目标专利:1304带有发光二极管的照明系统
专利公开号:CN100576588C
专利权人:皇家飞利浦电子股份有限公司
无效请求书提交日期:2026年
非显而易见性评估仅供参考,不构成法律建议。
| 编号 | 名称 |
|---|---|
| 0 | 1994-08-19_None_发明专利_JPH06230731A Led display device_+++A_C_D_E_F_L_Q_R_b_s+++.docx |
| 0 | 1998-06-09_None_发明专利_JPH10151794A Light emitting device and method for molding it_+++A_B_C_E_Q_R_S_k+++.docx |
| 0 | 2001-02-16_JP2001044516A_发明专利_JP2001044516A Light emitting diode.docx |
| 0 | 2002-08-27_JP2002238681A_发明专利_JP2002238681A Method for mounting hot air machine to cabinet and cabinet with hot air machine.docx |
| 0 | 2002-09-27_JP2002280614A_发明专利_JP2002280614A Light emitting diode_+++A_C_R_b_e_f_k_q_s+++.docx |
| 0 | 2003-08-21_AU2003200373A_发明专利_AU2003200373A1 Wheel positional restraint device and method for using the same.docx |
| 0 | 2003-08-29_JP2003243717A_发明专利_JP2003243717A Light emitting device_+++A_B_C_E_F_H_I_N_Q_R_g_k+++.docx |
| 0 | 2004-02-12_US2004027067A_发明申请_US20040027067A1 Light emitting diode, light emitting device using the same, and fabrication processes therefor_+++A_b+++.docx |
| 0 | 2004-04-15_JP2004115429A_发明专利_JP2004115429A Eyesight improver.docx |
| 0 | 2004-06-03_JP2004158557A_发明专利_JP2004158557A Similar flip chip type light emitting diode device package.docx |
| 0 | 2006-06-15_None_发明专利_JPWO2004082036A1 固体素子デバイスおよびその製造方法_+++A_B_D_K_L_Q_R_c_f_g_h_j+++.docx |
一种照明系统包括,至少一个发光二极管芯片;每个发光二极管芯片包括设置有用来发光的发光层(1)的LED衬底 (2);所述至少一个发光二极管芯片排列在光学衬底(10)上;所述至少一个发光二极管芯片的发光层(1)面对光学衬底(10);所述至少一个发光二极管芯片发出的光经由光学衬底(10)的出光 窗口(11)发出;该出光窗口(11)背向发光层(1);光学衬底(10)包括散热装置;其特征在于,光学衬底(10)包括半透明多晶陶瓷材料;该半透明多 晶陶瓷材料作为散热装置;该半透明多晶陶瓷材料对于由发光二极管 芯片发出的光是半透明的。
根据权利要求1所述的照明系统,其中半透明多晶陶瓷材料选 自包括钇铝石榴石、多晶氧化铝和氮化铝的组。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中散热装置包括施加 于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧上的金属化层(16)。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中散热装置包括施加 于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧的散热器(17)。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中所述至少一个发光 二极管芯片被嵌入进光学衬底(10)中。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中光学衬底(10)包括:-用于将由发光二极管芯片发出的光的至少一部分转换成不同颜 色的光的发光材料;和/或-等于发光二极管芯片的折射率的折射率;和/或-选自包括微透镜和衍射图案的组的光学结构。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中金属连接(23)设置在 光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧;该金属连接(23)给所述至 少一个发光二极管芯片供电。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中光键合装置(12) 设置在所述至少一个发光二极管芯片和光学衬底(10)之间。
根据权利要求1或2所述的照明系统,其中至少一个发光二极 管芯片在标称功率下驱动时;辐射功率输出至少为100mW。