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权利要求与技术特征

H 其中： 所述多个串包括两个串
I 其中所述漏极选择栅极、所述源极栅极及所述源极选择栅极中的每一者至少部分地环绕与所述两个串相关联的两个柱。

J 其中所述多个串包括串块的子块，其中所述子块通过扩散区域而与所述串块的相邻子块分离。

K 其中： 所述漏极选择栅极包括漏极选择装置的一部分
L 所述源极选择栅极包括源极选择装置的一部分。

M 其中所述源极栅极包括源极栅极装置的一部分。

N 其包括： 多个块，每一块包括多个串，每一串包括与从衬底延伸的一相应柱相关联的多个电荷存储装置，所述柱包括半导体材料
O 及导电部件，其耦合到所述衬底在多个所述块的群组之间，其中所述导电部件经配置以偏置所述串的共用源极
P 其中所述柱中的相应一者包含： 漏极选择装置，其与所述相应柱相关联且耦合于所述相应电荷存储装置串与数据线之间
Q 源极选择装置，其与所述相应柱相关联且耦合到所述相应串
R 及源极栅极装置，其与所述相应柱相关联且耦合于所述源极选择装置与所述共用源极之间，其中所述源极选择装置及所述源极栅极装置经配置以实质上控制所述柱与所述共用源极之间的导电。

S 其中： 所述衬底包括p型衬底
T 所述导电部件耦合到所述p型衬底中的n+型扩散区域。

U 其进一步包括所述p型衬底中的多个n+型扩散区域，其包含所述n+型扩散区域。

V 其中所述导电部件具有从所述衬底突出的壁形状。

W 其中所述导电部件包括半导体材料。

X 其中所述导电部件包括多晶硅。

Y 其中所述导电部件包括金属。

Z 分析
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