应短曝光时间TS=0.5H)对该信号进行读取、A/D转换,并作为第一样本(即短曝光信号STSn)输出。这与目标专利中“在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本”的技术特征完全相同,都是通过图像传感器在特定时间获取一个曝光样本。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**技术特征B**:在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本《直接公开》[图3说明部分] フォトダイオードPD部では、蓄積時間TL=524.5H後に読み出しを行った後、再度フォトダイオードPD部で光電変換して信号電荷を蓄積する。 ... AD変換した信号(デジタルデータ)是ラッチ回路15に保持し、次の水平走査期間の前半の0.5H期間でセンサコア部11より切替信号STLnとして出力している。<br>**(译文)** 在光电二极管PD部分,在积累时间TL=524.5H后进行读取后,再次在光电二极管PD部分进行光电转换并积累信号电荷。 ... A/D转换后的信号(数字数据)被锁存电路15保持,在下一个水平扫描期间的前半0.5H期间,作为切换信号STLn从传感器核心部11输出。对比文件明确公开了在另一个不同的时间点(例如,在第一帧的第二次读取,对应长曝光时间TL=524.5H)对像素单元信号进行再次读取、A/D转换,并作为第二样本(即长曝光信号STLn)输出。这与目标专利中“在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本”的技术特征完全一致。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**技术特征C**:将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定《未公开》无相应内容。在对比文件中,处理流程主要是:1. 分别获取长曝光信号STL和短曝光信号STS;2. 对短曝光信号STS进行固定增益(例如1049倍)放大以匹配长曝光信号的电平;3. 根据长曝光信号STL是否饱和(例如达到1023LSB)来决定是否将放大后的短曝光信号STS与长曝光信号STL相加。在整个过程中,并未对第一样本(即短曝光信号STS)施加一个“基于函数界定的可变加权因子”。短曝光信号要么被固定增益放大后全部加入(当长曝光饱和时),要么不加入(当长曝光未饱和时),其自身并未受到一个从0到1连续变化的权重调节。因此,该技术特征在对比文件中既未直接公开,也无法从现有内容中合理推断(隐含公开)。
**技术特征D**:将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定《隐含公开》[第2段] 上記ラインメモリW37の出力は、加算回路36と判定回路34へ入力される。 判定回路34でラインメモリW37の出力が1023LSBで飽和していると判定された場合、スイッチ35をオンにして増幅した信号STSを加算回路36へ入力して信号STLと加算する。<br>**(译文)** 上述行存储器W37的输出被输入到加法电路36和判定电路34。当判定电路34判定行存储器W37的输出在1023LSB处饱和时,接通开关35,将放大后的信号STS输入到加法电路36,与信号STL相加。对比文件公开了对第二样本(长曝光信号STL)应用了一种“加权”处理。其逻辑是:通过判定电路34判断STL是否饱和。如果不饱和,则STL的“权重”可以视为1(直接输出STL,STS权重为0);如果饱和,则STL的“权重”可以视为0(不再单独输出,而是与STS相加,此时输出结果由STS主导)。这种基于“是否饱和”这一条件(可视为一个简单的阶跃函数)来决定长曝光信号是否被采纳或舍弃的机制,本质上是一种特殊的、基于“函数”(饱和判定函数)的“可变加权因子”应用。虽然对比文件中的加权是二值化的(0或1),而非目标专利中0到1之间的连续函数,但在“应用基于函数的可变加权因子”这一广义概念上,本领域技术人员能够理解对比文件已经公开了其基本思想,即根据样本值(如饱和程度)动态调整其在最终输出中的权重。因此,该技术特征被对比文件**隐含公开**。
**技术特征E**:根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))...《未公开》[第2段] 判定回路34でラインメモリW37の出力が1023LSBで飽和していると判定された場合、スイッチ35をオンにして増幅した信号STSを加算回路36へ入力して信号STLと加算する。<br>**(译文)** 当判定电路34判定行存储器W37的输出在1023LSB处饱和时,接通开关35,将放大后的信号STS输入到加法电路36,与信号STL相加。对比文件公开的组合方式是:当长曝光信号STL未饱和时,输出STL;当STL饱和时,输出为“STL + G*STS”(其中G是固定的增益,如1049倍)。这完全不同于目标专利权利要求中明确记载的等式 `SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))`。目标专利的等式要求对两个样本同时进行连续的加权(M和1-M),然后求和,以实现平滑过渡。而对比文件采用的是“二选一”或“饱和后叠加”的逻辑,没有体现 (1-M) 对短曝光样本的连续加权,也未公开“n”作为取决于曝光时间差的标度值被应用于短曝光样本(对比文件中的增益G是固定的放大倍数,用于电平匹配,并非等式中的“n”)。因此,该特定组合等式未被对比文件公开。
**技术特征F**:以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束《未公开》[图3说明部分] 垂直のnラインではフォトダイオードPDで光電変換を行って発生した電荷を蓄積する蓄積時間TL=524.5Hとする。 ... フォトダイオードPD部では、蓄積時間TL=524.5H後に読み出しを行った後、再度フォトダイオードPD部で光電変換して信号電荷を蓄積する。 フォトダイオードPD部でTS=0.5H期間電荷を蓄積した後、...読み出す。<br>**(译文)** 在垂直n行中,设定在光电二极管PD中通过光电转换产生并积累电荷的积累时间TL=524.5H。 ... 在光电二极管PD部分,在积累时间TL=524.5H后进行读取后,再次在光电二极管PD部分进行光电转换并积累信号电荷。在光电二极管PD部分电荷积累TS=0.5H期间后,...进行读取。对比文件公开了两种曝光:一个长曝光(TL=524.5H)和一个短曝光(TS=0.5H)。从时序描述看,长曝光结束后立即开始短曝光,短曝光结束后进行读取。这意味着两个曝光的**结束时间不同**(短曝光在长曝光结束后才开始并结束)。目标专利特征F要求两个曝光时间“大体上同时结束”,这通常指曝光时段重叠或同时截止,以简化运动补偿。对比文件的曝光方式是顺序的、非同时结束的,因此未公开该特征。
**技术特征G**:在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光,《未公开》无相应内容。对比文件的所有实施例中,均未描述或暗示通过“偶数编号线”和“奇数编号线”来分别进行不同曝光时间的曝光。其曝光控制是基于整个画面或通过垂直寄存器控制行,但没有奇偶线交替曝光的方案。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征H**:以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本,《未公开》无相应内容。如G所述,对比文件没有公开“偶数编号线曝光”的方案,因此自然也谈不上基于此产生第一样本。该特征未被公开。
**技术特征I**:且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光,《未公开》无相应内容。如G所述,对比文件没有公开“奇数编号线曝光”的方案。该特征未被公开。
**技术特征J**:以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本《未公开》无相应内容。如G、I所述,对比文件没有公开“奇数编号线曝光”产生第二样本的方案。该特征未被公开。
**技术特征K**:通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本《未公开》无相应内容。对比文件未涉及任何通过“向下取样”或“向上取样”来为未直接曝光的像素线生成样本的技术。其每个像素位置通过自身在不同时间点的曝光获得长短样本。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。《未公开》无相应内容。同特征K,对比文件未涉及任何取样操作来为未直接曝光的像素线生成样本。因此,该特征未被公开。
**技术特征M**:其中M(i,j)的值介于零与一之间,包含零和一。《未公开》无相应内容。对比文件中应用于第二样本(长曝光信号)的“权重”是通过饱和判定实现的,其结果本质上是二值的:要么视为1(采纳),要么视为0(舍弃并混合短曝光信号)。没有公开或暗示一个可以在0到1之间连续变化的加权因子M(i,j)。因此,该特征未被公开。
**技术特征N**:其中将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合包括在传感器上将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合。《直接公开》[第2段] 上記シフトレジスタ16から読み出されたデジタル信号OUT0〜OUT9は、ワイドダイナミックレンジミックス(WDM)回路18に供給される。 ... 加算結果はラインメモリOUT38へ入力して1/2の低速でセンサから出力する。<br>**(译文)** 从移位寄存器16读取的数字信号OUT0~OUT9被提供给宽动态范围混合(WDM)电路18。 ... 加法结果被输入到行存储器OUT38,以1/2的低速从传感器输出。对比文件明确记载了从像素阵列读取的数字信号,在传感器芯片上的专用电路(WDM电路18,包含判定电路34、开关35、加算电路36等)中进行处理(判定、加权、加算),并将组合结果从传感器输出。这完全符合“在传感器上组合”的定义。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。
**技术特征O**:其中由所述CMOS图像传感器和电荷耦合装置CCD图像传感器中的一者产生所述第一像素单元信号和所述第二像素单元信号。《直接公开》[第2段] この発明は固体撮像装置に関するもので、例えばイメージセンサ付き携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラなどに使用される**CMOSイメージセンサ**に適用されるものである。<br>**(译文)** 本发明涉及固体摄像装置,适用于例如带图像传感器的手机、数码相机、摄像机等中使用的**CMOS图像传感器**。对比文件开篇即明确其技术适用于CMOS图像传感器,且全篇描述的实施例均为CMOS图像传感器结构(如包含像素单元、行列选择晶体管、源极跟随器等)。因此,其产生的第一和第二像素单元信号必然由CMOS图像传感器产生。该特征被**直接公开**。
**技术特征P**:其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:打开CCD图像传感器上的机械快门且使所述图像传感器暴露于光《未公开》无相应内容。对比文件全文描述的是CMOS图像传感器,并未提及任何关于CCD图像传感器或机械快门的操作。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征Q**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到存储区《未公开》无相应内容。该特征是针对CCD传感器的特定操作(如传送到屏蔽存储区)。对比文件是CMOS传感器,其信号读取和存储方式不同(如通过电容器、浮动扩散节点、行存储器等),未公开此特定CCD操作。因此,该特征未被公开。
**技术特征R**:从所述存储区读出所述第一样本《未公开》无相应内容。同Q,这是CCD传感器的特定流程,对比文件未公开。
**技术特征S**:在第二时间关闭所述机械快门《未公开》无相应内容。同P,对比文件未涉及机械快门。
**技术特征T**:将第二样本传送到所述存储区《未公开》无相应内容。同Q,这是CCD传感器的特定流程,对比文件未公开。
**技术特征U**:从所述存储区读出所述第二样本。《未公开》无相应内容。同Q、R,这是CCD传感器的特定流程,对比文件未公开。
**技术特征V**:其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光《隐含公开》[第2段] 画素部12における各々のセル(画素)は、4つのトランジスタ(行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTc、読み出しトランジスタTd)とフォトダイオード(光電変換手段)PDから構成されている。 ... パルス信号RESETnを“H”レベルにしてリセットトランジスタTcをオンして検出部FDをVDD電圧=2.8Vにセットする。<br>**(译文)** 像素部12中的各个单元(像素)由四个晶体管(行选择晶体管Ta、放大晶体管Tb、复位晶体管Tc、读取晶体管Td)和光电二极管(光电转换手段)PD构成。 ... 将脉冲信号RESETn设为“H”电平,使复位晶体管Tc导通,将检测部FD设置为VDD电压=2.8V。<br>[图3说明部分] 描述了在每次信号读取前,都会进行复位操作(施加RESETn脉冲)。对比文件详细描述了CMOS像素单元的结构,包括用于复位的晶体管(Tc)。操作时序(如图3)也明确显示了在每次积分(曝光)开始前或信号读取前,会进行复位操作(使检测部FD复位到固定电压)。复位后,像素单元(光电二极管PD)自然暴露于入射光并开始积分(曝光)。这是CMOS图像传感器进行相关双采样(CDS)和正常工作的标准流程。因此,虽然措辞不完全相同,但本领域技术人员能够毫无疑义地理解,对比文件公开的取样过程必然包含了“使像素单元复位并使所述像素单元暴露于光”这一基础步骤。该特征被**隐含公开**。
**技术特征W**:在第一时间将基于所述光形成的第一样本传送到电容器《未公开》[第2段] パルス信号(読み出しパルス)READnを“H”レベルにして読み出しトランジスタTdをオンさせ、フォトダイオードPDで生成して蓄積した信号電荷を検出部FDに読み出す。<br>**(译文)** 将脉冲信号(读取脉冲)READn设为“H”电平,使读取晶体管Td导通,将在光电二极管PD中生成并积累的信号电荷读取到检测部FD。对比文件描述了将光电二极管PD中积累的电荷通过读取晶体管Td传送到“检测部FD”(一个浮动扩散节点)。目标专利特征W明确限定为“传送到电容器”。虽然检测部FD本身具有寄生电容,功能上可视为一个电容节点,但权利要求中“电容器”通常指一个明确分立或集成的电容元件(如目标专利图1中的电容器20)。对比文件没有公开将第一样本传送到一个专门的、用于暂存短曝光样本的“电容器”这一特定结构。因此,该特征未被公开。
**技术特征X**:在第二时间读出基于所述光形成的第二样本。《直接公开》[图3说明部分] ... AD変換した信号(デジタルデータ)はラッチ回路15に保持し、次の水平走査期間の前半の0.5H期間でセンサコア部11より切替信号STLnとして出力している。<br>**(译文)** ... A/D转换后的信号(数字数据)被锁存电路15保持,在下一个水平扫描期间的前半0.5H期间,作为切换信号STLn从传感器核心部11输出。此特征与技术特征B实质上是同一操作的不同表述。对比文件明确公开了在第二时间(长曝光结束后)读出第二样本(长曝光信号STL)的过程。因此,该技术特征被对比文件**直接公开**。

### 结论代码

根据上述分析,对比文件直接公开了技术特征 A、B、N、O、X,隐含公开了技术特征 D、V。

<<<A>>><<<B>>><<<N>>><<<O>>><<<X>>><<<d>>><<<v>>>

权利要求与技术特征

A 其包括: 在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本
B 在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本
C 将第一可变加权因子应用于所述第一样本,其中所述第一可变加权因子是基于第一函数而界定
D 将第二可变加权因子应用于所述第二样本,其中所述第二可变加权因子是基于第二函数而界定
E 根据以下等式将所述经加权第一样本与所述经加权第二样本组合SCOMBINED(i,j)=SLONG(i,j)*M(i,j)+n*SSHORT(i,j)*(1-M(i,j))其中SCOMBINED表示位于(i,j)处的所述像素单元的由SSHORT表示的所述第一样本与由SLONG表示的所述第二样本的所述组合,n表示取决于所述第一时间与所述第二时间之间的曝光时间的差的标度值,M(i,j)表示可变加权因子,
F 以及其中在第一时间对第一像素单元信号进行取样以产生第一样本且在第二时间对第二像素单元信号进行取样以产生第二样本包括:使所述第一时间与所述第二时间对准,使得所述第一时间与所述第二时间大体上同时结束
G 在所述第一时间使互补MOS即CMOS图像传感器的多个偶数编号线曝光,
H 以针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第一样本,
I 且在所述第二时间使所述CMOS图像传感器的多个奇数编号线曝光,
J 以针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者产生所述第二样本
K 通过针对所述多个偶数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第一样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个奇数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第一样本
L 通过针对所述多个奇数编号线中的每一者中的多个空间位置中的每一者对所述第二样本进行向下取样和向上取样中的一者,针对所述多个偶数编号线中的每一者中的所述多个空间位置中的每一者产生所述第二样本。
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