制造包装载体(55)的方法，所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31)；所述方法包括以下步骤；提供牺牲载体(20)；所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)；将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22) and 凹入部分(23)；提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40)；以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上；从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分；通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45)；而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分；以及将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去；从而产生凹槽(47)；所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置；并且暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个；所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60)；所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)。

作为资深专利代理师，我针对您提供的目标专利（CN100586253C）权利要求1，结合目标专利说明书及三份对比文件（D1: JP2003158252A、D2: JPH10189792A、D3: US2005085105A1）进行深度法律与技术比对分析。

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## 一、 说明书对权利要求1技术特征的解构与认定

根据《专利审查指南》及专利法第59条，权利要求应结合说明书进行解释：

1. **牺牲载体（20）与图案（30）[特征C, D]**：说明书指出牺牲载体通常为多层金属（如铜/铝），用于临时承载导电衬块（31）与导电轨道（32）。

2. **弯曲产生升高部分（22）与凹入部分（23）[特征E]**：通过对牺牲载体进行弯曲塑形，使承载表面形成不同高度水平的起伏（如波纹状）。**这是自动形成体构件凹槽（47）的核心预备步骤**。

3. **覆盖构件（40）及其孔（41）[特征F, G, H]**：覆盖构件为绝缘材料（如防焊剂/阻焊层），预先开有高精度微孔（41），布置于升高部分（22），覆盖部分导电图案。

4. **体构件（45）形成与顶部防阻[特征I, J]**：将塑封材料（如环氧树脂）包覆成型（注模/超模压）。通过模具突出件顶住覆盖构件（40）的顶部（即包围孔的区域），**确保体构件材料不遮挡该顶部及孔（41）**。

5. **除去牺牲载体产生凹槽（47）及暴露衬块 [特征K, L, M, N, O, P]**：通过化学蚀刻/剥离去除牺牲载体，**原牺牲载体升高部分（22）所占空间即自然转化为体构件側面的凹槽（47）**；该凹槽暴露导电衬块（31）用于连接微电子元件（60），且**凹槽（47）与覆盖构件的孔（41）相通**，从而形成极其微小的流体/声学测量通孔。

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## 二、 对比文件技术特征比对与公开性认定

### 1. 对比文件公开号及指代

* **D1**：JP2003158252A

* **D2**：JPH10189792A

* **D3**：US2005085105A1

### 2. 特征比对表格（Feature Mapping Table）

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## 三、 最接近的对比文件（最接近现有技术）分析

在评估创造性时，**D2 (JPH10189792A)** 与 **D1 (JP2003158252A)** 均具备作为最接近对比文件的潜力，其中**D2最为合适**。

### 1. D2 (JPH10189792A) 作为最接近对比文件分析

* **技术领域与问题**：D2涉及半导体芯片的封装及其制造方法，解决模塑过程中的树脂溢料（溢边）、溢气以及封装体防潮、降低成本的问题。与本专利解决“简化微型封装透孔/凹槽加工、避免模具损坏导线及精密控制微孔位置”的技术问题极为相近。

* **技术方案重合度**：D2公开了利用板状金属基底（Base Metal 5）进行**弯曲加工（成型为包含升高/凹入的立体结构）**，在其表面形成配线层6，随后置于模具内注入树脂包覆成型（Overmold/Insert Mold），并暴露电气连接部6a和外部电极部6b。

* **主要区别特征**：

1. D2的金属基底5是**永久留在封装体内的**（作为防湿板和散热板），而本专利特征C/K/M是**“牺牲载体”，在成型后需除去，通过去除升高部分空间自动形成体构件侧面的凹槽（47）**；

2. D2未公开在升高部分设置带有孔（41）的覆盖构件（40）[特征F, G, H, J, P]。

### 2. D1 (JP2003158252A) 作为替代的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D1公开了一种立体打印基板（MID）封装固体摄像元件的方法，解决了封止过程气体排出及热变形问题。

* **与本专利的区别**：D1直接采用成型好的立体树脂基板，不包含“利用牺牲载体弯曲成型再蚀刻去除以形成凹槽”的工艺体系。

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## 四、 未被最接近对比文件公开特征的组合状况

最接近对比文件（D2）未公开的核心区别特征组合为：

1. **“牺牲载体”及其去除形成凹槽机制** [特征C, E, K, L, M]：D2的弯曲金属基底不去除。D1、D3均未公开“弯曲牺牲基底并在成型后蚀刻去除以在体构件侧面产生特定形状凹槽”的技术教导。

2. **带微孔覆盖构件的复合结构及其与凹槽的配合** [特征F, G, H, J, P]：

* D3 (US2005085105A1) 说明书第 [0022] 及 [0034] 段公开了在柔性PCB薄膜（聚酰亚胺）上通过照相平版印刷/等离子蚀刻形成微孔（Microvias）并暴露凸起电极的技术。

* **然而**，D3中的薄膜是作为最终电路连接板存在，并没有“将带孔覆盖构件贴于弯曲牺牲载体升高部，通过模具抵顶保护顶部不被注塑覆盖，最后与牺牲载体去除后留下的凹槽打通延伸”的整体工艺教导。

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## 五、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利权利要求1提起无效宣告请求，**最薄弱（即最容易被攻破/最缺乏创造性）的技术特征**为：

### 1. 特征F、H（提供带孔绝缘覆盖构件并覆盖部分导电图案）

* **薄弱原因**：在半导体和PCB制造领域，在导电线路表面覆盖带开孔的阻焊层/防焊剂（Solder Mask）属于**本领域的公知常识（Common General Knowledge）**。说明书本身亦承认覆盖构件可采用“熟知的防焊剂”。仅就“在导线上铺设防焊层并开孔”而言，技术门槛极低。

### 2. 最强固（最难被无效）的核心特征组合（防御壁垒）：

* **【特征E + 特征I + 特征K + 特征M + 特征P】的协同组合**：

* **构思巧妙性**：本专利利用“弯曲牺牲载体”这一逆向思维，在注塑时“占位”，蚀刻去除牺牲载体后，**原升高部分自动转化为体构件的凹槽**，且该凹槽自然与预先贴在升高部的覆盖构件的微孔相通。

* **克服现有技术偏见**：传统微型封装（如D1、D2）形成深小凹槽/微孔需要极其昂贵的高精度模具且易压碎导线。本专利通过牺牲载体物理弯曲占位，完美避开了高难度模具注塑和后工序机械钻孔。三份对比文件均**未给出将“牺牲载体预弯曲”与“去除后自形成凹槽及通透微孔”相联合的技术教导**。

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## 六、 进一步的对比文件检索策略建议

为了成功无效权利要求1，必须突破上述“弯曲牺牲载体占位成型凹槽”的技术壁垒，建议采取以下精准检索策略：

### 1. 核心分类号（IPC / CPC）联合检索

建议重点锁定“牺牲层/临时基底成型”及“MID（立体电路）”相关分类号：

* **H01L 21/56**（半导体器件的封装/部件防护）

* **H01L 23/498**（用于半导体或其他固体器件的引线框架或基板）

* **H05K 3/00 / H05K 3/46**（印刷电路的制造；多层电路）

* **H05K 1/18 / H05K 3/38**（具有立体三维结构的印刷电路 / MID技术）

### 2. 关键词逻辑表达（检索要素组合）

应将“牺牲载体/临时基板”、“弯曲/波纹/预成型”、“凹槽/腔体”、“蚀刻/去除”作为核心要素：

* **要素1（牺牲/临时）**：`(牺牲 OR 临时 OR 可蚀刻 OR 剥离) AND (载体 OR 基底 OR 基板 OR 衬底 OR 箔)` / `(sacrificial OR temporary OR dummy OR dissolvable) NEAR3 (carrier OR substrate OR frame OR foil)`

* **要素2（弯曲/形变）**：`(弯曲 OR 冲压 OR 屈曲 OR 波纹 OR 阶梯) NEAR5 (升高 OR 凹陷 OR 立体 OR 高度)` / `(bent OR bend OR stamped OR corrugated OR stepped OR 3D) NEAR5 (raised OR recessed OR profile)`

* **要素3（成型与去除）**：`(塑封 OR 注塑 OR 包覆 OR 模压) AND (蚀刻 OR 除去 OR 溶解) AND (凹槽 OR 腔体 OR 盲孔)` / `(molding OR encapsulating) AND (etching OR removing) AND (recess OR cavity OR groove)`

### 3. 重点检索方向建议

1. **MEMS / 麦克风 / 气体传感器封装领域**：此类器件（如目标专利说明书图3、图4所述）对背腔（Back-cavity）和微型进气/进声孔有强烈需求，该领域在2000–2008年间有大量利用牺牲金属块/牺牲箔（Sacrificial Foil/Layer）冲压成型背腔的封装专利。

2. **追溯日本专利（JPO）与美国专利（USPTO）**：重点关注EPCOS、Infineon、Bosch、Amkor、ASE等封测巨头在2000–2007年间申请的牺牲层三维封装专利。

### 一、 目标专利权利要求理解与说明书解构

目标专利（CN100586253C）涉及一种适用于封闭至少一个微电子元件的包装载体（55）及其制造方法。

根据目标专利说明书的记载，对权利要求1中各项技术特征的实质含义解读如下：

* **技术特征A（包装载体及功能）**：包装载体（55）适于封闭微电子元件（60、61），并带有用于与外部设备电气连接的导电连接衬块（31）。

* **技术特征C、D（牺牲载体及其初始状态）**：提供牺牲载体（20），其承载表面（24）上带有导电连接衬块（31）和导电轨道（32）组成的图案（30）。根据说明书，牺牲载体通常为金属层（如铜层或铜/铝双层），用于临时承载导电图案。

* **技术特征E（弯曲形变）**：将牺牲载体（20）弯曲，从而在其承载表面（24）产生升高部分（22）和凹入部分（23）。说明书指出，**将载体弯曲形成不同水平高度的部分，是本发明产生用于接收微电子元件的凹槽（47）的关键核心手段**。

* **技术特征F、G、H（覆盖构件及定位）**：提供带有至少一个孔（41）的覆盖构件（40，如阻焊剂层），将其设置在载体（20）上，使得孔（41）及包围孔的顶部出现在弯曲牺牲载体（20）的**升高部分（22）**上，并覆盖导电图案（30）的至少一部分。

* **技术特征I、J（体构件注塑/包覆成型）**：通过将材料（如环氧树脂/塑封料）应用于承载表面（24）、导电图案（30）及覆盖构件（40）的一部分来形成体构件（45），**同时保持覆盖构件（40）的顶部部分（即孔41所在区域）不被注塑材料覆盖**。说明书提到，这通常利用带有突出件的模具顶住覆盖构件顶部来实现。

* **技术特征K、L、M、N、O（牺牲载体去除与下凹槽形成）**：除去牺牲载体（20）的至少一部分，从而在牺牲载体原来被除去的位置（即**升高部分22曾经所在的位置**）产生凹槽（47），并暴露导电连接衬块（31），用于在体构件侧面电气耦接微电子元件（60）。

* **技术特征P（通道贯通）**：凹槽（47）延伸到覆盖构件（40）中的孔（41），使得安装在凹槽（47）内的微电子元件（如生物/化学传感器、麦克风等）的敏感表面可以通过孔（41）与外部流体/环境接触。

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### 二、 对比文件特征比对与公开情况分析

针对各对比文件原文（D1：US20050082648A1、D2：WO2005038911A1、D3：JP2003125295A），对权利要求1（技术特征A~P）的公开情况比对如下：

#### 1. D1 (US20050082648A1) 分析

* **实质公开内容**：D1公开了一种陶瓷封装及片式电阻的制造方法。其通过在可塑性陶瓷生片（green sheet）上印刷导电浆料形成导电层，然后利用硬质模具冲压/模压（press forming）生片使其产生凹陷凹槽/腔体（bottoms 4, openings 2），最后进行烧结, [0073]-[0076]]。

* **主要区别**：

1. D1中的基底是**陶瓷生片（Ceramic Green Sheet）**，烧结后成为永久封装基板，**并非“牺牲载体（Sacrificial Carrier）”**；

2. D1不存在在牺牲载体上设置带有孔的覆盖构件（阻焊层等）、注塑体构件后剥离/蚀刻去除牺牲载体的工艺过程；

3. D1没有形成贯通至覆盖构件孔洞的凹槽构造。

#### 2. D2 (WO2005038911A1) 分析（目标专利背景技术引用的文献）

* **实质公开内容**：D2公开了一种微流体/传感器封装设备及制造方法。D2使用了**带有牺牲层的载体（carrier with a sacrificial layer）**，在牺牲层上形成多层导电轨道（120）]。然后注塑/模压绝缘树脂主体（body/encapsulation 40），使导电轨道机械锚固在主体中，之后**至少部分去除牺牲层/载体**]。在其主体中形成有从第一侧延伸至第二侧的截面呈梯形的凹槽/通孔（recess 110），传感器元件（200）以倒装芯片（flip-chip）方式安装在第一侧，其敏感功能区（210）通过凹槽（110）暴露并可接触流体, [p0006]]。D2还明确提到了**弯曲载体（the carrier can be bent）**]。

* **主要区别**：

1. D2中的凹槽（110）是通过模具在平整注塑主体中直接成型出的贯穿通孔，**并不是通过“将牺牲载体弯曲产生升高部分，并在移除升高部分后在主体侧面形成凹槽（47）”**实现的；

2. D2未公开在牺牲载体上预先设置带有孔的覆盖构件（40），并使得孔及顶部出现在弯曲载体的升高部分上。

#### 3. D3 (JP2003125295A) 分析

* **实质公开内容**：D3公开了一种光学半导体装置（如CCD/CMOS摄像模块）及其制造方法。D3采用铜导电箔（32）作为起始材料，通过半蚀刻形成导电图案（22）及分离沟（33）, [0048]]，注塑树脂形成框状部（26）和凹部（28）]，安装半导体芯片（24）并贴合玻璃板（29）形成气密中空腔体, [0066]]，最后**从背面全域蚀刻/研磨去除导电箔（32）的背面**，使导电图案相互独立并露出树脂-[0074]]。这里的铜导电箔在树脂成型后被部分削薄/除去，起到类似牺牲载体的临时支撑作用。

* **主要区别**：

1. D3是通过在平板导电箔上**化学半蚀刻（Half-etching）**形成凹凸分离沟（33），**而非通过物理机械“弯曲（bend）牺牲载体”**来产生升高和凹入部分；

2. D3使用透明玻璃板（29）整体盖在树脂框上作为密封窗，并非在牺牲载体升高部上预设带孔的覆盖构件（40）；

3. D3去除导电箔背面是为了实现引脚电隔离，其树脂框（26）与玻璃板（29）围成的凹部（28）在注塑时即已形成，并非由“去除牺牲载体升高部”而产生的侧面凹槽。

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### 三、 权利要求1技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在本案的创造性评估中，**D2（WO2005038911A1）** 最适合作为**最接近的对比文件（第一最接近对比文件）**，同时 **D3（JP2003125295A）** 也可作为**备选的最接近对比文件**。

#### 1. 选择 D2 作为最接近对比文件的理由：

* **技术领域与整体解决的技术问题极度契合**：D2 与本发明均属于“用于生物/化学传感器或微型电子元件的流体接触式微型封装包装及制造方法”-[0004]]。目标专利背景技术段落明确指出，本发明正是为了解决 D2 中存在的技术缺陷（D2 中直接在注塑主体上模压小尺寸贯通通孔凹槽需要极高精度的模具且容易损坏牺牲载体上的导线）而作出的改进。

* **技术方案重合度最高**：D2 已经公开了：使用带牺牲层的载体、在牺牲层上布置导电图案、注塑成型绝缘主体、至少部分去除牺牲层露出导电焊盘，以及在主体上形成通向微电子元件敏感表面的凹槽/通孔（110）]。

#### 2. 最接近对比文件（D2）未公开的技术特征：

区别技术特征主要集中在：

1. **特征E、L、M**：通过**将牺牲载体弯曲产生升高部分**，并在成型后**除去牺牲载体的升高部分，从而在升高部分曾经所在的位置自动产生用于容纳微电子元件的凹槽（47）**。

2. **特征F、G、H、J、P**：在牺牲载体升高部上预先设置**带有小孔（41）的覆盖构件（40）**，并在注塑时保持覆盖构件顶部（孔41区域）不被遮盖，使凹槽（47）最终延伸并贯通至覆盖构件的孔（41）。

#### 3. 区别特征带来的技术效果与实际解决的技术问题：

* **技术效果**：

* 利用弯曲载体的不同高度水平，在注塑体构件时**无需复杂的高精度细小模具突出件即可自动获得微型凹槽（47）**，极大降低了模具加工成本和模具闭合时损坏导线的风险。

* 利用光刻或丝网印刷预先制作极其薄且具有高分辨率孔（41）的覆盖构件（40），使得通孔直径可以做到远小于现有技术，且极薄的覆盖构件不会干扰流体在传感器表面的顺畅流动。

* **实际解决的技术问题**：如何简化封装主体微小通孔/凹槽的加工工艺、降低模具成本并避免注塑损坏导线，同时实现高精度的微小流体通道贯通。

#### 4. 其他对比文件（D1、D3）对区别特征的公开情况：

* **D1 (US20050082648A1)**：虽然提到了冲压/压制（press forming），但压制对象是**陶瓷生片（Green Sheet）本身**，并非“弯曲牺牲载体”，且无“带孔覆盖构件”的设计。因此 D1 **未公开**上述区别特征。

* **D3 (JP2003125295A)**：虽然也涉及光学封装且消除了传统基板，但其凹槽/沟槽是通过对平板铜箔进行**化学半蚀刻（Half-etching）**形成的]，**并非通过机械弯曲（bending）牺牲载体**。D3 亦**未公开**上述区别特征。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对目标专利权利要求1发起专利无效宣告请求，目前现有技术组合（D1+D2+D3）中**最薄弱（即专利权人最容易成功防御、无效方最难攻破）的技术特征**为：

> **“将所述牺牲载体弯曲以在所述承载表面中产生升高部分和凹入部分……除去牺牲载体产生凹槽，所述凹槽位于所述牺牲载体的所述升高部分曾经所处的位置”（特征E、L、M的结合）**

#### 薄弱性（对无效方而言的攻坚难点）原因分析：

1. **现有技术教导相反或不同**：

* 在现有的牺牲载体/引线框架封装领域（如 D3），制造局部凹凸结构的通用技术手段是**化学半蚀刻（Half-etching）**或**选择性冲切/冲压**]。

* D2 虽然提及了“carrier can be bent”（载体可被弯曲），但其语境是指整体柔性折叠（如将第四部分折叠作为盖板，见 D2 图10）, Fig.10]，**完全没有将牺牲载体预先弯曲成波浪形/阶梯形升高部，并利用该升高部在注塑后‘占位’、待剥离后原位形成封装凹槽**的技术教导。

2. **“以弯曲占位形成凹槽”构成了极强的技术偏离与协同效果**：本专利巧妙地利用了牺牲载体被弯曲后的空间几何形态作为注塑模腔的一部分，避开了 D2 中必须依赖高精微型模具顶针形成微孔的行业痛点。这种“弯曲载体 -> 塑封 -> 蚀刻去除 -> 原位留凹槽”的工艺构思在现有三篇对比文件中均未获得技术教导。

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### 六、 进一步对比文件检索策略建议

为了彻底攻破权利要求1的创造性（尤其是攻破上述“弯曲牺牲载体原位成型凹槽”及“预置带孔覆盖构件”特征），建议采取以下补充检索策略：

#### 1. 调整检索要素与关键词组合（Focusing on Core Concepts）

* **核心要素一（弯曲牺牲/临时载体）**：

* 关键词：`牺牲载体` / `临时载体` / `引线框架` / `金属箔` + `弯曲` / `波纹` / `冲压成型` / `预成型`

* EN Keywords: `(sacrificial carrier OR temporary substrate OR leadframe OR metal foil) AND (bend* OR bent OR corrugated OR stamped OR profiled OR stepped)`

* **核心要素二（原位形成凹槽/腔体）**：

* 关键词：`剥离` / `蚀刻` / `去除` + `凹槽` / `腔体` / `通孔` + `占位` / `模塑`

* EN Keywords: `(remove* OR etch* OR sacrificial) AND (recess OR cavity OR trough OR opening) AND (molding OR encapsulat*)`

* **核心要素三（带孔覆盖层/阻焊层）**：

* 关键词：`覆盖层` / `阻焊剂` / `绝缘层` + `预制孔` / `微孔` + `暴露敏感面`

* EN Keywords: `(cover member OR solder resist OR insulation layer) AND (hole OR aperture OR micro-hole) AND (sensor OR MEMS)`

#### 2. 分类号（IPC/CPC）精准交叉检索

建议重点在以下专利分类号中进行交叉扩展检索：

* **H01L21/56**（半导体器件的封装/塑封工艺，特别是涉及临时载体或牺牲层的工艺）

* **H01L23/495**（引线框架及其成型/弯曲技术）

* **B81C1/00**（MEMS/微机电系统或传感器的制造/封装技术，重点关注带微流体通道、膜片暴露的封装）

* **G01N27/00 / B01L3/00**（生物/化学诊断芯片、微流体器件封装）

#### 3. 追踪特定申请人与发明人族聚

* 重点追踪 Philips（飞利浦，即 D2 的申请人）、Infineon（英飞凌）、ASE（日月光）、Amkor（安考）在 2003–2006 年间关于 **"Molded Interconnect Substrates (MIS)"（模塑互连基板）** 或 **"Folded Leadframe Package"（折叠引线框架封装）** 的早期专利申请，此类技术经常涉及载体弯曲及局部蚀刻形成凹腔。

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利说明书（CN100586253C）的教导，对权利要求1进行深度拆解与解释，并紧扣三份对比文件（D1：EP1130646A1、D2：US6379988B1、D3：WO2003085732A1）的原文内容进行逐项特征比对、创造性及无效可行性分析。

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## 一、 结合目标专利说明书解释权利要求1

在理解权利要求1的技术方案时，必须结合目标专利说明书的具体实施方式（尤其是图1a-1j及图3a-3f）来剖析其技术含义与物理实质：

1. **“包装载体(55)”与“微电子元件(60、61)”（特征A、B）：**

说明书明确指出，包装载体是未配有微电子元件时的半成品结构。微电子元件可以是传感器芯片（如血样生物传感器芯片）、MEMS麦克风、处理器芯片等。封装的主要目的在于保护微电子元件，并实现流体/环境接触与电气连接的分离。

2. **“牺牲载体(20)”与“图案(30)”（特征C、D）：**

牺牲载体通常为多层或单层金属板（如铜片），仅用于在制造过程中临时承载导电连接衬块(31)和导电轨道(32)。在后续体构件成型后，该牺牲载体会通过化学蚀刻或剥离的方式被完全或部分除去。

3. **“弯曲以产生升高部分(22)和凹入部分(23)”（特征E）：**

这是本发明的**核心工艺特征**之一。说明书中记载，通过将牺牲载体弯曲（如形成波纹状或梯形截面），使其表面形成处于不同水平高度的高度差。这一预先弯曲的动作决定了后续注模成型时凹槽(47)的自然形成，无需使用昂贵且易损坏导体的复杂高精度模具。

4. **“覆盖构件(40)”与“孔(41)”（特征F、G、H）：**

覆盖构件优选为绝缘材料薄层（如防焊剂/阻焊层），其上通过光刻、丝网印刷等高精度工艺预先形成极小的孔(41)。覆盖构件跨设在牺牲载体的升高部分(22)上并覆盖部分导电图案。

5. **“体构件(45)”与“不将材料应用于...顶部部分”（特征I、J）：**

体构件是利用环氧树脂等材料在牺牲载体侧包覆成型（Overmolding）制成的塑封主体。在成型过程中，配合带有突出件/波纹的模具，使模具突出件顶住覆盖构件的顶部（孔41周围），从而确保模塑树脂不会封死孔(41)。

6. **“除去牺牲载体...产生凹槽(47)延伸到孔(41)”（特征K、L、M、N、O、P）：**

牺牲载体被蚀刻/除去后，原本由牺牲载体升高部分(22)所占据的空间被“释放”出来，自动在体构件侧面形成凹槽(47)。微电子元件(60)可直接嵌入该凹槽(47)内与暴露出的衬块(31)焊接，且微电子元件的敏感表面通过极浅的孔(41)直接通向外部（如流体通道或声学通道）。

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## 二、 对比文件原文出处与权利要求1特征比对

为了精准评估权利要求1的新颖性与创造性，下表将权利要求1分解为技术特征A~P，并与三份对比文件的原文具体段落及附图进行比对：

* **D1：** EP1130646A1（Chip-mounted enclosure）

* **D2：** US6379988B1（Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices）

* **D3：** WO2003085732A1（MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS PACKAGING）

### 权利要求1特征比对表格

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## 三、 最接近对比文件的选择与技术问题/技术效果分析

### 1. 各对比文件的技术路线与核心教导

* **D1 (EP1130646A1)：** 专注于晶圆级封装（Wafer-scale CMEs）。其核心在于直接以IC芯片/晶圆作为基底，通过电镀/微加工在晶圆上建造侧壁（Side piece 20），再盖上顶片（Top piece 15）。其解决的问题是减小封装体积、降低寄生效应。

* **D2 (US6379988B1)：** 专注于MEMS器件的“后释放（Pre-release）塑封包装”。其核心教导是：先用模塑树脂（14）将未释放的MEMS连同引线框架（20）塑封起来，再利用**模具突出件（54）**减少MEMS上方的树脂厚度（图4B），最后通过酸蚀刻开出窗口（16）并溶解牺牲层（26）释放MEMS。其解决的问题是避免传统封装在切割/键合过程中损坏脆弱的MEMS结构。

* **D3 (WO2003085732A1)：** 专注于多芯片模块（MTM）的高密度互连。通过将MEMS芯片设计成阶梯状（下大上小），并在基板（18）上开出通孔（23/39）来容纳芯片突出部分。

### 2. 最接近对比文件的确定与技术效果评估

从**整体解决的技术问题**与**技术手段的接近程度**来看：

* **最接近的对比文件首选：D2 (US6379988B1)**

* **原因：** D2与目标专利同属于“利用模塑成型并在后续通过局部去除材料形成开口/凹槽以暴露微电子元件敏感区”的封装工艺领域。D2已经公开了“使用带有突出件的模具在包覆成型时保留未覆料区域（特征J）”、“通过化学刻蚀/去除材料形成开口凹槽（特征L）”、“暴露敏感区及电气连接（特征N、O）”等关键工艺理念。

* **解决的技术问题与效果差异：** 目标专利要解决的核心问题是“如何无需昂贵的高精度模具，就能精准制造带有微小通孔且流体与电气连接相分离的封装载体”。目标专利通过**“弯曲牺牲载体”**这一巧妙动作，利用载体的高度差在模塑时**自适应形成凹槽**。而D2依赖模具突出件（54）直接顶向芯片表面，容易对芯片造成机械应力损伤，且对模具精度要求极高。

* **替代的最接近对比文件：D1 (EP1130646A1)**

* 若从“晶圆级/阵列化批量制造微电子元件封闭腔体”的角度出发，D1也可作为最接近的对比文件，但D1完全未涉及塑封成型及牺牲载体蚀刻去除造槽的机理。

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## 四、 区别技术特征与未公开特征分析

以 **D2 (US6379988B1)** 为最接近对比文件，目标专利权利要求1的区别技术特征包括：

1. **特征C、D：** 提供带有导电衬块和轨道图案的“牺牲载体(20)”；

2. **特征E：** 将牺牲载体(20)**弯曲**以在承载表面产生升高部分(22)和凹入部分(23)；

3. **特征F、G、H：** 在牺牲载体上配置带孔(41)的覆盖构件(40)，且覆盖构件跨设在升高部分(22)上覆盖部分导电图案；

4. **特征M、P：** 除去牺牲载体后，凹槽(47)正好形成于**升高部分(22)曾经所处的位置**，且该凹槽延伸至覆盖构件的孔(41)。

**其他对比文件（D1、D3）公开情况审查：**

检索并比对D1 (EP1130646A1) 和 D3 (WO2003085732A1) 的原文，**上述区别特征（特别是“弯曲牺牲载体以产生升高/凹入部并在其上配置带孔覆盖构件”这一组合特征）在D1和D3中均未被公开，亦未被给出任何技术启示**。

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## 五、 无效攻击中最薄弱的技术特征与进一步检索策略

若需针对目标专利权利要求1发起专利无效宣告请求，基于现有三份对比文件（D1、D2、D3）组合**尚不足以破坏其创造性**。我们需要对权利要求1的技术特征进行“软肋”剖析，并制定有针对性的进一步检索策略：

### 1. 权利要求1中最薄弱的技术特征

* **薄弱点1：牺牲载体（Sacrificial Carrier/Leadframe）的使用与化学蚀刻去除（特征C、D、K）**

* 在半导体封装领域（尤其是QFN/BGA封装、Molding工艺），利用铜箔/金属引线框架作为临时载体，在注塑后通过化学酸蚀刻（Etching）将金属载体整体剥离/蚀刻掉以形成线路，属于**极其通用的公知常识（如Leadless Package或Substrate-less Packaging技术）**。

* **薄弱点2：覆盖构件（防焊层/阻焊剂）预先开孔（特征F、H）**

* 在PCB及封装载体制造中，在金属轨道上涂覆阻焊层（Solder Mask）并光刻开孔暴露焊盘，是标准的基础工艺。

* **核心壁垒（最难攻克的特征）：**

* **“冲压/弯曲牺牲载体以作为凹槽模具介质”（特征E、M）：** 目标专利最突出的发明点在于“用弯曲金属载体的几何形变来替代高精度注塑模具的凹凸结构”。只要无法检索到“将牺牲金属板冲压弯曲后注塑、再蚀刻牺牲金属板形成封装腔体/凹槽”的文献，本专利的创造性就难以被摧毁。

### 2. 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

为了补充缺失的关键区别特征（特征E、G、M），建议采取以下针对性的检索策略：

#### (1) 分类号（IPC / CPC）精准锁定

重点聚焦于“带有腔体的半导体/MEMS塑封制造”、“使用牺牲载体/引线框架成型凹槽”的分类号：

* **H01L 21/56**（半导体器件的封装/塑封工艺）

* **H01L 23/495**（引线框架，特别是涉及冲压成型/凹陷成型引线框架）

* **B81C 1/00 320 / 330**（MEMS器件的封装工艺及腔体形成）

* **H01L 21/48**（制造载体/基板的工艺，尤其是蚀刻/冲压组合）

#### (2) 关键词逻辑组合（English & Chinese Keywords）

* **逻辑组1（弯曲/冲压牺牲载体）：**

`("sacrificial carrier" OR "sacrificial substrate" OR "leadframe" OR "copper foil") AND ("bend" OR "bent" OR "stamp" OR "stamped" OR "corrugated" OR "embossed" OR "depression" OR "dimple")`

* **逻辑组2（模塑与蚀刻造槽）：**

`("molded" OR "overmolding" OR "encapsulant") AND ("etching" OR "remove carrier" OR "dissolve carrier") AND ("cavity" OR "recess" OR "groove" OR "pocket")`

* **逻辑组3（阻焊层/薄层通孔）：**

`("solder mask" OR "insulating layer" OR "cover layer") AND ("hole" OR "aperture" OR "micro-hole") AND ("sensor")`

#### (3) 拓展检索方向（Prior Art Sources）

1. **传统QFN/BGA引线框架专利库（如ASE、Amkor、STATS ChipPAC、STATSpac等封装大厂早期专利）：** 重点查找2000-2005年间关于“Cavity QFN”（腔体QFN）或“Stamping Leadframe for Sensor Cavity”的专利文献，这些领域极有可能披露过“冲压凹陷引线框架+注塑+蚀刻底板形成凹槽腔体”的技术方案。

2. **追溯目标专利的同族及引文网络：** 对CN100586253C（或同族WO2006103607A1）审查历史中的对比文件、审查员引文及后续引用文献进行反向追踪。

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## 六、 总结结论

1. **公开性结论：** 现有对比文件 D1 (EP1130646A1)、D2 (US6379988B1) 和 D3 (WO2003085732A1) 均**未独立亦未组合实质公开**权利要求1中的“弯曲牺牲载体以自适应成型体构件凹槽及延伸通孔（特征E、G、M、P）”。

2. **无效建议：** 目前仅凭D1-D3发起无效诉讼**成功率较低**。必须按照上述检索策略，重点补充检索一篇**公开了“冲压/弯曲临时金属载体并包覆成型、后续蚀刻去除载体形成芯片凹槽”**的对比文件作为突破口，再结合D2（模具限料成型）与公知常识（阻焊层开孔）进行组合攻击。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将紧密结合目标专利说明书的教导，对权利要求1进行法律与技术层面的拆解，并与提供的三篇对比文件进行比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

依据目标专利说明书（CN100586253C），权利要求1涉及一种“包装载体（55）的制造方法”，其核心发明构思在于：**利用可弯曲的牺牲载体（20）产生波纹（高低水平面），结合带孔（41）的覆盖构件（40）与模具（15），在一次注塑成型体构件（45）并去除牺牲载体后，自动形成延伸至覆盖构件孔处的凹槽（47），从而免去了高成本精密模具对导线的直接压触，实现了极浅、高精度的流体/声学通路与芯片封装**。

具体技术特征解释如下：

1. **牺牲载体（20）与弯曲操作（特征C、D、E）：**

牺牲载体（如铜片）作为临时承载基底。通过将其弯曲形成升高部分（22）和凹入部分（23）（如波纹状）。说明书明确指出，载体不同水平高度的弯曲形状使得在后续形成体构件（45）时**自动获得凹槽（47）**。

2. **覆盖构件（40）与孔（41）（特征F、G、H、J、P）：**

覆盖构件（40）为薄层绝缘材料（如防焊剂/阻焊层），其上开有高精度的孔（41），覆盖于升高部分（22）处的导电图案（30）上。在成型体构件（45）时，通过模具突出件贴合覆盖构件顶部，**防止模具直接压损导电轨道，并确保材料不堵塞孔（41）**。

3. **体构件（45）与凹槽（47）（特征I、I、K、L、M、N、O）：**

体构件（45）由环氧树脂等成型。去除牺牲载体（如化学蚀刻）后，牺牲载体升高部分（22）原先占据的空间即转化为体构件下侧面的凹槽（47），同时暴露导电衬块（31）用于连接微电子元件（60，如传感器芯片/麦克风），凹槽（47）与覆盖构件的孔（41）相通。

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### 二、 对比文件原文公开内容分析与特征比对

为了清晰指代，先明确各对比文件的公开号：

* **D1：** JPH0513611A (Leadless chip carrier type hybrid ic)

* **D2：** US5438478A (Electronic component carriers and method of producing the same...)

* **D3：** US5451722A (Printed circuit board with metallized grooves)

#### 1. 各对比文件原文公开内容说明

* **D1 (JPH0513611A)：** 公开了一种无引线芯片载体（LCC）型混合集成电路。通过在电路板裏面形成凹部（11），将孤立图样的电镀通孔（8）引出至裏面并切断，以解决多芯片封装问题。其使用的是预先制作好电路图样和通孔的硬质印刷基板（1），**未涉及牺牲载体、弯曲载体或注塑体构件的制造方法**。

* **D2 (US5438478A)：** 公开了一种电子元件载体及其制造方法。其核心是先通过胶粘剂层（26）将引线框架（20）固定在带有通孔（14）和凹腔（12）的印刷电路基板（10）上，再通过熔融焊料填充通孔（14）实现电气连接，最后用树脂（40）模压封装。**其引线框架为平整金属板，未将载体弯曲以产生高低升高/凹入部分来模塑形成凹槽**。

* **D3 (US5451722A)：** 公开了一种具有金属化凹槽的三维印刷电路板的制造方法。利用带有凸起的阳模（50/60）将金属层（40）压入/转移到塑料基板（11）中形成带有金属化凹槽（41-43）的电路板。**该技术是利用模具成型凹槽，未采用“将带有导电图样的牺牲载体弯曲成高低面、注塑后蚀刻牺牲载体形成凹槽”的工艺路径**。

#### 2. 技术特征比对表

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### 三、 最接近对比文件分析与创造性评价

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性分析中，确定“最接近的对比文件”应优先考虑技术领域、所解决的技术问题及技术效果的相近性：

* **最佳最接近对比文件：D3 (US5451722A)**

* **原因：** D3同样属于“三维电路板/微电子载体制造”技术领域，其核心解决的问题是如何**在注塑/层压体构件中形成带有金属化导电轨道的凹槽（三维结构）**。D3采用了“在临时模具/载体上形成金属层，再通过注塑/压合形成塑料体构件，最后剥离临时模具”的**转移成型（Transfer Molding）思想**，在工艺流程和整体构想上与本目标专利最为接近。

* **次要对比文件/参考文件：D2 (US5438478A) 与 D1 (JPH0513611A)**

* D2主要解决引线框架与电路板连接时的物理支撑与电气连接分离、降低热应力的问题；D1主要解决LCC封装中孤立图样的电镀线引出问题。两者均未涉及利用牺牲载体成型三维凹槽的工艺路径。

#### 2. 最接近对比文件（D3）未公开的技术特征及实际解决的技术问题

以 **D3** 为最接近对比文件，权利要求1相对于D3的区别特征包括：

1. **特征E：** 目标专利是将牺牲载体**弯曲**以产生升高部分和凹入部分，而D3是通过精密的阳模（50）硬质凸起直接压塑/成型。

2. **特征F、G、H、J、P（覆盖构件组特征）：** 目标专利在牺牲载体上设置了**带有高精度孔（41）的覆盖构件（40）**，且凹槽延伸至该孔。

**实际解决的技术问题：**

* 如何降低三维凹槽成型模具的加工精度要求与成本，避免模具直接压损牺牲载体上的导电线路？

* 如何在封装体构件中以低成本、高精度的方式开出极浅的流体/声学通路（通孔），以供微电子传感器/麦克风与外界进行物质/声信号交互？

#### 3. 无效宣告请求中最薄弱的技术特征（突破口分析）

根据现有的D1-D3检索结果，**权利要求1的稳定性非常强**，现有的三篇对比文件结合**无法得出**权利要求1不具备创造性的结论。若要提出无效请求，**最薄弱（最容易被攻破或替换）的技术特征是：特征E（将牺牲载体弯曲）**。

* **薄弱点理由：**

“将柔性/金属牺牲载体冲压或弯曲成波纹状/高低面”在半导体引线框架（Lead Frame）预成型或柔性电路板（FPC）加工领域属于较为常见的物理加工手段。只要在冲压/引线框架领域检索到一篇公开了“将金属载体/引线框架预先弯曲/冲压出高低台阶，再对其进行注塑包封，蚀刻载体后利用台阶形成凹腔”的对比文件，特征E即可被轻松攻破。

* **最坚固的技术特征（防御核心）：**

**特征F、G、H、J、P的组合（在弯曲牺牲载体升高处放置带孔的绝缘覆盖构件40）**。

目标专利巧妙地利用了“绝缘阻焊层（覆盖构件）+开孔+注塑顶出”的组合，既充当了绝缘层，又充当了模具压合时的缓冲与封堵结构，使得注塑后能天然形成通向微电子元件灵敏面的浅孔。这一特征在传统PCB和IC封装中极其独特（主要用于诊断芯片、生物/化学传感器、MEMS麦克风封装）。

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### 四、 进一步的对比文件检索策略（无效检索指南）

为了成功无效目标专利权利要求1，建议调整检索方向，重点围绕**“引线框架冲压弯曲成型凹腔”**以及**“传感器/MEMS微流体封装中的防焊层开孔注塑”**展开二次检索：

#### 1. 针对特征E（弯曲牺牲载体成型凹槽）的检索策略

* **核心逻辑：** 寻找将金属板/铜箔预先弯曲/冲压（Stamping/Bending），注塑后蚀刻/剥离（Etching/Sacrificial carrier）形成凹槽或Chip Cavity的专利。

* **关键词组合：**

*(Sacrificial carrier OR Lead frame OR Copper foil) AND (Bending OR Bent OR Stamping OR Corrugated OR Embossed) AND (Cavity OR Recess OR Groove) AND (Etching OR Removal OR Stripping)*

* **分类号（IPC/CPC）：**

* `H01L23/495`（引线框架）

* `H01L21/56`（微电子元件封装）

* `H05K3/00` 或 `H05K3/46`（印刷电路制作，尤其是牺牲层法）

#### 2. 针对特征F-P（绝缘覆盖构件/阻焊层开孔结合注塑成型流体/声学孔）的检索策略

* **核心逻辑：** 寻找在传感器（Biosensor / Chemical sensor）或MEMS麦克风封装中，利用阻焊层/绝缘层（Solder mask / Coverlay）作为模具接触面/封堵层，注塑后留出感应通孔的专利。

* **技术领域拓展：** 重点检索 **MEMS封装（MEMS packaging）、生物芯片（Lab-on-a-chip）、压力传感器/气导传感器封装**。

* **关键词组合：**

*(Solder resist OR Coverlay OR Insulating layer) AND (Aperture OR Hole OR Opening) AND (Molded OR Overmolding OR Insert molding) AND (Sensor OR MEMS OR Microfluidic)*

* **分类号（IPC/CPC）：**

* `B81B7/00` 或 `B81C1/00`（MEMS器件及封装）

* `G01N27/00` 或 `G01N33/00`（生物/化学诊断传感器封装）

* `H04R19/00` 或 `H04R31/00`（MEMS麦克风结构与制造）

针对目标专利（**CN100586253C**，授权公告日：2010-01-27）的权利要求1，结合说明书进行释义，并对照三份对比文件（D1: US4026412A, D2: US4054938A, D3: US4618739A）进行深入的专利有效性/创造性分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的准确解释

在进行特征比对前，必须紧密结合目标专利说明书（尤其是【发明的目的】、【具体实施方式】及图1a-图1j）确定权利要求1中各术语及步骤的真实技术内涵：

1. **“牺牲载体(20)”与“升高部分(22) / 凹入部分(23)”**：

* **说明书释义**：牺牲载体（如铜片/铝层等，说明书[0009]、[0022]）用于临时承载导电图案，后续会被化学蚀刻或剥离除去（[0009]、[0026]）。将牺牲载体弯曲形成波纹状（升高的部分22与凹入的部分23，图1b），其核心目的在于**无需使用高精度复杂模具，仅通过牺牲载体自身的起伏形状，在后续包覆成型（Overmolding）及除去牺牲载体后，自动在体构件(45)中产生用于接收微电子元件的凹槽(47)**（说明书[0010]、[0027]）。

2. **“覆盖构件(40)”与“孔(41)”**：

* **说明书释义**：覆盖构件(40)由电气绝缘有机材料（如阻焊剂、环氧树脂/丙烯酸，[0023]）制成，呈薄层/薄带状。其关键作用有两个：一是通过光刻、喷墨等高精度工艺预先在覆盖构件上制备出微小的“孔(41)”（[0011]），从而避免模具直接接触/损坏导体（[0011]）；二是作为凹槽(47)底部的薄界隔，使得微电子元件（如传感器芯片）的敏感表面能透过该孔与外界流体/声波相互作用（[0013]、[0029]）。

3. **“体构件(45)”与“凹槽(47)”的形成机制**：

* **说明书释义**：体构件(45)是通过在牺牲载体承载图案的一侧注模/包覆成型（如环氧树脂）制成（[0009]、[0024]）。模具的突出件会压在覆盖构件顶部（顶部分不封胶，保留孔41开放，[0012]、[0025]）。当牺牲载体(20)被蚀刻除去后，**原牺牲载体升高部分(22)占据的空间就变成了体构件(45)侧面的凹槽(47)**（说明书[0010]、[0026]、图1g-1h）。

4. **整体技术方案的因果逻辑**：

* 弯曲牺牲载体产生升高/凹入段 $\rightarrow$ 升高段附着带孔覆盖构件 $\rightarrow$ 注模形成体构件 $\rightarrow$ 蚀刻除去牺牲载体升高段 $\rightarrow$ 自动形成**“延伸至覆盖构件孔(41)的凹槽(47)”** $\rightarrow$ 在凹槽内装配微电子元件(60)并连接衬块(31)。

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### 二、 对比文件技术特征比对与公开性分析

以下针对三篇对比文件，结合其原文出处，分析其是否公开权利要求1的技术特征。

#### 1. 对比文件公开号及名称

* **D1**: US4026412A (*Electronic circuit carrier and test fixture*)

* **D2**: US4054938A (*Combined semiconductor device and printed circuit board assembly*)

* **D3**: US4618739A (*Plastic chip carrier package*)

#### 2. 特征比对总表（结合原文详细出处）

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### 三、 各对比文件详细公开性与局限性分析

#### 1. 对比文件 D1 (US4026412A)

* **公开内容**：D1公开了一种用于微电子封装（如蝶形封装，FIG.1-3）的测试载体和测试夹具。其主体(body 36)带有凹槽(recess 40)用于放置微电子封装(10)，底部包含散热器(38)，并通过槽(slots 42/44)和导线(60/62)引出电气连接到母板(74)。

* **缺陷与差异**：

1. D1属于**成品微电子器件的测试/运输载体结构**，而非制造微电子封装载体的方法。

2. D1的主体36采用玻璃纤维填充环氧树脂等绝缘材料模制或机械加工成型，**完全没有使用“牺牲载体”、更无“弯曲牺牲载体产生升高/凹入部并在除去牺牲载体后形成凹槽”的工艺逻辑**（缺少特征C, D, E, I, K, L, M）。

3. D1完全缺少带孔的覆盖构件及通过覆盖构件保护/露出的微结构（缺少特征F, G, H, J, P）。

#### 2. 对比文件 D2 (US4054938A)

* **公开内容**：D2公开了一种将半导体芯片(die 14)直接嵌套在印制电路板(substrate 12)预留孔(hole 26)内的封装方法。芯片置于芯片载体(carrier 20)中，载体嵌入基板孔内，使用键合丝(32)连接芯片与基板衬块(36)。随后在基板上形成环形阻挡壁(Dam 38)，并向Dam内部注入液态封装胶(40)完成封胶（Col.3, l.40-65, FIG.2-4）。

* **对比分析**：

1. **实质公开/相近特征**：D2中的阻挡壁(Dam 38)或防焊涂层（plating resist）与目标专利的“覆盖构件(40)”在材料形态上有一定相似性，均用于限定树脂流动的界限。

2. **根本技术差异**：

* **基板性质**：D2的基板12和芯片载体20均是**最终产品的永久组成部分**，绝非“牺牲载体”（缺少特征C, K）。

* **凹槽形成机制**：D2的基板孔26是**预先机械打孔或冲压形成**（preformed hole，Col.2, l.50-55），并非通过“弯曲牺牲载体 + 注模 + 蚀刻除去牺牲载体”这种自对准/自组装的方式无模化产生（缺少特征E, I, L, M）。

* **工艺流向相反**：目标专利是先在牺牲载体上做胶、成型体构件，最后去载体露凹槽；D2是先有板有孔，再放芯片，最后在正面加Dam封胶。

#### 3. 对比文件 D3 (US4618739A)

* **公开内容**：D3公开了一种塑料芯片载体封装（Pin Grid Array，PGA格式）。其包含注模成型的塑料主体(main body 12)，中央带有芯片连接凹槽(20)，凹槽底部为金属散热板(22)（Col.3, l.20-50, FIG.1）。主体上表面贴合带金属化轨道的塑料薄膜(14)，薄膜中央有开口(32)以露出凹槽。

* **对比分析**：

1. **实质公开/相近特征**：D3公开了在塑料主体上表面粘结一层带中央开口的聚合物薄膜（metallized layer 14），用于引出线路并连接芯片与引脚。

2. **根本技术差异**：

* D3的主体凹槽(20)是在注模时**利用模具形状直接成型**（injection molding，Col.3, l.25-30），没有使用牺牲载体，也没有“弯曲载体”这一步骤（缺少特征C, E, K, L, M）。

* D3的聚合物薄膜(14)是在主体(12)成型**之后**再贴合上去的（Col.3, l.50-65），而目标专利的覆盖构件(40)是在**形成体构件(45)之前**就已经附着在牺牲载体上并参与包覆成型（缺少特征G, I, J）。

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### 四、 创造性分析：最接近对比文件选择与技术效果评估

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果对比

* **目标专利的核心技术问题与效果**：

* **解决的问题**：在传统微电子/传感器封装中，要在绝缘板上制作延伸穿过板且直径极小的微型凹槽/通孔非常困难且昂贵，需要极高精度的模具，且模具闭合时极易压碎/损坏位于孔径边缘的脆弱导线（目标专利说明书[0004]-[0005]）。

* **达到的技术效果**：通过**“弯曲牺牲载体形成高低落差 + 附着带微孔覆盖构件 + 注模成型 + 蚀刻除去牺牲载体”**的组合工艺，利用牺牲载体自身的升高部分天然占位，**免去了高精度微型模具对导线的机械碰撞风险**；且利用光刻/喷墨等手段在覆盖构件上制备超高精度的微孔(41)，实现了高精度流体/声音通道与微电子封装的低成本一体化成型（说明书[0007]-[0011]）。

* **对比文件的技术问题与技术领域匹配度**：

* **D2 (US4054938A)**：解决如何在PCB板上低成本、小体积地集成半导体芯片并实现点胶封装（类似领域：微电子电子封装）。

* **D3 (US4618739A)**：解决塑料芯片载体封装中散热差及自动键合困难的问题（类似领域：塑料芯片封装结构）。

* **D1 (US4026412A)**：解决微电子组件在运输和测试过程中的引线保护问题（非制造工艺领域，匹配度较低）。

#### 2. 最接近对比文件的选择

**最接近的对比文件：D2 (US4054938A)** （注：在某些审查视角下，**D3**也可作为平行参考，但D2在芯片嵌套与局部封封防溢结构上更具可比性）。

* **选D2为最接近对比文件的理由**：

1. **技术领域最接近**：D2与目标专利均属于微电子元件（集成电路芯片）在微型载体/基板上的微型化封装及电气连接技术。

2. **技术特征覆盖**：D2公开了具有凹槽/预留孔的封装基座、在基座上配置微电子元件、导电图案衬块以及利用树脂/Dam层保护和封胶的技术方案。

#### 3. 区别技术特征及其他对比文件是否公开

以 **D2** 作为最接近的对比文件，目标专利权利要求1相对于D2的**主要区别技术特征**为：

1. **特征C、D、E、K**：使用“牺牲载体”，并通过**“将牺牲载体弯曲以产生升高部分和凹入部分”**，后续通过**“除去牺牲载体”**来形成凹槽。

2. **特征G、I、J、L、M、P**：覆盖构件布置在牺牲载体的升高部分，材料应用于牺牲载体和覆盖构件形成体构件（顶部不覆胶），牺牲载体除去后在升高部分原位置**自动产生延伸至覆盖构件孔的凹槽**。

* **其他对比文件（D1、D3）是否公开了上述区别特征？**

* **没有公开**。无论是D1还是D3，均采用传统的“预先模制/机械加工成型固态基座”的思路。没有任何一份对比文件教导或启示过**“利用可弯曲的牺牲载体来塑造封装主体的凹槽空间”**这一核心发明构想。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析与攻击策略

如果在针对目标专利发起专利无效宣告请求时，需要评估其权利要求1的抗无效强度。

#### 1. 最薄弱的技术特征评估

目标专利权利要求1中**相对最薄弱（最容易被公知常识或结合对比文件挑战）的技术特征**是：

* **特征F、H（提供带孔的覆盖构件覆盖导电图案）**：

* *原因*：在印制电路板（PCB）和半导体封装领域，在导电轨道上覆盖一层带开口（微孔）的绝缘层（如防焊漆/阻焊层，Solder Mask）是**本领域的公知常识**。D2中提到了使用阻焊层/Plating Resist作为Dam，D3也提到了在带有导线的绝缘薄膜上开孔露出引脚。因此，“使用阻焊层开孔保护线路”这一特征本身的技术显著性较低。

#### 2. 最坚固的核心特征（无效突破口/难点）

* **特征E + I + K + L + M（弯曲牺牲载体成型凹槽的工艺逻辑）**：

* 这是目标专利最坚固的技术屏障。常规封装工艺要么是用模具冲压/注模出凹槽，要么是在硬质板上钻孔。目标专利巧妙地利用**牺牲载体的形变（弯曲成波纹形）作为“内芯模具”**，注模后再蚀刻掉牺牲载体。这种“以变求形”的牺牲载体成型逻辑在现有的结构型封装对比文件（如D1-D3）中均未体现。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略建议

为了成功无效目标专利权利要求1，现有的D1-D3组合尚不足以破坏其创造性（因为缺少“弯曲牺牲载体成型封装凹槽”的关键教导）。建议采取以下**针对性检索策略**：

#### 1. 检索方向与技术领域拓宽

* **突破传统IC封装领域，进入“牺牲层/牺牲基板工艺”（Sacrificial Substrate / Sacrificial Carrier Process）及“微机电系统（MEMS）封装”领域**：

* 弯曲牺牲金属箔（如铜箔、铝箔）并进行树脂包覆/引线框架成型的技术，极有可能出现在**微型传感器（如麦克风、压力传感器、生物诊断芯片）的引线框架（Leadframe）制造或柔性电路板（FPC）成型技术**中。

#### 2. 核心关键词组合（IPC分类号 + 中英文关键词）

* **重点 IPC/CPC 分类号**：

* `H01L21/56`（半导体器件封装）

* `H01L23/495`（引线框架）

* `H05K3/00` 或 `H05K3/46`（印制电路的制造方法、牺牲层法）

* `B81C1/00`（MEMS器件的制造或封装）

* **英文检索逻辑公式**：

* `(sacrificial OR temporary) WITH (carrier OR substrate OR leadframe OR foil)`

* `AND (bend OR bent OR wave OR corrugated OR embossed OR dimple OR deformation)`

* `AND (mold OR overmold OR encapsulate OR body)`

* `AND (etch OR remove OR strip)`

* `AND (recess OR cavity OR groove)`

* **中文检索逻辑公式**：

* `(牺牲载体 OR 临时基板 OR 牺牲层 OR 铜箔) AND (弯曲 OR 波纹 OR 变形 OR 凹凸 OR 冲压) AND (注模 OR 成型 OR 塑封) AND (蚀刻 OR 除去 OR 剥离) AND (凹槽 OR 型腔 OR 通孔)`

#### 3. 追溯同族与引用文献

* 深入调取目标专利（CN100586253C / 同族WO2008035254A1）在欧洲专利局（EPO）、美国专利商标局（USPTO）审查过程中的**审查意见通知书（Office Actions）**，查看审查员在审理同族案件时引用的对比文件，尤其是针对“牺牲载体弯曲成型”特征发起的引用文件，这往往是突破该核心特征的最佳捷径。

作为资深专利代理师，我针对您提供的目标专利（CN100586253C）权利要求1，结合目标专利说明书及三份对比文件（D1: JP2003158252A、D2: JPH10189792A、D3: US2005085105A1）进行深度法律与技术比对分析。

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## 一、 说明书对权利要求1技术特征的解构与认定

根据《专利审查指南》及专利法第59条，权利要求应结合说明书进行解释：

1. **牺牲载体（20）与图案（30）[特征C, D]**：说明书指出牺牲载体通常为多层金属（如铜/铝），用于临时承载导电衬块（31）与导电轨道（32）。

2. **弯曲产生升高部分（22）与凹入部分（23）[特征E]**：通过对牺牲载体进行弯曲塑形，使承载表面形成不同高度水平的起伏（如波纹状）。**这是自动形成体构件凹槽（47）的核心预备步骤**。

3. **覆盖构件（40）及其孔（41）[特征F, G, H]**：覆盖构件为绝缘材料（如防焊剂/阻焊层），预先开有高精度微孔（41），布置于升高部分（22），覆盖部分导电图案。

4. **体构件（45）形成与顶部防阻[特征I, J]**：将塑封材料（如环氧树脂）包覆成型（注模/超模压）。通过模具突出件顶住覆盖构件（40）的顶部（即包围孔的区域），**确保体构件材料不遮挡该顶部及孔（41）**。

5. **除去牺牲载体产生凹槽（47）及暴露衬块 [特征K, L, M, N, O, P]**：通过化学蚀刻/剥离去除牺牲载体，**原牺牲载体升高部分（22）所占空间即自然转化为体构件側面的凹槽（47）**；该凹槽暴露导电衬块（31）用于连接微电子元件（60），且**凹槽（47）与覆盖构件的孔（41）相通**，从而形成极其微小的流体/声学测量通孔。

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## 二、 对比文件技术特征比对与公开性认定

### 1. 对比文件公开号及指代

* **D1**：JP2003158252A

* **D2**：JPH10189792A

* **D3**：US2005085105A1

### 2. 特征比对表格（Feature Mapping Table）

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## 三、 最接近的对比文件（最接近现有技术）分析

在评估创造性时，**D2 (JPH10189792A)** 与 **D1 (JP2003158252A)** 均具备作为最接近对比文件的潜力，其中**D2最为合适**。

### 1. D2 (JPH10189792A) 作为最接近对比文件分析

* **技术领域与问题**：D2涉及半导体芯片的封装及其制造方法，解决模塑过程中的树脂溢料（溢边）、溢气以及封装体防潮、降低成本的问题。与本专利解决“简化微型封装透孔/凹槽加工、避免模具损坏导线及精密控制微孔位置”的技术问题极为相近。

* **技术方案重合度**：D2公开了利用板状金属基底（Base Metal 5）进行**弯曲加工（成型为包含升高/凹入的立体结构）**，在其表面形成配线层6，随后置于模具内注入树脂包覆成型（Overmold/Insert Mold），并暴露电气连接部6a和外部电极部6b。

* **主要区别特征**：

1. D2的金属基底5是**永久留在封装体内的**（作为防湿板和散热板），而本专利特征C/K/M是**“牺牲载体”，在成型后需除去，通过去除升高部分空间自动形成体构件侧面的凹槽（47）**；

2. D2未公开在升高部分设置带有孔（41）的覆盖构件（40）[特征F, G, H, J, P]。

### 2. D1 (JP2003158252A) 作为替代的最接近对比文件

* **技术领域与问题**：D1公开了一种立体打印基板（MID）封装固体摄像元件的方法，解决了封止过程气体排出及热变形问题。

* **与本专利的区别**：D1直接采用成型好的立体树脂基板，不包含“利用牺牲载体弯曲成型再蚀刻去除以形成凹槽”的工艺体系。

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## 四、 未被最接近对比文件公开特征的组合状况

最接近对比文件（D2）未公开的核心区别特征组合为：

1. **“牺牲载体”及其去除形成凹槽机制** [特征C, E, K, L, M]：D2的弯曲金属基底不去除。D1、D3均未公开“弯曲牺牲基底并在成型后蚀刻去除以在体构件侧面产生特定形状凹槽”的技术教导。

2. **带微孔覆盖构件的复合结构及其与凹槽的配合** [特征F, G, H, J, P]：

* D3 (US2005085105A1) 说明书第 [0022] 及 [0034] 段公开了在柔性PCB薄膜（聚酰亚胺）上通过照相平版印刷/等离子蚀刻形成微孔（Microvias）并暴露凸起电极的技术。

* **然而**，D3中的薄膜是作为最终电路连接板存在，并没有“将带孔覆盖构件贴于弯曲牺牲载体升高部，通过模具抵顶保护顶部不被注塑覆盖，最后与牺牲载体去除后留下的凹槽打通延伸”的整体工艺教导。

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## 五、 无效宣告请求中最薄弱的技术特征分析

若针对本专利权利要求1提起无效宣告请求，**最薄弱（即最容易被攻破/最缺乏创造性）的技术特征**为：

### 1. 特征F、H（提供带孔绝缘覆盖构件并覆盖部分导电图案）

* **薄弱原因**：在半导体和PCB制造领域，在导电线路表面覆盖带开孔的阻焊层/防焊剂（Solder Mask）属于**本领域的公知常识（Common General Knowledge）**。说明书本身亦承认覆盖构件可采用“熟知的防焊剂”。仅就“在导线上铺设防焊层并开孔”而言，技术门槛极低。

### 2. 最强固（最难被无效）的核心特征组合（防御壁垒）：

* **【特征E + 特征I + 特征K + 特征M + 特征P】的协同组合**：

* **构思巧妙性**：本专利利用“弯曲牺牲载体”这一逆向思维，在注塑时“占位”，蚀刻去除牺牲载体后，**原升高部分自动转化为体构件的凹槽**，且该凹槽自然与预先贴在升高部的覆盖构件的微孔相通。

* **克服现有技术偏见**：传统微型封装（如D1、D2）形成深小凹槽/微孔需要极其昂贵的高精度模具且易压碎导线。本专利通过牺牲载体物理弯曲占位，完美避开了高难度模具注塑和后工序机械钻孔。三份对比文件均**未给出将“牺牲载体预弯曲”与“去除后自形成凹槽及通透微孔”相联合的技术教导**。

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## 六、 进一步的对比文件检索策略建议

为了成功无效权利要求1，必须突破上述“弯曲牺牲载体占位成型凹槽”的技术壁垒，建议采取以下精准检索策略：

### 1. 核心分类号（IPC / CPC）联合检索

建议重点锁定“牺牲层/临时基底成型”及“MID（立体电路）”相关分类号：

* **H01L 21/56**（半导体器件的封装/部件防护）

* **H01L 23/498**（用于半导体或其他固体器件的引线框架或基板）

* **H05K 3/00 / H05K 3/46**（印刷电路的制造；多层电路）

* **H05K 1/18 / H05K 3/38**（具有立体三维结构的印刷电路 / MID技术）

### 2. 关键词逻辑表达（检索要素组合）

应将“牺牲载体/临时基板”、“弯曲/波纹/预成型”、“凹槽/腔体”、“蚀刻/去除”作为核心要素：

* **要素1（牺牲/临时）**：`(牺牲 OR 临时 OR 可蚀刻 OR 剥离) AND (载体 OR 基底 OR 基板 OR 衬底 OR 箔)` / `(sacrificial OR temporary OR dummy OR dissolvable) NEAR3 (carrier OR substrate OR frame OR foil)`

* **要素2（弯曲/形变）**：`(弯曲 OR 冲压 OR 屈曲 OR 波纹 OR 阶梯) NEAR5 (升高 OR 凹陷 OR 立体 OR 高度)` / `(bent OR bend OR stamped OR corrugated OR stepped OR 3D) NEAR5 (raised OR recessed OR profile)`

* **要素3（成型与去除）**：`(塑封 OR 注塑 OR 包覆 OR 模压) AND (蚀刻 OR 除去 OR 溶解) AND (凹槽 OR 腔体 OR 盲孔)` / `(molding OR encapsulating) AND (etching OR removing) AND (recess OR cavity OR groove)`

### 3. 重点检索方向建议

1. **MEMS / 麦克风 / 气体传感器封装领域**：此类器件（如目标专利说明书图3、图4所述）对背腔（Back-cavity）和微型进气/进声孔有强烈需求，该领域在2000–2008年间有大量利用牺牲金属块/牺牲箔（Sacrificial Foil/Layer）冲压成型背腔的封装专利。

2. **追溯日本专利（JPO）与美国专利（USPTO）**：重点关注EPCOS、Infineon、Bosch、Amkor、ASE等封测巨头在2000–2007年间申请的牺牲层三维封装专利。

### 一、 目标专利权利要求理解与说明书解构

目标专利（CN100586253C）涉及一种适用于封闭至少一个微电子元件的包装载体（55）及其制造方法。

根据目标专利说明书的记载，对权利要求1中各项技术特征的实质含义解读如下：

* **技术特征A（包装载体及功能）**：包装载体（55）适于封闭微电子元件（60、61），并带有用于与外部设备电气连接的导电连接衬块（31）。

* **技术特征C、D（牺牲载体及其初始状态）**：提供牺牲载体（20），其承载表面（24）上带有导电连接衬块（31）和导电轨道（32）组成的图案（30）。根据说明书，牺牲载体通常为金属层（如铜层或铜/铝双层），用于临时承载导电图案。

* **技术特征E（弯曲形变）**：将牺牲载体（20）弯曲，从而在其承载表面（24）产生升高部分（22）和凹入部分（23）。说明书指出，**将载体弯曲形成不同水平高度的部分，是本发明产生用于接收微电子元件的凹槽（47）的关键核心手段**。

* **技术特征F、G、H（覆盖构件及定位）**：提供带有至少一个孔（41）的覆盖构件（40，如阻焊剂层），将其设置在载体（20）上，使得孔（41）及包围孔的顶部出现在弯曲牺牲载体（20）的**升高部分（22）**上，并覆盖导电图案（30）的至少一部分。

* **技术特征I、J（体构件注塑/包覆成型）**：通过将材料（如环氧树脂/塑封料）应用于承载表面（24）、导电图案（30）及覆盖构件（40）的一部分来形成体构件（45），**同时保持覆盖构件（40）的顶部部分（即孔41所在区域）不被注塑材料覆盖**。说明书提到，这通常利用带有突出件的模具顶住覆盖构件顶部来实现。

* **技术特征K、L、M、N、O（牺牲载体去除与下凹槽形成）**：除去牺牲载体（20）的至少一部分，从而在牺牲载体原来被除去的位置（即**升高部分22曾经所在的位置**）产生凹槽（47），并暴露导电连接衬块（31），用于在体构件侧面电气耦接微电子元件（60）。

* **技术特征P（通道贯通）**：凹槽（47）延伸到覆盖构件（40）中的孔（41），使得安装在凹槽（47）内的微电子元件（如生物/化学传感器、麦克风等）的敏感表面可以通过孔（41）与外部流体/环境接触。

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### 二、 对比文件特征比对与公开情况分析

针对各对比文件原文（D1：US20050082648A1、D2：WO2005038911A1、D3：JP2003125295A），对权利要求1（技术特征A~P）的公开情况比对如下：

#### 1. D1 (US20050082648A1) 分析

* **实质公开内容**：D1公开了一种陶瓷封装及片式电阻的制造方法。其通过在可塑性陶瓷生片（green sheet）上印刷导电浆料形成导电层，然后利用硬质模具冲压/模压（press forming）生片使其产生凹陷凹槽/腔体（bottoms 4, openings 2），最后进行烧结, [0073]-[0076]]。

* **主要区别**：

1. D1中的基底是**陶瓷生片（Ceramic Green Sheet）**，烧结后成为永久封装基板，**并非“牺牲载体（Sacrificial Carrier）”**；

2. D1不存在在牺牲载体上设置带有孔的覆盖构件（阻焊层等）、注塑体构件后剥离/蚀刻去除牺牲载体的工艺过程；

3. D1没有形成贯通至覆盖构件孔洞的凹槽构造。

#### 2. D2 (WO2005038911A1) 分析（目标专利背景技术引用的文献）

* **实质公开内容**：D2公开了一种微流体/传感器封装设备及制造方法。D2使用了**带有牺牲层的载体（carrier with a sacrificial layer）**，在牺牲层上形成多层导电轨道（120）]。然后注塑/模压绝缘树脂主体（body/encapsulation 40），使导电轨道机械锚固在主体中，之后**至少部分去除牺牲层/载体**]。在其主体中形成有从第一侧延伸至第二侧的截面呈梯形的凹槽/通孔（recess 110），传感器元件（200）以倒装芯片（flip-chip）方式安装在第一侧，其敏感功能区（210）通过凹槽（110）暴露并可接触流体, [p0006]]。D2还明确提到了**弯曲载体（the carrier can be bent）**]。

* **主要区别**：

1. D2中的凹槽（110）是通过模具在平整注塑主体中直接成型出的贯穿通孔，**并不是通过“将牺牲载体弯曲产生升高部分，并在移除升高部分后在主体侧面形成凹槽（47）”**实现的；

2. D2未公开在牺牲载体上预先设置带有孔的覆盖构件（40），并使得孔及顶部出现在弯曲载体的升高部分上。

#### 3. D3 (JP2003125295A) 分析

* **实质公开内容**：D3公开了一种光学半导体装置（如CCD/CMOS摄像模块）及其制造方法。D3采用铜导电箔（32）作为起始材料，通过半蚀刻形成导电图案（22）及分离沟（33）, [0048]]，注塑树脂形成框状部（26）和凹部（28）]，安装半导体芯片（24）并贴合玻璃板（29）形成气密中空腔体, [0066]]，最后**从背面全域蚀刻/研磨去除导电箔（32）的背面**，使导电图案相互独立并露出树脂-[0074]]。这里的铜导电箔在树脂成型后被部分削薄/除去，起到类似牺牲载体的临时支撑作用。

* **主要区别**：

1. D3是通过在平板导电箔上**化学半蚀刻（Half-etching）**形成凹凸分离沟（33），**而非通过物理机械“弯曲（bend）牺牲载体”**来产生升高和凹入部分；

2. D3使用透明玻璃板（29）整体盖在树脂框上作为密封窗，并非在牺牲载体升高部上预设带孔的覆盖构件（40）；

3. D3去除导电箔背面是为了实现引脚电隔离，其树脂框（26）与玻璃板（29）围成的凹部（28）在注塑时即已形成，并非由“去除牺牲载体升高部”而产生的侧面凹槽。

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### 三、 权利要求1技术特征比对表

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### 四、 最接近对比文件的选择与技术问题/效果分析

在本案的创造性评估中，**D2（WO2005038911A1）** 最适合作为**最接近的对比文件（第一最接近对比文件）**，同时 **D3（JP2003125295A）** 也可作为**备选的最接近对比文件**。

#### 1. 选择 D2 作为最接近对比文件的理由：

* **技术领域与整体解决的技术问题极度契合**：D2 与本发明均属于“用于生物/化学传感器或微型电子元件的流体接触式微型封装包装及制造方法”-[0004]]。目标专利背景技术段落明确指出，本发明正是为了解决 D2 中存在的技术缺陷（D2 中直接在注塑主体上模压小尺寸贯通通孔凹槽需要极高精度的模具且容易损坏牺牲载体上的导线）而作出的改进。

* **技术方案重合度最高**：D2 已经公开了：使用带牺牲层的载体、在牺牲层上布置导电图案、注塑成型绝缘主体、至少部分去除牺牲层露出导电焊盘，以及在主体上形成通向微电子元件敏感表面的凹槽/通孔（110）]。

#### 2. 最接近对比文件（D2）未公开的技术特征：

区别技术特征主要集中在：

1. **特征E、L、M**：通过**将牺牲载体弯曲产生升高部分**，并在成型后**除去牺牲载体的升高部分，从而在升高部分曾经所在的位置自动产生用于容纳微电子元件的凹槽（47）**。

2. **特征F、G、H、J、P**：在牺牲载体升高部上预先设置**带有小孔（41）的覆盖构件（40）**，并在注塑时保持覆盖构件顶部（孔41区域）不被遮盖，使凹槽（47）最终延伸并贯通至覆盖构件的孔（41）。

#### 3. 区别特征带来的技术效果与实际解决的技术问题：

* **技术效果**：

* 利用弯曲载体的不同高度水平，在注塑体构件时**无需复杂的高精度细小模具突出件即可自动获得微型凹槽（47）**，极大降低了模具加工成本和模具闭合时损坏导线的风险。

* 利用光刻或丝网印刷预先制作极其薄且具有高分辨率孔（41）的覆盖构件（40），使得通孔直径可以做到远小于现有技术，且极薄的覆盖构件不会干扰流体在传感器表面的顺畅流动。

* **实际解决的技术问题**：如何简化封装主体微小通孔/凹槽的加工工艺、降低模具成本并避免注塑损坏导线，同时实现高精度的微小流体通道贯通。

#### 4. 其他对比文件（D1、D3）对区别特征的公开情况：

* **D1 (US20050082648A1)**：虽然提到了冲压/压制（press forming），但压制对象是**陶瓷生片（Green Sheet）本身**，并非“弯曲牺牲载体”，且无“带孔覆盖构件”的设计。因此 D1 **未公开**上述区别特征。

* **D3 (JP2003125295A)**：虽然也涉及光学封装且消除了传统基板，但其凹槽/沟槽是通过对平板铜箔进行**化学半蚀刻（Half-etching）**形成的]，**并非通过机械弯曲（bending）牺牲载体**。D3 亦**未公开**上述区别特征。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析

若针对目标专利权利要求1发起专利无效宣告请求，目前现有技术组合（D1+D2+D3）中**最薄弱（即专利权人最容易成功防御、无效方最难攻破）的技术特征**为：

> **“将所述牺牲载体弯曲以在所述承载表面中产生升高部分和凹入部分……除去牺牲载体产生凹槽，所述凹槽位于所述牺牲载体的所述升高部分曾经所处的位置”（特征E、L、M的结合）**

#### 薄弱性（对无效方而言的攻坚难点）原因分析：

1. **现有技术教导相反或不同**：

* 在现有的牺牲载体/引线框架封装领域（如 D3），制造局部凹凸结构的通用技术手段是**化学半蚀刻（Half-etching）**或**选择性冲切/冲压**]。

* D2 虽然提及了“carrier can be bent”（载体可被弯曲），但其语境是指整体柔性折叠（如将第四部分折叠作为盖板，见 D2 图10）, Fig.10]，**完全没有将牺牲载体预先弯曲成波浪形/阶梯形升高部，并利用该升高部在注塑后‘占位’、待剥离后原位形成封装凹槽**的技术教导。

2. **“以弯曲占位形成凹槽”构成了极强的技术偏离与协同效果**：本专利巧妙地利用了牺牲载体被弯曲后的空间几何形态作为注塑模腔的一部分，避开了 D2 中必须依赖高精微型模具顶针形成微孔的行业痛点。这种“弯曲载体 -> 塑封 -> 蚀刻去除 -> 原位留凹槽”的工艺构思在现有三篇对比文件中均未获得技术教导。

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### 六、 进一步对比文件检索策略建议

为了彻底攻破权利要求1的创造性（尤其是攻破上述“弯曲牺牲载体原位成型凹槽”及“预置带孔覆盖构件”特征），建议采取以下补充检索策略：

#### 1. 调整检索要素与关键词组合（Focusing on Core Concepts）

* **核心要素一（弯曲牺牲/临时载体）**：

* 关键词：`牺牲载体` / `临时载体` / `引线框架` / `金属箔` + `弯曲` / `波纹` / `冲压成型` / `预成型`

* EN Keywords: `(sacrificial carrier OR temporary substrate OR leadframe OR metal foil) AND (bend* OR bent OR corrugated OR stamped OR profiled OR stepped)`

* **核心要素二（原位形成凹槽/腔体）**：

* 关键词：`剥离` / `蚀刻` / `去除` + `凹槽` / `腔体` / `通孔` + `占位` / `模塑`

* EN Keywords: `(remove* OR etch* OR sacrificial) AND (recess OR cavity OR trough OR opening) AND (molding OR encapsulat*)`

* **核心要素三（带孔覆盖层/阻焊层）**：

* 关键词：`覆盖层` / `阻焊剂` / `绝缘层` + `预制孔` / `微孔` + `暴露敏感面`

* EN Keywords: `(cover member OR solder resist OR insulation layer) AND (hole OR aperture OR micro-hole) AND (sensor OR MEMS)`

#### 2. 分类号（IPC/CPC）精准交叉检索

建议重点在以下专利分类号中进行交叉扩展检索：

* **H01L21/56**（半导体器件的封装/塑封工艺，特别是涉及临时载体或牺牲层的工艺）

* **H01L23/495**（引线框架及其成型/弯曲技术）

* **B81C1/00**（MEMS/微机电系统或传感器的制造/封装技术，重点关注带微流体通道、膜片暴露的封装）

* **G01N27/00 / B01L3/00**（生物/化学诊断芯片、微流体器件封装）

#### 3. 追踪特定申请人与发明人族聚

* 重点追踪 Philips（飞利浦，即 D2 的申请人）、Infineon（英飞凌）、ASE（日月光）、Amkor（安考）在 2003–2006 年间关于 **"Molded Interconnect Substrates (MIS)"（模塑互连基板）** 或 **"Folded Leadframe Package"（折叠引线框架封装）** 的早期专利申请，此类技术经常涉及载体弯曲及局部蚀刻形成凹腔。

作为一名经验丰富的专利代理师，我紧密结合目标专利说明书（CN100586253C）的教导，对权利要求1进行深度拆解与解释，并紧扣三份对比文件（D1：EP1130646A1、D2：US6379988B1、D3：WO2003085732A1）的原文内容进行逐项特征比对、创造性及无效可行性分析。

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## 一、 结合目标专利说明书解释权利要求1

在理解权利要求1的技术方案时，必须结合目标专利说明书的具体实施方式（尤其是图1a-1j及图3a-3f）来剖析其技术含义与物理实质：

1. **“包装载体(55)”与“微电子元件(60、61)”（特征A、B）：**

说明书明确指出，包装载体是未配有微电子元件时的半成品结构。微电子元件可以是传感器芯片（如血样生物传感器芯片）、MEMS麦克风、处理器芯片等。封装的主要目的在于保护微电子元件，并实现流体/环境接触与电气连接的分离。

2. **“牺牲载体(20)”与“图案(30)”（特征C、D）：**

牺牲载体通常为多层或单层金属板（如铜片），仅用于在制造过程中临时承载导电连接衬块(31)和导电轨道(32)。在后续体构件成型后，该牺牲载体会通过化学蚀刻或剥离的方式被完全或部分除去。

3. **“弯曲以产生升高部分(22)和凹入部分(23)”（特征E）：**

这是本发明的**核心工艺特征**之一。说明书中记载，通过将牺牲载体弯曲（如形成波纹状或梯形截面），使其表面形成处于不同水平高度的高度差。这一预先弯曲的动作决定了后续注模成型时凹槽(47)的自然形成，无需使用昂贵且易损坏导体的复杂高精度模具。

4. **“覆盖构件(40)”与“孔(41)”（特征F、G、H）：**

覆盖构件优选为绝缘材料薄层（如防焊剂/阻焊层），其上通过光刻、丝网印刷等高精度工艺预先形成极小的孔(41)。覆盖构件跨设在牺牲载体的升高部分(22)上并覆盖部分导电图案。

5. **“体构件(45)”与“不将材料应用于...顶部部分”（特征I、J）：**

体构件是利用环氧树脂等材料在牺牲载体侧包覆成型（Overmolding）制成的塑封主体。在成型过程中，配合带有突出件/波纹的模具，使模具突出件顶住覆盖构件的顶部（孔41周围），从而确保模塑树脂不会封死孔(41)。

6. **“除去牺牲载体...产生凹槽(47)延伸到孔(41)”（特征K、L、M、N、O、P）：**

牺牲载体被蚀刻/除去后，原本由牺牲载体升高部分(22)所占据的空间被“释放”出来，自动在体构件侧面形成凹槽(47)。微电子元件(60)可直接嵌入该凹槽(47)内与暴露出的衬块(31)焊接，且微电子元件的敏感表面通过极浅的孔(41)直接通向外部（如流体通道或声学通道）。

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## 二、 对比文件原文出处与权利要求1特征比对

为了精准评估权利要求1的新颖性与创造性，下表将权利要求1分解为技术特征A~P，并与三份对比文件的原文具体段落及附图进行比对：

* **D1：** EP1130646A1（Chip-mounted enclosure）

* **D2：** US6379988B1（Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices）

* **D3：** WO2003085732A1（MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS PACKAGING）

### 权利要求1特征比对表格

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## 三、 最接近对比文件的选择与技术问题/技术效果分析

### 1. 各对比文件的技术路线与核心教导

* **D1 (EP1130646A1)：** 专注于晶圆级封装（Wafer-scale CMEs）。其核心在于直接以IC芯片/晶圆作为基底，通过电镀/微加工在晶圆上建造侧壁（Side piece 20），再盖上顶片（Top piece 15）。其解决的问题是减小封装体积、降低寄生效应。

* **D2 (US6379988B1)：** 专注于MEMS器件的“后释放（Pre-release）塑封包装”。其核心教导是：先用模塑树脂（14）将未释放的MEMS连同引线框架（20）塑封起来，再利用**模具突出件（54）**减少MEMS上方的树脂厚度（图4B），最后通过酸蚀刻开出窗口（16）并溶解牺牲层（26）释放MEMS。其解决的问题是避免传统封装在切割/键合过程中损坏脆弱的MEMS结构。

* **D3 (WO2003085732A1)：** 专注于多芯片模块（MTM）的高密度互连。通过将MEMS芯片设计成阶梯状（下大上小），并在基板（18）上开出通孔（23/39）来容纳芯片突出部分。

### 2. 最接近对比文件的确定与技术效果评估

从**整体解决的技术问题**与**技术手段的接近程度**来看：

* **最接近的对比文件首选：D2 (US6379988B1)**

* **原因：** D2与目标专利同属于“利用模塑成型并在后续通过局部去除材料形成开口/凹槽以暴露微电子元件敏感区”的封装工艺领域。D2已经公开了“使用带有突出件的模具在包覆成型时保留未覆料区域（特征J）”、“通过化学刻蚀/去除材料形成开口凹槽（特征L）”、“暴露敏感区及电气连接（特征N、O）”等关键工艺理念。

* **解决的技术问题与效果差异：** 目标专利要解决的核心问题是“如何无需昂贵的高精度模具，就能精准制造带有微小通孔且流体与电气连接相分离的封装载体”。目标专利通过**“弯曲牺牲载体”**这一巧妙动作，利用载体的高度差在模塑时**自适应形成凹槽**。而D2依赖模具突出件（54）直接顶向芯片表面，容易对芯片造成机械应力损伤，且对模具精度要求极高。

* **替代的最接近对比文件：D1 (EP1130646A1)**

* 若从“晶圆级/阵列化批量制造微电子元件封闭腔体”的角度出发，D1也可作为最接近的对比文件，但D1完全未涉及塑封成型及牺牲载体蚀刻去除造槽的机理。

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## 四、 区别技术特征与未公开特征分析

以 **D2 (US6379988B1)** 为最接近对比文件，目标专利权利要求1的区别技术特征包括：

1. **特征C、D：** 提供带有导电衬块和轨道图案的“牺牲载体(20)”；

2. **特征E：** 将牺牲载体(20)**弯曲**以在承载表面产生升高部分(22)和凹入部分(23)；

3. **特征F、G、H：** 在牺牲载体上配置带孔(41)的覆盖构件(40)，且覆盖构件跨设在升高部分(22)上覆盖部分导电图案；

4. **特征M、P：** 除去牺牲载体后，凹槽(47)正好形成于**升高部分(22)曾经所处的位置**，且该凹槽延伸至覆盖构件的孔(41)。

**其他对比文件（D1、D3）公开情况审查：**

检索并比对D1 (EP1130646A1) 和 D3 (WO2003085732A1) 的原文，**上述区别特征（特别是“弯曲牺牲载体以产生升高/凹入部并在其上配置带孔覆盖构件”这一组合特征）在D1和D3中均未被公开，亦未被给出任何技术启示**。

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## 五、 无效攻击中最薄弱的技术特征与进一步检索策略

若需针对目标专利权利要求1发起专利无效宣告请求，基于现有三份对比文件（D1、D2、D3）组合**尚不足以破坏其创造性**。我们需要对权利要求1的技术特征进行“软肋”剖析，并制定有针对性的进一步检索策略：

### 1. 权利要求1中最薄弱的技术特征

* **薄弱点1：牺牲载体（Sacrificial Carrier/Leadframe）的使用与化学蚀刻去除（特征C、D、K）**

* 在半导体封装领域（尤其是QFN/BGA封装、Molding工艺），利用铜箔/金属引线框架作为临时载体，在注塑后通过化学酸蚀刻（Etching）将金属载体整体剥离/蚀刻掉以形成线路，属于**极其通用的公知常识（如Leadless Package或Substrate-less Packaging技术）**。

* **薄弱点2：覆盖构件（防焊层/阻焊剂）预先开孔（特征F、H）**

* 在PCB及封装载体制造中，在金属轨道上涂覆阻焊层（Solder Mask）并光刻开孔暴露焊盘，是标准的基础工艺。

* **核心壁垒（最难攻克的特征）：**

* **“冲压/弯曲牺牲载体以作为凹槽模具介质”（特征E、M）：** 目标专利最突出的发明点在于“用弯曲金属载体的几何形变来替代高精度注塑模具的凹凸结构”。只要无法检索到“将牺牲金属板冲压弯曲后注塑、再蚀刻牺牲金属板形成封装腔体/凹槽”的文献，本专利的创造性就难以被摧毁。

### 2. 进一步的对比文件检索策略（Search Strategy）

为了补充缺失的关键区别特征（特征E、G、M），建议采取以下针对性的检索策略：

#### (1) 分类号（IPC / CPC）精准锁定

重点聚焦于“带有腔体的半导体/MEMS塑封制造”、“使用牺牲载体/引线框架成型凹槽”的分类号：

* **H01L 21/56**（半导体器件的封装/塑封工艺）

* **H01L 23/495**（引线框架，特别是涉及冲压成型/凹陷成型引线框架）

* **B81C 1/00 320 / 330**（MEMS器件的封装工艺及腔体形成）

* **H01L 21/48**（制造载体/基板的工艺，尤其是蚀刻/冲压组合）

#### (2) 关键词逻辑组合（English & Chinese Keywords）

* **逻辑组1（弯曲/冲压牺牲载体）：**

`("sacrificial carrier" OR "sacrificial substrate" OR "leadframe" OR "copper foil") AND ("bend" OR "bent" OR "stamp" OR "stamped" OR "corrugated" OR "embossed" OR "depression" OR "dimple")`

* **逻辑组2（模塑与蚀刻造槽）：**

`("molded" OR "overmolding" OR "encapsulant") AND ("etching" OR "remove carrier" OR "dissolve carrier") AND ("cavity" OR "recess" OR "groove" OR "pocket")`

* **逻辑组3（阻焊层/薄层通孔）：**

`("solder mask" OR "insulating layer" OR "cover layer") AND ("hole" OR "aperture" OR "micro-hole") AND ("sensor")`

#### (3) 拓展检索方向（Prior Art Sources）

1. **传统QFN/BGA引线框架专利库（如ASE、Amkor、STATS ChipPAC、STATSpac等封装大厂早期专利）：** 重点查找2000-2005年间关于“Cavity QFN”（腔体QFN）或“Stamping Leadframe for Sensor Cavity”的专利文献，这些领域极有可能披露过“冲压凹陷引线框架+注塑+蚀刻底板形成凹槽腔体”的技术方案。

2. **追溯目标专利的同族及引文网络：** 对CN100586253C（或同族WO2006103607A1）审查历史中的对比文件、审查员引文及后续引用文献进行反向追踪。

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## 六、 总结结论

1. **公开性结论：** 现有对比文件 D1 (EP1130646A1)、D2 (US6379988B1) 和 D3 (WO2003085732A1) 均**未独立亦未组合实质公开**权利要求1中的“弯曲牺牲载体以自适应成型体构件凹槽及延伸通孔（特征E、G、M、P）”。

2. **无效建议：** 目前仅凭D1-D3发起无效诉讼**成功率较低**。必须按照上述检索策略，重点补充检索一篇**公开了“冲压/弯曲临时金属载体并包覆成型、后续蚀刻去除载体形成芯片凹槽”**的对比文件作为突破口，再结合D2（模具限料成型）与公知常识（阻焊层开孔）进行组合攻击。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将紧密结合目标专利说明书的教导，对权利要求1进行法律与技术层面的拆解，并与提供的三篇对比文件进行比对分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的解释

依据目标专利说明书（CN100586253C），权利要求1涉及一种“包装载体（55）的制造方法”，其核心发明构思在于：**利用可弯曲的牺牲载体（20）产生波纹（高低水平面），结合带孔（41）的覆盖构件（40）与模具（15），在一次注塑成型体构件（45）并去除牺牲载体后，自动形成延伸至覆盖构件孔处的凹槽（47），从而免去了高成本精密模具对导线的直接压触，实现了极浅、高精度的流体/声学通路与芯片封装**。

具体技术特征解释如下：

1. **牺牲载体（20）与弯曲操作（特征C、D、E）：**

牺牲载体（如铜片）作为临时承载基底。通过将其弯曲形成升高部分（22）和凹入部分（23）（如波纹状）。说明书明确指出，载体不同水平高度的弯曲形状使得在后续形成体构件（45）时**自动获得凹槽（47）**。

2. **覆盖构件（40）与孔（41）（特征F、G、H、J、P）：**

覆盖构件（40）为薄层绝缘材料（如防焊剂/阻焊层），其上开有高精度的孔（41），覆盖于升高部分（22）处的导电图案（30）上。在成型体构件（45）时，通过模具突出件贴合覆盖构件顶部，**防止模具直接压损导电轨道，并确保材料不堵塞孔（41）**。

3. **体构件（45）与凹槽（47）（特征I、I、K、L、M、N、O）：**

体构件（45）由环氧树脂等成型。去除牺牲载体（如化学蚀刻）后，牺牲载体升高部分（22）原先占据的空间即转化为体构件下侧面的凹槽（47），同时暴露导电衬块（31）用于连接微电子元件（60，如传感器芯片/麦克风），凹槽（47）与覆盖构件的孔（41）相通。

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### 二、 对比文件原文公开内容分析与特征比对

为了清晰指代，先明确各对比文件的公开号：

* **D1：** JPH0513611A (Leadless chip carrier type hybrid ic)

* **D2：** US5438478A (Electronic component carriers and method of producing the same...)

* **D3：** US5451722A (Printed circuit board with metallized grooves)

#### 1. 各对比文件原文公开内容说明

* **D1 (JPH0513611A)：** 公开了一种无引线芯片载体（LCC）型混合集成电路。通过在电路板裏面形成凹部（11），将孤立图样的电镀通孔（8）引出至裏面并切断，以解决多芯片封装问题。其使用的是预先制作好电路图样和通孔的硬质印刷基板（1），**未涉及牺牲载体、弯曲载体或注塑体构件的制造方法**。

* **D2 (US5438478A)：** 公开了一种电子元件载体及其制造方法。其核心是先通过胶粘剂层（26）将引线框架（20）固定在带有通孔（14）和凹腔（12）的印刷电路基板（10）上，再通过熔融焊料填充通孔（14）实现电气连接，最后用树脂（40）模压封装。**其引线框架为平整金属板，未将载体弯曲以产生高低升高/凹入部分来模塑形成凹槽**。

* **D3 (US5451722A)：** 公开了一种具有金属化凹槽的三维印刷电路板的制造方法。利用带有凸起的阳模（50/60）将金属层（40）压入/转移到塑料基板（11）中形成带有金属化凹槽（41-43）的电路板。**该技术是利用模具成型凹槽，未采用“将带有导电图样的牺牲载体弯曲成高低面、注塑后蚀刻牺牲载体形成凹槽”的工艺路径**。

#### 2. 技术特征比对表

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### 三、 最接近对比文件分析与创造性评价

#### 1. 最接近对比文件的选择

在创造性分析中，确定“最接近的对比文件”应优先考虑技术领域、所解决的技术问题及技术效果的相近性：

* **最佳最接近对比文件：D3 (US5451722A)**

* **原因：** D3同样属于“三维电路板/微电子载体制造”技术领域，其核心解决的问题是如何**在注塑/层压体构件中形成带有金属化导电轨道的凹槽（三维结构）**。D3采用了“在临时模具/载体上形成金属层，再通过注塑/压合形成塑料体构件，最后剥离临时模具”的**转移成型（Transfer Molding）思想**，在工艺流程和整体构想上与本目标专利最为接近。

* **次要对比文件/参考文件：D2 (US5438478A) 与 D1 (JPH0513611A)**

* D2主要解决引线框架与电路板连接时的物理支撑与电气连接分离、降低热应力的问题；D1主要解决LCC封装中孤立图样的电镀线引出问题。两者均未涉及利用牺牲载体成型三维凹槽的工艺路径。

#### 2. 最接近对比文件（D3）未公开的技术特征及实际解决的技术问题

以 **D3** 为最接近对比文件，权利要求1相对于D3的区别特征包括：

1. **特征E：** 目标专利是将牺牲载体**弯曲**以产生升高部分和凹入部分，而D3是通过精密的阳模（50）硬质凸起直接压塑/成型。

2. **特征F、G、H、J、P（覆盖构件组特征）：** 目标专利在牺牲载体上设置了**带有高精度孔（41）的覆盖构件（40）**，且凹槽延伸至该孔。

**实际解决的技术问题：**

* 如何降低三维凹槽成型模具的加工精度要求与成本，避免模具直接压损牺牲载体上的导电线路？

* 如何在封装体构件中以低成本、高精度的方式开出极浅的流体/声学通路（通孔），以供微电子传感器/麦克风与外界进行物质/声信号交互？

#### 3. 无效宣告请求中最薄弱的技术特征（突破口分析）

根据现有的D1-D3检索结果，**权利要求1的稳定性非常强**，现有的三篇对比文件结合**无法得出**权利要求1不具备创造性的结论。若要提出无效请求，**最薄弱（最容易被攻破或替换）的技术特征是：特征E（将牺牲载体弯曲）**。

* **薄弱点理由：**

“将柔性/金属牺牲载体冲压或弯曲成波纹状/高低面”在半导体引线框架（Lead Frame）预成型或柔性电路板（FPC）加工领域属于较为常见的物理加工手段。只要在冲压/引线框架领域检索到一篇公开了“将金属载体/引线框架预先弯曲/冲压出高低台阶，再对其进行注塑包封，蚀刻载体后利用台阶形成凹腔”的对比文件，特征E即可被轻松攻破。

* **最坚固的技术特征（防御核心）：**

**特征F、G、H、J、P的组合（在弯曲牺牲载体升高处放置带孔的绝缘覆盖构件40）**。

目标专利巧妙地利用了“绝缘阻焊层（覆盖构件）+开孔+注塑顶出”的组合，既充当了绝缘层，又充当了模具压合时的缓冲与封堵结构，使得注塑后能天然形成通向微电子元件灵敏面的浅孔。这一特征在传统PCB和IC封装中极其独特（主要用于诊断芯片、生物/化学传感器、MEMS麦克风封装）。

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### 四、 进一步的对比文件检索策略（无效检索指南）

为了成功无效目标专利权利要求1，建议调整检索方向，重点围绕**“引线框架冲压弯曲成型凹腔”**以及**“传感器/MEMS微流体封装中的防焊层开孔注塑”**展开二次检索：

#### 1. 针对特征E（弯曲牺牲载体成型凹槽）的检索策略

* **核心逻辑：** 寻找将金属板/铜箔预先弯曲/冲压（Stamping/Bending），注塑后蚀刻/剥离（Etching/Sacrificial carrier）形成凹槽或Chip Cavity的专利。

* **关键词组合：**

*(Sacrificial carrier OR Lead frame OR Copper foil) AND (Bending OR Bent OR Stamping OR Corrugated OR Embossed) AND (Cavity OR Recess OR Groove) AND (Etching OR Removal OR Stripping)*

* **分类号（IPC/CPC）：**

* `H01L23/495`（引线框架）

* `H01L21/56`（微电子元件封装）

* `H05K3/00` 或 `H05K3/46`（印刷电路制作，尤其是牺牲层法）

#### 2. 针对特征F-P（绝缘覆盖构件/阻焊层开孔结合注塑成型流体/声学孔）的检索策略

* **核心逻辑：** 寻找在传感器（Biosensor / Chemical sensor）或MEMS麦克风封装中，利用阻焊层/绝缘层（Solder mask / Coverlay）作为模具接触面/封堵层，注塑后留出感应通孔的专利。

* **技术领域拓展：** 重点检索 **MEMS封装（MEMS packaging）、生物芯片（Lab-on-a-chip）、压力传感器/气导传感器封装**。

* **关键词组合：**

*(Solder resist OR Coverlay OR Insulating layer) AND (Aperture OR Hole OR Opening) AND (Molded OR Overmolding OR Insert molding) AND (Sensor OR MEMS OR Microfluidic)*

* **分类号（IPC/CPC）：**

* `B81B7/00` 或 `B81C1/00`（MEMS器件及封装）

* `G01N27/00` 或 `G01N33/00`（生物/化学诊断传感器封装）

* `H04R19/00` 或 `H04R31/00`（MEMS麦克风结构与制造）

针对目标专利（**CN100586253C**，授权公告日：2010-01-27）的权利要求1，结合说明书进行释义，并对照三份对比文件（D1: US4026412A, D2: US4054938A, D3: US4618739A）进行深入的专利有效性/创造性分析。

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### 一、 目标专利说明书对权利要求1的准确解释

在进行特征比对前，必须紧密结合目标专利说明书（尤其是【发明的目的】、【具体实施方式】及图1a-图1j）确定权利要求1中各术语及步骤的真实技术内涵：

1. **“牺牲载体(20)”与“升高部分(22) / 凹入部分(23)”**：

* **说明书释义**：牺牲载体（如铜片/铝层等，说明书[0009]、[0022]）用于临时承载导电图案，后续会被化学蚀刻或剥离除去（[0009]、[0026]）。将牺牲载体弯曲形成波纹状（升高的部分22与凹入的部分23，图1b），其核心目的在于**无需使用高精度复杂模具，仅通过牺牲载体自身的起伏形状，在后续包覆成型（Overmolding）及除去牺牲载体后，自动在体构件(45)中产生用于接收微电子元件的凹槽(47)**（说明书[0010]、[0027]）。

2. **“覆盖构件(40)”与“孔(41)”**：

* **说明书释义**：覆盖构件(40)由电气绝缘有机材料（如阻焊剂、环氧树脂/丙烯酸，[0023]）制成，呈薄层/薄带状。其关键作用有两个：一是通过光刻、喷墨等高精度工艺预先在覆盖构件上制备出微小的“孔(41)”（[0011]），从而避免模具直接接触/损坏导体（[0011]）；二是作为凹槽(47)底部的薄界隔，使得微电子元件（如传感器芯片）的敏感表面能透过该孔与外界流体/声波相互作用（[0013]、[0029]）。

3. **“体构件(45)”与“凹槽(47)”的形成机制**：

* **说明书释义**：体构件(45)是通过在牺牲载体承载图案的一侧注模/包覆成型（如环氧树脂）制成（[0009]、[0024]）。模具的突出件会压在覆盖构件顶部（顶部分不封胶，保留孔41开放，[0012]、[0025]）。当牺牲载体(20)被蚀刻除去后，**原牺牲载体升高部分(22)占据的空间就变成了体构件(45)侧面的凹槽(47)**（说明书[0010]、[0026]、图1g-1h）。

4. **整体技术方案的因果逻辑**：

* 弯曲牺牲载体产生升高/凹入段 $\rightarrow$ 升高段附着带孔覆盖构件 $\rightarrow$ 注模形成体构件 $\rightarrow$ 蚀刻除去牺牲载体升高段 $\rightarrow$ 自动形成**“延伸至覆盖构件孔(41)的凹槽(47)”** $\rightarrow$ 在凹槽内装配微电子元件(60)并连接衬块(31)。

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### 二、 对比文件技术特征比对与公开性分析

以下针对三篇对比文件，结合其原文出处，分析其是否公开权利要求1的技术特征。

#### 1. 对比文件公开号及名称

* **D1**: US4026412A (*Electronic circuit carrier and test fixture*)

* **D2**: US4054938A (*Combined semiconductor device and printed circuit board assembly*)

* **D3**: US4618739A (*Plastic chip carrier package*)

#### 2. 特征比对总表（结合原文详细出处）

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### 三、 各对比文件详细公开性与局限性分析

#### 1. 对比文件 D1 (US4026412A)

* **公开内容**：D1公开了一种用于微电子封装（如蝶形封装，FIG.1-3）的测试载体和测试夹具。其主体(body 36)带有凹槽(recess 40)用于放置微电子封装(10)，底部包含散热器(38)，并通过槽(slots 42/44)和导线(60/62)引出电气连接到母板(74)。

* **缺陷与差异**：

1. D1属于**成品微电子器件的测试/运输载体结构**，而非制造微电子封装载体的方法。

2. D1的主体36采用玻璃纤维填充环氧树脂等绝缘材料模制或机械加工成型，**完全没有使用“牺牲载体”、更无“弯曲牺牲载体产生升高/凹入部并在除去牺牲载体后形成凹槽”的工艺逻辑**（缺少特征C, D, E, I, K, L, M）。

3. D1完全缺少带孔的覆盖构件及通过覆盖构件保护/露出的微结构（缺少特征F, G, H, J, P）。

#### 2. 对比文件 D2 (US4054938A)

* **公开内容**：D2公开了一种将半导体芯片(die 14)直接嵌套在印制电路板(substrate 12)预留孔(hole 26)内的封装方法。芯片置于芯片载体(carrier 20)中，载体嵌入基板孔内，使用键合丝(32)连接芯片与基板衬块(36)。随后在基板上形成环形阻挡壁(Dam 38)，并向Dam内部注入液态封装胶(40)完成封胶（Col.3, l.40-65, FIG.2-4）。

* **对比分析**：

1. **实质公开/相近特征**：D2中的阻挡壁(Dam 38)或防焊涂层（plating resist）与目标专利的“覆盖构件(40)”在材料形态上有一定相似性，均用于限定树脂流动的界限。

2. **根本技术差异**：

* **基板性质**：D2的基板12和芯片载体20均是**最终产品的永久组成部分**，绝非“牺牲载体”（缺少特征C, K）。

* **凹槽形成机制**：D2的基板孔26是**预先机械打孔或冲压形成**（preformed hole，Col.2, l.50-55），并非通过“弯曲牺牲载体 + 注模 + 蚀刻除去牺牲载体”这种自对准/自组装的方式无模化产生（缺少特征E, I, L, M）。

* **工艺流向相反**：目标专利是先在牺牲载体上做胶、成型体构件，最后去载体露凹槽；D2是先有板有孔，再放芯片，最后在正面加Dam封胶。

#### 3. 对比文件 D3 (US4618739A)

* **公开内容**：D3公开了一种塑料芯片载体封装（Pin Grid Array，PGA格式）。其包含注模成型的塑料主体(main body 12)，中央带有芯片连接凹槽(20)，凹槽底部为金属散热板(22)（Col.3, l.20-50, FIG.1）。主体上表面贴合带金属化轨道的塑料薄膜(14)，薄膜中央有开口(32)以露出凹槽。

* **对比分析**：

1. **实质公开/相近特征**：D3公开了在塑料主体上表面粘结一层带中央开口的聚合物薄膜（metallized layer 14），用于引出线路并连接芯片与引脚。

2. **根本技术差异**：

* D3的主体凹槽(20)是在注模时**利用模具形状直接成型**（injection molding，Col.3, l.25-30），没有使用牺牲载体，也没有“弯曲载体”这一步骤（缺少特征C, E, K, L, M）。

* D3的聚合物薄膜(14)是在主体(12)成型**之后**再贴合上去的（Col.3, l.50-65），而目标专利的覆盖构件(40)是在**形成体构件(45)之前**就已经附着在牺牲载体上并参与包覆成型（缺少特征G, I, J）。

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### 四、 创造性分析：最接近对比文件选择与技术效果评估

#### 1. 整体解决的技术问题与技术效果对比

* **目标专利的核心技术问题与效果**：

* **解决的问题**：在传统微电子/传感器封装中，要在绝缘板上制作延伸穿过板且直径极小的微型凹槽/通孔非常困难且昂贵，需要极高精度的模具，且模具闭合时极易压碎/损坏位于孔径边缘的脆弱导线（目标专利说明书[0004]-[0005]）。

* **达到的技术效果**：通过**“弯曲牺牲载体形成高低落差 + 附着带微孔覆盖构件 + 注模成型 + 蚀刻除去牺牲载体”**的组合工艺，利用牺牲载体自身的升高部分天然占位，**免去了高精度微型模具对导线的机械碰撞风险**；且利用光刻/喷墨等手段在覆盖构件上制备超高精度的微孔(41)，实现了高精度流体/声音通道与微电子封装的低成本一体化成型（说明书[0007]-[0011]）。

* **对比文件的技术问题与技术领域匹配度**：

* **D2 (US4054938A)**：解决如何在PCB板上低成本、小体积地集成半导体芯片并实现点胶封装（类似领域：微电子电子封装）。

* **D3 (US4618739A)**：解决塑料芯片载体封装中散热差及自动键合困难的问题（类似领域：塑料芯片封装结构）。

* **D1 (US4026412A)**：解决微电子组件在运输和测试过程中的引线保护问题（非制造工艺领域，匹配度较低）。

#### 2. 最接近对比文件的选择

**最接近的对比文件：D2 (US4054938A)** （注：在某些审查视角下，**D3**也可作为平行参考，但D2在芯片嵌套与局部封封防溢结构上更具可比性）。

* **选D2为最接近对比文件的理由**：

1. **技术领域最接近**：D2与目标专利均属于微电子元件（集成电路芯片）在微型载体/基板上的微型化封装及电气连接技术。

2. **技术特征覆盖**：D2公开了具有凹槽/预留孔的封装基座、在基座上配置微电子元件、导电图案衬块以及利用树脂/Dam层保护和封胶的技术方案。

#### 3. 区别技术特征及其他对比文件是否公开

以 **D2** 作为最接近的对比文件，目标专利权利要求1相对于D2的**主要区别技术特征**为：

1. **特征C、D、E、K**：使用“牺牲载体”，并通过**“将牺牲载体弯曲以产生升高部分和凹入部分”**，后续通过**“除去牺牲载体”**来形成凹槽。

2. **特征G、I、J、L、M、P**：覆盖构件布置在牺牲载体的升高部分，材料应用于牺牲载体和覆盖构件形成体构件（顶部不覆胶），牺牲载体除去后在升高部分原位置**自动产生延伸至覆盖构件孔的凹槽**。

* **其他对比文件（D1、D3）是否公开了上述区别特征？**

* **没有公开**。无论是D1还是D3，均采用传统的“预先模制/机械加工成型固态基座”的思路。没有任何一份对比文件教导或启示过**“利用可弯曲的牺牲载体来塑造封装主体的凹槽空间”**这一核心发明构想。

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### 五、 无效请求中最薄弱的技术特征分析与攻击策略

如果在针对目标专利发起专利无效宣告请求时，需要评估其权利要求1的抗无效强度。

#### 1. 最薄弱的技术特征评估

目标专利权利要求1中**相对最薄弱（最容易被公知常识或结合对比文件挑战）的技术特征**是：

* **特征F、H（提供带孔的覆盖构件覆盖导电图案）**：

* *原因*：在印制电路板（PCB）和半导体封装领域，在导电轨道上覆盖一层带开口（微孔）的绝缘层（如防焊漆/阻焊层，Solder Mask）是**本领域的公知常识**。D2中提到了使用阻焊层/Plating Resist作为Dam，D3也提到了在带有导线的绝缘薄膜上开孔露出引脚。因此，“使用阻焊层开孔保护线路”这一特征本身的技术显著性较低。

#### 2. 最坚固的核心特征（无效突破口/难点）

* **特征E + I + K + L + M（弯曲牺牲载体成型凹槽的工艺逻辑）**：

* 这是目标专利最坚固的技术屏障。常规封装工艺要么是用模具冲压/注模出凹槽，要么是在硬质板上钻孔。目标专利巧妙地利用**牺牲载体的形变（弯曲成波纹形）作为“内芯模具”**，注模后再蚀刻掉牺牲载体。这种“以变求形”的牺牲载体成型逻辑在现有的结构型封装对比文件（如D1-D3）中均未体现。

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### 六、 进一步的对比文件检索策略建议

为了成功无效目标专利权利要求1，现有的D1-D3组合尚不足以破坏其创造性（因为缺少“弯曲牺牲载体成型封装凹槽”的关键教导）。建议采取以下**针对性检索策略**：

#### 1. 检索方向与技术领域拓宽

* **突破传统IC封装领域，进入“牺牲层/牺牲基板工艺”（Sacrificial Substrate / Sacrificial Carrier Process）及“微机电系统（MEMS）封装”领域**：

* 弯曲牺牲金属箔（如铜箔、铝箔）并进行树脂包覆/引线框架成型的技术，极有可能出现在**微型传感器（如麦克风、压力传感器、生物诊断芯片）的引线框架（Leadframe）制造或柔性电路板（FPC）成型技术**中。

#### 2. 核心关键词组合（IPC分类号 + 中英文关键词）

* **重点 IPC/CPC 分类号**：

* `H01L21/56`（半导体器件封装）

* `H01L23/495`（引线框架）

* `H05K3/00` 或 `H05K3/46`（印制电路的制造方法、牺牲层法）

* `B81C1/00`（MEMS器件的制造或封装）

* **英文检索逻辑公式**：

* `(sacrificial OR temporary) WITH (carrier OR substrate OR leadframe OR foil)`

* `AND (bend OR bent OR wave OR corrugated OR embossed OR dimple OR deformation)`

* `AND (mold OR overmold OR encapsulate OR body)`

* `AND (etch OR remove OR strip)`

* `AND (recess OR cavity OR groove)`

* **中文检索逻辑公式**：

* `(牺牲载体 OR 临时基板 OR 牺牲层 OR 铜箔) AND (弯曲 OR 波纹 OR 变形 OR 凹凸 OR 冲压) AND (注模 OR 成型 OR 塑封) AND (蚀刻 OR 除去 OR 剥离) AND (凹槽 OR 型腔 OR 通孔)`

#### 3. 追溯同族与引用文献

* 深入调取目标专利（CN100586253C / 同族WO2008035254A1）在欧洲专利局（EPO）、美国专利商标局（USPTO）审查过程中的**审查意见通知书（Office Actions）**，查看审查员在审理同族案件时引用的对比文件，尤其是针对“牺牲载体弯曲成型”特征发起的引用文件，这往往是突破该核心特征的最佳捷径。

如权利要求1所述的方法，其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15)；其中；通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19)；所述材料用于形成所述体构件(45)；且所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17)。

如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)；所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面。

如权利要求3所述的方法，其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间；以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171)；所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46)。

如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其特征在于，在所述体构件(45)的形成之前；将另一个微电子元件(61)置于所述戏牲载体(20)的所述承载表面(24)上；且所述另一个微电子元件(61)连接到出现在所述承载表面(24)上的所述图案(30)的至少一个导电连接衬块(31)。

如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其特征在于，作为包装载体(55)的阵列(50)的一部分制造所述包装载体(55)；其中；用在制造所述包装载体(55)的过程中的所述牺牲载体(20)是较大的牺牲载体(20)的一部分；其中所述较大的牺牲载体(20)被弯曲以产生所述牺牲载体(20)的波纹形状。