**对比文件名称**：发明申请_US20070013462A1 Dual-band bandpass filter
**目标专利名称**：双侧电路
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <br> **《隐含公开》** | “the first inductor layer 111 has a **base 111a**... The second inductor layer 112 has a **base 112a** disposed underneath the first inductor layer 111a.” (段落[0029]) <br> “the first ground layer 121 has a **base 121a**... The second ground layer 122 has a **base 122a**...” (段落[0031]) <br> “the dual-band bandpass filter is a multi-layer structure, which can be implemented by using the **low-temperature co-fire ceramic technology**.” (段落[0042]) | 对比文件公开了一种多层结构（电感堆叠层11、第一/第二电容堆叠层12、13），各层均具有“base”（基板/衬底）。这些“base”共同构成了支撑整个滤波器电路的结构体，该结构体必然具有相对的“第一表面”和“第二表面”（例如，最上层基板111a的顶面和最下层基板112a的底面）。整个多层结构作为一个三维实体，也必然具有连接其顶面和底面的“外围”。虽然对比文件未明确使用“绝缘体”一词，但其技术方案（例如采用低温共烧陶瓷LTCC技术实现）中，构成“base”的材料（如陶瓷）本质上是绝缘的，其作用是为电路元件（电感、电容的金属区域）提供支撑和电气隔离，这与目标专利中“绝缘体”的作用相同。因此，本领域技术人员能够从对比文件的整体多层结构及其制造技术中，毫无疑义地推知其存在一个具有第一表面、第二表面和外围的绝缘体结构。 |
| **B: 电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <br> **《直接公开》** | “the **first capacitor stacked layer 12** is disposed on **one side of the first inductor stacked layer 11**.” (段落[0031]) | 对比文件明确公开了“第一电容堆叠层12”布置在“电感堆叠层11的一侧”。这里的“第一电容堆叠层12”包含多个电容器（如接地电容C4-C6和耦合电容C1-C3），构成了电路元件的一个子集。该子集被布置在多层结构的一个特定侧面上，这等同于布置在绝缘体结构的一个“表面”上。该特征被直接、明确地公开。 |
| **C: 电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <br> **《直接公开》** | “The **second capacitor stacked layer 13** is disposed on **the other side of the inductor stacked layer 11**.” (段落[0036]) | 对比文件明确公开了“第二电容堆叠层13”布置在“电感堆叠层的另一侧”。这里的“第二电容堆叠层13”包含多个电容器（如接地电容C10-C12和耦合电容C7-C9），构成了电路元件的另一个子集。该子集被布置在多层结构的与第一侧相对的另一侧面上，这等同于布置在绝缘体结构的另一个“表面”上。该特征被直接、明确地公开。 |
| **D: 至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 1. **关于“导电侧壁”及其功能**：对比文件完全没有公开任何“布置在外围上”的“导电侧壁”。对比文件中各层之间的电连接是通过“金属连接部分”（如171, 172等，参见段落[0035], [0040]）实现的，这些连接是垂直贯穿各层内部的过孔或垂直互连结构，而非布置在整体结构外围的侧壁。目标专利中导电侧壁的核心作用之一是“将电路元件的第一子集电耦合至电路元件的第二子集”，而对比文件中第一子集（第一电容堆叠层12）和第二子集（第二电容堆叠层13）之间通过“电感堆叠层11”及其内部的金属连接进行耦合，不存在通过外围侧壁实现的耦合。 <br> 2. **关于“第一电容器”的三层结构**：对比文件公开了电容器由金属区域（如18a）和接地金属区域（如19a）通过介质（基板123a）形成电容效应（参见段落[0034]）。然而，它并未明确公开目标专利所限定的、与绝缘体第一表面接触的“第一内部导电层”、与之接触的“第一介电层”、以及与介电层接触的“第一中间导电层”这种特定的三层堆叠结构。对比文件中的电容器是集成在多层基板内部的，其具体分层关系与本特征限定不同。因此，该技术特征的整体方案既未被直接公开，也无法从对比文件已公开的内容中合理推断出来。 |
| **E: 所述绝缘体包括玻璃** <br> **《未被公开》** | “the dual-band bandpass filter is a multi-layer structure, which can be implemented by using the **low-temperature co-fire ceramic technology**.” (段落[0042]) | 对比文件明确其多层结构优选采用“低温共烧陶瓷（LTCC）”技术实现。这意味着其绝缘基板材料是陶瓷，而非玻璃。虽然玻璃和陶瓷都是绝缘材料，但它们是不同的材料类别。对比文件没有给出任何使用玻璃作为绝缘体材料的启示或可能性。因此，该特征未被公开。 |
| **F: 所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件描述的是多层板结构，其中电感层、电容层等是以“层”（layer）的形式堆叠在一起。整个结构的厚度是各层厚度之和。目标专利中“绝缘体”是一个具有显著厚度的实体（如玻璃基板），电路元件（如电容器、电感器）以薄膜或图案化导体的形式布置在其表面上，因此绝缘体厚度远大于电路元件厚度。对比文件的多层结构中没有这样一个独立的、厚度远大于各电路元件层的“绝缘体”概念。各“base”的厚度与形成其上的金属图案（电路元件）的厚度可能处于同一量级，是集成在一起的。因此，该厚度关系未被公开。 |
| **G: 所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <br> **《直接公开》** | “the dual-band bandpass filter of the invention passes a signal of a first frequency band and a signal of a second frequency band. The first signal terminal 14a and the second signal terminal 14b pass the signal of the first frequency band. The third signal terminal 14c and the fourth signal terminal 14d pass the signal of the second frequency band. In this embodiment, the central frequency of the first frequency band is about 2.4 GHz, and the central frequency of the second frequency band is about 5 GHz.” (段落[0024]) <br> 结合图1，第一滤波器单元20对应第一频带，第二滤波器单元30对应第二频带。 | 对比文件的核心发明点就是提供一种双频带滤波器。它明确公开了其包含的第一滤波器单元（对应权利要求中的“电路元件的第一子集”）用于对第一频带（例如2.4GHz）滤波，第二滤波器单元（对应“电路元件的第二子集”）用于对第二频带（例如5GHz）滤波，并且第二频带高于第一频带。该特征被直接、明确地公开，且所起作用与目标专利相同。 |
| **H: 所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <br> **《直接公开》** | “The **first filter unit 20** has ... a **first inductor L1**...” (段落[0019]) <br> “equivalent to the **first inductor L1**, the second inductor L2, the third inductor L3, ... shown in FIG. 1.” (段落[0030]，关于电感堆叠层11) | 对比文件公开的第一滤波器单元20（即第一子集）明确包括电感器（L1, L2, L3）。在结构实施例中，电感堆叠层11的金属区域等效于这些电感器。因此，该特征被直接公开。 |
| **I: 所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件虽然公开了第一子集和第二子集分别处理不同频带（第一频带和第二更高频带），但并未公开这两个子集中对应元件的具体参数比较关系。本领域技术人员公知，高频滤波器可能使用更小的电感和电容值，但对比文件说明书全文没有记载或暗示第二子集中的电感器电感值“低于”第一子集中的电感器，或者第二子集中的电容器电容值“低于”第一子集中的电容器。该特征是具体的数值关系限定，未被公开。 |
| **J: 所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <br> **《隐含公开》** | “The first inductor layer 111 has a base 111a provided with **several metal regions 18**. The second inductor layer 112 has a base 112a ... provided with **several metal regions 18′**.” (段落[0029]) <br> 图3-5展示了电感层的布局。 | 对比文件公开了电感器由布置在基板上的“金属区域”（metal regions）形成。在多层微波电路领域，特别是在LTCC技术中，为实现所需的电感值，这些平面金属图案通常被设计为螺旋形（螺旋电感器）是最常见和直接的方式。查看对比文件的附图3-5，其电感层金属区域的示意图形状也支持其为螺旋图案。因此，本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出其中所用电感器为螺旋电感器。该特征被隐含公开。 |
| **K: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件公开了电感堆叠层可以包括多个电感层（如111, 112），每层有基板和金属区域。但它完全没有公开目标专利所限定的、用于构成单个电感器的特定三层“三明治”结构（内部导电子层-绝缘子层-外部导电子层）。目标专利的该特征描述了制造螺旋电感器的一种具体层压结构，而对比文件中的电感器是简单的平面金属图案。该具体结构未被公开。 |
| **L: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 同技术特征K的理由。对比文件未公开第二电感器的此种具体三层结构。 |
| **M: 所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <br> **《未被公开》** | “The second capacitor stacked layer 13 includes a third ground layer 131, a fourth ground layer 132, a third capacitor layer 133, and a fourth capacitor layer 134.” (段落[0036]) <br> “The metal regions 18c of the third capacitor layer 133 and the fourth ground metal regions 19d provide a capacitor effect...” (段落[0039]) | 对比文件公开了第二电容堆叠层13包含多个层（接地层131、132，电容层133、134），电容器由不同层上的金属区域通过中间的介质（基板）形成。然而，它并未公开如目标专利所限定的、与“绝缘体的第二表面”接触的“第二内部导电层”等具体且一一对应的三层堆叠关系。对比文件中的电容器是集成在多层板内部的结构，其层间关系与本特征限定不同。因此，该特征未被公开。 |
| **N: 所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <br> **《未被公开》** | 同技术特征K。 | 同技术特征K的理由。该具体结构未被公开。 |
| **O: 以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <br> **《未被公开》** | 同技术特征L。 | 同技术特征L的理由。该具体结构未被公开。 |
| **P: 一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器** <br> **《隐含公开》** | “The first ground capacitor C4 is electrically coupled to the first inductor L1 via a **second metal connecting portion 172** to form the oscillator 201.” (段落[0035]) <br> “...electrically coupled via a **first metal connecting portion 171**...” (段落[0034]) | 对比文件多次提到了“金属连接部分”（metal connecting portion），例如172、171等。在多层电路结构中，这些“金属连接部分”必然是通过在层间介质（即“中间绝缘体”）中形成的垂直导电通道来实现的，即本领域通常所称的“过孔”（via）。其作用明确是将电感器（如L1）与电容器（如C4）电耦合起来。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从“金属连接部分”推断出存在“布置在中间绝缘体中的过孔”。该特征被隐含公开。 |
| **Q: 以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <br> **《隐含公开》** | “the fourth ground capacitor C10 is electrically coupled to the fourth inductor L4 via a **fifth metal connecting portion 175**...” (段落[0040]) | 同技术特征P的理由。对比文件公开了用于连接第二子集中电感器（L4）和电容器（C10）的“第五金属连接部分175”，这隐含了在相应中间绝缘体中存在过孔。该特征被隐含公开。 |
| **R: 所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集** <br> **《未被公开》** | “The first signal terminal 14a and the second signal terminal 14b pass the signal of the first frequency band.” (段落[0024]) | 对比文件公开了用于第一频带（低频带）的信号端子14a和14b。然而，这些端子是常规的平面端子（如图3所示），而非目标专利所限定的、由“布置在外围上的导电侧壁”所构成的“接触表面”。两者在物理结构、位置和作用方式上均不同。因此，尽管功能上都有低频带连接点，但实现该功能的具体结构特征未被公开。 |
| **S: 高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集** <br> **《未被公开》** | “The third signal terminal 14c and the fourth signal terminal 14d pass the signal of the second frequency band.” (段落[0024]) | 同技术特征R的理由。对比文件公开了高频带信号端子14c和14d，但其是平面端子，而非由外围导电侧壁构成的高频带接触表面。该具体结构特征未被公开。 |
| **T: 以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <br> **《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件公开的是一个双频带带通滤波器，具有独立的输入/输出信号端子（14a-14d）。它没有公开一个共用的、专门用于连接天线的“天线接触表面”。目标专利中天线接触表面是双面电路与外部天线连接的关键接口，该特征在对比文件中未被提及。 |
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