对比文件名称：1998-07-15_EP0853376A_发明公开_EP0853376A1 Low voltage double balanced mixer
目标专利名称：CN102204085B 混频器架构
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述设备包含：单端部分，<br>**《直接公开》** | [0011] In accordance with the present invention, there is provided a mixer circuit arrangement comprising a mixer core and a single-ended amplifier stage, in which the mixer core is arranged to receive a single-ended output signal of the amplifier stage on a first main input...<br>[0014] ...Amplifier 390... | 对比文件明确公开了混频器电路包含一个单端放大器级（single-ended amplifier stage），即放大器390，其接收单端输入信号并提供单端输出信号给混频器核心。这与目标专利中的“单端部分”（即接收单端第一信号的部分）在结构和作用上相同，都是接收并处理单端信号的电路部分。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B：** 其包含第一晶体管对，‘所述第一晶体管对的第一输入耦合到所述单端第一信号，<br>**《直接公开》** | [0015] Mixer core 391 comprises four transistors 303-306. Transistors 303 and 304 have their emitter electrodes coupled together and receive the output current signal of amplifier 390.<br>[0016] Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330 and translates it to a current signal which is provided at the collector electrode of transistor 301. | 对比文件中的混频器核心391包括晶体管303和304，它们的发射极耦合在一起并接收来自放大器390的输出电流信号。放大器390的输出（即单端第一信号）通过晶体管301的集电极提供，并耦合到晶体管303和304的发射极（即第一输入）。因此，对比文件公开了第一晶体管对（303,304）的第一输入（发射极）耦合到单端第一信号（放大器390的输出）。 |
| **技术特征C：** ’所述第一晶体管对的栅极输入耦合到所述差动第二信号，<br>**《直接公开》** | [0015] ...Mixer core 391 is arranged to be controlled by local oscillator driver 393 by the connection of the base electrodes of transistors 303-306 to the differential outputs of local oscillator driver 393. Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393.<br>[0017] ...differential local oscillator signals are applied to terminals 340 and 341... | 对比文件明确公开了晶体管303-306的基极（对应栅极输入）连接到本地振荡器驱动器393的差分输出。本地振荡器驱动器393接收施加在终端340和341上的差分本地振荡器信号（LO信号，即差动第二信号）。因此，第一晶体管对（303,304）的栅极输入（基极）耦合到了差动第二信号（LO信号）。 |
| **技术特征D：** ‘所述第一晶体管对耦合到所述差动输出信号，’<br>**《直接公开》** | [0015] ...The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321. | 对比文件公开了第一晶体管对中的晶体管303的集电极与晶体管305的集电极连接在一起并连接到输出终端320；晶体管304的集电极与晶体管306的集电极连接在一起并连接到输出终端321。输出终端320和321提供差分输出信号。因此，第一晶体管对（303,304）的集电极（漏极）耦合到了差动输出信号。 |
| **技术特征E：** 其中所述第一晶体管对经配置以不具有偏置电流<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中未提及第一晶体管对（303,304）被配置为不具有偏置电流。相反，晶体管303和304的发射极共同接收来自放大器390的信号电流，该放大器本身由偏置电压（终端360）偏置（见[0016]）。晶体管303和304在LO信号控制下开关，其工作状态依赖于放大器390提供的信号电流，而不是被配置为“不具有偏置电流”。目标专利说明书中也未明确限定该特征的具体含义或效果，但根据上下文，其可能旨在描述一种工作状态或配置。对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征F：** 虚设部分，其包含匹配于所述第一晶体管对的第二晶体管对，<br>**《未公开》** | [0015] Mixer core 391 comprises four transistors 303-306. Transistors 303 and 304... Transistors 305 and 306... | 对比文件公开了混频器核心391包含四个晶体管303-306，其中晶体管303、304作为一组，晶体管305、306作为另一组。然而，晶体管305和306构成的是“偏置装置”（bias arrangement 392）的一部分，用于向混频器核心的第二信号输入提供偏置电流（见[0012], [0015]），其功能是提供稳定的偏置，而不是作为与第一晶体管对“匹配”以改善输出对称性和噪声抑制的“虚设部分”。目标专利中的“虚设部分”及其“匹配”关系旨在通过结构对称性来抑制噪声，这与对比文件中偏置电流源的功能和目的不同。因此，对比文件未公开“匹配于第一晶体管对的第二晶体管对”所构成的“虚设部分”。 |
| **技术特征G：** 所述第二晶体管对的第一输入耦合到虚设负载端子，<br>**《未公开》** | [0015] ...Transistors 305 and 306 have their emitter electrodes coupled together and receive the current provided by bias arrangement 392. | 对比文件中，晶体管305和306的发射极（第一输入）耦合在一起，接收的是由偏置装置392提供的偏置电流。该节点连接到偏置晶体管302的集电极，并非目标专利中定义的“虚设负载端子”。目标专利的“虚设负载端子”是连接到一个旨在模拟或匹配LNA输出阻抗的“虚设负载”的节点，以实现噪声抑制。对比文件的偏置装置392是提供直流偏置的电流源，其目的和电路特性与“虚设负载端子”不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H：** 所述第二晶体管对的栅极耦合到所述差动第二信号，<br>**《直接公开》** | [0015] ...Mixer core 391 is arranged to be controlled by local oscillator driver 393 by the connection of the base electrodes of transistors 303-306 to the differential outputs of local oscillator driver 393. Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393. | 对比文件明确公开了晶体管305和306（第二晶体管对）的基极（栅极）也连接到本地振荡器驱动器393的差分输出，即耦合到差动第二信号（LO信号）。连接方式为：晶体管305与304基极相连，晶体管306与303基极相连。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I：** 所述第二晶体管对耦合到所述差动输出信号。<br>**《直接公开》** | [0015] ...The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321. | 对比文件公开了第二晶体管对中的晶体管305的集电极与晶体管303连接至输出终端320，晶体管306的集电极与晶体管304连接至输出终端321。因此，第二晶体管对（305,306）的集电极（漏极）耦合到了差动输出信号。 |
| **技术特征J：** 所述虚设负载端子耦合到高频接地电压。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在“虚设负载端子”，因此更不存在该端子耦合到高频接地电压的技术特征。目标专利中该特征限定了虚设负载端子的具体连接方式，对比文件完全未涉及。 |
| **技术特征K：** 所述设备进一步包含耦合到所述虚设负载端子的虚设负载。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在“虚设负载端子”，因此也不存在耦合到该端子的“虚设负载”。对比文件中的偏置装置392（晶体管302及相关元件）提供直流偏置电流，其功能与目标专利中用于模拟LNA输出阻抗以改善噪声性能的“虚设负载”有本质区别。 |
| **技术特征L：** 所述第一晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述单端第一信号，且所述第二晶体管对的所述第一输入经由退化电阻器耦合到所述虚设负载端子。<br>**《未公开》** | [0015] ...Transistors 303 and 304 have their emitter electrodes coupled together and receive the output current signal of amplifier 390.<br>[0016] ...Amplifier 390 ... translates it to a current signal which is provided at the collector electrode of transistor 301.<br>（关于退化元件）[0016] ...inductor 310 effects series negative feedback in the base-emitter circuit of transistor 301. | 首先，对比文件中第一晶体管对（303,304）的第一输入（发射极）直接接收来自放大器390晶体管301集电极的电流信号，并未经过任何“退化电阻器”。放大器390的晶体管301发射极连接的是电感310用于负反馈，而非电阻器。其次，第二晶体管对（305,306）的第一输入（发射极）接收来自偏置装置392的电流，该偏置装置包含电阻312和电容351，但并非连接到“虚设负载端子”的“退化电阻器”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M：** 所述第一晶体管对的所述第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号，所述虚设负载进一步包含电容器。<br>**《部分公开/未完全公开》** | [0016] Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330 and translates it to a current signal which is provided at the collector electrode of transistor 301. Capacitor 350 acts to block any dc component of the input signal. | 对比文件公开了单端输入信号（RF电压）通过耦合电容器350输入到放大器390（即单端部分）。这对应于特征前半部分“第一晶体管对的第一输入经由耦合电容器耦合到所述单端第一信号”。然而，对比文件没有公开“虚设负载”，更没有公开虚设负载包含电容器。因此，该技术特征作为一个整体（包含虚设负载的电容器）未被对比文件公开。 |
| **技术特征N：** 其进一步包含：放大器，其经配置以放大输入信号以产生所述单端第一信号。<br>**《直接公开》** | [0011] ...a mixer circuit arrangement comprising a mixer core and a single-ended amplifier stage...<br>[0014] Amplifier 390 is centred around transistor 301.<br>[0016] Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330 and translates it to a current signal... | 对比文件明确公开了混频器电路包含一个单端放大器级（amplifier 390），其围绕晶体管301构建，用于接收RF输入信号并产生输出电流信号（即单端第一信号）。该放大器的作用与目标专利中放大输入信号以产生单端第一信号的放大器相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征O：** 所述虚设负载进一步包含电容器，所述电容器耦合到电源电压的电阻器。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在“虚设负载”，因此更不存在包含“耦合到电源电压的电阻器”的电容器结构。该特征完全未被公开。 |
| **技术特征P：** 所述放大器包含并联电感器-电容器负载，所述虚设负载进一步包含并联电感器-电容器负载。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中的放大器390在晶体管301的集电极输出，并未描述其包含一个明确的“并联电感器-电容器负载”。说明书[0023]提到选择晶体管面积和偏置电流时需要在噪声系数和增益之间权衡，但未提及具体负载结构。同时，对比文件不存在“虚设负载”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：** 所述虚设负载的所述电感器经设计以比所述放大器负载的所述电感器更有损耗。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在“虚设负载”，因此也不存在其电感器的设计特性。该特征未被公开。 |
| **技术特征R：** 所述放大器包含：共阴共栅放大器，其包含第一共阴共栅晶体管及第二共阴共栅晶体管<br>**《未公开》** | [0014] Amplifier 390 is centred around transistor 301. | 对比文件中的放大器390是围绕单个晶体管301构建的，是一个共发射极（或共源极，如果对应FET）放大器，并非包含两个晶体管（如共源共栅结构）的“共阴共栅放大器”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征S：** 源极退化阻抗，其耦合到所述第一共阴共栅晶体管的源极<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 由于对比文件的放大器390不是共阴共栅结构，因此不存在“第一共阴共栅晶体管”，也不存在耦合到其源极的“源极退化阻抗”。对比文件中晶体管301的发射极连接了电感310用于负反馈，但这是单个晶体管放大器的发射极退化，并非共阴共栅结构中第一晶体管的源极退化。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征T：** 负载，其耦合到所述第二共阴共栅晶体管的漏极<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 由于对比文件的放大器390不是共阴共栅结构，因此不存在“第二共阴共栅晶体管”，也不存在耦合到其漏极的“负载”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征U：** 所述虚设负载进一步包含：第一虚设共阴共栅晶体管及第二虚设共阴共栅晶体管<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 对比文件中不存在“虚设负载”，因此更不存在包含共阴共栅晶体管的虚设负载结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征V：** 虚设源极退化阻抗，其耦合到所述第一虚设共阴共栅晶体管的源极<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 由于特征U未被公开，且对比文件不存在“虚设负载”和“共阴共栅晶体管”，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征W：** 二次虚设负载，其耦合到所述第二虚设共阴共栅晶体管的漏极。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。 | 由于特征U未被公开，且对比文件不存在“虚设负载”和“共阴共栅晶体管”，因此该特征也未被公开。 |
| **技术特征X：** 所述第一晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管，所述差动第二信号的第一端耦合到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极，所述差动第二信号的第二端耦合到所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极，所述第一晶体管及所述第三晶体管的漏极耦合在一起，且所述第二晶体管及所述第四晶体管的漏极耦合在一起。<br>**《直接公开》** | [0015] Mixer core 391 comprises four transistors 303-306... The collector electrodes of transistors 303 and 305 are connected together and to output terminal 320 whilst the collector electrodes of transistors 304 and 306 are connected together and to the other output terminal 321. Transistors 303 and 306 have their base electrodes connected together and to a first output of local oscillator driver 393 whilst transistors 304 and 305 have their base electrodes connected together and to the other output of local oscillator driver 393. | 对比文件明确公开了：第一晶体管对为303（第一）和304（第二），第二晶体管对为305（第三）和306（第四）。差动LO信号（第二信号）通过LO驱动器393提供：其第一输出（第一端）连接到晶体管303和306的基极（栅极），第二输出（第二端）连接到晶体管304和305的基极（栅极）。第一晶体管303和第三晶体管305的集电极（漏极）连接在一起至输出320，第二晶体管304和第四晶体管306的集电极（漏极）连接在一起至输出321。该连接关系与目标专利特征X的描述完全一致。 |
| **技术特征Y：** 所述第二信号包含本机振荡器（LO）信号，所述第一信号包含经放大射频（RF）信号。<br>**《直接公开》** | [0014] In operation, differential local oscillator signals are applied to terminals 340 and 341... a single-ended input signal is applied to terminal 330...<br>[0016] Amplifier 390 receives an RF voltage signal at terminal 330... | 对比文件明确说明了施加到终端340、341的是差动本地振荡器（LO）信号，即第二信号。施加到终端330的是单端输入信号，放大器390接收该RF电压信号并将其转换为电流信号，即第一信号是经放大器处理后的RF信号。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Z：** 所述第二晶体管对由至少一个可配置偏压电压偏置。<br>**《直接公开》** | [0014] ...bias potentials are applied to terminals 360 and 361...<br>[0015] ...Transistors 305 and 306 have their emitter electrodes coupled together and receive the current provided by bias arrangement 392.<br>[0016] ...DC biasing of transistor 301 is achieved by way of resistor 311 and the bias potential applied to terminal 360.<br>[0018] ...Resistor 312 connects the base electrode of transistor 302 to terminal 361, to which a biasing potential is applied. | 对比文件公开了偏置装置392包含晶体管302，其基极通过电阻312连接到偏置电位终端361。该偏置电位（Vbias）用于控制晶体管302的电流，进而为第二晶体管对（305,306）提供偏置电流。终端361上的偏置电位是可配置的（applied），用于设置偏置电流。因此，第二晶体管对由至少一个可配置的偏压电压（终端361的电位）偏置。该特征被直接公开。 |
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