对比文件的名称：2001-07-10_JP2001189343A_发明专利_JP2001189343A Wire-bonding method and semiconductor device
目标专利的名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》<br>该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2） | 对比文件[0025]：“在图5(a)中，焊盘50在基板52（IC结构体）上使用金属（Cu）互连部作为焊盘形成。Ta钝化层54沉积在基板52上，封装Cu互连部。” | 对比文件公开了基板（衬底）、IC结构体（单元）、Cu互连部（接触区）和Ta钝化层（封装），且封装至少覆盖接触区。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：《未公开》<br>所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝 | 对比文件[0018]：“Ta层用于封装Cu互连材料。” | 对比文件的封装材料为钽（Ta），属于金属，而非氮化硅、碳化硅或氧化铝等无机薄膜材料。对比文件未提及这些材料，也未暗示可使用这些材料进行封装。因此，技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：《直接公开》<br>其中所述封装（5）封装至少接触区（4） | 对比文件[0016]：“形成钝化层以封装互连材料。” [0025]：“Ta钝化层54沉积在基板52上，封装Cu互连部。” | 对比文件明确公开钝化层覆盖并封装接触区（焊盘）。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：《直接公开》<br>将导体（6）设置在封装（5）上 | 对比文件[0019]：“铝线30设置在基板34上，位于Ta钝化层32上。” [0025]：“铝线56设置在Ta钝化层54上。” | 对比文件将导体（铝线）直接设置在钝化层（封装）上。因此，技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：《直接公开》<br>在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。 | 对比文件[0010]：“在半导体器件（互连材料）和线之间提供可靠的机械和电连接，其间配置有钝化层。” [0017]：“在半导体器件（互连材料）和线之间形成可靠的机械和电连接，钝化层配置在它们之间。” | 对比文件直接进行键合，钝化层保留在导体和接触区之间，未事先移除。因此，技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：《直接公开》<br>其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。 | 对比文件[0014]：“键合通过施加垂直力或通过超声波振动金线来进行。” [0019]：“通过施加压力或通过超声波振动形成铝线和基板之间的楔形键合。” | 对比文件明确使用超声波振动进行键合，属于超声焊接。因此，技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：《直接公开》<br>其中所述导体（6）包括金属线。 | 对比文件[0014]：“金线”。[0018]：“铝线”。 | 对比文件公开导体为金属线（金线、铝线）。因此，技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：《直接公开》<br>其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。 | 对比文件[0018]：“使用铝线”。[0019]：“铝线”。 | 对比文件公开金属线包含铝，满足“包含铜、铝或银”这一可选条件（“和/或”关系，材料公开即视为公开）。未明确提及“扁平”，但特征H的“和/或”结构使得材料公开即为公开。因此，技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：《直接公开》<br>其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。 | 对比文件[0025]：“焊盘50作为金属互连部。” | 对比文件中焊盘（接触区）作为IC器件（单元）的电极接触点，提供电连接，功能等同于电极。因此，技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：《未公开》<br>其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）。 | 对比文件[0025]：“Ta钝化层54沉积在基板52上，封装Cu互连部。” | 对比文件仅公开钝化层封装接触区，未明确封装单元（IC器件）。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出封装覆盖单元。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：《未公开》<br>其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。 | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 对比文件虽然使用了超声波，但未公开任何具体频率或频率范围。因此，技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：《未公开》<br>其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。 | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 同上，对比文件未公开频率范围，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：《未公开》<br>其中所述超声焊接工作于35kHz。 | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 对比文件未公开具体频率，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：《未公开》<br>一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）。 | 对比文件涉及半导体器件，非OLED。 | 对比文件涉及半导体器件及其引线键合方法，未涉及OLED制造或结构。因此，技术特征N未被公开。 |
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