对比文件名称：2001-04-03_US6211718B_发明授权_US06211718B1 Low voltage double balanced mixer
目标专利名称：437混频器架构CN102204085B
模型名称：DeepSeek
根据目标专利说明书，本发明涉及一种混频器架构，旨在解决单平衡混频器噪声抑制性能较差的问题。其核心在于提供一种设备，包含一个单端部分和一个虚设部分。单端部分包含第一晶体管对，用于接收单端第一信号（如RF信号）和差动第二信号（如LO信号），并耦合到差动输出。虚设部分包含一个与第一晶体管对匹配的第二晶体管对，其第一输入耦合到一个虚设负载端子，栅极同样耦合到差动第二信号，并耦合到相同的差动输出。通过这种结构，虚设部分与单端部分匹配，旨在保留双平衡混频器的噪声抑制优点，同时允许前级（如LNA）采用单端设计以节省面积和功耗。虚设负载端子可以连接到高频接地或各种虚设负载（如RC电路、LC网络或复制LNA的电路）以优化匹配。
对比文件US6211718B公开了一种具有单端输入和差分输出的低电压双平衡混频器电路。其包括一个放大器（390）和一个偏置装置（392），共同为混频器核心（391）提供信号。混频器核心（391）接收放大器的单端输出信号和偏置装置的输出，并在本地振荡器信号的控制下产生差分输出信号。
以下是特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》<br>所述设备包含：单端部分， | “Amplifier 390 is centred around transistor 301. The base electrode of transistor 301 is connected to terminal 360 by resistor 311 and to terminal 330 by capacitor 350. Inductor 310 is connected between the emitter electrode of transistor 301 and ground potential. The collector electrode of transistor 301 forms the output current path to mixer core 391.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1段) | 对比文件明确公开了放大器390，其围绕晶体管301构建，接收单端输入信号（端子330）并产生输出电流信号提供给混频器核心391的第一信号输入。该放大器构成了一个单端信号处理部分。 |
| 技术特征B：《直接公开》<br>其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号， | “Mixer core 391 comprises four transistors 303-306. Transistors 303 and 304 have their emitter electrodes coupled together and receive the output current signal of amplifier 390.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件的混频器核心391包含晶体管303-306。其中，晶体管303和304的发射极耦合在一起，并接收来自放大器390的输出电流信号。放大器390的输出即单端第一信号。因此，晶体管对303-304的第一输入（发射极）耦合到了单端第一信号。 |
| 技术特征C：《直接公开》<br>’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号， | “Mixer core 391 is arranged to be controlled by local oscillator driver 393 by the connection of the base electrodes of transistors 303-306 to the differential outputs of local oscillator driver 393. Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件明确公开了混频器核心391的晶体管（包括第一晶体管对303-304）的基极（对应于栅极输入）连接到本地振荡器驱动器393的差分输出。本地振荡器驱动器393接收差分LO信号（端子340, 341），其输出即为差动第二信号。因此，第一晶体管对303-304的栅极输入耦合到了差动第二信号。 |
| 技术特征D：《直接公开》<br>‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’ | “The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件明确公开了晶体管303和305的集电极连接在一起并连接到输出端子320，晶体管304和306的集电极连接在一起并连接到输出端子321。因此，第一晶体管对中的晶体管303和304通过其集电极分别连接到差分输出信号端子320和321，即耦合到了差动输出信号。 |
| 技术特征E：《直接公开》<br>其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流 | “Transistors 303 and 304 have their emitter electrodes coupled together and receive the output current signal of amplifier 390.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件中，第一晶体管对（303-304）的发射极耦合在一起，接收的是放大器390的输出信号电流。放大器390本身由偏置电压（端子360）通过电阻311偏置。对于混频器核心内的晶体管对303-304而言，其工作电流直接来源于放大器390的信号输出路径，在电路描述中未提及为其设置独立的直流偏置电流源。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，晶体管对303-304的配置依赖于前级放大器提供的信号电流，自身不具有独立的偏置电流配置。 |
| 技术特征F：《直接公开》<br>虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对， | “Mixer core 391 comprises four transistors 303-306.” 以及 “Current bias arrangement 392 comprises transistor 302 which has its emitter electrode connected directly to ground potential, its base electrode connected to terminal 361 by resistor 312 and provides a current signal to mixer core 391 from its collector electrode.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1、2段) | 对比文件的混频器核心391包含四个晶体管303-306。晶体管305和306构成另一对晶体管，其发射极耦合在一起，接收来自偏置装置392的电流信号。在集成电路中，这些晶体管通常采用相同的工艺和设计，因此晶体管对305-306在结构上与晶体管对303-304是匹配的。偏置装置392及其驱动的晶体管对305-306共同构成了一个提供偏置电流的路径，其功能与目标专利中用于平衡和噪声抑制的“虚设部分”相对应。 |
| 技术特征G：《直接公开》<br>所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子， | “Transistors 305 and 306 have their emitter electrodes coupled together and receive the current provided by bias arrangement 392.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件中，第二晶体管对（305-306）的发射极（第一输入）耦合在一起，并连接到偏置装置392的输出端（晶体管302的集电极）。该节点接收的是一个偏置电流而非信号，其作用类似于目标专利中为虚设部分提供偏置或参考的“虚设负载端子”。 |
| 技术特征H：《直接公开》<br>所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号， | “Mixer core 391 is arranged to be controlled by local oscillator driver 393 by the connection of the base electrodes of transistors 303-306 to the differential outputs of local oscillator driver 393. Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件明确公开了所有四个晶体管（303-306）的基极（栅极）都连接到本地振荡器驱动器393的差分输出。具体地，晶体管305的基极与304的基极连接在一起，晶体管306的基极与303的基极连接在一起。因此，第二晶体管对305-306的栅极输入同样耦合到了差动第二信号（LO信号）。 |
| 技术特征I：《直接公开》<br>所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。 | “The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件明确公开了晶体管305的集电极与303的集电极连接至输出端子320，晶体管306的集电极与304的集电极连接至输出端子321。因此，第二晶体管对305-306通过其集电极连接到了差动输出信号。 |
| 技术特征J：《直接公开》<br>所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。 | “Capacitor 351 is connected between the collector electrode of transistor 302 and ground potential.” 以及 “Capacitor 351 provides low impedance grounding of the ac component of the signal present on the collector electrode of transistor 302.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1、3段) | 对比文件中，偏置装置392的晶体管302的集电极（即虚设负载端子）通过电容351连接到地电位。电容351为交流（高频）分量提供了低阻抗接地路径。这相当于将虚设负载端子耦合到了高频接地电压。 |
| 技术特征K：《直接公开》<br>所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。 | “Current bias arrangement 392 comprises transistor 302 which has its emitter electrode connected directly to ground potential, its base electrode connected to terminal 361 by resistor 312 and provides a current signal to mixer core 391 from its collector electrode. Capacitor 351 is connected between the collector electrode of transistor 302 and ground potential.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1段) | 对比文件的偏置装置392（包含晶体管302、电阻312和电容351）作为一个整体，其输出端（晶体管302集电极）连接到混频器核心的第二输入（晶体管305-306发射极）。该偏置装置为第二晶体管对提供了一个稳定的偏置电流路径，并包含电容351进行高频接地。其功能等同于为目标专利的“虚设部分”提供偏置和/或阻抗匹配的“虚设负载”。 |
| 技术特征L：《未被公开》<br>所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。 | 对比文件中，放大器390的晶体管301发射极通过电感310接地，用于提供串联负反馈和改善线性度及噪声，但电感310并非电阻器。偏置装置392的晶体管302发射极直接接地，没有退化元件。混频器核心晶体管303-306和305-306的发射极直接分别连接到放大器390的输出和偏置装置392的输出，中间没有退化电阻器。因此，该技术特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征M：《直接公开》<br>所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。 | “The base electrode of transistor 301 is connected to terminal 360 by resistor 311 and to terminal 330 by capacitor 350.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1段) 以及 “Capacitor 351 is connected between the collector electrode of transistor 302 and ground potential.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1段) | 对比文件明确公开了单端第一信号（输入信号）通过耦合电容器350连接到放大器390的输入端（晶体管301基极）。同时，虚设负载（偏置装置392）包含一个电容器351，连接在虚设负载端子（晶体管302集电极）与地之间。 |
| 技术特征N：《直接公开》<br>其进一步包含：放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。 | “Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330 and translates it to a current signal which is provided at the collector electrode of transistor 301. Amplifier 390 thus forms a high impedance current source.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第3段) | 对比文件明确公开了放大器390，其接收RF电压信号（端子330）并将其转换为电流信号。该电流信号即作为单端第一信号提供给混频器核心。 |
| 技术特征O：《未被公开》<br>所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。 | 对比文件中，虚设负载（偏置装置392）包含晶体管302、电阻312和电容351。电容351一端接晶体管302集电极（虚设负载端子），另一端接地。电阻312连接在晶体管302基极和偏置端子361之间。没有公开电容器耦合到一个连接到电源电压的电阻器这样的结构。 | 未被公开 |
| 技术特征P：《未被公开》<br>所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。 | 对比文件中，放大器390的负载是其集电极输出节点，直接连接到混频器核心，并未描述有并联LC负载。虚设负载（偏置装置392）也未描述包含并联LC负载。 | 未被公开 |
| 技术特征Q：《未被公开》<br>所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。 | 该特征依赖于特征P（放大器及虚设负载包含LC负载）。由于特征P未被公开，且对比文件未描述此类有损耗电感器的设计，因此该特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征R：《未被公开》<br>所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管 | 对比文件中的放大器390是围绕单个晶体管301构建的，并非共阴共栅结构。其发射极通过电感310接地，是共发射极（或共源极）结构。 | 未被公开 |
| 技术特征S：《未被公开》<br>源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极 | 该特征依赖于特征R（放大器为共阴共栅结构）。由于特征R未被公开，因此该特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征T：《未被公开》<br>负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极 | 该特征依赖于特征R（放大器为共阴共栅结构）。由于特征R未被公开，因此该特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征U：《未被公开》<br>所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管 | 对比文件中的虚设负载（偏置装置392）仅包含一个晶体管302，并非共阴共栅晶体管对结构。 | 未被公开 |
| 技术特征V：《未被公开》<br>虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极 | 该特征依赖于特征U（虚设负载包含共阴共栅晶体管对）。由于特征U未被公开，因此该特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征W：《未被公开》<br>二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极 | 该特征依赖于特征U（虚设负载包含共阴共栅晶体管对）。由于特征U未被公开，因此该特征未被公开。 | 未被公开 |
| 技术特征X：《直接公开》<br>所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。 | “Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393.” 以及 “The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321.” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第2段) | 对比文件明确公开了：第一晶体管对为303（第一）和304（第二），第二晶体管对为305（第三）和306（第四）。差动LO信号的第一端（LO驱动器的第一输出）连接到晶体管303和306的基极（栅极），第二端（LO驱动器的另一输出）连接到晶体管304和305的基极（栅极）。晶体管303和305的集电极（漏极）连接在一起，晶体管304和306的集电极（漏极）连接在一起。该连接关系与目标专利权利要求中的描述完全一致。 |
| 技术特征Y：《直接公开》<br>所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。 | “a single-ended input signal is applied to terminal 330” 以及 “differential local oscillator signals are applied to terminals 340 and 341” 和 “Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330 and translates it to a current signal” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1、3段) | 对比文件明确公开了施加到端子330的输入信号是单端RF信号，施加到端子340和341的是差分本地振荡器（LO）信号。放大器390接收并放大该RF信号。因此，第二信号是LO信号，第一信号是经放大的RF信号（以电流形式）。 |
| 技术特征Z：《隐含公开》<br>所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。 | “bias potentials are applied to terminals 360 and 361” 以及 “transistor 302 which has its emitter electrode connected directly to ground potential, its base electrode connected to terminal 361 by resistor 312” (DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT 第1段) | 对比文件公开了偏置电位施加到端子361，并通过电阻312连接到晶体管302（偏置装置的核心）的基极。晶体管302为第二晶体管对（305-306）提供偏置电流。虽然对比文件未明确说明该偏置电位是“可配置的”，但本领域技术人员可以理解，在集成电路设计中，施加到端子361的偏置电压通常是可配置或可调的，例如通过偏置电路、数模转换器或外部引脚设置，以调整偏置电流从而优化电路性能（如平衡度、增益）。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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