一种用于利用导体（6）接触OLED的方法，该器件（1）包括具有至少一个单元（3）的衬底（2）该器件（1）包括具有接触区（4）的衬底（2）该器件（1）包括具有封装（5）的衬底（2）所述封装包括薄膜该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝其中所述封装（5）封装至少接触区（4）该方法包括步骤将导体（6）设置在封装（5）上在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。

基于目标专利说明书的教导以及提供的对比文件原文，针对权利要求1进行深入的专利有效性/创造性分析，具体分析如下：

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## 1. 目标专利说明书对权利要求的解释

根据目标专利（CN102150294B）说明书及附图，对权利要求1的各项技术特征解释如下：

* **技术特征A（器件基础结构）：**

* **解释：** 器件（1）为有机发光二极管（OLED）器件。衬底（2）包含至少一个OLED单元（3）、提供导电连接（阳极/阴极）的接触区（4）以及覆盖保护的封装（5）（说明书[0001]、[0008]、[0028]）。

* **技术特征B（封装层材料与形态）：**

* **解释：** 封装（5）为薄膜形式（如厚度在100nm与500nm之间），其材料包含无机材料，具体为氮化硅、碳化硅或氧化铝，常通过CVD工艺沉积（说明书[0003]、[0011]、[0029]）。

* **技术特征C（全覆盖封装形态）：**

* **解释：** 封装（5）直接封装/覆盖至少接触区（4）（即封装无缝覆盖了发光单元和接触区，无需提前使用昂贵的掩模阻止接触区被沉积封装）（说明书[0004]-[0008]、[0029]）。

* **技术特征D（导体摆放）：**

* **解释：** 导体（6）（如扁平金属线，铝/铜/银线）直接设置在已经覆盖在接触区（4）之上的封装（5）表面（说明书[0012]、[0030]）。

* **技术特征E（不事先移除封装的直接互连）：**

* **解释：** **本专利的核心技术发明点**。在将导体（6）与接触区（4）互连（如超声焊接）之前，**不需要在单独步骤中事先移除**导体与接触区之间的封装（5）。在互连过程（如施加超声焊接能量）中，能量熔化/物理打碎并移除该处的薄膜封装，使导体与接触区直接形成低于1Ω的电接合点（说明书[0008]-[0009]、[0032]-[0034]）。

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## 2. 对比文件技术特征比对与公开性分析

下表对比了权利要求1的技术特征在对比文件1（D1: EP1811579A1）和对比文件2（D2: EP1763287A2）中的公开情况：

### 权利要求1特征比对表

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## 3. 最接近对比文件的选择分析

在创造性评估中，选择最接近的对比文件通常基于：**技术领域相同、解决的技术问题相似、公开的技术特征最多**。

### 最接近对比文件：对比文件2（D2 - EP1763287A2）

* **技术领域与结构重合度高：** D2与本发明完全处于同一技术领域（OLED器件及其封装接线技术）。

* **公开了绝大部分结构特征（特征A、B、C）：** D2段落[0019]-[0028]及图1(a)明确教导了在衬底上制作OLED及接触电极（端子电极9）后，**使用包含氮化硅的薄膜封装（5）覆盖包括接触电极在内的整个区域**。这完全涵盖了本专利的特征A、B、C。

* **解决的技术问题极其接近：** D2（段落[0003]-[0006]）与本专利（说明书[0004]-[0006]）关注的完全是同一个技术痛点：**传统掩模沉积封装膜或湿法光刻工艺极其繁琐且成本高昂，需要简化封装及接触电极暴露的过程**。

*（注：D1虽然公开了氮化硅封装薄膜，但其技术领域偏向光电耦合器（Optocoupler），且在封装阶段就通过预留开口（不连续点57a）暴露焊盘，未公开对接触区的全覆盖，因此作为最接近对比文件的优先度低于D2。）*

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## 4. 区别技术特征、实际解决的技术问题与创造性分析

以 **D2 (EP1763287A2)** 作为最接近对比文件，本专利权利要求1与D2相比：

### 区别技术特征

1. **特征D+E的组合：** 将导体（6）设置在封装（5）上，并在**不事先移除**导体与接触区之间的封装（5）的情况下，直接将导体（6）与接触区（4）互连。

### 实际解决的技术问题

如何彻底省去对接触区封装膜的单独刻蚀/去除工艺步骤，从而简化封装OLED器件的电接触制作流程、降低生产成本并提高成品率。

### 创造性分析（三步法评价）

1. **D2给出了相反的技术教导（Negative Teaching）：**

D2为了解决传统湿法光刻损伤OLED的问题，提出的方案是“先整体覆盖密封膜5，再形成带开口的第二密封膜6，**最后利用干法刻蚀移除**接触区9上的密封膜5”（D2段落[0008]）。即D2的技术思路依然坚信**“必须先移除接触区上的封装层，才能将电极暴露并连接”**。

2. **未被公开的区别特征（特征D、E）：**

无论是D1还是D2，均未给出“无需事先刻蚀/移除封装膜，直接将导体置于封装膜上并通过超声焊接等物理/能量手段一次性穿透封装膜完成互连”的技术教导。其他现有技术也没有将超声焊接穿透薄膜封装用于OLED接触电极的组合启示。

3. **技术效果显著：**

本发明打破了本领域的技术偏见（即认为必须先暴露接触电极才能接线），实现了完全无需掩模、完全无需刻蚀工序的直接穿透连接，大幅简化了工艺。因此，权利要求1相对于D2与D1的组合**具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性**。

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## 5. 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利发起专利无效宣告请求，目前权利要求1中最薄弱、也是最难被攻破的防御核心在于：

> **最薄弱（对无效发起方最不利/对专利权人最稳固）的技术特征：技术特征E**

> *“在不事先移除导体与接触区之间的封装（5）的情况下将导体与接触区互连”*

### 原因分析：

* **现有技术的惯性思维：** 在半导体及OLED制造领域，封装膜（特别是氮化硅、氧化铝等坚硬的无机致密薄膜）的功能就是绝缘和隔离环境。现有技术（如D2）的普遍认知是必须通过刻蚀（干法/湿法）或掩模遮蔽来暴露下方金属电极。

* **证据链断裂：** 现有的D1和D2均要求“预留开口”或“事后刻蚀移除”，甚至D2将“如何高效刻蚀移除封装膜”作为其核心专利点。因此，仅凭现有D1和D2，**无法拼凑出特征E的教导**。

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## 6. 进一步的对比文件检索策略

为了无效权利要求1，必须重点寻找能够破坏**特征E（直接穿透/不事先移除封装膜即进行焊接互连）**的对比文件。建议采用以下补充检索策略：

### 1. 扩充技术领域（跨领域检索）

不要局限于OLED领域，应将检索范围扩大至：

* **芯片封装与微电子焊接（Wire Bonding / Ultrasonic Welding / Thermosonic Bonding）：** 检索在绝缘层（如Polyimide、氧化物薄膜、钝化层）未开孔的情况下，直接利用超声波结合压头穿透绝缘膜实现金属导线与下方电极焊接（Over-passivation bonding 或 Breakdown bonding）的工艺。

* **太阳能电池（Solar Cell）电极制造：** 太阳能电池经常使用“烧穿”（Fire-through）或超声压合穿透氮化硅（`SiNx`）减反射/钝化膜建立电接触的专利技术。

### 2. 关键词与分类号（IPC/CPC）组合策略

* **核心关键词组合（中/英/德/日）：**

* (`OLED` OR `organic light emitting` OR `semiconductor` OR `photovoltaic`)

* AND (`ultrasonic weld*` OR `ultrasonic bond*` OR `wire bond*` OR `energy bond*`)

* AND (`penetrat*` OR `break through` OR `without removing` OR `directly through` OR `non-etched`)

* AND (`insulation` OR `passivation` OR `encapsulation` OR `silicon nitride` OR `thin film`)

* **重点关注的国际专利分类号（IPC/CPC）：**

* `H01L 51/52`（OLED器件的结构或封装细节）

* `H01L 24/45` / `H01L 24/48`（半导体器件引线键合/互连结构）

* `B23K 20/10`（超声波焊接工艺及设备）

* `H02S 40/30` / `H01L 31/0224`（穿透钝化层制造电极的工艺）

### 3. 追踪特定申请人与传统焊接设备厂商

重点检索超声压焊设备巨头（如 **Kulicke & Soffa / K&S**、**Hesse Mechatronics**、**Orthodyne**）以及大型有机电子研制机构（如 **Fraunhofer Institute**、**Samsung Display**、**LG Display**）在2009-2010年（目标专利优先权日之前）关于“超声波直接穿透薄膜封装引线键合”的论文（IEEE Xplore）及专利申请。

作为一个经验丰富的专利代理师，我针对目标专利CN102150294B的权利要求1，结合目标专利说明书及三份对比文件（D1：US20060290276A1、D2：JP2007073353A、D3：US20070065962A1）的原文出处进行详细的专利效力与创造性分析。

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### 一、 基于目标专利说明书对权利要求1的解释

目标专利（CN102150294B）解决的核心技术问题在于：传统的OLED器件薄膜封装工艺为了引出电极接触区，通常需要昂贵的掩模工艺（Masking process）或单独的刻蚀步骤来预先移除接触区上的封装层，这增加了生产成本并降低了成品率-[0005]]。

结合目标专利说明书，权利要求1中的关键技术特征解释如下：

1. **技术特征A、B、C（器件结构及封装覆盖）**：

* 器件（1）为OLED器件，其包含衬底（2）、至少一个OLED单元（3）、接触区（4，即连接至单元电极的区域）以及薄膜封装层（5）, [0008]]。

* 封装层（5）包含无机薄膜材料如氮化硅、碳化硅或氧化铝, [0011]]，且该封装层**直接且完整地覆盖/封装了至少所述接触区（4）**, [0014]]。

2. **技术特征D（导体置于封装层上）**：

* 将导体（6，如扁平金属线/铝线/铜线）直接放置在接触区（4）正上方的封装层（5）表面, [0029], [0030]]。

3. **技术特征E（不事先移除封装层的情况下互连）**：

* 这是本发明最核心的技术特征。指在互连之前**无需通过掩模遮挡、刻蚀或剥离等独立工艺步骤事先清除**导体与接触区之间的封装薄膜, [0008]]。

* 结合说明书第[0009]及[0032]段解释：该“互连”优选通过**超声焊接（Ultrasonic welding）**实现]。在超声焊接过程中，超声焊接能量在施加压力的同时，将导体与接触区之间的无机封装薄膜原位破坏/移除，并使导体与接触区熔接形成电接合点（电阻小于1Ω）, [0032], [0033]]。

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### 二、 对比文件技术特征公开情况分析

针对权利要求1分解出的技术特征，各对比文件的原文公开情况如下：

#### 1. D1（公开号：US20060290276A1）

* **特征A**：公开了包含衬底10、OLED 11（单元）、第一/第二电极14/18（接触区）及保护层/封装层（如Al2O3、Si3N4）的器件, [0026], [0027]]。**（公开）**

* **特征B**：公开了包含Si3N4、Al2O3等材料的保护/无机层, [0026], [0039]]。**（公开）**

* **特征C**：D1中的 protective layer / Al2O3 主要是沉积在电极18或OLED层上方, [0029]]，但未明确公开封装层延伸并完全封闭包覆接触引出区, [0029]]。**（未明确公开）**

* **特征D & E**：D1主要关注在 gap 32 中通过叠加彩色滤光片形成间隔物（spacer elements 22）以承受机械应力, [0025]]，并未涉及将导体设置在封装层上以及在不事先移除封装层的情况下将导体与接触区互连的方法-[0033]]。**（未公开）**

#### 2. D2（公开号：JP2007073353A）

* **特征A**：公开了包括基板1（衬底）、第1电极2/第2电极4（包含端子电极部8即接触区）、发光层3（单元）以及封止膜5（封装层）的有机EL素子（OLED器件）]。**（公开）**

* **特征B**：第[0008]及[0012]段明确公开了封止膜5材料可为窒化ケイ素（氮化硅）、炭化ケイ素（碳化硅）或酸化ケイ素, [0012]]。**（公开）**

* **特征C**：第[0008]段“工程（2）”及图1(a)明确公开：封止膜5被覆包括发光部7和端子电极部8在内的整个积层膜6（即封止膜完全封装了接触区）]。**（公开）**

* **特征D**：未公开将导体放置在封止膜5上的步骤]。

* **特征E**：**相反教导/未公开**。D2的核心方案是在工程（3）和（4）中，在封止膜5上放置带有开口部11的金属掩模9，通过干法刻蚀（如反应性离子刻蚀）**预先将端子电极部8上的封止膜5去除**以使端子电极部露出，然后再连接外部配线, [0013]]。这与特征E“不事先移除封装层”完全相反]。

#### 3. D3（公开号：US20070065962A1）

* **特征A、B**：公开了光电子器件（如OLED/PV）包含衬底102、底电极104、活性层106、顶电极108及封装/屏障层（如氧化物、氮化物）, [0015], [0019]]。**（公开）**

* **特征C、D、E**：D3主要介绍了一种卷对卷（Roll-to-roll）制造工艺，通过切割无图案叠层，并采用导电胶、焊接（soldering/laser-welding）或导电带/网格112实现模块间的串联连接, [0018]]。但D3中导电通路112直接连接至暴露的电极部分, [0034]]，未公开封装层封闭接触区后不事先移除封装层直接互连的技术特征, [0018]]。**（未公开）**

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### 三、 技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择及创造性分析

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性分析中，选择**D2（JP2007073353A）**作为**最接近的对比文件**最为合适]。

* **原因分析**：

1. **技术领域相同**：D2与本发明均属于OLED器件制造及电极引出/接触技术领域, D2 [0002]]。

2. **解决的技术问题及基本结构最相近**：D2与本发明均旨在解决OLED封装过程中如何处理接触区（端子电极部）封装覆盖的问题，且D2同样采用了整面沉积无机封装薄膜（如氮化硅）覆盖包含接触区在内的整个器件叠层的结构-[0005], D2 [0002], [0008]]。

3. **技术特征覆盖度最高**：D2公开了权利要求1中的技术特征A、B、C, [0012]]。

#### 2. 区别技术特征与实际解决的技术问题

以D2为最接近对比文件，权利要求1与D2的区别技术特征为：

* **区别特征1（特征D与E的结合）**：将导体直接设置在封装层上，并在**不事先移除**导体与接触区之间的封装层的情况下，直接将导体与接触区互连]。（D2的做法是先通过开口掩模+干法刻蚀剥离端子区的封止膜，露出端子后再连接配线]）。

基于上述区别特征，本发明实际解决的技术问题是：**如何简化封装OLED器件的电接触工艺，消除独立的封装层剥离/刻蚀步骤及昂贵的掩模工序，从而降低生产成本并提高成品率**, [0006], [0008]]。

#### 3. 显而易见性与技术效果分析

* **显而易见性判断**：

* 在D2中，其核心发明构思恰恰是“为了准确暴露端子电极，先覆盖整体封止膜，再利用掩模和干法刻蚀精确去除端子区封止膜”]。D2给出了**必须先移除接触区封装层才能进行电连接**的技术偏见或既定路径]。

* 查看其他对比文件（D1、D3），均未给出“将导体置于坚硬无机封装薄膜（氮化硅/氧化铝等）之上，通过直接互连手段（如超声焊接）原位突破/破开无机薄膜完成互连”的技术教导, D3 [0018]]。

* **技术效果**：

* 本发明通过直接互连（结合说明书所述的超声焊接原位破坏封装层, [0033]]），省去了D2中不可或缺的干法刻蚀及掩模对准工序, D2 [0008]]，显著简化了工艺，避免了颗粒污染，取得了意想不到的技术效果, [0008]]。

* **结论**：结合现有对比文件D1-D3，权利要求1相对于D2与D1、D3的组合具备突出的实质性特点和显著的进步，**具备创造性**。

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### 五、 无效请求的最薄弱技术特征与进一步检索策略

#### 1. 最薄弱的技术特征分析

若要对本专利提起专利无效宣告请求，权利要求1中**最薄弱（即最容易被攻破）的技术特征**在于：

* **特征E中对“互连方式”表述的过宽涵盖**：

权利要求1使用了上位化的功能/过程表述：“在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连”。

* *薄弱点分析*：权利要求1并未在独立权利要求中限定“超声焊接”这一具体手段。如果在其他电子器件（如半导体、LCD、太阳能电池或传统电路封装）领域，存在使用**刺穿式引线键合（Wire Bonding）、热压焊接、穿孔导电胶粘接或激光烧贯焊接**直接透过绝缘薄膜/钝化层实现电连接的现有技术，则该上位特征“不事先移除封装即互连”很容易被现有技术通过跨领域技术启示（如通用半导体封装工艺向OLED领域的转移）所攻破。

#### 2. 进一步对比文件检索策略建议

为了成功无效权利要求1，建议调整检索策略，重点寻找**“透过绝缘/钝化薄膜直接进行电焊接或穿透互连”**的工艺对比文件：

1. **拓展技术领域检索**：

* 不应局限于OLED领域（H10K, H05B），应拓展至**半导体器件封装（H01L 21/60 - 键合/焊接）**、**太阳能电池电极引出（H01L 31/0224）**、**柔性电路板及薄膜电阻/电容接触技术**。

2. **关键词与分类号组合检索（重点关注焊接/键合技术）**：

* **关键词组1（直接焊接/破膜连接）**：`(ultrasonic weld* OR wire bond* OR thermocompression OR laser weld*) AND (through OR penetrate OR break OR without remov*) AND (insulation OR passivation OR encapsulation OR barrier OR nitride OR oxide)`

* **关键词组2（中文）**：`(超声焊 OR 键合 OR 热压焊 OR 激光焊) AND (穿透 OR 破开 OR 穿越 OR 无需去除 OR 未去除) AND (钝化层 OR 绝缘层 OR 封装层 OR 氮化硅)`

3. **针对说明书实施例（超声焊接穿透氮化硅）的定向检索**：

* 检索在金属线超声波键合（Ultrasonic Wire Bonding）过程中，超声能量破坏表面无机氧化物/氮化物薄膜以形成金属间扩散连接的常规物理机制与工艺专利，借此证明“利用超声焊接穿透数百纳米级的无机薄膜（SiN/Al2O3）属于本领域技术人员的公知常识或显而易见的技术选择”。

### 一、 目标专利权利要求1与说明书的深度结合解释

目标专利（CN102150294B）旨在解决**OLED薄膜封装（TFE）过程中因掩模工艺（Shadow Mask Process）所带来的高成本、掩模对准复杂及颗粒污染导致成品率降低**的核心技术问题（参见说明书[0004]-[0005]）。

结合说明书对权利要求1的技术特征进行具体释义：

* **技术特征A（器件基础结构）**：“该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）”

* **说明书释义**：衬底（2）为玻璃或聚合物，单元（3）为OLED叠层，接触区（4）为连接至OLED阴极或阳极的电极（如ITO、Cu、Cr或Cr-Al-Cr等叠层），封装（5）为保护OLED免受水汽侵蚀的薄膜（参见[0013]-[0015]、[0028]）。

* **技术特征B（封装材料）**：“所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝”

* **说明书释义**：通过PECVD等真空沉积工艺形成的无机阻水氧薄膜，厚度通常在100nm至500nm之间（参见[0003]、[0011]、[0029]）。

* **技术特征C（封装覆盖范围）**：“其中所述封装（5）封装至少接触区（4）”

* **说明书释义**：打破了传统技术中“接触电极必须避开封装薄膜沉积”的限制，无需使用昂贵且易产生颗粒的遮光掩模，**直接将封装薄膜沉积并完全覆盖在接触区（4）之上**（参见[0004]、[0008]、[0029]）。

* **技术特征D（导体设置）**：“将导体（6）设置在封装（5）上”

* **说明书释义**：导体（6）可为扁平金属线（如Cu、Al、Ag等），直接放置在覆盖于接触区（4）上方的封装薄膜表面（参见[0012]、[0030]）。

* **技术特征E（破膜互连工艺）**：“在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连”

* **说明书释义**：**本专利的发明构思核心**。无需在互连前通过蚀刻或洗涤等额外工序预先清除接触区上的薄膜，而是直接利用如超声焊接（Ultrasonic Welding）的能量，在施加焊接能量的同时融化/挤开/移除导体与接触区之间的薄膜，实现电连接（参见[0008]-[0009]、[0032]）。

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### 二、 对比文件原文技术特征比对表

各对比文件公开号及基本信息如下：

* **D1**：`US20060170114A1`（Novel method for copper wafer wire bonding）

* **D2**：`US07115994B2`（Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device）

* **D3**：`US20060290271A1`（OLED device having spacers）

#### 权利要求1特征比对分析表

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### 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

从**整体解决的技术问题**以及**技术效果**的角度分析，本案最适合作为最接近对比文件的是：**D3（US20060290271A1）**。

#### 1. 选择D3作为最接近对比文件的理由

* **技术领域一致**：D3与本案完全同属于OLED器件及其封装连接技术领域。

* **解决的技术问题重合度高**：D3与本案均旨在解决OLED器件薄膜封装过程中的制造成本高、薄膜结构易受损以及生产工艺复杂的问题（参见D3段落[0001]-[0003]）。

* **技术特征重合度最高**：D3公开了包含衬底、OLED单元（阴阳极）、以及在其上方形成的无机阻隔保护层（$\text{Al}_2\text{O}_3/\text{Si}_3\text{N}_4$）（特征A、B）。

#### 2. 区别技术特征与技术效果（基于D3）

以D3为最接近的对比文件，权利要求1与D3的区别技术特征为：

1. **特征C**：封装薄膜完全封装覆盖至少接触区（即取消了接触区的掩模保护）；

2. **特征D与E**：将导体设置在封装上，并在**不事先移除**导体与接触区之间封装薄膜的情况下，直接将导体与接触区实现互连（即破膜焊接互连）。

* **区别特征达到的技术效果**：省去了传统OLED封装中对接触区进行遮光掩模（Shadow Mask）沉积或后道刻蚀开孔的昂贵工序，避免了掩模操纵带来的颗粒污染和成品率损失，大幅简化工艺并降低成本。

#### 3. 其他对比文件（D1、D2）是否公开了上述区别特征？

* **D1（US20060170114A1）**：

* *看似相似点*：D1公开了金线（Gold wire）可以“穿透”（penetrate）Ni-Cu-P合金层(8)直接与铜焊盘结合（段落[0027]）。

* *关键不同与教导缺陷*：D1被穿透的Ni-Cu-P层是**导电金属合金层**，其作用是防铜氧化，并非绝缘封装薄膜；而D1中的绝缘钝化层（SiN）在焊接前**已经通过光刻开孔(5)预先移除了**（段落[0017]）。因此，D1不仅没有公开特征E，反而给出了“绝缘钝化层必须预先开孔”的相反教导。

* **D2（US07115994B2）**：

* D2属于半导体FeRAM领域，其处理$\text{Al}_2\text{O}_3$封装层的方式是**标准的“打孔填塞法”**（干刻蚀开接触孔后再沉积W塞，段落[0099]、[0114]）。D2明确给出了“必须事先移除绝缘封装层才能实现电互连”的技术教导。

**结论**：结合D1、D2、D3三篇对比文件，均**未能公开**“直接将封装薄膜覆盖接触区，且不事先移除绝缘封装薄膜即实现导体与接触区互连”这一核心技术特征组合。

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### 四、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征

如果在专利无效宣告程序中针对权利要求1发起攻击，**目标专利最薄弱（最容易被突破）的技术特征**是：

> **特征E（结合特征C）**：“在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连”

#### 突破点分析：

1. **公知常识/跨领域技术迁移风险**：

虽然D1-D3未直接公开对OLED无机绝缘封装薄膜进行直接“破膜焊接”，但在**线束连接、漆包线焊接或传统PCB/半导体超声压焊（Ultrasonic Wire Bonding）领域**，“利用超声波能量瞬间破坏/挤开表面极薄的绝缘氧化层/漆膜直接熔接”属于较为常见的工艺手段（即 Insulation Displacement 或 Dielectric Penetration）。

2. **目标专利说明书的过宽保护与实质限制**：

权利要求1中将“互连方式”上位概括为“在不事先移除封装的情况下互连”，但说明书实施例（段落[0009]、[0032]）中**实际仅证实了“超声焊接（Ultrasonic Welding）”**能够提供足够的能量将100nm-500nm的氮化硅/氧化铝薄膜破坏并形成低于$1\Omega$的低电阻接触。

如果对比文件检索能补充到一篇“利用超声焊接穿透绝缘薄膜（如$\text{SiO}_2/\text{Si}_3\text{N}_4$）直接连接下方金属电极”的通用电子制造工艺文献，将对特征E构成致命的创造性破坏。

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### 五、 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

为了成功无效目标专利权利要求1，下一步检索应围绕**“绝缘薄膜/封装层上的直接超声压焊（Direct Ultrasonic Bonding through Insulating/Passivation Layer）”**展开，具体检索策略建议如下：

#### 1. 核心检索要素组合（Building Blocks）

* **要素1（对象/结构）**：接触电极/焊盘 + 绝缘层/封装层/钝化层覆盖（Contact Pad / Electrode + Covered by Dielectric/Passivation/Encapsulation Layer, e.g., $\text{SiN}_x, \text{Al}_2\text{O}_3, \text{SiO}_2$）

* **要素2（工艺手段）**：超声波焊接 / 键合 / 压焊（Ultrasonic Welding / Wire Bonding / Thermosonic Bonding）

* **要素3（关键动作）**：穿透绝缘层 / 免刻蚀 / 免开孔 / 破坏薄膜直接连接（Penetrate / Break through / Without opening / Without removing insulation / Insulation displacement）

#### 2. 建议扩展的IPC/CPC分类号

* **H10K 59/00 / H10K 50/80**：OLED器件及其封装技术。

* **H01L 21/60**：半导体器件引线键合及电连接技术（**重点突破区域**）。

* **B23K 20/10**：利用超声波进行非熔化固态焊接（压焊工艺）。

* **H05K 3/32**：印刷电路板中不去除绝缘层的电气连接。

#### 3. 推荐的具体检索表达式逻辑（以Derwent / Patentics语法为例）

```text

(Ultrasonic W/2 (bond$ OR weld$)) AND (penetrat$ OR break$ OR through OR direct$) AND (passivation OR dielectric OR insulating OR encapsulation OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide") AND (pad OR electrode OR contact)

```

#### 4. 检索方向侧重点调整

* **扩大技术领域**：不要局限于OLED领域，应重点向**柔性电子（Flexible Electronics）、RFID标签封装、太阳能电池（PV Cell）电极引出、以及半导体芯片Wire Bonding**等泛电子制造领域拓展。只要证明在覆盖有百纳米级无机绝缘层（$\text{Si}_3\text{N}_4/\text{Al}_2\text{O}_3$）的金属电极上直接施加超声焊接属于该领域的常规技术手段，即可结合D3一举击垮目标专利权利要求1的创造性。

尊敬的委托人/专利工程师：

针对您提供的目标专利 CN102150294B（权利要求1及说明书）以及三份对比文件 D1（US6790757B1）、D2（US20050035466A1）、D3（US6929869B1），我作为专利代理师，为您进行详细的技术特征比对、创造性分析、最接近现有技术的挑选以及后续无效检索策略的规划。

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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利 CN102150294B 说明书的教导，权利要求1的技术特征解释如下：

* **技术特征 A**：`一种用于利用导体（6）接触OLED的方法，该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）`

* **说明书解释**：明确本方法应用于 OLED 器件（说明书 [0001], [0015]），单元 3 即为 OLED 结构，接触区 4 提供到单元的导电连接（阳极或阴极），衬底 2 可为玻璃或聚合物（[0008], [0028]）。

* **技术特征 B**：`所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝`

* **说明书解释**：封装 5 采用薄膜封装技术（[0003]），材料限定为无机化合物如 $\text{Si}_N_x$、$\text{SiC}$ 或 $\text{Al}_2\text{O}_3$（[0011], [0029]），厚度通常在 100nm~500nm 之间。

* **技术特征 C**：`其中所述封装（5）封装至少接触区（4）`

* **说明书解释**：传统工艺采用遮罩（Masking）来避免将封装层沉积到接触区；而本专利特意将封装层覆盖在**接触区（4）**上（[0004], [0008], [0029]），省去了昂贵的遮罩及掩模清理工艺。

* **技术特征 D**：`将导体（6）设置在封装（5）上`

* **说明书解释**：导体 6 为金属线（如扁平铜、铝、银线），直接放置在覆盖于接触区 4 之上的封装层 5 上表面（[0012], [0030]）。

* **技术特征 E**：`在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连`

* **说明书解释**：核心发明点。不需要单独的步骤提前刻蚀/剥离封装层，而是直接通过施加能量（如超声焊接）使封装层在互连同时被破坏/移除，形成导体与接触区的直接电连接（[0008], [0009], [0031]）。

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## 二、 对比文件公开内容与出处分析

### 1. 对比文件 1：D1 (US6790757B1)

* **技术领域与解决问题**：涉及半导体集成电路（IC）中的铜互连引线键合（Wire Bonding）。解决铜容易氧化腐蚀、传统引线键合无法直接穿透氧化层/钝化层而必须依赖高成本倒装芯片（Flip-chip）的问题（Column 1, lines 45–60; Column 2, lines 30–45）。

* **公开的技术特征**：

* 公开了在衬底 34 上形成包含铜互连 31 的键合焊盘（Bonding Pad 50），并在其上沉积封装/钝化层（Passivation Layer 32/54），如金属钽 Ta（Column 3, lines 35–45; Column 4, lines 15–25; FIG. 3a, FIG. 5a）。即公开了**在接触区上覆盖钝化/封装层**。

* 公开了将铝引线 30（导体）设置在钝化层 32 上，并利用超声波/压合（Wedge bonding under load or ultrasonic excitation）直接将铝线与钝化层/铜互连互连（Column 3, lines 45–60; Column 4, lines 40–55; FIG. 3b）。在此过程中，**无需事先移除钝化层**，铝与钽反应形成金属间化合物 $\text{TaAl}_3$ 从而实现电连接（Column 3, lines 60–67; FIG. 4 Step 405-407）。

* **未公开的技术特征**：D1 是关于半导体 IC 的铜互连，**未公开 OLED 器件**及包含 OLED 单元（特征 A 的限定部分）；且 D1 的钝化层明确要求为钽（Ta）等金属，**未公开钝化/封装层包含氮化硅、碳化硅或氧化铝**等无机介电绝缘薄膜（特征 B）。

### 2. 对比文件 2：D2 (US20050035466A1)

* **背景与说明**：D2 是 D1 的同族专利申请案，其公开说明书（Specification）文本与 D1 几乎完全相同。

* **公开的技术特征**：

* 公开了半导体 IC 中在铜焊盘上形成 Ta 钝化层（[0010], [0024], [0031]）。

* 公开了将 Al 导线放置在 Ta 钝化层上，通过超声/楔形键合（Wedge bonding）直接互连，在不事先剥离 Ta 钝化层的前提下形成电互连（[0025], [0030]）。

* **未公开的技术特征**：与 D1 相同，**未公开 OLED 器件**（特征 A 部分），**未公开氮化硅、碳化硅或氧化铝等无机绝缘薄膜作为封装层**（特征 B）。

### 3. 对比文件 3：D3 (US6929869B1)

* **技术领域与解决问题**：涉及有机发光二极管（OLED）器件及材料。

* **公开的技术特征**：

* 明确公开了 OLED 器件（特征 A），包括衬底 2（Substrate）、电极 1a/1b（相当于接触区）、发光有机层 3（单元/Cell）（[0014], [0061], FIG. 1）。

* 公开了在电极与有机层之间或表面提供修饰/保护层（[0021]-[0023], [0065]）。

* **未公开的技术特征**：D3 侧重于单层 OLED 的有机发光材料配方，**未公开使用氮化硅、碳化硅或氧化铝薄膜封装接触区**（特征 B、C），**更未公开将导体置于封装上且不事先移除封装即进行超声/直接互连的方法**（特征 D、E）。

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## 三、 特征比对表格（针对权利要求 1）

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## 四、 最接近的对比文件分析与创造性评估

在专利无效或创造性检索中，**最接近的对比文件（Most Closely Related Prior Art）** 通常应当是与要求保护的发明**技术领域相同、所解决的技术问题最接近、公开技术特征最多**的现有技术。

### 1. 最接近对比文件的选择与分析

在此案中，可以从两个维度确定**最接近的对比文件**（本案存在两个适合作为主引证文件的候选）：

* **候选一：D3 (US6929869B1) —— 同领域最接近现有技术**

* **整体技术问题与效果**：D3 与本目标专利同属于 **OLED 器件制造领域**。它解决了 OLED 器件结构构建与电极接触的问题。

* **作为最接近对比文件的优势**：技术领域完全相同（OLED），确定了本发明的起点是 OLED 的封装及引线接触。

* **缺点**：D3 缺乏本专利最核心的工艺特征（无需掩模覆盖接触区、直接穿透薄膜封装层进行超声焊接）。

* **候选二：D1 (US6790757B1) [或其同族 D2] —— 同技术手段/方案最接近现有技术**

* **整体技术问题与效果**：D1 解决的技术问题是“**如何在金属接触区上覆盖了保护/钝化层后，无需复杂的掩模/剥离工艺，直接将引线与接触区连接**”。其采用的技术效果也是“简化工艺流程、降低掩模和沉积成本、通过引线键合（超声/压力）直接穿透中间钝化层实现电互连”。

* **作为最接近对比文件的优势**：D1 完整公开了“**在不事先移除中间封装/钝化层的情况下，将导体设置在封装上并直接互连**”这一核心发明构思（特征 C、D、E）。

* **缺点**：D1 的应用背景是半导体 IC 铜互连，且其钝化层使用的是金属钽（Ta），主要利用了金属间的固相反应（$\text{TaAl}_3$）；而目标专利是 OLED 领域，且封装层为氮化硅、氧化铝等无机绝缘硬质薄膜。

> **结论**：

> 在创造性评估中，**D1（或D2）和 D3 均可作为最接近的对比文件**：

> 1. 以 **D3 为最接近对比文件**，结合 D1/D2 的“免刻蚀直接超声压合”教导；

> 2. 以 **D1 为最接近对比文件**，将半导体 IC 的引线键合技术跨领域应用到 OLED 的薄膜封装（TFE）接触点连接上。

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## 五、 目标专利最薄弱的技术特征及无效风险分析

如果针对本目标专利权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱的技术特征**是：

> **特征 B + 特征 E 的组合**：即 **“在覆盖有‘氮化硅、碳化硅或氧化铝’这类无机绝缘薄膜封装层（Thin Film Encapsulation, TFE）的接触区上，直接通过超声焊接（不事先移除薄膜）实现导体与接触区的互连”**。

### 为什么这是防守/攻击的焦点（薄弱点与难点分析）：

1. **技术偏见与显而易见性**：

* 在 OLED 制造中，氮化硅（$\text{Si}_N_x$）、氧化铝（$\text{Al}_2\text{O}_3$）是极硬且绝缘的无机介电薄膜。常规技术人员的普遍认知（Technological Prejudice）是：**绝缘层必须提前通过 Mask 遮罩或 Photolithography（光刻刻蚀）开孔露头，否则无法导电**。

* D1/D2 破坏并穿透的是**金属 Ta 层**（金属与金属键合）。而目标专利证明了**即使是无机绝缘脆性薄膜（如 $\text{Si}_N_x$），在超声焊接的振动能量下，薄膜也会被局部物理碎裂/挤开/移除**，从而使金属导体与底下的 ITO 或金属接触区直接接合。

2. **无效宣告中的攻击突破口**：

* 专利权人可能会主张“无机绝缘薄膜（氮化硅/氧化铝）与金属钽（Ta）材料属性完全不同，本领域技术人员没有心理预期超声波能直接震碎/消除无机绝缘薄膜以达成导通”。

* **突破策略**：寻找在常规半导体或电子封装领域，**利用超声引线键合（Ultrasonic/Thermasonic Wire Bonding）直接穿透二氧化硅（$\text{SiO}_2$）、氮化硅（$\text{Si}_3\text{N}_4$）或原生氧化层**的现有技术文件。只要证明“超声键合摩擦力能够击穿/破坏微米/纳米级无机绝缘薄膜”属于公知常识或已有先例，权利要求1即可被彻底攻破。

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## 六、 进一步对比文件检索策略（针对无效宣告）

为了彻底无效目标专利 CN102150294B 权利要求1（以及后续从属权利要求），建议开展下一轮针对性检索：

### 1. 检索核心要素组合（Building Blocks）

* **主题 A（器件）**：OLED / Organic Light Emitting / Flexible Display / Optoelectronic Device.

* **主题 B（封装材料）**：Thin Film Encapsulation (TFE) / Silicon Nitride ($\text{SiN}$, $\text{Si}_3\text{N}_4$) / Aluminum Oxide ($\text{Al}_2\text{O}_3$) / Silicon Carbide ($\text{SiC}$) / Passivation.

* **主题 C（关键工艺）**：Wire bonding / Ultrasonic welding / Wedge bonding / Direct bonding / Penetrate / Through passivation / Without removing passivation / Maskless.

### 2. 结合式的具体检索策略

* **策略一：补充“超声焊接穿透无机绝缘膜（$\text{SiN}/\text{Al}_2\text{O}_3/\text{SiO}_2$）”的工艺对比文件（打击特征 B+E）**

* **检索逻辑**：不限定必须是 OLED，扩大到通用半导体、LED 或传感器封装领域。寻找在焊盘上覆盖有氮化硅或氧化硅钝化层，利用超声/热超声键合（Ultrasonic/Thermasonic Bonding）直接压破绝缘层实现电连接的文献。

* **检索式示例（IPC + 关键词）**：

`(H01L24/43 OR H01L24/85 OR B23K20/10) AND (silicon nitride OR aluminum oxide OR passivation) AND (ultrasonic OR wedge bonding) AND (penetrate OR break OR directly)`

* **策略二：检索“OLED 全面薄膜封装（TFE）及无遮罩（Maskless）引线接触”文献**

* **检索逻辑**：寻找 2010 年 01 月之前（本专利优先权日为 2010 年 1 月 22 日）公开的 OLED 封装专利。重点查看关于 TFE 覆盖整个面板（包含 Pad 区），后续通过物理破膜/超声压合直接引出电极的技术。

* **检索式示例**：

`(OLED OR "organic light emitting") AND ("thin film encapsulation" OR TFE OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide") AND ("contact pad" OR "electrode") AND ("wire bonding" OR "ultrasonic" OR "direct connection")`

* **策略三：聚焦行业头部企业的早期防御性专利/论文（Prior Art Search）**

* 重点检索 **Samsung Display, LG Display, Vitex Systems, Universal Display Corp (UDC), Applied Materials** 在 2004–2009 年间关于 **Thin Film Encapsulation (Vitex BariX 封装技术等)** 的专利与学术论文。Vitex 的 BariX 技术大量使用了 $\text{Al}_2\text{O}_3$ 与有机层交替的 TFE 结构，其 Pad 区的接触方法是当时的研究热点。

按照上述策略，一旦补充到“**利用超声键合直接破除无机氮化硅/氧化铝钝化膜实现电连接**”的补充对比文件（D4），结合当前的 D1（公开免刻蚀直接超声键合构思）与 D3（公开 OLED 结构），即可构成极为坚固的创造性（中国《专利审查指南》第三部分第四章 / 22条3款）无效证据链。

作为一名经验丰富的专利代理师，针对目标专利 **CN102150294B（利用导体接触器件）** 的权利要求1以及提供的三份对比文件（D1: US6520821B1、D2: US20030094691A1、D3: TW200417283A）进行深度的专利无效可行性及创造性对比分析。

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### 一、 目标专利权利要求解释与技术特征拆解

结合目标专利（CN102150294B）说明书，对权利要求1的技术特征解释如下：

* **前言/主题名称**：一种用于利用导体（6）接触OLED的方法

* **技术特征A**：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）

* *说明书解释*：衬底（2）为玻璃或聚合物；单元（3）为OLED；接触区（4）连接至OLED的阴极或阳极，用于提供电力，材料可为ITO或金属叠层（如Cu、Cr）[0028]。

* **技术特征B**：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝

* *说明书解释*：封装（5）为无机薄膜封装（TFE），如CVD沉积的氮化硅薄膜，厚度通常在100nm~500nm之间，用于阻隔水、湿气和空气[0003, 0011, 0029]。

* **技术特征C**：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）

* *说明书解释*：传统技术中为避免封装覆盖接触电极，必须使用昂贵且易产生颗粒降低良率的掩模（Mask）工艺。本专利将封装（5）直接沉积并覆盖在接触区（4）上（无需掩模遮挡）[0004-0005, 0014, 0029]。

* **技术特征D**：将导体（6）设置在封装（5）上

* *说明书解释*：导体（6）例如扁平金属线（如铝线/铜线），直接置于接触区（4）上方的封装薄膜（5）表面[0012, 0030]。

* **技术特征E**：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。

* *说明书解释*：核心发明点。无需在互连前通过单独步骤（如蚀刻/剥离）预先移除封装膜，也无需掩模遮挡，而是直接在封装膜存在的情况下，利用能量（如超声焊接）原位破坏/熔化/移除导体与接触区之间的无机薄膜，直接形成低电阻（<1Ω）的电性互连[0007-0009, 0031-0033]。

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### 二、 对比文件特征比对表格及详细出处分析

下表将目标专利权利要求1拆解的技术特征与各对比文件原文详细出处进行对应比对：

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### 三、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在创造性无效分析中，**对比文件3（TW200417283A）最适合作为最接近的对比文件**。

#### 1. 为什么选择 D3 为最接近的对比文件？

* **技术领域完全相同**：D3 与目标专利均属于 OLED 显示/发光器件的薄膜封装及电极连接技术领域。

* **技术特征重合度最高**：D3 毫无异议地公开了目标专利权利要求1中的**技术特征A、B、C以及特征D的基础架构**。特别地，D3 明确公开了使用**氮化硅（SiN）无机薄膜（厚度约0.5μm）**作为密封封装膜，并且该密封膜11直接沉积覆盖在阴极/接触区9之上（公开了特征A、B、C）。

* 相比之下，D1 和 D2 采用的均是传统的“硬质盖板/树脂外壳（Cap）+ 内部空腔（Cavity）”结构，不包含无机薄膜封装（TFE），与目标专利的薄膜封装架构存在本质结构差异。

#### 2. 目标专利相较于 D3 实际解决的技术问题与技术效果

* **区别技术特征**：特征E（在不事先移除导体与接触区之间的无机封装薄膜的情况下将导体与接触区互连）。

* **D3 的做法（反向教导）**：D3 方案中，由于 SiN 膜11覆盖了阴极9，在连接导线时，**必须专门增加一道 CF4 电浆干法蚀刻工序**，将导线接触位置的 SiN 膜移除，露出阴极层后才能实现电连接（见 D3 说明书 [0013] 及图13）。

* **目标专利解决的技术问题**：如何简化薄膜封装 OLED 器件的引线接触工艺，省去接触区封装膜的预先移除/蚀刻工序或昂贵的掩模遮挡工艺，降低生产成本并提高成品率。

* **技术效果**：无需昂贵的掩模系统，也无需额外的电浆蚀刻等除膜步骤，直接原位穿透/破坏无机封装薄膜实现导体与接触区的高效低电阻（<1Ω）电互连。

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### 四、 其他对比文件的组合分析（创造性评估）

针对区别特征E，评估 D1 和 D2 是否给出了将其结合到 D3 中的技术教导：

1. **D1（US6520821B1）的技术教导**：

* D1 确实公开了使用“超声波焊接（ultasonic welding）”工艺。但 D1 中的超声波焊接是将**热塑性树脂盖板5与热塑性树脂衬底1**融化结合，其本质是**同种高分子树脂之间的热塑性熔接**，目的是实现封口。

* D1 完全没有给出“利用超声能量穿透/去除硬质无机介质膜（氮化硅/氧化铝等陶瓷类薄膜）以实现金属导体与金属/ITO电极互连”的教导。

2. **D2（US20030094691A1）的技术教导**：

* D2 仅泛泛提及安装盖板时可采用超声焊接或粘结剂，并未涉及穿透封装膜互连的技术方案。

3. **技术偏见与非显而易见性**：

* 在微电子及 OLED 制造领域，氮化硅（SiN）、氧化铝（Al2O3）等无机介质薄膜具有极高的致密度、硬度和绝缘性。本领域技术人员的普遍认知是：在进行电性引线（Wire bonding / Welded wire）之前，必须先将焊盘表面的绝缘介质膜彻底清除（如 D3 采用 CF4 蚀刻），否则会导致虚焊或绝缘。

* 因此，D3 存在明确的**反向技术教导**，而 D1/D2 均未提供“无预先除膜而直接打通无机薄膜互连”的特征教导。将 D3 与 D1/D2 结合无法直接否定权利要求1的创造性。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征与进一步检索策略

#### 1. 权利要求1中最薄弱的技术特征分析

* **薄弱点在于：权利要求1的上位化程度过高（范围过宽）**。

* 权利要求1将互连方式概括为“*在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连*”，**并未在独立权利要求中将互连手段限定为“超声波焊接（Ultrasonic welding）”**（超声波焊接仅限定在从属权利要求3中）。

* 这就意味着，如果能检索到任何通过**机械刺破（Piercing）、热压刺穿（Thermosonic / Thermocompression breakthrough）、高压击穿、或刺穿式引线键合（Insulation displacement connection / Spike bonding）**在不预先蚀刻介质膜的情况下直接实现电连接的现有技术，权利要求1即面临被击中的风险。

#### 2. 进一步对比文件检索策略（Search Strategy）

为了成功无效目标专利的权利要求1，建议调整检索方向，重点攻克“**无机介质薄膜/钝化层未去除情况下的直接键合/焊接互连技术**”：

1. **扩展检索技术领域（跨领域检索）**：

* 不应局限于 OLED 领域（OLED 领域受限于 D3 的传统蚀刻思路），应扩展至**半导体芯片封装（Semiconductor Packaging）**、**LED 芯片引线键合（Wire Bonding）**、**柔性电路板（FPC/RFID）超声压合**以及**太阳能电池（Solar Cell）电极贯穿烧结/焊接**领域。

2. **IPC / CPC 分类号精细化组合检索**：

* `H01L21/60`（半导体器件引线键合/电极互连）

* `B23K20/10`（超声波固相焊接）

* `H05K3/32`（不通过去除绝缘层直接实现电路连接）

* `H01L51/52`（OLED 封装与电极引出）

3. **核心关键词组合策略**：

* **组A（无机薄膜/介质层）**：(`SiN` OR `silicon nitride` OR `passivation` OR `thin film` OR `dielectric` OR `oxide` OR `氮化硅` OR `钝化层` OR `绝缘层`)

* **组B（未预先移除/直接贯穿）**：(`without removing` OR `without etching` OR `direct bonding` OR `breakthrough` OR `penetrate` OR `pierce` OR `无需蚀刻` OR `直接穿透` OR `未去除`)

* **组C（焊接/互连）**：(`ultrasonic` OR `wire bonding` OR `thermosonic` OR `welding` OR `超声波` OR `键合` OR `焊接`)

4. **优先检索方向建议**：

* 检索半导体 Wire Bonding 领域中“超声波键合超硬钝化膜（Al2O3 / SiN）时，利用超声能量的摩擦效应擦除/破除表面薄氧化层或氮化层直接形成金/铝丝键合”的文献。此类文献一旦证明“超声键合自带破膜功能属于本领域的公知常识（Common General Knowledge）”，即可顺利结合 D3 攻破权利要求1及从属权利要求3。

作为经验丰富的专利代理师，我针对目标专利CN102150294B（以下简称“目标专利”）权利要求1，结合说明书内容及三份对比文件（D1: TW469592B、D2: US2002187254A1、D3: GB2378564A）进行深入的法理与技术比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

依据《专利审查指南》及目标专利说明书内容，对权利要求1各技术特征的解读如下：

* **技术特征A（器件基础结构）**：`该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）`

* **解释**：说明书[0028]指出，器件1为OLED器件，单元3为OLED发光叠层，接触区4连接阳极/阴极（材料如ITO、Cu、Cr或Cr-Al-Cr叠层），衬底2为玻璃或聚合物。

* **技术特征B（薄膜封装材料）**：`所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝`

* **解释**：说明书[0003]、[0011]及[0029]明确指出，封装5为无机无掩模薄膜封装，优选通过PECVD等真空沉积工艺形成，材料包含氮化硅（SiNx）、碳化硅（SiC）、氧化铝（Al2O3）或其混合物，厚度介于100nm与500nm之间，用于防潮防气。

* **技术特征C（全面覆盖封装）**：`其中所述封装（5）封装至少接触区（4）`

* **解释**：说明书[0004]-[0008]及[0029]特别说明，封装5不仅封装OLED单元3，还**直接沉积并覆盖在接触区4上**。该设计的核心在于**省略了传统高成本且易产生颗粒的掩模（Masking）工艺**。

* **技术特征D（导体设置）**：`将导体（6）设置在封装（5）上`

* **解释**：说明书[0012]及[0030]指出，导体6为金属线（如扁平铜、铝、银线），直接放置在覆盖于接触区4上方的封装5表面。

* **技术特征E（不事先移除薄膜直接互连）**：`在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。`

* **解释**：说明书[0008]-[0009]及[0031]-[0032]指出，在连接前**无需通过化学蚀刻或机械剥离等单独步骤显露接触区**，而是直接利用引线焊接（特别指超声焊接能量）在将导体（6）与接触区（4）压合焊接的同时，**现场/瞬时突破并移除**中间介质封装薄膜（5），从而形成低于1Ω的低电阻电连接。

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### 二、 特征比对表格（技术特征对照）

下表详细说明对比文件D1（TW469592B）、D2（US2002187254A1）、D3（GB2378564A）对目标专利权利要求1各技术特征的公开情况及原文出处：

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### 三、 最接近对比文件的选择分析

在专利无效宣告程序中，选择最接近的对比文件需综合评估技术领域、所解决的技术问题、技术效果以及公开的技术特征数量。

#### 1. D1 (TW469592B) 的综合评估

* **公开公开号**：TW469592B

* **技术领域与问题**：虽然D1属于半导体IC芯片引线接合领域，但其**核心解决的技术问题**是：“防止易氧化的接垫（铜内连）在空气中氧化腐蚀，并避免昂贵繁琐的掩模/剥离工艺，直接在覆盖有钝化保护层的接垫上进行引线接合”（参见D1【0027】与【0029】）。

* **技术手段与效果**：D1公开了在铜接垫（接触区）上完整覆盖一层钝化薄膜（钽层），然后直接将铝线（导体）置于钝化层上，通过超声/压力接合（楔形接合）使铝线穿透/结合钝化层，与下方接垫形成牢固的电与机械连接（生成TaAl3化合物），**实现了免除事先剥离/掩模保护层而直接进行超声互连的效果**。

* **缺点/差异**：D1的器件类型为半导体IC而非OLED；钝化薄膜材料使用的是金属钽（Ta），而非氮化硅、碳化硅或氧化铝等无机绝缘绝热薄膜。

#### 2. D2 (US2002187254A1) 的综合评估

* **公开公开号**：US20020187254A1

* **技术领域**：OLED器件的超声波气密封装领域。

* **差异**：D2虽然属于OLED领域，但其超声波作用对象是低熔点密封金属线（铟线55），目的是把盖板65粘合在绝缘层40上实现“防潮封口”，**其绝缘层40并没有被击穿，也没有实现导体与阳极30的电互连**。其技术演进方向与目标专利完全不同。

#### 3. 结论：最接近对比文件的选择

**D1（TW469592B）最适合作为本案最接近的对比文件（Primary Prior Art）。**

* **理由**：目标专利权利要求1的核心发明点（技术贡献）不在于“OLED”本身，而在于**“采用超声物理手段直接穿透覆于接触区上的保护薄膜完成电互连，免去掩模和先蚀刻剥离薄膜的工艺”**。D1与目标专利在“免除剥离步骤、直接在钝化薄膜上施加超声波/引线接合实现接触区互连”这一**发明构思、工作机制、解决的技术问题及技术效果上完全一致**。因此，以D1作为最接近的对比文件重新构建创造性分析框架最具有说服力。

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### 四、 未被最接近对比文件（D1）公开的特征及其他对比文件的公开情况

以 **D1（TW469592B）** 作为最接近对比文件时，权利要求1相对于D1的区别技术特征为：

1. **区别特征1（应用对象）**：器件为OLED器件（D1为半导体IC器件）。

2. **区别特征2（薄膜材料）**：封装薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（D1中的钝化薄膜为金属钽Ta）。

#### 其他对比文件的公开情况：

* **D2（US2002187254A1）**：公开了OLED器件需要进行防潮封装（Paragraph [0001]），以及在OLED阳极周边设置绝缘保护层。

* **D3（GB2378564A）**：公开了OLED/柔性显示器件（Page 4）以及使用无机物（如SiO2二氧化硅）作为保护/间隔材料（Page 5, Line 25）。

* **公知常识/现有技术**：在OLED制造领域，由于有机发光层对水、氧极度敏感，采用**氮化硅（SiNx）或氧化铝（Al2O3）通过PECVD/ALD工艺作为薄膜封装（TFE, Thin Film Encapsulation）材料**属于本领域的公知常识（目标专利说明书[0003]亦承认此点为现有技术）。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征

若针对目标专利权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱的技术特征（即最容易被攻破/证明不具备创造性的特征）是：**

> **“封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝，其中所述封装封装至少接触区”（技术特征B + C 的结合）**

* **薄弱原因分析**：

1. **技术偏见与公知常识的突破**：专利权人可能辩称“常规OLED封装必须用掩模避开接触区，否则绝缘的氮化硅/氧化铝无法导电”。然而，D1已经明确给出了技术启示——**对于覆盖在接垫/接触区上的薄钝化膜，无需专门掩模，直接利用超声焊接能量即可击穿/结合并实现电互连**。

2. **显而易见的材料替换**：将OLED领域常规的TFE防潮材料（氮化硅、氧化铝）应用于D1所揭示的“直接超声焊接”工艺中，属于本领域技术人员结合公知常识进行材料替换与技术组合，不需要付出创造性劳动。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略

为了确保能够成功无效目标专利权利要求1（以及后续可能的从属权利要求），建议采取以下进一步的检索策略：

1. **关键词与IPC分类号组合检索（聚焦“薄膜封装击穿/超声直连”）**

* **核心逻辑**：寻找在LCD、OLED、太阳能电池或半导体领域，直接对**无机绝缘薄膜（SiN / Al2O3 / SiO2）**进行超声波焊接/压合（Ultrasonic bonding / Wire bonding）以击穿薄膜实现电连接的对比文件。

* **推荐IPC分类号**：

* `H10K59/00` 或 `H01L51/52`（OLED器件封装或电极结构）

* `H01L21/60`（半导体器件引线接合/超声焊接技术）

* `B23K20/10`（超声波焊接工艺）

* **逻辑检索式（示例）**：

* `(OLED OR "organic light emitting") AND ("thin film encapsulation" OR TFE OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide" OR SiN OR Al2O3) AND ("ultrasonic bonding" OR "wire bonding" OR "direct bonding")`

* `("ultrasonic") AND ("passivation" OR "encapsulation" OR "insulating layer") AND ("penetrate" OR "break through" OR "without removing") AND ("contact" OR "electrode")`

2. **重点检索领域扩展：太阳能电池（Photovoltaics）与柔性电路**

* **检索方向**：在光伏电池（Solar Cell）制造中，硅片表面通常沉积有钝化层/减反射膜（如氮化硅 SiNx）。常规工艺利用超声波或焊带打线直接穿透SiNx钝化层与下方电极连接（称为“超声穿透焊接”或“Fire-through / Ultrasonic bonding through passivation”）。

* **策略意义**：若能在光伏领域检索到“利用超声焊接直接穿透氮化硅（SiNx）薄膜实现电接触”的专利文献，结合OLED的TFE公知常识，将形成极强的**跨领域技术启示组合**，彻底击毁目标专利的创造性。

3. **针对从属权利要求的补充检索**

* 针对目标专利说明书提及的“超声波频率（10kHz-80kHz，优选35kHz）”、“扁平铝线/铜线规格（高度200µm，宽度2mm）”等特征，在 `B23K20/10`（超声波焊接参数）中检索相应的标准工艺参数文献，作为结合对比文件。

关于**目标专利（CN102150294B）**权利要求1的有效性分析及无效检索策略报告如下：

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## 一、 目标专利权利要求1的解释

结合目标专利说明书（CN102150294B）的记载，权利要求1的技术特征解释如下：

1. **技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）**

* **说明书解释**：器件1特指有机发光二极管（OLED）。衬底2为玻璃或聚合物，单元3为OLED发光叠层，接触区4连接OLED的阴极/阳极（如ITO、铜、铬等），封装5为用于防潮隔氧的薄膜（说明书[0008]、[0028]）。

2. **技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝**

* **说明书解释**：薄膜为无机绝缘防护材料，优选通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备，厚度通常在100nm~500nm之间（说明书[0011]、[0029]）。

3. **技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）**

* **说明书解释**：封装薄膜覆盖了整个接触区（以及单元），无需采用昂贵且易产生颗粒的掩模工艺来避开接触区（说明书[0004]-[0005]、[0029]）。

4. **技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上**

* **说明书解释**：导体6（如扁平金属线、铝线等）直接放置在覆盖于接触区4上方的封装薄膜5表面（说明书[0030]、[0032]）。

5. **技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连**

* **说明书解释**：**核心发明点**。指在互连前无需通过刻蚀或掩模剥离单独移除接触区上的封装薄膜；优选利用超声焊接能量（如超声波键合），在焊接过程中一次性穿透/移除导体与接触区之间的薄膜以形成电连接（说明书[0008]、[0009]、[0032]）。

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## 二、 特征比对表格（对比文件公开情况分析）

> **注**：D1、D2、D3三份对比文件均属于**同一专利族**（同族专利关系），其公开的技术内容高度一致，但领域均针对**半导体集成电路（IC/芯片）的铜互连线引线键合**，而非OLED器件。

* **D1**：JP2001189343A

* **D2**：KR1020010067448A

* **D3**：GB2362510A

### 权利要求1技术特征比对表

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## 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

### 1. 最接近对比文件的确定

**D1（JP2001189343A）/ D2 / D3（同族）均可作为最接近对比文件**（以下以 **D1** 为代表分析）：

* **解决的技术问题**：D1旨在解决易氧化的接触区（Cu键合垫）在被保护层/钝化层覆盖后，无需增加复杂的掩模或提前刻蚀剥离步骤，直接通过超声波键合将导体（键合线）与接触区实现电互连的问题（D1说明书[0008]-[0010]）。这与目标专利解决“避免昂贵掩模工艺及剥离步骤，直接实现封装后接触区互连”的技术问题完全一致。

* **技术方案重合度**：D1公开了特征C、D、E的核心工艺思想——即“直接在保护层上压焊/超声焊接导体，利用焊接能量贯穿防护层实现电连接”。

### 2. 区别技术特征及技术效果

目标专利权利要求1相对于最接近对比文件（D1）的区别技术特征为：

1. **应用应用领域/器件类型不同**：目标专利为 **OLED器件**（特征A），而D1为 **半导体集成电路器件（IC）**；

2. **封装薄膜材料不同**：目标专利封装薄膜包含 **氮化硅、碳化硅或氧化铝** 等绝缘防护薄膜（特征B），而D1采用的是 **钽（Ta）** 属钝化层。

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## 四、 提出无效请求时“最薄弱的技术特征”

在现有的对比文件D1~D3组合下，目标专利**最薄弱（最难被直接无效掉）的技术特征**是：

> **特征B与特征A的结合：在OLED器件中，直接穿透“氮化硅/氧化铝/碳化硅”等【无机绝缘薄膜封装层】实现导体与接触区互连。**

### 原因分析：

1. **导电性差异**：D1~D3中使用的过渡层是 **金属钽（Ta）**，钽本身是导电体，即使未完全破坏，也容易实现导通。而目标专利使用的是 **无机绝缘材料（氮化硅/氧化铝）**，其厚度（100-500nm）虽薄，但在常规认知中具有很强的绝缘性与机械硬度。

2. **技术偏见/技术阻碍**：专利权人可以主张：本领域技术人员不会轻易想到利用超声焊接直接“击穿/击碎”绝缘性极强且硬度极高的氮化硅或氧化铝薄膜来建立稳定导电接触，因此存在技术阻碍。

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## 五、 进一步对比文件检索策略（无效攻防建议）

为了彻底无效掉权利要求1，**当前的检索重点必须补齐“无机绝缘薄膜（氮化硅/氧化铝）的破膜超声焊接/键合”以及“OLED薄膜封装直接键合”的证据**。

### 1. 检索要素组合策略（Building Blocks）

* **要素1（器件/封装）**：OLED / 有机发光 / 柔性显示 OR 半导体 / 封装（Passivation / Thin Film Encapsulation / TFE）

* **要素2（绝缘膜材料）**：氮化硅（SiN / Silicon Nitride） / 氧化铝（Al2O3 / Aluminum Oxide） / 碳化硅（SiC） / 绝缘层（Insulating layer）

* **要素3（工艺）**：超声波焊接 / 键合 / 引线键合（Wire bonding / Ultrasonic bonding / Thermosonic bonding）

* **要素4（技术手段）**：不剥离 / 穿透 / 击穿 / 破坏（Without removing / Penetrate / Break through / Directly bonded through passivation）

### 2. 具体的检索表达式（示例）

#### 策略一：寻找在半导体/LCD/OLED领域，直接穿透“氮化硅/氧化铝/二氧化硅”绝缘层进行超声键合的现有技术（最有效途径）

* **检索式**：

`(wire bonding OR ultrasonic bonding) AND (silicon nitride OR aluminum oxide OR SiN OR Al2O3 OR insulating layer) AND (penetrate OR break through OR direct bond OR without removing)`

* **逻辑**：只要证明在微电子焊接领域，**“利用超声波焊接能量直接击碎/穿透薄氮化硅/氧化铝绝缘钝化层实现金属互连”** 是本领域的公知常识或已有技术手段，即可结合D1~D3完成创造性摧毁（技术手段的等同替换/公知常识组合）。

#### 策略二：针对OLED器件薄膜封装（TFE）接触区直接键合的专项检索

* **检索式**：

`(OLED OR organic light emitting) AND (thin film encapsulation OR TFE) AND (contact pad OR electrode) AND (wire bonding OR ultrasonic)`

* **逻辑**：寻找在2010年以前（目标专利优先权日之前），已经存在OLED封装薄膜覆盖电极引出区后直接进行超声焊接的专利或期刊论文。

### 3. 推荐检索数据库及资源

1. **专利数据库**：Google Patents, Clarivate Analytics (Derwent), CNIPA, EPO (Espacenet)。

2. **非专利文献（NPL）检索**：IEEE Xplore, ScienceDirect, ResearchGate（重点关注2000-2009年间关于 *“Thermosonic wire bonding through passivation layer”* 或 *“Ultrasonic bonding SiNx”* 的学术论文）。

基于目标专利说明书的教导以及提供的对比文件原文，针对权利要求1进行深入的专利有效性/创造性分析，具体分析如下：

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## 1. 目标专利说明书对权利要求的解释

根据目标专利（CN102150294B）说明书及附图，对权利要求1的各项技术特征解释如下：

* **技术特征A（器件基础结构）：**

* **解释：** 器件（1）为有机发光二极管（OLED）器件。衬底（2）包含至少一个OLED单元（3）、提供导电连接（阳极/阴极）的接触区（4）以及覆盖保护的封装（5）（说明书[0001]、[0008]、[0028]）。

* **技术特征B（封装层材料与形态）：**

* **解释：** 封装（5）为薄膜形式（如厚度在100nm与500nm之间），其材料包含无机材料，具体为氮化硅、碳化硅或氧化铝，常通过CVD工艺沉积（说明书[0003]、[0011]、[0029]）。

* **技术特征C（全覆盖封装形态）：**

* **解释：** 封装（5）直接封装/覆盖至少接触区（4）（即封装无缝覆盖了发光单元和接触区，无需提前使用昂贵的掩模阻止接触区被沉积封装）（说明书[0004]-[0008]、[0029]）。

* **技术特征D（导体摆放）：**

* **解释：** 导体（6）（如扁平金属线，铝/铜/银线）直接设置在已经覆盖在接触区（4）之上的封装（5）表面（说明书[0012]、[0030]）。

* **技术特征E（不事先移除封装的直接互连）：**

* **解释：** **本专利的核心技术发明点**。在将导体（6）与接触区（4）互连（如超声焊接）之前，**不需要在单独步骤中事先移除**导体与接触区之间的封装（5）。在互连过程（如施加超声焊接能量）中，能量熔化/物理打碎并移除该处的薄膜封装，使导体与接触区直接形成低于1Ω的电接合点（说明书[0008]-[0009]、[0032]-[0034]）。

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## 2. 对比文件技术特征比对与公开性分析

下表对比了权利要求1的技术特征在对比文件1（D1: EP1811579A1）和对比文件2（D2: EP1763287A2）中的公开情况：

### 权利要求1特征比对表

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## 3. 最接近对比文件的选择分析

在创造性评估中，选择最接近的对比文件通常基于：**技术领域相同、解决的技术问题相似、公开的技术特征最多**。

### 最接近对比文件：对比文件2（D2 - EP1763287A2）

* **技术领域与结构重合度高：** D2与本发明完全处于同一技术领域（OLED器件及其封装接线技术）。

* **公开了绝大部分结构特征（特征A、B、C）：** D2段落[0019]-[0028]及图1(a)明确教导了在衬底上制作OLED及接触电极（端子电极9）后，**使用包含氮化硅的薄膜封装（5）覆盖包括接触电极在内的整个区域**。这完全涵盖了本专利的特征A、B、C。

* **解决的技术问题极其接近：** D2（段落[0003]-[0006]）与本专利（说明书[0004]-[0006]）关注的完全是同一个技术痛点：**传统掩模沉积封装膜或湿法光刻工艺极其繁琐且成本高昂，需要简化封装及接触电极暴露的过程**。

*（注：D1虽然公开了氮化硅封装薄膜，但其技术领域偏向光电耦合器（Optocoupler），且在封装阶段就通过预留开口（不连续点57a）暴露焊盘，未公开对接触区的全覆盖，因此作为最接近对比文件的优先度低于D2。）*

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## 4. 区别技术特征、实际解决的技术问题与创造性分析

以 **D2 (EP1763287A2)** 作为最接近对比文件，本专利权利要求1与D2相比：

### 区别技术特征

1. **特征D+E的组合：** 将导体（6）设置在封装（5）上，并在**不事先移除**导体与接触区之间的封装（5）的情况下，直接将导体（6）与接触区（4）互连。

### 实际解决的技术问题

如何彻底省去对接触区封装膜的单独刻蚀/去除工艺步骤，从而简化封装OLED器件的电接触制作流程、降低生产成本并提高成品率。

### 创造性分析（三步法评价）

1. **D2给出了相反的技术教导（Negative Teaching）：**

D2为了解决传统湿法光刻损伤OLED的问题，提出的方案是“先整体覆盖密封膜5，再形成带开口的第二密封膜6，**最后利用干法刻蚀移除**接触区9上的密封膜5”（D2段落[0008]）。即D2的技术思路依然坚信**“必须先移除接触区上的封装层，才能将电极暴露并连接”**。

2. **未被公开的区别特征（特征D、E）：**

无论是D1还是D2，均未给出“无需事先刻蚀/移除封装膜，直接将导体置于封装膜上并通过超声焊接等物理/能量手段一次性穿透封装膜完成互连”的技术教导。其他现有技术也没有将超声焊接穿透薄膜封装用于OLED接触电极的组合启示。

3. **技术效果显著：**

本发明打破了本领域的技术偏见（即认为必须先暴露接触电极才能接线），实现了完全无需掩模、完全无需刻蚀工序的直接穿透连接，大幅简化了工艺。因此，权利要求1相对于D2与D1的组合**具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性**。

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## 5. 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利发起专利无效宣告请求，目前权利要求1中最薄弱、也是最难被攻破的防御核心在于：

> **最薄弱（对无效发起方最不利/对专利权人最稳固）的技术特征：技术特征E**

> *“在不事先移除导体与接触区之间的封装（5）的情况下将导体与接触区互连”*

### 原因分析：

* **现有技术的惯性思维：** 在半导体及OLED制造领域，封装膜（特别是氮化硅、氧化铝等坚硬的无机致密薄膜）的功能就是绝缘和隔离环境。现有技术（如D2）的普遍认知是必须通过刻蚀（干法/湿法）或掩模遮蔽来暴露下方金属电极。

* **证据链断裂：** 现有的D1和D2均要求“预留开口”或“事后刻蚀移除”，甚至D2将“如何高效刻蚀移除封装膜”作为其核心专利点。因此，仅凭现有D1和D2，**无法拼凑出特征E的教导**。

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## 6. 进一步的对比文件检索策略

为了无效权利要求1，必须重点寻找能够破坏**特征E（直接穿透/不事先移除封装膜即进行焊接互连）**的对比文件。建议采用以下补充检索策略：

### 1. 扩充技术领域（跨领域检索）

不要局限于OLED领域，应将检索范围扩大至：

* **芯片封装与微电子焊接（Wire Bonding / Ultrasonic Welding / Thermosonic Bonding）：** 检索在绝缘层（如Polyimide、氧化物薄膜、钝化层）未开孔的情况下，直接利用超声波结合压头穿透绝缘膜实现金属导线与下方电极焊接（Over-passivation bonding 或 Breakdown bonding）的工艺。

* **太阳能电池（Solar Cell）电极制造：** 太阳能电池经常使用“烧穿”（Fire-through）或超声压合穿透氮化硅（`SiNx`）减反射/钝化膜建立电接触的专利技术。

### 2. 关键词与分类号（IPC/CPC）组合策略

* **核心关键词组合（中/英/德/日）：**

* (`OLED` OR `organic light emitting` OR `semiconductor` OR `photovoltaic`)

* AND (`ultrasonic weld*` OR `ultrasonic bond*` OR `wire bond*` OR `energy bond*`)

* AND (`penetrat*` OR `break through` OR `without removing` OR `directly through` OR `non-etched`)

* AND (`insulation` OR `passivation` OR `encapsulation` OR `silicon nitride` OR `thin film`)

* **重点关注的国际专利分类号（IPC/CPC）：**

* `H01L 51/52`（OLED器件的结构或封装细节）

* `H01L 24/45` / `H01L 24/48`（半导体器件引线键合/互连结构）

* `B23K 20/10`（超声波焊接工艺及设备）

* `H02S 40/30` / `H01L 31/0224`（穿透钝化层制造电极的工艺）

### 3. 追踪特定申请人与传统焊接设备厂商

重点检索超声压焊设备巨头（如 **Kulicke & Soffa / K&S**、**Hesse Mechatronics**、**Orthodyne**）以及大型有机电子研制机构（如 **Fraunhofer Institute**、**Samsung Display**、**LG Display**）在2009-2010年（目标专利优先权日之前）关于“超声波直接穿透薄膜封装引线键合”的论文（IEEE Xplore）及专利申请。

作为一个经验丰富的专利代理师，我针对目标专利CN102150294B的权利要求1，结合目标专利说明书及三份对比文件（D1：US20060290276A1、D2：JP2007073353A、D3：US20070065962A1）的原文出处进行详细的专利效力与创造性分析。

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### 一、 基于目标专利说明书对权利要求1的解释

目标专利（CN102150294B）解决的核心技术问题在于：传统的OLED器件薄膜封装工艺为了引出电极接触区，通常需要昂贵的掩模工艺（Masking process）或单独的刻蚀步骤来预先移除接触区上的封装层，这增加了生产成本并降低了成品率-[0005]]。

结合目标专利说明书，权利要求1中的关键技术特征解释如下：

1. **技术特征A、B、C（器件结构及封装覆盖）**：

* 器件（1）为OLED器件，其包含衬底（2）、至少一个OLED单元（3）、接触区（4，即连接至单元电极的区域）以及薄膜封装层（5）, [0008]]。

* 封装层（5）包含无机薄膜材料如氮化硅、碳化硅或氧化铝, [0011]]，且该封装层**直接且完整地覆盖/封装了至少所述接触区（4）**, [0014]]。

2. **技术特征D（导体置于封装层上）**：

* 将导体（6，如扁平金属线/铝线/铜线）直接放置在接触区（4）正上方的封装层（5）表面, [0029], [0030]]。

3. **技术特征E（不事先移除封装层的情况下互连）**：

* 这是本发明最核心的技术特征。指在互连之前**无需通过掩模遮挡、刻蚀或剥离等独立工艺步骤事先清除**导体与接触区之间的封装薄膜, [0008]]。

* 结合说明书第[0009]及[0032]段解释：该“互连”优选通过**超声焊接（Ultrasonic welding）**实现]。在超声焊接过程中，超声焊接能量在施加压力的同时，将导体与接触区之间的无机封装薄膜原位破坏/移除，并使导体与接触区熔接形成电接合点（电阻小于1Ω）, [0032], [0033]]。

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### 二、 对比文件技术特征公开情况分析

针对权利要求1分解出的技术特征，各对比文件的原文公开情况如下：

#### 1. D1（公开号：US20060290276A1）

* **特征A**：公开了包含衬底10、OLED 11（单元）、第一/第二电极14/18（接触区）及保护层/封装层（如Al2O3、Si3N4）的器件, [0026], [0027]]。**（公开）**

* **特征B**：公开了包含Si3N4、Al2O3等材料的保护/无机层, [0026], [0039]]。**（公开）**

* **特征C**：D1中的 protective layer / Al2O3 主要是沉积在电极18或OLED层上方, [0029]]，但未明确公开封装层延伸并完全封闭包覆接触引出区, [0029]]。**（未明确公开）**

* **特征D & E**：D1主要关注在 gap 32 中通过叠加彩色滤光片形成间隔物（spacer elements 22）以承受机械应力, [0025]]，并未涉及将导体设置在封装层上以及在不事先移除封装层的情况下将导体与接触区互连的方法-[0033]]。**（未公开）**

#### 2. D2（公开号：JP2007073353A）

* **特征A**：公开了包括基板1（衬底）、第1电极2/第2电极4（包含端子电极部8即接触区）、发光层3（单元）以及封止膜5（封装层）的有机EL素子（OLED器件）]。**（公开）**

* **特征B**：第[0008]及[0012]段明确公开了封止膜5材料可为窒化ケイ素（氮化硅）、炭化ケイ素（碳化硅）或酸化ケイ素, [0012]]。**（公开）**

* **特征C**：第[0008]段“工程（2）”及图1(a)明确公开：封止膜5被覆包括发光部7和端子电极部8在内的整个积层膜6（即封止膜完全封装了接触区）]。**（公开）**

* **特征D**：未公开将导体放置在封止膜5上的步骤]。

* **特征E**：**相反教导/未公开**。D2的核心方案是在工程（3）和（4）中，在封止膜5上放置带有开口部11的金属掩模9，通过干法刻蚀（如反应性离子刻蚀）**预先将端子电极部8上的封止膜5去除**以使端子电极部露出，然后再连接外部配线, [0013]]。这与特征E“不事先移除封装层”完全相反]。

#### 3. D3（公开号：US20070065962A1）

* **特征A、B**：公开了光电子器件（如OLED/PV）包含衬底102、底电极104、活性层106、顶电极108及封装/屏障层（如氧化物、氮化物）, [0015], [0019]]。**（公开）**

* **特征C、D、E**：D3主要介绍了一种卷对卷（Roll-to-roll）制造工艺，通过切割无图案叠层，并采用导电胶、焊接（soldering/laser-welding）或导电带/网格112实现模块间的串联连接, [0018]]。但D3中导电通路112直接连接至暴露的电极部分, [0034]]，未公开封装层封闭接触区后不事先移除封装层直接互连的技术特征, [0018]]。**（未公开）**

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### 三、 技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择及创造性分析

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性分析中，选择**D2（JP2007073353A）**作为**最接近的对比文件**最为合适]。

* **原因分析**：

1. **技术领域相同**：D2与本发明均属于OLED器件制造及电极引出/接触技术领域, D2 [0002]]。

2. **解决的技术问题及基本结构最相近**：D2与本发明均旨在解决OLED封装过程中如何处理接触区（端子电极部）封装覆盖的问题，且D2同样采用了整面沉积无机封装薄膜（如氮化硅）覆盖包含接触区在内的整个器件叠层的结构-[0005], D2 [0002], [0008]]。

3. **技术特征覆盖度最高**：D2公开了权利要求1中的技术特征A、B、C, [0012]]。

#### 2. 区别技术特征与实际解决的技术问题

以D2为最接近对比文件，权利要求1与D2的区别技术特征为：

* **区别特征1（特征D与E的结合）**：将导体直接设置在封装层上，并在**不事先移除**导体与接触区之间的封装层的情况下，直接将导体与接触区互连]。（D2的做法是先通过开口掩模+干法刻蚀剥离端子区的封止膜，露出端子后再连接配线]）。

基于上述区别特征，本发明实际解决的技术问题是：**如何简化封装OLED器件的电接触工艺，消除独立的封装层剥离/刻蚀步骤及昂贵的掩模工序，从而降低生产成本并提高成品率**, [0006], [0008]]。

#### 3. 显而易见性与技术效果分析

* **显而易见性判断**：

* 在D2中，其核心发明构思恰恰是“为了准确暴露端子电极，先覆盖整体封止膜，再利用掩模和干法刻蚀精确去除端子区封止膜”]。D2给出了**必须先移除接触区封装层才能进行电连接**的技术偏见或既定路径]。

* 查看其他对比文件（D1、D3），均未给出“将导体置于坚硬无机封装薄膜（氮化硅/氧化铝等）之上，通过直接互连手段（如超声焊接）原位突破/破开无机薄膜完成互连”的技术教导, D3 [0018]]。

* **技术效果**：

* 本发明通过直接互连（结合说明书所述的超声焊接原位破坏封装层, [0033]]），省去了D2中不可或缺的干法刻蚀及掩模对准工序, D2 [0008]]，显著简化了工艺，避免了颗粒污染，取得了意想不到的技术效果, [0008]]。

* **结论**：结合现有对比文件D1-D3，权利要求1相对于D2与D1、D3的组合具备突出的实质性特点和显著的进步，**具备创造性**。

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### 五、 无效请求的最薄弱技术特征与进一步检索策略

#### 1. 最薄弱的技术特征分析

若要对本专利提起专利无效宣告请求，权利要求1中**最薄弱（即最容易被攻破）的技术特征**在于：

* **特征E中对“互连方式”表述的过宽涵盖**：

权利要求1使用了上位化的功能/过程表述：“在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连”。

* *薄弱点分析*：权利要求1并未在独立权利要求中限定“超声焊接”这一具体手段。如果在其他电子器件（如半导体、LCD、太阳能电池或传统电路封装）领域，存在使用**刺穿式引线键合（Wire Bonding）、热压焊接、穿孔导电胶粘接或激光烧贯焊接**直接透过绝缘薄膜/钝化层实现电连接的现有技术，则该上位特征“不事先移除封装即互连”很容易被现有技术通过跨领域技术启示（如通用半导体封装工艺向OLED领域的转移）所攻破。

#### 2. 进一步对比文件检索策略建议

为了成功无效权利要求1，建议调整检索策略，重点寻找**“透过绝缘/钝化薄膜直接进行电焊接或穿透互连”**的工艺对比文件：

1. **拓展技术领域检索**：

* 不应局限于OLED领域（H10K, H05B），应拓展至**半导体器件封装（H01L 21/60 - 键合/焊接）**、**太阳能电池电极引出（H01L 31/0224）**、**柔性电路板及薄膜电阻/电容接触技术**。

2. **关键词与分类号组合检索（重点关注焊接/键合技术）**：

* **关键词组1（直接焊接/破膜连接）**：`(ultrasonic weld* OR wire bond* OR thermocompression OR laser weld*) AND (through OR penetrate OR break OR without remov*) AND (insulation OR passivation OR encapsulation OR barrier OR nitride OR oxide)`

* **关键词组2（中文）**：`(超声焊 OR 键合 OR 热压焊 OR 激光焊) AND (穿透 OR 破开 OR 穿越 OR 无需去除 OR 未去除) AND (钝化层 OR 绝缘层 OR 封装层 OR 氮化硅)`

3. **针对说明书实施例（超声焊接穿透氮化硅）的定向检索**：

* 检索在金属线超声波键合（Ultrasonic Wire Bonding）过程中，超声能量破坏表面无机氧化物/氮化物薄膜以形成金属间扩散连接的常规物理机制与工艺专利，借此证明“利用超声焊接穿透数百纳米级的无机薄膜（SiN/Al2O3）属于本领域技术人员的公知常识或显而易见的技术选择”。

### 一、 目标专利权利要求1与说明书的深度结合解释

目标专利（CN102150294B）旨在解决**OLED薄膜封装（TFE）过程中因掩模工艺（Shadow Mask Process）所带来的高成本、掩模对准复杂及颗粒污染导致成品率降低**的核心技术问题（参见说明书[0004]-[0005]）。

结合说明书对权利要求1的技术特征进行具体释义：

* **技术特征A（器件基础结构）**：“该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）”

* **说明书释义**：衬底（2）为玻璃或聚合物，单元（3）为OLED叠层，接触区（4）为连接至OLED阴极或阳极的电极（如ITO、Cu、Cr或Cr-Al-Cr等叠层），封装（5）为保护OLED免受水汽侵蚀的薄膜（参见[0013]-[0015]、[0028]）。

* **技术特征B（封装材料）**：“所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝”

* **说明书释义**：通过PECVD等真空沉积工艺形成的无机阻水氧薄膜，厚度通常在100nm至500nm之间（参见[0003]、[0011]、[0029]）。

* **技术特征C（封装覆盖范围）**：“其中所述封装（5）封装至少接触区（4）”

* **说明书释义**：打破了传统技术中“接触电极必须避开封装薄膜沉积”的限制，无需使用昂贵且易产生颗粒的遮光掩模，**直接将封装薄膜沉积并完全覆盖在接触区（4）之上**（参见[0004]、[0008]、[0029]）。

* **技术特征D（导体设置）**：“将导体（6）设置在封装（5）上”

* **说明书释义**：导体（6）可为扁平金属线（如Cu、Al、Ag等），直接放置在覆盖于接触区（4）上方的封装薄膜表面（参见[0012]、[0030]）。

* **技术特征E（破膜互连工艺）**：“在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连”

* **说明书释义**：**本专利的发明构思核心**。无需在互连前通过蚀刻或洗涤等额外工序预先清除接触区上的薄膜，而是直接利用如超声焊接（Ultrasonic Welding）的能量，在施加焊接能量的同时融化/挤开/移除导体与接触区之间的薄膜，实现电连接（参见[0008]-[0009]、[0032]）。

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### 二、 对比文件原文技术特征比对表

各对比文件公开号及基本信息如下：

* **D1**：`US20060170114A1`（Novel method for copper wafer wire bonding）

* **D2**：`US07115994B2`（Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device）

* **D3**：`US20060290271A1`（OLED device having spacers）

#### 权利要求1特征比对分析表

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### 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

从**整体解决的技术问题**以及**技术效果**的角度分析，本案最适合作为最接近对比文件的是：**D3（US20060290271A1）**。

#### 1. 选择D3作为最接近对比文件的理由

* **技术领域一致**：D3与本案完全同属于OLED器件及其封装连接技术领域。

* **解决的技术问题重合度高**：D3与本案均旨在解决OLED器件薄膜封装过程中的制造成本高、薄膜结构易受损以及生产工艺复杂的问题（参见D3段落[0001]-[0003]）。

* **技术特征重合度最高**：D3公开了包含衬底、OLED单元（阴阳极）、以及在其上方形成的无机阻隔保护层（$\text{Al}_2\text{O}_3/\text{Si}_3\text{N}_4$）（特征A、B）。

#### 2. 区别技术特征与技术效果（基于D3）

以D3为最接近的对比文件，权利要求1与D3的区别技术特征为：

1. **特征C**：封装薄膜完全封装覆盖至少接触区（即取消了接触区的掩模保护）；

2. **特征D与E**：将导体设置在封装上，并在**不事先移除**导体与接触区之间封装薄膜的情况下，直接将导体与接触区实现互连（即破膜焊接互连）。

* **区别特征达到的技术效果**：省去了传统OLED封装中对接触区进行遮光掩模（Shadow Mask）沉积或后道刻蚀开孔的昂贵工序，避免了掩模操纵带来的颗粒污染和成品率损失，大幅简化工艺并降低成本。

#### 3. 其他对比文件（D1、D2）是否公开了上述区别特征？

* **D1（US20060170114A1）**：

* *看似相似点*：D1公开了金线（Gold wire）可以“穿透”（penetrate）Ni-Cu-P合金层(8)直接与铜焊盘结合（段落[0027]）。

* *关键不同与教导缺陷*：D1被穿透的Ni-Cu-P层是**导电金属合金层**，其作用是防铜氧化，并非绝缘封装薄膜；而D1中的绝缘钝化层（SiN）在焊接前**已经通过光刻开孔(5)预先移除了**（段落[0017]）。因此，D1不仅没有公开特征E，反而给出了“绝缘钝化层必须预先开孔”的相反教导。

* **D2（US07115994B2）**：

* D2属于半导体FeRAM领域，其处理$\text{Al}_2\text{O}_3$封装层的方式是**标准的“打孔填塞法”**（干刻蚀开接触孔后再沉积W塞，段落[0099]、[0114]）。D2明确给出了“必须事先移除绝缘封装层才能实现电互连”的技术教导。

**结论**：结合D1、D2、D3三篇对比文件，均**未能公开**“直接将封装薄膜覆盖接触区，且不事先移除绝缘封装薄膜即实现导体与接触区互连”这一核心技术特征组合。

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### 四、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征

如果在专利无效宣告程序中针对权利要求1发起攻击，**目标专利最薄弱（最容易被突破）的技术特征**是：

> **特征E（结合特征C）**：“在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连”

#### 突破点分析：

1. **公知常识/跨领域技术迁移风险**：

虽然D1-D3未直接公开对OLED无机绝缘封装薄膜进行直接“破膜焊接”，但在**线束连接、漆包线焊接或传统PCB/半导体超声压焊（Ultrasonic Wire Bonding）领域**，“利用超声波能量瞬间破坏/挤开表面极薄的绝缘氧化层/漆膜直接熔接”属于较为常见的工艺手段（即 Insulation Displacement 或 Dielectric Penetration）。

2. **目标专利说明书的过宽保护与实质限制**：

权利要求1中将“互连方式”上位概括为“在不事先移除封装的情况下互连”，但说明书实施例（段落[0009]、[0032]）中**实际仅证实了“超声焊接（Ultrasonic Welding）”**能够提供足够的能量将100nm-500nm的氮化硅/氧化铝薄膜破坏并形成低于$1\Omega$的低电阻接触。

如果对比文件检索能补充到一篇“利用超声焊接穿透绝缘薄膜（如$\text{SiO}_2/\text{Si}_3\text{N}_4$）直接连接下方金属电极”的通用电子制造工艺文献，将对特征E构成致命的创造性破坏。

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### 五、 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

为了成功无效目标专利权利要求1，下一步检索应围绕**“绝缘薄膜/封装层上的直接超声压焊（Direct Ultrasonic Bonding through Insulating/Passivation Layer）”**展开，具体检索策略建议如下：

#### 1. 核心检索要素组合（Building Blocks）

* **要素1（对象/结构）**：接触电极/焊盘 + 绝缘层/封装层/钝化层覆盖（Contact Pad / Electrode + Covered by Dielectric/Passivation/Encapsulation Layer, e.g., $\text{SiN}_x, \text{Al}_2\text{O}_3, \text{SiO}_2$）

* **要素2（工艺手段）**：超声波焊接 / 键合 / 压焊（Ultrasonic Welding / Wire Bonding / Thermosonic Bonding）

* **要素3（关键动作）**：穿透绝缘层 / 免刻蚀 / 免开孔 / 破坏薄膜直接连接（Penetrate / Break through / Without opening / Without removing insulation / Insulation displacement）

#### 2. 建议扩展的IPC/CPC分类号

* **H10K 59/00 / H10K 50/80**：OLED器件及其封装技术。

* **H01L 21/60**：半导体器件引线键合及电连接技术（**重点突破区域**）。

* **B23K 20/10**：利用超声波进行非熔化固态焊接（压焊工艺）。

* **H05K 3/32**：印刷电路板中不去除绝缘层的电气连接。

#### 3. 推荐的具体检索表达式逻辑（以Derwent / Patentics语法为例）

```text

(Ultrasonic W/2 (bond$ OR weld$)) AND (penetrat$ OR break$ OR through OR direct$) AND (passivation OR dielectric OR insulating OR encapsulation OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide") AND (pad OR electrode OR contact)

```

#### 4. 检索方向侧重点调整

* **扩大技术领域**：不要局限于OLED领域，应重点向**柔性电子（Flexible Electronics）、RFID标签封装、太阳能电池（PV Cell）电极引出、以及半导体芯片Wire Bonding**等泛电子制造领域拓展。只要证明在覆盖有百纳米级无机绝缘层（$\text{Si}_3\text{N}_4/\text{Al}_2\text{O}_3$）的金属电极上直接施加超声焊接属于该领域的常规技术手段，即可结合D3一举击垮目标专利权利要求1的创造性。

尊敬的委托人/专利工程师：

针对您提供的目标专利 CN102150294B（权利要求1及说明书）以及三份对比文件 D1（US6790757B1）、D2（US20050035466A1）、D3（US6929869B1），我作为专利代理师，为您进行详细的技术特征比对、创造性分析、最接近现有技术的挑选以及后续无效检索策略的规划。

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## 一、 目标专利权利要求1的技术特征拆解与说明书解释

根据目标专利 CN102150294B 说明书的教导，权利要求1的技术特征解释如下：

* **技术特征 A**：`一种用于利用导体（6）接触OLED的方法，该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）`

* **说明书解释**：明确本方法应用于 OLED 器件（说明书 [0001], [0015]），单元 3 即为 OLED 结构，接触区 4 提供到单元的导电连接（阳极或阴极），衬底 2 可为玻璃或聚合物（[0008], [0028]）。

* **技术特征 B**：`所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝`

* **说明书解释**：封装 5 采用薄膜封装技术（[0003]），材料限定为无机化合物如 $\text{Si}_N_x$、$\text{SiC}$ 或 $\text{Al}_2\text{O}_3$（[0011], [0029]），厚度通常在 100nm~500nm 之间。

* **技术特征 C**：`其中所述封装（5）封装至少接触区（4）`

* **说明书解释**：传统工艺采用遮罩（Masking）来避免将封装层沉积到接触区；而本专利特意将封装层覆盖在**接触区（4）**上（[0004], [0008], [0029]），省去了昂贵的遮罩及掩模清理工艺。

* **技术特征 D**：`将导体（6）设置在封装（5）上`

* **说明书解释**：导体 6 为金属线（如扁平铜、铝、银线），直接放置在覆盖于接触区 4 之上的封装层 5 上表面（[0012], [0030]）。

* **技术特征 E**：`在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连`

* **说明书解释**：核心发明点。不需要单独的步骤提前刻蚀/剥离封装层，而是直接通过施加能量（如超声焊接）使封装层在互连同时被破坏/移除，形成导体与接触区的直接电连接（[0008], [0009], [0031]）。

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## 二、 对比文件公开内容与出处分析

### 1. 对比文件 1：D1 (US6790757B1)

* **技术领域与解决问题**：涉及半导体集成电路（IC）中的铜互连引线键合（Wire Bonding）。解决铜容易氧化腐蚀、传统引线键合无法直接穿透氧化层/钝化层而必须依赖高成本倒装芯片（Flip-chip）的问题（Column 1, lines 45–60; Column 2, lines 30–45）。

* **公开的技术特征**：

* 公开了在衬底 34 上形成包含铜互连 31 的键合焊盘（Bonding Pad 50），并在其上沉积封装/钝化层（Passivation Layer 32/54），如金属钽 Ta（Column 3, lines 35–45; Column 4, lines 15–25; FIG. 3a, FIG. 5a）。即公开了**在接触区上覆盖钝化/封装层**。

* 公开了将铝引线 30（导体）设置在钝化层 32 上，并利用超声波/压合（Wedge bonding under load or ultrasonic excitation）直接将铝线与钝化层/铜互连互连（Column 3, lines 45–60; Column 4, lines 40–55; FIG. 3b）。在此过程中，**无需事先移除钝化层**，铝与钽反应形成金属间化合物 $\text{TaAl}_3$ 从而实现电连接（Column 3, lines 60–67; FIG. 4 Step 405-407）。

* **未公开的技术特征**：D1 是关于半导体 IC 的铜互连，**未公开 OLED 器件**及包含 OLED 单元（特征 A 的限定部分）；且 D1 的钝化层明确要求为钽（Ta）等金属，**未公开钝化/封装层包含氮化硅、碳化硅或氧化铝**等无机介电绝缘薄膜（特征 B）。

### 2. 对比文件 2：D2 (US20050035466A1)

* **背景与说明**：D2 是 D1 的同族专利申请案，其公开说明书（Specification）文本与 D1 几乎完全相同。

* **公开的技术特征**：

* 公开了半导体 IC 中在铜焊盘上形成 Ta 钝化层（[0010], [0024], [0031]）。

* 公开了将 Al 导线放置在 Ta 钝化层上，通过超声/楔形键合（Wedge bonding）直接互连，在不事先剥离 Ta 钝化层的前提下形成电互连（[0025], [0030]）。

* **未公开的技术特征**：与 D1 相同，**未公开 OLED 器件**（特征 A 部分），**未公开氮化硅、碳化硅或氧化铝等无机绝缘薄膜作为封装层**（特征 B）。

### 3. 对比文件 3：D3 (US6929869B1)

* **技术领域与解决问题**：涉及有机发光二极管（OLED）器件及材料。

* **公开的技术特征**：

* 明确公开了 OLED 器件（特征 A），包括衬底 2（Substrate）、电极 1a/1b（相当于接触区）、发光有机层 3（单元/Cell）（[0014], [0061], FIG. 1）。

* 公开了在电极与有机层之间或表面提供修饰/保护层（[0021]-[0023], [0065]）。

* **未公开的技术特征**：D3 侧重于单层 OLED 的有机发光材料配方，**未公开使用氮化硅、碳化硅或氧化铝薄膜封装接触区**（特征 B、C），**更未公开将导体置于封装上且不事先移除封装即进行超声/直接互连的方法**（特征 D、E）。

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## 三、 特征比对表格（针对权利要求 1）

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## 四、 最接近的对比文件分析与创造性评估

在专利无效或创造性检索中，**最接近的对比文件（Most Closely Related Prior Art）** 通常应当是与要求保护的发明**技术领域相同、所解决的技术问题最接近、公开技术特征最多**的现有技术。

### 1. 最接近对比文件的选择与分析

在此案中，可以从两个维度确定**最接近的对比文件**（本案存在两个适合作为主引证文件的候选）：

* **候选一：D3 (US6929869B1) —— 同领域最接近现有技术**

* **整体技术问题与效果**：D3 与本目标专利同属于 **OLED 器件制造领域**。它解决了 OLED 器件结构构建与电极接触的问题。

* **作为最接近对比文件的优势**：技术领域完全相同（OLED），确定了本发明的起点是 OLED 的封装及引线接触。

* **缺点**：D3 缺乏本专利最核心的工艺特征（无需掩模覆盖接触区、直接穿透薄膜封装层进行超声焊接）。

* **候选二：D1 (US6790757B1) [或其同族 D2] —— 同技术手段/方案最接近现有技术**

* **整体技术问题与效果**：D1 解决的技术问题是“**如何在金属接触区上覆盖了保护/钝化层后，无需复杂的掩模/剥离工艺，直接将引线与接触区连接**”。其采用的技术效果也是“简化工艺流程、降低掩模和沉积成本、通过引线键合（超声/压力）直接穿透中间钝化层实现电互连”。

* **作为最接近对比文件的优势**：D1 完整公开了“**在不事先移除中间封装/钝化层的情况下，将导体设置在封装上并直接互连**”这一核心发明构思（特征 C、D、E）。

* **缺点**：D1 的应用背景是半导体 IC 铜互连，且其钝化层使用的是金属钽（Ta），主要利用了金属间的固相反应（$\text{TaAl}_3$）；而目标专利是 OLED 领域，且封装层为氮化硅、氧化铝等无机绝缘硬质薄膜。

> **结论**：

> 在创造性评估中，**D1（或D2）和 D3 均可作为最接近的对比文件**：

> 1. 以 **D3 为最接近对比文件**，结合 D1/D2 的“免刻蚀直接超声压合”教导；

> 2. 以 **D1 为最接近对比文件**，将半导体 IC 的引线键合技术跨领域应用到 OLED 的薄膜封装（TFE）接触点连接上。

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## 五、 目标专利最薄弱的技术特征及无效风险分析

如果针对本目标专利权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱的技术特征**是：

> **特征 B + 特征 E 的组合**：即 **“在覆盖有‘氮化硅、碳化硅或氧化铝’这类无机绝缘薄膜封装层（Thin Film Encapsulation, TFE）的接触区上，直接通过超声焊接（不事先移除薄膜）实现导体与接触区的互连”**。

### 为什么这是防守/攻击的焦点（薄弱点与难点分析）：

1. **技术偏见与显而易见性**：

* 在 OLED 制造中，氮化硅（$\text{Si}_N_x$）、氧化铝（$\text{Al}_2\text{O}_3$）是极硬且绝缘的无机介电薄膜。常规技术人员的普遍认知（Technological Prejudice）是：**绝缘层必须提前通过 Mask 遮罩或 Photolithography（光刻刻蚀）开孔露头，否则无法导电**。

* D1/D2 破坏并穿透的是**金属 Ta 层**（金属与金属键合）。而目标专利证明了**即使是无机绝缘脆性薄膜（如 $\text{Si}_N_x$），在超声焊接的振动能量下，薄膜也会被局部物理碎裂/挤开/移除**，从而使金属导体与底下的 ITO 或金属接触区直接接合。

2. **无效宣告中的攻击突破口**：

* 专利权人可能会主张“无机绝缘薄膜（氮化硅/氧化铝）与金属钽（Ta）材料属性完全不同，本领域技术人员没有心理预期超声波能直接震碎/消除无机绝缘薄膜以达成导通”。

* **突破策略**：寻找在常规半导体或电子封装领域，**利用超声引线键合（Ultrasonic/Thermasonic Wire Bonding）直接穿透二氧化硅（$\text{SiO}_2$）、氮化硅（$\text{Si}_3\text{N}_4$）或原生氧化层**的现有技术文件。只要证明“超声键合摩擦力能够击穿/破坏微米/纳米级无机绝缘薄膜”属于公知常识或已有先例，权利要求1即可被彻底攻破。

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## 六、 进一步对比文件检索策略（针对无效宣告）

为了彻底无效目标专利 CN102150294B 权利要求1（以及后续从属权利要求），建议开展下一轮针对性检索：

### 1. 检索核心要素组合（Building Blocks）

* **主题 A（器件）**：OLED / Organic Light Emitting / Flexible Display / Optoelectronic Device.

* **主题 B（封装材料）**：Thin Film Encapsulation (TFE) / Silicon Nitride ($\text{SiN}$, $\text{Si}_3\text{N}_4$) / Aluminum Oxide ($\text{Al}_2\text{O}_3$) / Silicon Carbide ($\text{SiC}$) / Passivation.

* **主题 C（关键工艺）**：Wire bonding / Ultrasonic welding / Wedge bonding / Direct bonding / Penetrate / Through passivation / Without removing passivation / Maskless.

### 2. 结合式的具体检索策略

* **策略一：补充“超声焊接穿透无机绝缘膜（$\text{SiN}/\text{Al}_2\text{O}_3/\text{SiO}_2$）”的工艺对比文件（打击特征 B+E）**

* **检索逻辑**：不限定必须是 OLED，扩大到通用半导体、LED 或传感器封装领域。寻找在焊盘上覆盖有氮化硅或氧化硅钝化层，利用超声/热超声键合（Ultrasonic/Thermasonic Bonding）直接压破绝缘层实现电连接的文献。

* **检索式示例（IPC + 关键词）**：

`(H01L24/43 OR H01L24/85 OR B23K20/10) AND (silicon nitride OR aluminum oxide OR passivation) AND (ultrasonic OR wedge bonding) AND (penetrate OR break OR directly)`

* **策略二：检索“OLED 全面薄膜封装（TFE）及无遮罩（Maskless）引线接触”文献**

* **检索逻辑**：寻找 2010 年 01 月之前（本专利优先权日为 2010 年 1 月 22 日）公开的 OLED 封装专利。重点查看关于 TFE 覆盖整个面板（包含 Pad 区），后续通过物理破膜/超声压合直接引出电极的技术。

* **检索式示例**：

`(OLED OR "organic light emitting") AND ("thin film encapsulation" OR TFE OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide") AND ("contact pad" OR "electrode") AND ("wire bonding" OR "ultrasonic" OR "direct connection")`

* **策略三：聚焦行业头部企业的早期防御性专利/论文（Prior Art Search）**

* 重点检索 **Samsung Display, LG Display, Vitex Systems, Universal Display Corp (UDC), Applied Materials** 在 2004–2009 年间关于 **Thin Film Encapsulation (Vitex BariX 封装技术等)** 的专利与学术论文。Vitex 的 BariX 技术大量使用了 $\text{Al}_2\text{O}_3$ 与有机层交替的 TFE 结构，其 Pad 区的接触方法是当时的研究热点。

按照上述策略，一旦补充到“**利用超声键合直接破除无机氮化硅/氧化铝钝化膜实现电连接**”的补充对比文件（D4），结合当前的 D1（公开免刻蚀直接超声键合构思）与 D3（公开 OLED 结构），即可构成极为坚固的创造性（中国《专利审查指南》第三部分第四章 / 22条3款）无效证据链。

作为一名经验丰富的专利代理师，针对目标专利 **CN102150294B（利用导体接触器件）** 的权利要求1以及提供的三份对比文件（D1: US6520821B1、D2: US20030094691A1、D3: TW200417283A）进行深度的专利无效可行性及创造性对比分析。

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### 一、 目标专利权利要求解释与技术特征拆解

结合目标专利（CN102150294B）说明书，对权利要求1的技术特征解释如下：

* **前言/主题名称**：一种用于利用导体（6）接触OLED的方法

* **技术特征A**：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）

* *说明书解释*：衬底（2）为玻璃或聚合物；单元（3）为OLED；接触区（4）连接至OLED的阴极或阳极，用于提供电力，材料可为ITO或金属叠层（如Cu、Cr）[0028]。

* **技术特征B**：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝

* *说明书解释*：封装（5）为无机薄膜封装（TFE），如CVD沉积的氮化硅薄膜，厚度通常在100nm~500nm之间，用于阻隔水、湿气和空气[0003, 0011, 0029]。

* **技术特征C**：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）

* *说明书解释*：传统技术中为避免封装覆盖接触电极，必须使用昂贵且易产生颗粒降低良率的掩模（Mask）工艺。本专利将封装（5）直接沉积并覆盖在接触区（4）上（无需掩模遮挡）[0004-0005, 0014, 0029]。

* **技术特征D**：将导体（6）设置在封装（5）上

* *说明书解释*：导体（6）例如扁平金属线（如铝线/铜线），直接置于接触区（4）上方的封装薄膜（5）表面[0012, 0030]。

* **技术特征E**：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。

* *说明书解释*：核心发明点。无需在互连前通过单独步骤（如蚀刻/剥离）预先移除封装膜，也无需掩模遮挡，而是直接在封装膜存在的情况下，利用能量（如超声焊接）原位破坏/熔化/移除导体与接触区之间的无机薄膜，直接形成低电阻（<1Ω）的电性互连[0007-0009, 0031-0033]。

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### 二、 对比文件特征比对表格及详细出处分析

下表将目标专利权利要求1拆解的技术特征与各对比文件原文详细出处进行对应比对：

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### 三、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在创造性无效分析中，**对比文件3（TW200417283A）最适合作为最接近的对比文件**。

#### 1. 为什么选择 D3 为最接近的对比文件？

* **技术领域完全相同**：D3 与目标专利均属于 OLED 显示/发光器件的薄膜封装及电极连接技术领域。

* **技术特征重合度最高**：D3 毫无异议地公开了目标专利权利要求1中的**技术特征A、B、C以及特征D的基础架构**。特别地，D3 明确公开了使用**氮化硅（SiN）无机薄膜（厚度约0.5μm）**作为密封封装膜，并且该密封膜11直接沉积覆盖在阴极/接触区9之上（公开了特征A、B、C）。

* 相比之下，D1 和 D2 采用的均是传统的“硬质盖板/树脂外壳（Cap）+ 内部空腔（Cavity）”结构，不包含无机薄膜封装（TFE），与目标专利的薄膜封装架构存在本质结构差异。

#### 2. 目标专利相较于 D3 实际解决的技术问题与技术效果

* **区别技术特征**：特征E（在不事先移除导体与接触区之间的无机封装薄膜的情况下将导体与接触区互连）。

* **D3 的做法（反向教导）**：D3 方案中，由于 SiN 膜11覆盖了阴极9，在连接导线时，**必须专门增加一道 CF4 电浆干法蚀刻工序**，将导线接触位置的 SiN 膜移除，露出阴极层后才能实现电连接（见 D3 说明书 [0013] 及图13）。

* **目标专利解决的技术问题**：如何简化薄膜封装 OLED 器件的引线接触工艺，省去接触区封装膜的预先移除/蚀刻工序或昂贵的掩模遮挡工艺，降低生产成本并提高成品率。

* **技术效果**：无需昂贵的掩模系统，也无需额外的电浆蚀刻等除膜步骤，直接原位穿透/破坏无机封装薄膜实现导体与接触区的高效低电阻（<1Ω）电互连。

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### 四、 其他对比文件的组合分析（创造性评估）

针对区别特征E，评估 D1 和 D2 是否给出了将其结合到 D3 中的技术教导：

1. **D1（US6520821B1）的技术教导**：

* D1 确实公开了使用“超声波焊接（ultasonic welding）”工艺。但 D1 中的超声波焊接是将**热塑性树脂盖板5与热塑性树脂衬底1**融化结合，其本质是**同种高分子树脂之间的热塑性熔接**，目的是实现封口。

* D1 完全没有给出“利用超声能量穿透/去除硬质无机介质膜（氮化硅/氧化铝等陶瓷类薄膜）以实现金属导体与金属/ITO电极互连”的教导。

2. **D2（US20030094691A1）的技术教导**：

* D2 仅泛泛提及安装盖板时可采用超声焊接或粘结剂，并未涉及穿透封装膜互连的技术方案。

3. **技术偏见与非显而易见性**：

* 在微电子及 OLED 制造领域，氮化硅（SiN）、氧化铝（Al2O3）等无机介质薄膜具有极高的致密度、硬度和绝缘性。本领域技术人员的普遍认知是：在进行电性引线（Wire bonding / Welded wire）之前，必须先将焊盘表面的绝缘介质膜彻底清除（如 D3 采用 CF4 蚀刻），否则会导致虚焊或绝缘。

* 因此，D3 存在明确的**反向技术教导**，而 D1/D2 均未提供“无预先除膜而直接打通无机薄膜互连”的特征教导。将 D3 与 D1/D2 结合无法直接否定权利要求1的创造性。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征与进一步检索策略

#### 1. 权利要求1中最薄弱的技术特征分析

* **薄弱点在于：权利要求1的上位化程度过高（范围过宽）**。

* 权利要求1将互连方式概括为“*在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连*”，**并未在独立权利要求中将互连手段限定为“超声波焊接（Ultrasonic welding）”**（超声波焊接仅限定在从属权利要求3中）。

* 这就意味着，如果能检索到任何通过**机械刺破（Piercing）、热压刺穿（Thermosonic / Thermocompression breakthrough）、高压击穿、或刺穿式引线键合（Insulation displacement connection / Spike bonding）**在不预先蚀刻介质膜的情况下直接实现电连接的现有技术，权利要求1即面临被击中的风险。

#### 2. 进一步对比文件检索策略（Search Strategy）

为了成功无效目标专利的权利要求1，建议调整检索方向，重点攻克“**无机介质薄膜/钝化层未去除情况下的直接键合/焊接互连技术**”：

1. **扩展检索技术领域（跨领域检索）**：

* 不应局限于 OLED 领域（OLED 领域受限于 D3 的传统蚀刻思路），应扩展至**半导体芯片封装（Semiconductor Packaging）**、**LED 芯片引线键合（Wire Bonding）**、**柔性电路板（FPC/RFID）超声压合**以及**太阳能电池（Solar Cell）电极贯穿烧结/焊接**领域。

2. **IPC / CPC 分类号精细化组合检索**：

* `H01L21/60`（半导体器件引线键合/电极互连）

* `B23K20/10`（超声波固相焊接）

* `H05K3/32`（不通过去除绝缘层直接实现电路连接）

* `H01L51/52`（OLED 封装与电极引出）

3. **核心关键词组合策略**：

* **组A（无机薄膜/介质层）**：(`SiN` OR `silicon nitride` OR `passivation` OR `thin film` OR `dielectric` OR `oxide` OR `氮化硅` OR `钝化层` OR `绝缘层`)

* **组B（未预先移除/直接贯穿）**：(`without removing` OR `without etching` OR `direct bonding` OR `breakthrough` OR `penetrate` OR `pierce` OR `无需蚀刻` OR `直接穿透` OR `未去除`)

* **组C（焊接/互连）**：(`ultrasonic` OR `wire bonding` OR `thermosonic` OR `welding` OR `超声波` OR `键合` OR `焊接`)

4. **优先检索方向建议**：

* 检索半导体 Wire Bonding 领域中“超声波键合超硬钝化膜（Al2O3 / SiN）时，利用超声能量的摩擦效应擦除/破除表面薄氧化层或氮化层直接形成金/铝丝键合”的文献。此类文献一旦证明“超声键合自带破膜功能属于本领域的公知常识（Common General Knowledge）”，即可顺利结合 D3 攻破权利要求1及从属权利要求3。

作为经验丰富的专利代理师，我针对目标专利CN102150294B（以下简称“目标专利”）权利要求1，结合说明书内容及三份对比文件（D1: TW469592B、D2: US2002187254A1、D3: GB2378564A）进行深入的法理与技术比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

依据《专利审查指南》及目标专利说明书内容，对权利要求1各技术特征的解读如下：

* **技术特征A（器件基础结构）**：`该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）`

* **解释**：说明书[0028]指出，器件1为OLED器件，单元3为OLED发光叠层，接触区4连接阳极/阴极（材料如ITO、Cu、Cr或Cr-Al-Cr叠层），衬底2为玻璃或聚合物。

* **技术特征B（薄膜封装材料）**：`所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝`

* **解释**：说明书[0003]、[0011]及[0029]明确指出，封装5为无机无掩模薄膜封装，优选通过PECVD等真空沉积工艺形成，材料包含氮化硅（SiNx）、碳化硅（SiC）、氧化铝（Al2O3）或其混合物，厚度介于100nm与500nm之间，用于防潮防气。

* **技术特征C（全面覆盖封装）**：`其中所述封装（5）封装至少接触区（4）`

* **解释**：说明书[0004]-[0008]及[0029]特别说明，封装5不仅封装OLED单元3，还**直接沉积并覆盖在接触区4上**。该设计的核心在于**省略了传统高成本且易产生颗粒的掩模（Masking）工艺**。

* **技术特征D（导体设置）**：`将导体（6）设置在封装（5）上`

* **解释**：说明书[0012]及[0030]指出，导体6为金属线（如扁平铜、铝、银线），直接放置在覆盖于接触区4上方的封装5表面。

* **技术特征E（不事先移除薄膜直接互连）**：`在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。`

* **解释**：说明书[0008]-[0009]及[0031]-[0032]指出，在连接前**无需通过化学蚀刻或机械剥离等单独步骤显露接触区**，而是直接利用引线焊接（特别指超声焊接能量）在将导体（6）与接触区（4）压合焊接的同时，**现场/瞬时突破并移除**中间介质封装薄膜（5），从而形成低于1Ω的低电阻电连接。

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### 二、 特征比对表格（技术特征对照）

下表详细说明对比文件D1（TW469592B）、D2（US2002187254A1）、D3（GB2378564A）对目标专利权利要求1各技术特征的公开情况及原文出处：

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### 三、 最接近对比文件的选择分析

在专利无效宣告程序中，选择最接近的对比文件需综合评估技术领域、所解决的技术问题、技术效果以及公开的技术特征数量。

#### 1. D1 (TW469592B) 的综合评估

* **公开公开号**：TW469592B

* **技术领域与问题**：虽然D1属于半导体IC芯片引线接合领域，但其**核心解决的技术问题**是：“防止易氧化的接垫（铜内连）在空气中氧化腐蚀，并避免昂贵繁琐的掩模/剥离工艺，直接在覆盖有钝化保护层的接垫上进行引线接合”（参见D1【0027】与【0029】）。

* **技术手段与效果**：D1公开了在铜接垫（接触区）上完整覆盖一层钝化薄膜（钽层），然后直接将铝线（导体）置于钝化层上，通过超声/压力接合（楔形接合）使铝线穿透/结合钝化层，与下方接垫形成牢固的电与机械连接（生成TaAl3化合物），**实现了免除事先剥离/掩模保护层而直接进行超声互连的效果**。

* **缺点/差异**：D1的器件类型为半导体IC而非OLED；钝化薄膜材料使用的是金属钽（Ta），而非氮化硅、碳化硅或氧化铝等无机绝缘绝热薄膜。

#### 2. D2 (US2002187254A1) 的综合评估

* **公开公开号**：US20020187254A1

* **技术领域**：OLED器件的超声波气密封装领域。

* **差异**：D2虽然属于OLED领域，但其超声波作用对象是低熔点密封金属线（铟线55），目的是把盖板65粘合在绝缘层40上实现“防潮封口”，**其绝缘层40并没有被击穿，也没有实现导体与阳极30的电互连**。其技术演进方向与目标专利完全不同。

#### 3. 结论：最接近对比文件的选择

**D1（TW469592B）最适合作为本案最接近的对比文件（Primary Prior Art）。**

* **理由**：目标专利权利要求1的核心发明点（技术贡献）不在于“OLED”本身，而在于**“采用超声物理手段直接穿透覆于接触区上的保护薄膜完成电互连，免去掩模和先蚀刻剥离薄膜的工艺”**。D1与目标专利在“免除剥离步骤、直接在钝化薄膜上施加超声波/引线接合实现接触区互连”这一**发明构思、工作机制、解决的技术问题及技术效果上完全一致**。因此，以D1作为最接近的对比文件重新构建创造性分析框架最具有说服力。

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### 四、 未被最接近对比文件（D1）公开的特征及其他对比文件的公开情况

以 **D1（TW469592B）** 作为最接近对比文件时，权利要求1相对于D1的区别技术特征为：

1. **区别特征1（应用对象）**：器件为OLED器件（D1为半导体IC器件）。

2. **区别特征2（薄膜材料）**：封装薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝（D1中的钝化薄膜为金属钽Ta）。

#### 其他对比文件的公开情况：

* **D2（US2002187254A1）**：公开了OLED器件需要进行防潮封装（Paragraph [0001]），以及在OLED阳极周边设置绝缘保护层。

* **D3（GB2378564A）**：公开了OLED/柔性显示器件（Page 4）以及使用无机物（如SiO2二氧化硅）作为保护/间隔材料（Page 5, Line 25）。

* **公知常识/现有技术**：在OLED制造领域，由于有机发光层对水、氧极度敏感，采用**氮化硅（SiNx）或氧化铝（Al2O3）通过PECVD/ALD工艺作为薄膜封装（TFE, Thin Film Encapsulation）材料**属于本领域的公知常识（目标专利说明书[0003]亦承认此点为现有技术）。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征

若针对目标专利权利要求1发起无效宣告请求，**最薄弱的技术特征（即最容易被攻破/证明不具备创造性的特征）是：**

> **“封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝，其中所述封装封装至少接触区”（技术特征B + C 的结合）**

* **薄弱原因分析**：

1. **技术偏见与公知常识的突破**：专利权人可能辩称“常规OLED封装必须用掩模避开接触区，否则绝缘的氮化硅/氧化铝无法导电”。然而，D1已经明确给出了技术启示——**对于覆盖在接垫/接触区上的薄钝化膜，无需专门掩模，直接利用超声焊接能量即可击穿/结合并实现电互连**。

2. **显而易见的材料替换**：将OLED领域常规的TFE防潮材料（氮化硅、氧化铝）应用于D1所揭示的“直接超声焊接”工艺中，属于本领域技术人员结合公知常识进行材料替换与技术组合，不需要付出创造性劳动。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略

为了确保能够成功无效目标专利权利要求1（以及后续可能的从属权利要求），建议采取以下进一步的检索策略：

1. **关键词与IPC分类号组合检索（聚焦“薄膜封装击穿/超声直连”）**

* **核心逻辑**：寻找在LCD、OLED、太阳能电池或半导体领域，直接对**无机绝缘薄膜（SiN / Al2O3 / SiO2）**进行超声波焊接/压合（Ultrasonic bonding / Wire bonding）以击穿薄膜实现电连接的对比文件。

* **推荐IPC分类号**：

* `H10K59/00` 或 `H01L51/52`（OLED器件封装或电极结构）

* `H01L21/60`（半导体器件引线接合/超声焊接技术）

* `B23K20/10`（超声波焊接工艺）

* **逻辑检索式（示例）**：

* `(OLED OR "organic light emitting") AND ("thin film encapsulation" OR TFE OR "silicon nitride" OR "aluminum oxide" OR SiN OR Al2O3) AND ("ultrasonic bonding" OR "wire bonding" OR "direct bonding")`

* `("ultrasonic") AND ("passivation" OR "encapsulation" OR "insulating layer") AND ("penetrate" OR "break through" OR "without removing") AND ("contact" OR "electrode")`

2. **重点检索领域扩展：太阳能电池（Photovoltaics）与柔性电路**

* **检索方向**：在光伏电池（Solar Cell）制造中，硅片表面通常沉积有钝化层/减反射膜（如氮化硅 SiNx）。常规工艺利用超声波或焊带打线直接穿透SiNx钝化层与下方电极连接（称为“超声穿透焊接”或“Fire-through / Ultrasonic bonding through passivation”）。

* **策略意义**：若能在光伏领域检索到“利用超声焊接直接穿透氮化硅（SiNx）薄膜实现电接触”的专利文献，结合OLED的TFE公知常识，将形成极强的**跨领域技术启示组合**，彻底击毁目标专利的创造性。

3. **针对从属权利要求的补充检索**

* 针对目标专利说明书提及的“超声波频率（10kHz-80kHz，优选35kHz）”、“扁平铝线/铜线规格（高度200µm，宽度2mm）”等特征，在 `B23K20/10`（超声波焊接参数）中检索相应的标准工艺参数文献，作为结合对比文件。

关于**目标专利（CN102150294B）**权利要求1的有效性分析及无效检索策略报告如下：

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## 一、 目标专利权利要求1的解释

结合目标专利说明书（CN102150294B）的记载，权利要求1的技术特征解释如下：

1. **技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）**

* **说明书解释**：器件1特指有机发光二极管（OLED）。衬底2为玻璃或聚合物，单元3为OLED发光叠层，接触区4连接OLED的阴极/阳极（如ITO、铜、铬等），封装5为用于防潮隔氧的薄膜（说明书[0008]、[0028]）。

2. **技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝**

* **说明书解释**：薄膜为无机绝缘防护材料，优选通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备，厚度通常在100nm~500nm之间（说明书[0011]、[0029]）。

3. **技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）**

* **说明书解释**：封装薄膜覆盖了整个接触区（以及单元），无需采用昂贵且易产生颗粒的掩模工艺来避开接触区（说明书[0004]-[0005]、[0029]）。

4. **技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上**

* **说明书解释**：导体6（如扁平金属线、铝线等）直接放置在覆盖于接触区4上方的封装薄膜5表面（说明书[0030]、[0032]）。

5. **技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连**

* **说明书解释**：**核心发明点**。指在互连前无需通过刻蚀或掩模剥离单独移除接触区上的封装薄膜；优选利用超声焊接能量（如超声波键合），在焊接过程中一次性穿透/移除导体与接触区之间的薄膜以形成电连接（说明书[0008]、[0009]、[0032]）。

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## 二、 特征比对表格（对比文件公开情况分析）

> **注**：D1、D2、D3三份对比文件均属于**同一专利族**（同族专利关系），其公开的技术内容高度一致，但领域均针对**半导体集成电路（IC/芯片）的铜互连线引线键合**，而非OLED器件。

* **D1**：JP2001189343A

* **D2**：KR1020010067448A

* **D3**：GB2362510A

### 权利要求1技术特征比对表

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## 三、 最接近对比文件的选择与创造性分析

### 1. 最接近对比文件的确定

**D1（JP2001189343A）/ D2 / D3（同族）均可作为最接近对比文件**（以下以 **D1** 为代表分析）：

* **解决的技术问题**：D1旨在解决易氧化的接触区（Cu键合垫）在被保护层/钝化层覆盖后，无需增加复杂的掩模或提前刻蚀剥离步骤，直接通过超声波键合将导体（键合线）与接触区实现电互连的问题（D1说明书[0008]-[0010]）。这与目标专利解决“避免昂贵掩模工艺及剥离步骤，直接实现封装后接触区互连”的技术问题完全一致。

* **技术方案重合度**：D1公开了特征C、D、E的核心工艺思想——即“直接在保护层上压焊/超声焊接导体，利用焊接能量贯穿防护层实现电连接”。

### 2. 区别技术特征及技术效果

目标专利权利要求1相对于最接近对比文件（D1）的区别技术特征为：

1. **应用应用领域/器件类型不同**：目标专利为 **OLED器件**（特征A），而D1为 **半导体集成电路器件（IC）**；

2. **封装薄膜材料不同**：目标专利封装薄膜包含 **氮化硅、碳化硅或氧化铝** 等绝缘防护薄膜（特征B），而D1采用的是 **钽（Ta）** 属钝化层。

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## 四、 提出无效请求时“最薄弱的技术特征”

在现有的对比文件D1~D3组合下，目标专利**最薄弱（最难被直接无效掉）的技术特征**是：

> **特征B与特征A的结合：在OLED器件中，直接穿透“氮化硅/氧化铝/碳化硅”等【无机绝缘薄膜封装层】实现导体与接触区互连。**

### 原因分析：

1. **导电性差异**：D1~D3中使用的过渡层是 **金属钽（Ta）**，钽本身是导电体，即使未完全破坏，也容易实现导通。而目标专利使用的是 **无机绝缘材料（氮化硅/氧化铝）**，其厚度（100-500nm）虽薄，但在常规认知中具有很强的绝缘性与机械硬度。

2. **技术偏见/技术阻碍**：专利权人可以主张：本领域技术人员不会轻易想到利用超声焊接直接“击穿/击碎”绝缘性极强且硬度极高的氮化硅或氧化铝薄膜来建立稳定导电接触，因此存在技术阻碍。

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## 五、 进一步对比文件检索策略（无效攻防建议）

为了彻底无效掉权利要求1，**当前的检索重点必须补齐“无机绝缘薄膜（氮化硅/氧化铝）的破膜超声焊接/键合”以及“OLED薄膜封装直接键合”的证据**。

### 1. 检索要素组合策略（Building Blocks）

* **要素1（器件/封装）**：OLED / 有机发光 / 柔性显示 OR 半导体 / 封装（Passivation / Thin Film Encapsulation / TFE）

* **要素2（绝缘膜材料）**：氮化硅（SiN / Silicon Nitride） / 氧化铝（Al2O3 / Aluminum Oxide） / 碳化硅（SiC） / 绝缘层（Insulating layer）

* **要素3（工艺）**：超声波焊接 / 键合 / 引线键合（Wire bonding / Ultrasonic bonding / Thermosonic bonding）

* **要素4（技术手段）**：不剥离 / 穿透 / 击穿 / 破坏（Without removing / Penetrate / Break through / Directly bonded through passivation）

### 2. 具体的检索表达式（示例）

#### 策略一：寻找在半导体/LCD/OLED领域，直接穿透“氮化硅/氧化铝/二氧化硅”绝缘层进行超声键合的现有技术（最有效途径）

* **检索式**：

`(wire bonding OR ultrasonic bonding) AND (silicon nitride OR aluminum oxide OR SiN OR Al2O3 OR insulating layer) AND (penetrate OR break through OR direct bond OR without removing)`

* **逻辑**：只要证明在微电子焊接领域，**“利用超声波焊接能量直接击碎/穿透薄氮化硅/氧化铝绝缘钝化层实现金属互连”** 是本领域的公知常识或已有技术手段，即可结合D1~D3完成创造性摧毁（技术手段的等同替换/公知常识组合）。

#### 策略二：针对OLED器件薄膜封装（TFE）接触区直接键合的专项检索

* **检索式**：

`(OLED OR organic light emitting) AND (thin film encapsulation OR TFE) AND (contact pad OR electrode) AND (wire bonding OR ultrasonic)`

* **逻辑**：寻找在2010年以前（目标专利优先权日之前），已经存在OLED封装薄膜覆盖电极引出区后直接进行超声焊接的专利或期刊论文。

### 3. 推荐检索数据库及资源

1. **专利数据库**：Google Patents, Clarivate Analytics (Derwent), CNIPA, EPO (Espacenet)。

2. **非专利文献（NPL）检索**：IEEE Xplore, ScienceDirect, ResearchGate（重点关注2000-2009年间关于 *“Thermosonic wire bonding through passivation layer”* 或 *“Ultrasonic bonding SiNx”* 的学术论文）。

依照权利要求1的方法，其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。

依照权利要求1或2的方法，其中所述导体（6）包括金属线。

依照权利要求3的方法，其中所述金属线是扁平的所述金属线是包含铜、铝或银的所述金属线是扁平的并且包含铜、铝或银的所述金属线是扁平的或包含铜、铝或银的。

依照权利要求1或2的方法，其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。

依照权利要求1或2的方法，其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）所述封装（5）封装至少所述至少一个单元（3）。

依照权利要求2的方法，其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。

依照权利要求7的方法，其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。

依照权利要求8的方法，其中所述超声焊接工作于35kHz。

一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）。