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对比文件列表
2001-06-29_JP2001176662A_发明专利_JP2001176662A Organic electrocluminescent element and its manufacturing method_+++G_H_I+++.docx
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2001-07-10_JP2001189343A_发明专利_JP2001189343A Wire-bonding method and semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2001-07-12_KR1020010067448A_发明公开_KR1020010067448A 반도체 장치의 구리 상호 접속을 위한 와이어 본딩 방법 및 반도체 장치_+++C_D_E_F_G_H_I_a_j+++.docx
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2001-11-21_GB2362510A_发明专利_GB2362510A Wire bonding method for semiconductor devices_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2001-12-21_TW469592B_发明专利_TW469592B 半導體裝置中銅內連線之引線接合方法_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2002-12-12_US2002187254A_发明申请_US20020187254A1 Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays_+++A_C_G_I_J_k_l_m+++.docx
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2004-09-01_TW200417283A_发明专利_TW200417283A 製造一種發光顯示裝置的方法 METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DISPLAY_+++A_B_G_I+++.docx
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2004-09-14_US6790757B_发明授权_US06790757B1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-02-17_US2005035466A_发明申请_US20050035466A1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-04-05_US6875023B_发明授权_US06875023B1 Data bank providing connectivity among multiple mass storage media devices using daisy chained universal bus interface_+++g_h+++.docx
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2005-07-21_US2005156431A_发明申请_US20050156431A1 Vanadium redox battery energy storage and power generation system incorporating and optimizing diesel engine generators_+++G_I+++.docx
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2005-08-16_US6929869B_发明授权_US06929869B1 Organic light emitting material and device_+++a_d_e_g_h_i_n+++.docx
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2006-04-06_JP2006093743A_发明专利_JP2006093743A Semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2006-07-12_JP3796116B_发明专利_JP3796116B2 Wire bonding method and a semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_i_j+++.docx
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2006-08-03_US2006170114A_发明申请_US20060170114A1 Novel method for copper wafer wire bonding_+++B_G_a_f_i+++.docx
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2006-10-03_US7115994B_发明授权_US07115994B2 Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device_+++A_B_C_G_H_I_J+++.docx
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2007-03-22_JP2007073353A_发明专利_JP2007073353A Method for manufacturing organic electroluminescence element_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
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2007-03-22_US2007065962A_发明申请_US20070065962A1 MANUFACTURING OF OPTOELECTRONIC DEVICES_+++G_H_I_a_b_c_j+++.docx
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2007-07-25_EP1811579A_发明公开_EP1811579A1 Galvanic optocoupler structure and corresponding hybrid integration process_+++B_G_I_f_h+++.docx
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2007-08-14_US7256483B_发明授权_US07256483B2 Package-integrated thin film LED_+++G_I_h+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-08-22_EP1763287A_发明公开_EP1763287A2 A method for fabricating organic electroluminescent devices_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
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2007-11-29_WO2007135604A_发明申请_WO2007135604A2 INTERCONNECTION ARRANGEMENT AND METHOD FOR INTERCONNECTING A HIGH-CUURENT CARRYING CABLE WITH A METAL THIN-FILM_+++F_G_H_I+++.docx
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2001-06-29_JP2001176662A_发明专利_JP2001176662A Organic electrocluminescent element and its manufacturing method_+++G_H_I+++.docx

对比文件名称:JP2001176662A Organic electrocluminescent element and its manufacturing method

目标专利名称:1295利用导体接触器件CN102150294B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:该器件(1)包括具有至少一个单元(3)、接触区(4)和封装(5)的衬底(2)《未公开》对比文件公开了有机EL元件,包括第一基板11、第二基板12,以及电极和有机发光膜,未提及封装层。对比文件没有公开任何封装层,也未公开接触区被封装覆盖。本领域技术人员无法从对比文件直接且毫无疑义地得出该技术特征。
技术特征B:所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝《未公开》对比文件未提及任何封装薄膜材料。对比文件没有公开封装薄膜,更未公开其材料为氮化硅、碳化硅或氧化铝,因此未公开。
技术特征C:其中所述封装(5)封装至少接触区(4)《未公开》对比文件无封装结构。对比文件没有封装,因此未公开。
技术特征D:将导体(6)设置在封装(5)上《未公开》对比文件公开了将引线连接到电极,但引线直接连接在电极上,并非设置在封装上。对比文件没有封装,且导体设置方式不同,未公开。
技术特征E:在不事先移除导体(6)与接触区(4)之间的封装(5)的情况下将导体(6)与接触区(4)互连《未公开》对比文件没有涉及封装,也没有涉及通过封装进行互连。对比文件没有封装,因此不存在移除封装的情况,未公开。
技术特征F:其中将导体(6)与接触区(4)互连包括超声焊接《未公开》对比文件未提及超声焊接。对比文件没有公开任何超声焊接工艺,因此未公开。
技术特征G:其中所述导体(6)包括金属线《直接公开》段落[0108]:“各电极使用镍铬线、金线、铜线、铂线等引线连接到电源。”对比文件明确公开了使用金属线(如铜线、金线等)作为导体连接到电极,因此导体包括金属线被直接公开。
技术特征H:其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银《直接公开》同上,段落[0108]公开了铜线。对比文件公开了铜线,即金属线包含铜,满足“包含铜、铝或银”中的至少一种。因此,该特征被直接公开。
技术特征I:其中所述接触区(4)用作用于所述单元(3)的电极《直接公开》段落[0095]:“有机EL元件E1具有有机发光膜F,该有机发光膜F被夹持在阳极21和阴极22两个电极之间。”对比文件公开了阳极和阴极作为电极,用于驱动有机发光层,因此接触区(即电极)用作电极被直接公开。
技术特征J:其中所述封装(5)封装至少所述接触区(4)和所述至少一个单元(3)《未公开》对比文件没有封装结构。对比文件没有封装,因此未公开。
技术特征K:其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间《未公开》对比文件未提及超声焊接频率。未公开。
技术特征L:其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间《未公开》同上。未公开。
技术特征M:其中所述超声焊接工作于35kHz《未公开》同上。未公开。
技术特征N:一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED(1)《未公开》对比文件公开了有机EL元件,但制造方法完全不同。对比文件没有公开通过目标专利方法(包括封装、超声焊接等)得到的OLED,因此未公开。

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