一种指纹识别模块，包括：基板；导电图案部；所述导电图案部设置在所述基板上；保护层；所述保护层部分地设置在所述导电图案部上；第一芯片；所述第一芯片设置在通过所述保护层的第一开口区域暴露的导电图案部上；第二芯片；所述第二芯片设置在通过所述保护层的第二开口区域暴露的导电图案部上；以及第三芯片；所述第三芯片设置在通过所述保护层的第三开口区域暴露的导电图案部上；其中；所述第一芯片是指纹识别传感器；所述第二芯片是专用集成电路；所述第三芯片包括二极管芯片、MLCC芯片、BGA芯片和芯片电容器中的至少一个；并且所述基板包括：位于所述基板的一端并且包括所述第一开口区域的第一非弯曲区域；位于所述基板的与所述一端相对的另一端并且包括所述第二开口区域和所述第三开口区域的第二非弯曲区域；以及位于所述第一非弯曲区域与所述第二非弯曲区域之间的弯曲区域；其中；所述第三芯片比所述第二芯片更靠近所述基板的所述另一端；其中；在所述基板弯曲之前所述第一芯片与所述第二芯片之间的距离在3.2μm至10mm的范围内；其中；在所述基板弯曲之前和之后所述第二芯片与所述第三芯片之间的距离在1.0mm至5.0mm的范围内；其中；所述基板基于所述弯曲区域的弯曲线弯曲；其中；所述基板包括在所述基板弯曲的状态下与所述一端和所述另一端之间的所述弯曲线相对应的弯曲端；其中；所述第一芯片包括与所述基板的所述一端相邻的第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面；其中；所述第二芯片包括与所述基板的所述一端相邻的第三侧表面和与所述第三侧表面相对的第四侧表面；其中；在所述基板弯曲的状态下所述第一芯片的所述第二侧表面与所述弯曲端间隔1.6μm以上；并且其中；在所述基板弯曲的状态下所述第二芯片的所述第三侧表面与所述弯曲端间隔1.6μm以上。

根据权利要求1所述的指纹识别模块，其中；所述导电图案部包括：上导电图案部；所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上；下导电图案部；所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上；以及通孔；所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间；其中；所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层；设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层；以及设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层。

作为一名经验丰富的专利代理师，我将为您针对目标专利的权利要求2，结合说明书进行深入的权利要求解释，并与三份日本对比文件（D1: JP2001308491A、D2: JP2002319750A、D3: JP2004356144A）进行严密的原文比对与创造性、无效可行性分析。

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## 一、 目标专利权利要求2的说明书合理解释

权利要求2是一个典型的**两面布线、通过通孔连接，且具有双层锡镀层结构**的柔性电路板（FPCB）指纹识别模块拓扑特征。结合说明书具体实施方式，对其核心技术特征的内在含义和发明目的解释如下：

* **基板、上/下导电图案部及通孔（特征B至G）：** 说明书\[0011]、\[0098]、\[0103]明确指出，基板110为绝缘柔性基板（如聚酰亚胺PI），其上表面和下表面分别独立设置两层布线。这种双面布线结构配合穿过基板的通孔（V1-V4），构成了**“膜上芯片用柔性电路板”**。其核心发明目的在于**精细间距拓扑下的空间压缩**，使得指纹传感器（第一芯片C1）、专用集成电路（第二芯片C2，即ASIC）以及MLCC等外围器件（第三芯片C3）可以**共同集成在单个双面布线板上**，从而彻底取消传统技术中连接指纹模块和主板所需的中间过渡板（见说明书\[0007], \[0024]），达到减小电子装置整体厚度与尺寸的目的。

* **布线图案层 + 第一镀层 + 第二镀层（特征I至K）：** 说明书\[0108]至\[0112]、\[0121]、\[0164]对这种特殊的**“三层导电拓扑（Cu布线 + 第一Sn镀层 + 第二Sn镀层）”**给出了关键的合理解释。其并非单纯的电连接，而是为了解决以下两个技术问题：

1. **防止晶须（Whisker）和短路：** 两层包含锡的镀层在布线图案层（通常为铜Cu）上形成，可以有效抑制锡晶须自发长出导致的精细间距短路故障（\[0109]）。

2. **抑制铜（Cu）扩散以确保芯片接合可靠性：** 如果只有单层锡，在保护层（阻焊层）的高温热固化或后续芯片焊接过程中，布线层的铜（Cu）会快速扩散至最外层表面，形成大面积的Cu-Sn共晶合金（如$Cu_xSn_y$），导致表层不再是纯锡，从而恶化与第一芯片（指纹传感器，通常使用**金Au凸块**进行倒装芯片焊接）的共晶接合特性。本发明通过设置第一和第二两层锡镀层，使得从第一镀层向第二镀层表面方向上**铜的扩散浓度连续递减，第二镀层最外层能够维持高原子百分比的“纯锡层”**（见说明书\[0121]“纯锡指锡含量在50atom%、70atom%或90atom%以上”）。这极大地促进了金凸块与锡镀层的共晶接合性能（见\[0109]、\[0121]、\[0198]），保障了超声波指纹传感器高频振动下的机械与电学稳定性。

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## 二、 权利要求2与对比文件的特征比对表格

以下表格严格对应权利要求2拆解的技术特征，并逐一检索D1、D2、D3的原文进行客观比对。

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## 三、 最接近对比文件（最接近现有技术）的选择与分析

在创造性分析（三步法）中，确定“最接近的对比文件”需要考量**技术领域、解决的技术问题以及核心技术特征的重合度**。

### 1. 各对比文件的整体技术问题及效果分析

* **D1 (JP2001308491A)：** 解决的技术问题是传统双面/多层板制造繁琐，或单面柔性板在液晶模块弯曲折叠时，元器件焊接在回路面易导致回路被晶振エッジ（玻璃边缘）刮伤、断线、或者无法高密度布线、元器件贴片总高度过大的问题。其达到的效果是通过在**单面电路板的基材背面打盲孔（Via）**，把贴片元件焊在无回路的背面，实现“单面配线、双面利用”。

* **D2 (JP2002319750A)：** 解决的技术问题是传统的双面或多层板中，通过钻孔、化学无电解镀（化学铜）或贯通电极制作层间通孔的工艺极为繁杂、成本高昂且长期可靠性（分层剥离）不足。其达到的效果是**将单面柔性板通过“一分为二对折、中间加接着层压实”的创新机械折叠工艺，直接用原本属于同平面的侧边布线转变为三维多层板的层间导通 패턴（导通图案）**，大幅简化了多层板制造设备与流程。

* **D3 (JP2004356144A)：** 解决的技术问题是薄膜电路柔性板（メンブレン基板）在元器件贴片区域被反复弯曲时，由于封止材（灌封胶）硬度高、应力集中在封止材边缘，导致其下方的银浆导电回路极易发生疲劳开裂（クラック）断路。其效果是在贴片区的基材背面加设比封止材投影面积更大的不连续印刷树脂补强层，分散弯曲应力。

### 2. 结论：最接近对比文件的选定

本案中，最适合做最接近对比文件的是 **D2 (JP2002319750A)**。

* **理由：**

1. 从**技术架构（拓扑结构）**来看，权利要求2保护的是一种具有“上导电图案部 + 下导电图案部 + 贯通基板的通孔”的**双面/多层物理结构**。D1和D3在本质上仍属于“单面配线板”，其回路只存在于基板的一侧面。而D2在经过折叠压实后，实质公开并形成了具有上表面第一配线、下表面第二配线，并且通过折叠转折处的侧面导通图案（等效于穿过双层基板层间的通孔结构）连通的双面实体结构。

2. 从**领域及技术问题**来看，本案权利要求2依托于说明书，根本立足点在于提供一种“具有双层结构、精细间距且高可靠性层间连接的膜上芯片用柔性电路板”。D2同样立足于多层型、双面型电路板的高可靠性层间导通与制造简化问题。

3. 因此，以D2作为最接近的现有技术，其公开的技术特征最多，与本案的结构最为接近。

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## 四、 其余特征的公开情况与组合创造性评述

以 D2 为最接近的对比文件，权利要求2与其相比，存在的区别特征主要在于：

> **区别特征1：** 通孔的具体物理构造不同（D2是利用可挠性单面片材对折后形成的侧面转折导通层，而权利要求2是直接“穿过所述基板”的物理通孔）。

> **区别特征2：** 上、下导电图案部中的每一者均包括“设置在布线图案层上并包含锡的第一镀层，以及设置在第一镀层上并包含锡的第二镀层”的**双层含锡镀层拓扑结构**（特征J、K）。

### 1. 区别特征1是否被其他对比文件公开？

D1公开了“バイアホール（via hole）39”（\[0012]、\[0027]），但其是为了在单面布线板的背面焊接元件而开挖的未贯通至另一层配线的盲孔（或者说其回路只有一层）。

在印刷电路板（PCB/FPC）制造领域，直接在基板上通过机械钻孔、激光打孔（Laser drilling）并注入导电材料（如镀铜）来形成穿过基板并连接上下两面图案的物理贯通孔（Through via），属于**本领域的公知常识**。D2本身在背景技术\[0002]中也已经承认了“ビアホール（导电ビア）”作为层间连接的传统手段。因此，将D2的折叠侧面导通改为直接打孔贯通，对本领域技术人员而言是显而易见的。

### 2. 区别特征2（特征J、K：双层含锡镀层）是否被其他对比文件公开？

**D1、D2、D3均未公开该特征。**

* D1仅在\[0025]中概括性地提到了回路表面可以进行“金、スズ（锡）、ニッケル、半田”的仕上げメッキ（终饰电镀）。这是一种工业上常见的**单层终饰防氧化电镀**（如纯纯的单层镀锡或单层OSP），并没有公开将其拆分为“第一镀锡层 + 第二镀锡层”的两步法分层布置，更未提及两层之间由于热处理工艺导致的铜扩散阻挡效应。

* D2和D3对此则完全没有涉及。

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## 五、 无效请求方最薄弱的技术特征

若作为无效请求方尝试对权利要求2提起无效宣告请求，**最薄弱的技术特征（即请求方最难攻破、目标专利专利权人最稳固的防线）**是：

> **特征J + 特征K的组合：上、下导电图案部均具有“布线图案层 + 包含锡的第一镀层 + 包含锡的第二镀层”的三层叠层构型。**

### 理由分析：

1. **现有技术无明确启示：** 无论是D1、D2还是D3，对于铜布线上的表面处理，要么未提及（D2、D3），要么仅仅属于常规的单层仕上げメッキ（终饰电镀，如D1）。没有任何一份对比文件给出了**“在包含锡的第一镀层上再镀一层包含锡的第二镀层”**的工艺启示或结构公开。

2. **具备意料不到的技术效果（对应创造性判定）：** 专利权人可以据理力抗，指出该结构在线路精细间距化（线宽/线距 $\le 10\mu m/15\mu m$，见说明书\[0024]）的柔性板中，具有独特的、意料不到的技术效果。如前文说明书解释所述，在柔性阻焊层长达数小时的高温固化（热处理）过程中，第一层锡会牺牲性地与铜基底发生高度扩散，形成富铜的Cu-Sn合金阻挡层；而再覆盖的第二层锡则能成功免疫基底铜的进一步连续扩散，从而在表面维持高原子百分比的纯锡（\[0121]）。这完美克服了“精细间距下锡晶须导致的短路”与“金凸块芯片倒装共晶焊接时因表面含铜导致的失效”这两大相互矛盾的工艺难题。

3. **常规常识难以等同：** 无效请求方如果仅凭“均为镀锡，两层与单层等同”或“这只是工艺的重复电镀”来进行常规推导，在没有定量和定性微观扩散阻挡证据（如现有的公知教科书明确启示双层同材质镀覆可阻挡扩散）的情况下，极易被专利局复审委以“现有技术未给出技术启示，且解决了特定技术缺陷”为由予以驳回。因此，这是无效请求方最难逾越的鸿沟。

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## 六、 针对该薄弱特征的进一步检索策略

为了成功无效掉权利要求2，无效请求方必须打破上述双层含锡镀层的创造性防线。建议采取以下精准的进一步检索策略：

1. **变更检索主题词与分类号组合（聚焦微观工艺与表面处理）：**

* 不要再将检索局限于“指纹识别（指紋認証）”或“电子装置”等应用层面的关键词。应全面退回PCB/FPC的**基础制造工艺与表面处理（Surface Finish）领域**。

* **IPC/FI分类号锁定：** `H05K3/34`（电路板的焊接工艺）、`H05K3/24`（电路板导电图案的金属表面处理）、`C25D5/10`（多层金属的电镀）、`C25D7/12`（半导体及电子电路板的电镀）。

* **精准关键词（日文/英文）：** `二層スズメッキ`（双层锡电镀）、`重畳スズ`（重叠锡）、`スズ結晶成長`（锡晶体生长/晶须抑制）、`銅拡散防止`（铜扩散防止）、`共晶接合`、`Auバンプ`（金凸块）、`Sequential plating Sn`（顺序电镀锡）。

2. **重点检索电路板行业头部供应商及特定时期的专利：**

* 由于“金凸块倒装芯片（Gold Bump Flip-Chip）接合至镀锡FPC”并在热固化时产生铜扩散的问题，在2010年-2020年间随着**液晶驱动IC（Display Driver IC, DDIC）的COF（Chip-on-Film）拓扑结构**的大规模量产而达到技术探讨的高峰。

* 建议重点检索在COF/柔性板表面处理领域具有极深技术积淀的日本和韩国企业（如：**住友电工 (Sumitomo Electric)、日东电工 (Nitto Denko)、JNC、东丽 (Toray)、韩华、LG Innotek**）在**2010 - 2019年间**关于“COF基板表面镀锡防Cu扩散/防晶须”的底层工艺专利。

3. **寻找非专利文献（技术标准与学术论文）：**

* 检索电子封装行业标准或技术报告，例如 **IPC（国际电子工业联接协会）** 关于锡晶须（Tin Whisker）控制的标准文件（如 `IPC-T-651` 或 `IPC-4554` 镀锡规范的相关修订讨论稿）。

* 利用 IEEE Xplore、IEEE Components, Packaging and Manufacturing Technology 等数据库，检索关于 “*Cu-Sn intermetallic compound (IMC) growth barrier during polyimide curing*”（聚酰亚胺固化期间Cu-Sn金属间化合物生长阻挡）或 “*double-layer Sn plating flip-chip bonding*” 的学术论文。这类论文中往往会公开为了阻挡Cu扩散而先后进行两道锡电镀或闪镀（Flash plating）的实验室现有技术，以此作为突破口证明其属于本领域的公知技术手段。

作为经验丰富的专利代理师，我将为您对目标专利说明书的权利要求2进行深度解析，并结合三份对比文件（D1: KR101807464B1, D2: KR20170040944A, D3: WO2017062506A1）的原文进行严谨的侵权/无效分析、最接近对比文件筛选以及创造性评价，最后为您指出对于请求方而言最薄弱的特征并提供进一步的检索策略。

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## 一、 目标专利权利要求2的技术特征拆解与解释

基于目标专利说明书的具体实施方式，对权利要求2所包含的技术特征（A至K）解释如下：

* **基板（对应特征C、E、G、I）**：指具有弯曲结构的膜上芯片用柔性电路板（COF）的基板。根据说明书 `[0098]`，其为柔性绝缘基板，优选聚酰亚胺（PI）基板，厚度在 $20\mu m \sim 100\mu m$。

* **导电图案部（上/下导电图案部，特征B、C、D、E、I）**：设置在基板上、下表面的双面电路图形。根据 `[0103]` 和 `[0152]`，其由布线图案层和镀层构成。

* **通孔（特征F、G）**：指穿过基板连接上、下层电路的贯通孔（如说明书中的 $V1 \sim V4$），`[0152]` 指出其中填充导电材料（如铜）以传输电信号。

* **布线图案层（特征I）**：导电图案部的基础层，说明书 `[0105]` 明确其包括铜（Cu）等金属，厚度为 $1\mu m \sim 15\mu m$。

* **第一镀层和第二镀层（特征J、K）**：设置在布线图案层上构成两层镀层结构。说明书 `[0109]`、`[0117]` $\sim$ `[0121]` 详细阐述了其核心设计意图：第一和第二镀层均包含锡（Sn），以**防止晶须（whisker）形成和铜（Cu）扩散**。在历经热处理（如阻焊保护层固化）后，富铜的布线层与锡发生化学反应，使得直接接触布线层的**第一镀层形成为锡铜合金层**（化学式 $Cu_xSn_y$），而最外层的**第二镀层则保持为纯锡层**（锡含量 $\ge 50\,\text{atom}\%$，优选 $\ge 90\,\text{atom}\%$），以促进与芯片金凸块的接合。

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## 二、 与对比文件原文的详细比对分析

三份对比文件的公开号及简要信息如下：

* **对比文件1（D1）**：KR101807464B1（电子元件封装的制造方法）

* **对比文件2（D2）**：KR20170040944A（柔性基板）

* **对比文件3（D3）**：WO2017062506A1（用于指纹感测的图像传感器结构）

以下是各对比文件对权利要求2各技术特征的比对分析及详细出处引述：

### 1. D1 (KR101807464B1) 比对分析

* **特征A~G（双面基板与通孔结构）**：**毫无疑问公开**。D1属于PoP（Package on Package）堆叠封装技术。其公开了基板（10/61）以及设置在基板表面的布线。其说明书 `[0005]` 明确提到了“TMV（Through Mold Via）方法”，`[0005]` 中指出：“在下层封装1a中……形成达到基板10a上的上、下连接电极13a的孔31a……熔化焊料球33以填充孔31a，连接孔34连接电极13b和13a”。虽然其描述的是封装体内的熔焊通孔，但在基板层级上，双面布线及穿过基板的电连接是常规内置的（如其附图3中的基板级层级结构）。

* **特征H~K（双层含锡镀层）**：**未公开**。D1仅在 `[0036]` 中提及“上、下连接电极13a、13b和63的组成与一般布线电极相同”。它并未公开在铜布线图案层上依次设置“包含锡的第一镀层”和“包含锡的第二镀层”的双层防扩散/防晶须镀层结构。

### 2. D2 (KR20170040944A) 比对分析

* **特征A~G（双面基板与通孔结构）**：**实质公开**。D2属于双面COF（膜上芯片）柔性基板技术。其说明书 `[0009]` 明确指出：“包括基材（基板）和所述基材的两面上的第1金属层及第2金属层”；并在 `[0016]` 中指出：“本发明实施例的柔性基판（100）包括基材（110）和所述基材（110）两面上的第1金属层（122）及第2金属层（124）”。虽然文字部分未直接突出“通孔（Via）”一词，但对于“两面具有回路线路图案的双面COF基板（양면 COF）”而言，通过通孔（Via）穿过基材连接上、下金属层是该领域的公知常识和必备结构，属于实质公开。

* **特征H~K（双层含锡镀层）**：**实质公开/毫无疑问公开**。D2的核心发明点就在于解决双面柔性基板弯曲时的克랙（裂纹）和防短路问题，其结构与目标专利高度重合。

* **关于特征I（布线图案层）**：D2的 `[0016]` 和 `[0021]` 公开了第1金属层122和第2金属层124，并在 `[0021]` 中指出：“将所述第1金属层（122）及所述第2金属层（124）用Cu实现”。

* **关于特征J、K（第一镀层和第二镀层均含锡）**：D2在 `[0021]` 中公开：“在所述第1金属层（122）上以叠层结构配置的第1电镀层（130）和所述第2金属层（124）上的第2电镀层（140）……第1电镀层（130）……区分为与第1金属层（122）直接接触的第1子电镀层（132）和……第2子电镀层（134）”。

* **关于材料与元素扩散**：D2在 `[0021]` 明确指出：“将第1子电镀层（132）和第2电镀층（140）用Sn进行电镀的情况下……第1子电镀层（132）和第2电镀层（140）由于层叠界面处的化学作用，实现为包含Cu/Sn系列合金的结构。” 并且在 `[0023]` 中详细描述了热处理过程中的扩散：“由于这种Cu/Sn的扩散现象，防止电化学迁移，从而可以切断由于金属生长引起的合선（短路）不良。”这与目标专利利用两层含锡镀层防止铜扩散和晶须短路的机理完全一致。

### 3. D3 (WO2017062506A1) 比对分析

* **特征A~G（双面基板与通孔结构）**：**毫无疑问公开**。D3涉及晶圆级集成指纹传感器的制造方法。其说明书 `[0008]` 明确提到：“在设置于图像传感器晶圆正面的一层或多层重布线层（RDL）中形成多个准直孔和用于图像传感器晶圆的光敏元件的布线电路。” 并且在 `[0072]` 明确指出：“在这些‘正面照度’（FSI）结构中……准直过滤器孔可以直接穿过在图像传感器正面构建的重布线层（RDL）形成。” 重布线层（RDL）在半导体和柔性封装领域中，必然包含在电介质/基板层上、下或不同层间的布线及穿过介质层的通孔连接。

* **特征H~K（双层含锡镀层）**：**未公开**。D3的关注点在于在重布线层（RDL）或大块硅上通过深反应离子刻蚀（DRIE）制造高长径比的准直孔（孔径、盲孔或通孔，如 `[0051]`、`[0084]` 所述），以限制光线入射角，并未涉及在布线层上涂覆“第一含锡镀层+第二含锡镀层”的微观电镀工艺。

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## 三、 特征比对表格

依据上述详细分析，将目标专利权利要求2的技术特征与对比文件D1、D2、D3的映射关系汇总如下：

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## 四、 最接近对比文件的选择及创造性整体分析

### 1. 哪个对比文件最适合做“最接近的对比文件（D1）”？

在创造性评述过程中，**对比文件2（D2, KR20170040944A）最适合作为最接近的对比文件**。

* **从整体解决的技术问题角度分析**：

目标专利旨在解决指纹识别模块在使用柔性板（COF）时，基板上的电路图案因弯曲（Bending）产生应力集中而导致**“回路线路图案产生裂纹（Crack）或破损”**的问题（参见目标专利说明书 `[0003]`, `[0089]`）。同时，还需解决由于微细间距化导致的**“金属生长（晶须）引起电路短路不良”**的问题（参见 `[0109]`, `[0122]`）。

对比文件2（D2）所解决的技术问题与目标专利**完全等同**。D2在 `[0003]` 和 `[0006]` 中直面指出：“COF基材在反复折弯或折弯结合过程中，回路线路图案会产生裂纹（crack），或者因张力导致金属图案层破损”；并在 `[0023]` 中提出要解决“因金属生长导致的合线（短路）不良”问题。

* **从技术效果角度分析**：

目标专利通过“双层含锡镀层（第一镀层和第二镀层）”实现了防止晶须和缓解弯曲应力的效果。D2通过第1子电镀层132和第2子电镀层134的Sn电镀及热处理扩散，同样达成了“提高耐折弯特性、减少裂纹、切断因金属生长导致的短路不良”的技术效果（参见D2 `[0010]`, `[0023]`）。

* **对比文件的结构重合度**：

D2公开了双面COF基板、铜布线层（第1/第2金属层）、以及在其上设置的第一含锡电镀层（第1子电镀层）和第二含锡电镀层（第2子电镀层）的完整架构，几乎覆盖了权利要求2的全部技术特征。

相比之下，**D1**侧重于芯片三维堆叠封装（PoP）中打孔防损伤的问题，**D3**侧重于在指纹芯片晶圆上刻蚀高长径比的准直孔（光学校准过滤器）以改善光学成像质量的问题。两者的技术领域、解决的问题以及核心架构与权利要求2的微观镀层特征相距较远。因此，**D2是唯一且最适合的最接近对比文件**。

### 2. 没有被最接近对比文件公开的特征是否被其他对比文件公开？

通过特征比对可以看出，**最接近对比文件D2已经完全公开了权利要求2的全部技术特征（A至K）**。

* D2不仅公开了特征A~G的基板双面布线拓扑，其 `[0021]` $\sim$ `[0023]` 段落更毫无保留地公开了特征I~K所限定的“铜布线层 + 第一子含锡镀层（经热处理形成Cu/Sn合金） + 第二子含锡镀层（外层纯锡）”的微观异质双电镀层架构。

因此，在本案中，**不存在“未被最接近对比文件（D2）公开而需由其他对比文件组合提供”的漏标特征**。若单以D2为证据，权利要求2已经面临极高的丧失新颖性（A类缺陷）或显而易见（B类缺陷，缺乏创造性）的被无效风险。

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## 五、 无效请求方最薄弱的技术特征及进一步检索策略

若您代表**无效请求方**（意图推翻该专利的效力），在当前的证据框架下，针对权利要求2，您会发现**最难攻克的、也是对于请求方来说最薄弱的技术特征**如下：

### 1. 请求方最薄弱的技术特征：特征F、G中关于“通孔（Via）”在COF基板中的显性文字表述

虽然在特征比对中我们将D2判定为“实质公开”了通孔，但由于D2的文本中大量使用了“양면 COF（双面COF）”、“제1금속층（第1金属层）”和“제2금속층（第2金属层）”，**并未在其说明书文字中直白地、显性地写出“Via（通孔/贯通孔）”这一词汇**。

当此案进入正式的专利无效口头审理时，**专利权人（所有者）必然会抓住这一点进行强力抗辩**。他们会主张：“目标专利的权利要求2明确限定了‘通孔穿过基板并连接在上导电图案部与下导电图案部之间’，这是指纹识别模块实现特定微细信号传输和特定空间架构的必要特征，而最接近对比文件D2并未给明通孔的存在，属于未公开的特征。”尽管审查指南和代理人常识认为双面COF必然内置通孔，但这种“字面缺失”往往会给请求方带来极大的不确定性，成为无效宣告请求中最薄弱的攻击点。

### 2. 针对薄弱环节的进一步检索策略（Action Plan）

为了彻底封死专利权人的抗辩空间，强化“通孔”特征以及“双层含锡镀层在指纹/COF模块中应用”的证据链，建议采取以下针对性的进一步检索策略：

1. **公知常识/教科书证据补强（针对通孔显性化）**：

* **检索目标**：2023年（目标专利申请日）之前的PCB/FPCB/COF制造工艺的标准教科书、行业标准（如IPC标准）。

* **检索逻辑**：寻找直接定义“双面COF基板（Double-sided COF Substrate）”或“双面柔性印刷电路板”技术规范的文献，直接截取其“双面线路层之间必须通过层间通孔（Via Hole/Through Hole）进行电气互连”的定义性段落，作为**公知常识级证据**，用以佐证D2中隐性包含通孔是本领域的必然常识。

2. **准直过滤器与双面COF的“系统级”证据交叉检索（针对特征A+F+G的组合）**：

* **关键词检索式设计**：

`(指纹识别模块 OR 指纹传感器 OR 准直孔 OR 准直过滤器) AND (双面COF OR 双面柔性板 OR 聚酰亚胺双面) AND (通孔 OR 穿孔 OR 过孔 OR Via)`

* **检索目的**：寻找一份将D3类的“光学指纹准直过滤芯片”与D2类的“双面COF基板（带过孔）”集成在同一个智能手机显示模块底部的**系统级在先专利**。这样可以直接证明将准直孔结构与双面带通孔的COF基板相结合，是便携式电子设备为了减小厚度、提高可靠性的常规设计选择，彻底打破专利权人的抗辩屏障。

3. **微观电镀工艺的专项检索（针对特征J、K的绝对锁定）**：

* **检索逻辑**：针对特征J和特征K中“第一镀层含锡、第二镀层含锡且附着于铜布线”的微观结构，在元素化学及半导体电镀工艺分类号（如 `C25D` 互连线电镀, `H05K` 电路板制造）中进行深入检索。

* **检索式**：`(铜布线 OR 铜图形) AND (双层锡 OR 二次镀锡 OR 纯锡层) AND (铜扩散 OR 晶须 OR 短路)`。

* **预期效果**：检索出更早的专门研究柔性板表面处理（Surface Finish）的在先文献，证明为了应对焊接或金凸块连接（Gold Bump bonding），在铜上先镀一层锡产生合金阻挡层，再镀一层纯锡以利于键合，是防晶须生长的成熟工艺。以此彻底将权利要求2拉入“公知工艺的常规选择”范畴，确保无效宣告获得最终成功。

根据权利要求1所述的指纹识别模块，还包括：第一连接部；所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上；以及第二连接部；所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上；并且其中；所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状。

根据权利要求1所述的指纹识别模块，其中；通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度。

根据权利要求3所述的指纹识别模块，其中；所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且其中；所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面。

根据权利要求3所述的指纹识别模块，还包括：第三连接部；所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上；并且具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状；并且其中；所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形；并且其中；所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面。

根据权利要求1所述的指纹识别模块，其中；所述第一非弯曲区域被设置为面对所述第二非弯曲区域；并且所述指纹识别模块还包括设置在所述第一非弯曲区域与所述第二非弯曲区域之间的粘合层。

根据权利要求7所述的指纹识别模块，还包括：外部引线图案部；所述外部引线图案部位于所述第二非弯曲区域上；并通过所述保护层的第四开口区域暴露；且连接至主板。

根据权利要求1所述的指纹识别模块，还包括：侧面成型部；所述侧面成型部被设置成包围所述第一芯片的外围；其中；所述侧面成型部包围所述第一芯片与所述基板之间存在的空间的外围。