对比文件的名称：1994-08-19_None_发明专利_JPH06230731A Led display device
目标专利的名称：1304带有发光二极管的照明系统CN100576588C
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：至少一个发光二极管芯片《直接公开》 | [0011]“ＬＥＤチップ１上には発光ドットに対応したバンプ６が発光面側２３に形成されており”（翻译：LED芯片1上形成有与发光点对应的凸点6在发光面侧23） | 对比文件明确公开了LED芯片1，即至少一个发光二极管芯片，本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定。 |
| 技术特征B：每个发光二极管芯片包括设置有用来发光的发光层(1)的LED衬底(2)《隐含公开》 | [0011]“ＬＥＤチップ１...発光部８は光透過性基板５の裏面に対向するように配設されており”（翻译：LED芯片1的发光部8设置为面对光透过性基板5的背面） | 对比文件公开了LED芯片1及其发光部8，本领域技术人员公知LED芯片通常包括衬底和设置在其上的发光层，因此可合理推断出该特征。 |
| 技术特征C：所述至少一个发光二极管芯片排列在光学衬底(10)上《直接公开》 | [0011]“ＬＥＤチップ１...光透過性基板５上には...”（翻译：LED芯片1...在光透过性基板5上...） | 对比文件明确记载LED芯片1排列在光透过性基板5上，该基板即为光学衬底，直接公开。 |
| 技术特征D：所述至少一个发光二极管芯片的发光层(1)面对光学衬底(10)《直接公开》 | [0011]“ＬＥＤチップ１の発光部８は光透過性基板５の裏面に対向するように配設されており”（翻译：LED芯片1的发光部8设置为面对光透过性基板5的背面） | 发光部8即发光层，其面对光透过性基板5，直接公开。 |
| 技术特征E：所述至少一个发光二极管芯片发出的光经由光学衬底(10)的出光窗口(11)发出，该出光窗口(11)背向发光层(1)《直接公开》 | [0011]“ＬＥＤチップ１からの光は光透過性基板５を透過し、外部に放射される。光透過性基板５の表面側にはチップ等は搭載されておらず、平坦な面となっている。”（翻译：从LED芯片1发出的光透过光透过性基板5，向外部辐射。光透过性基板5的表面侧没有搭载芯片等，是平坦的面。） | 光从基板表面（出光窗口）发出，该表面背向发光层，直接公开。 |
| 技术特征F：光学衬底(10)包括散热装置《直接公开》 | [0020]“放熱・配線部材６０が設けられている点が特徴である。...この放熱・配線部材６０が設けられた構成により、ＬＥＤチップ１が発生する熱は効率的に放出され、温度上昇を抑えることができる。”（翻译：放热/配线部材60的设置是特征。...通过该结构，LED芯片1产生的热被有效释放，抑制温度上升。） | 对比文件明确公开了放热/配线部材60作为散热装置，且其设置在光透过性基板5上，因此光学衬底包括散热装置。 |
| 技术特征G：光学衬底(10)包括半透明多晶陶瓷材料《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件中的光学衬底为光透过性基板，实施例中为玻璃，未提及半透明多晶陶瓷材料。 |
| 技术特征H：该半透明多晶陶瓷材料作为散热装置《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开该材料，更未公开其作为散热装置。 |
| 技术特征I：该半透明多晶陶瓷材料对于由发光二极管芯片发出的光是半透明的《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开该材料及其光学特性。 |
| 技术特征J：其中半透明多晶陶瓷材料选自包括钇铝石榴石、多晶氧化铝和氮化铝的组《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开任何上述材料。 |
| 技术特征K：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧上的金属化层(16)《未公开》 | [0011]“一方、ガラス基板などの光透過性基板５上には予めＬＥＤチップ１のバンプのピッチ及び大きさに対応した配線パターン９が形成されている。”（翻译：另一方面，在玻璃基板等光透过性基板5上预先形成有对应于LED芯片1的凸点间距和大小的配线图案9。） | 对比文件虽在基板背侧形成有配线图案9（金属化层），但未公开该金属化层作为散热装置的一部分，且散热装置（放热/配线部材60）并不包括该金属化层。因此未公开。 |
| 技术特征L：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧的散热器(17)《直接公开》 | [0020]“放熱・配線部材６０は光透過性基板５と導電性接着剤７を介して接続され”（翻译：放热/配线部材60通过导电粘合剂7与光透过性基板5连接）以及该部材的散热功能描述 | 放热/配线部材60即散热器，施加于基板背面（背向出光窗口），直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述至少一个发光二极管芯片被嵌入进光学衬底(10)中《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件中LED芯片安装在基板表面，未嵌入。 |
| 技术特征N：其中光学衬底(10)包括：-用于将由发光二极管芯片发出的光的至少一部分转换成不同颜色的光的发光材料《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及发光材料转换。 |
| 技术特征O：和/或-等于发光二极管芯片的折射率的折射率《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及折射率匹配。 |
| 技术特征P：和/或-选自包括微透镜和衍射图案的组的光学结构《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及微透镜或衍射图案。 |
| 技术特征Q：其中金属连接(23)设置在光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧《直接公开》 | [0011]“一方、ガラス基板などの光透過性基板５上には予めＬＥＤチップ１のバンプのピッチ及び大きさに対応した配線パターン９が形成されている。”（翻译：在光透过性基板5上预先形成有配线图案9。） | 配线图案9为金属连接，设置在基板背向出光窗口的一侧（即背面），直接公开。 |
| 技术特征R：该金属连接(23)给所述至少一个发光二极管芯片供电《直接公开》 | [0011]“このＬＥＤのバンプ６と配線パターン９はＡｇぺーストなどの導電性接着剤７を介してフェイスダウン方式で接続されている。”（翻译：LED的凸点6和配线图案9通过Ag膏等导电粘合剂7以倒装方式连接。） | 通过配线图案9和凸点6给LED芯片供电，直接公开。 |
| 技术特征S：其中光键合装置(12)设置在所述至少一个发光二极管芯片和光学衬底(10)之间《隐含公开》 | [0011]“導電性接着剤７を介してフェイスダウン方式で接続されている。”（翻译：通过导电粘合剂7以倒装方式连接。） | 对比文件公开了在LED芯片和光透过性基板之间设置导电粘合剂7作为连接材料，该粘合剂起到键合作用，且位于芯片与基板之间，本领域技术人员可合理推断出该键合装置即为光键合装置，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：其中至少一个发光二极管芯片在标称功率下驱动时，辐射功率输出至少为100mW《未公开》 | 无相关公开内容 | 对比文件未提及功率输出。 |
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