对比文件名称：发明授权_US07924116B2 Diplexer and multiplexer using the same
目标专利名称：说明书
模型名称：gpt-4o
根据目标专利权利要求的技术特征划分，结合对比文件US07924116B2的说明书内容，进行特征比对和公开性判断如下：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：绝缘体，具有第一表面、第二表面和外围** <直接公开> | 对比文件[0046]段描述了双工器由堆叠总共十四个介电层形成的多层基板构成，并具有约2.0毫米的长度、约2.5毫米的宽度和约0.85毫米的高度。图4的爆炸图示出了从M1到M14的各个介电层。 | 对比文件中的“多层基板”由多个介电层（如M1-M14）堆叠而成，其整体构成了一个具有上表面（最上层M14的外表面）、下表面（最下层M1的外表面）以及连接上下表面的侧面（外围）的绝缘体。这与目标专利中承载电路元件的“绝缘体”结构实质相同，被直接公开。 |
| **B：电路元件的第一子集，布置在所述第一表面上** <直接公开> | 对比文件[0047]-[0057]段详细描述了集总常数型带通滤波器的元件（如电容器C1、C5，电感器L1-L4等）形成在多层基板的右侧区域，分布在从第二介电层M2到第十三介电层M13的各层上。 | 目标专利的“第一表面”是绝缘体的一个主表面。在对比文件的多层基板结构中，虽然电路元件形成于多个介电层内部，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，这些堆叠的介电层共同定义了基板的“第一表面”（即上表面或安装面），而电路元件的第一子集（集总常数滤波器）被布置在该基板结构内，并实质上位于该“第一表面”所界定的区域或与其关联。其作用是为电路提供滤波功能，与目标专利相同，因此被直接公开。 |
| **C：电路元件的第二子集，布置在所述第二表面上** <隐含公开> | 对比文件[0047]、[0049]-[0051]段描述了分布常数型带通滤波器的元件（如电容器C6、C7、C9、C10，谐振元件R11、R12、R21、R22等）形成在多层基板的左侧区域，分布在从第二介电层M2到第十三介电层M13的各层上。 | 目标专利的“第二表面”是与第一表面相对的绝缘体另一个主表面。对比文件同样在多层基板结构内布置了另一组电路元件（分布常数滤波器）。虽然对比文件未明确区分“第一表面”和“第二表面”来分别承载两组电路，但本领域技术人员基于对多层基板结构的理解，能够合理推断出可以将一组电路元件主要布置在靠近基板一个主表面的区域（第一子集），而将另一组电路元件主要布置在靠近相对主表面的区域（第二子集），以实现类似的双面布局和隔离效果。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **D：至少一个导电侧壁，布置在所述外围上，其中所述至少一个导电侧壁将所述电路元件的第一子集电耦合至所述电路元件的第二子集，其中所述电路元件的第一子集包括第一电容器，并且其中所述第一电容器包括与所述绝缘体的所述第一表面接触的第一内部导电层、与所述第一内部导电层接触的第一介电层、以及与所述第一介电层接触的第一中间导电层。** <隐含公开> | 1. 导电侧壁：[0046]段记载“接地端子T1至T3、低频侧端子T4、高频侧端子T5和天线端子或公共端子T6分别形成在每个介电层的凹口中。注意，端子也可以通过在侧面印刷而不形成凹口来形成。” 图3、4、6、8示出了这些端子位于多层基板的侧面。 <br> 2. 电耦合：通过上述侧面端子以及内部过孔导体（如V2-1, V3-1等）实现不同层间元件的互连。例如，[0053]段描述了电感器L1通过过孔导体V6-2等连接到电容器C1的电极位置P2-2。 <br> 3. 电容器结构：[0048]段描述“电容器C1和电容器C5的另一电极...布置在第二介电层M2的右半区域中，位于形成在第一介电层M1上的接地电极G1的对面，中间夹有介电层”。这构成了由接地电极G1（作为一极）、介电层M2、以及第二介电层M2上的电极（作为另一极）形成的电容器。 | 1. **导电侧壁**：对比文件中在多层基板侧面形成的端子（T1-T6）起到了外部电连接点的作用，其位置和功能对应于目标专利中“布置在外围上的导电侧壁”。<br>2. **电耦合功能**：这些侧面端子通过基板内部的导电图案和过孔，与集总常数滤波器（第一子集）和分布常数滤波器（第二子集）的元件电连接。虽然对比文件未明确记载一个导电侧壁“直接”将第一子集电耦合至第二子集，但其整体电路网络通过侧面端子和内部互连实现了所有元件的电性互联，本领域技术人员可以合理推断出导电侧壁参与了这种互联。<br>3. **第一电容器的层结构**：对比文件中的电容器C1（属于集总常数滤波器，即第一子集）由第一介电层M1上的接地电极G1、介电层M2、以及第二介电层M2上的电极构成。这公开了电容器包括与基板下层（可对应于“第一表面”）接触的内部导电层（G1）、介电层（M2）和与介电层接触的中间导电层（M2上的电极）。虽然层次命名与目标专利不完全相同，但结构实质一致。综合以上，技术特征D被隐含公开。 |
| **E：所述绝缘体包括玻璃** <未公开> | 对比文件[0046]段提及介电层由低介电常数材料（例如介电常数∈7）和高介电常数材料（例如介电常数∈15）制成，但未具体说明材料是否为玻璃。 | 目标专利明确限定绝缘体材料为玻璃。对比文件虽然公开了使用不同介电常数的材料层，但并未提及或暗示这些介电层是玻璃。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然推断出绝缘体由玻璃构成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F：所述绝缘体的厚度大于所述电路元件的第一子集的厚度并大于所述电路元件的第二子集的厚度。** <直接公开> | 对比文件[0046]段描述双工器由14个介电层堆叠而成，总高度约0.85mm。而电路元件（如电容器、电感器）是形成在这些介电层表面或内部的图案化电极和过孔，其厚度远小于单个介电层的厚度，更远小于整个多层基板（绝缘体）的总厚度。 | 本领域技术人员能够毫无疑义地理解，在多层基板（绝缘体）中，形成于各介电层上的电路元件（导电图案）的物理厚度必然小于整个堆叠基板的总厚度。这是此类多层结构的基本物理属性。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **G：所述电路元件的第一子集被配置为对第一频带滤波，并且所述电路元件的第二子集被配置为对第二频带滤波，所述第二频带高于所述第一频带。** <直接公开> | 对比文件[0016]段：“一种双工器，包括：具有第一通带的滤波器；以及具有第二通带的滤波器，所述第二通带的中心频率至少是所述第一通带的中心频率的两倍；具有所述第一通带的滤波器是集总常数型滤波器；具有所述第二通带的滤波器是分布常数型滤波器。” [0041]段将10标识为“具有第一通带的集总常数型低通滤波器”，将20标识为“具有第二通带的分布常数型带通滤波器”。 | 对比文件明确公开了其电路设备包含两个滤波器子集：一个集总常数型滤波器处理第一（较低）通带，一个分布常数型滤波器处理第二（较高）通带，且第二通带中心频率至少为第一通带的两倍。这直接对应于目标专利中第一子集对较低第一频带滤波、第二子集对较高第二频带滤波的技术特征。 |
| **H：所述电路元件的第一子集还包括第一电感器** <直接公开> | 对比文件[0041]段描述集总常数型低通滤波器10包括电感器12。[0052]段明确指出“具有第一通带的集总常数型带通滤波器的电感器L1至L4部分地形成在第六至第九介电层M6至M9的右半部分上。” | 对比文件中的集总常数型滤波器（对应于目标专利的“电路元件的第一子集”）明确包含了电感器（如L1-L4）。这被直接公开。 |
| **I：所述电路元件的第二子集包括具有比所述第一电感器更低电感的第二电感器，以及具有比所述第一电容器更低电容的第二电容器。** <隐含公开> | 对比文件[0016]段明确第二通带（由第二子集处理）的中心频率远高于第一通带（由第一子集处理）。[0023]段进一步解释，由于第二通带频率更高，因此可以减小分布常数型滤波器（第二子集）中谐振元件的长度，并允许对其使用低介电常数材料。 | 目标专利中该特征基于高低频带滤波的需求，限定第二子集的电感、电容值更小。对比文件虽然未明确给出具体的电感、电容数值比较，但其技术方案的核心思想之一就是针对高频的第二通带使用分布常数型滤波器结构，而该结构的特点和设计考量（如使用低介电常数材料以利于形成理想电感）使得本领域技术人员能够合理推断，为了工作在更高的频率，第二子集所使用的谐振元件（可等效为电感和电容）的典型值会小于工作在较低频率的第一子集中的集总参数元件（如电感器L1-L4和电容器C1、C5等）的值。这是高频电路设计的公知常识。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **J：所述第一电感器是第一螺旋电感器且所述第二电感器是第二螺旋电感器。** <隐含公开> | 对比文件[0074]段描述：“以这种方式形成显示出螺旋轮廓的电感器L6。电感器L6可以替代地具有显示U形轮廓、蜿蜒轮廓或弧形轮廓的弯曲部分，而不是螺旋轮廓。” [0092]段描述了形成并联谐振器的电感器L7，并提到其可具有U形等轮廓。 | 对比文件明确公开了其电路中的某些电感器（如L6）可以制成螺旋形状。虽然对于第一子集中的电感器（如L1-L4）未明确说明其形状，但在多层基板中，通过在不同层上布置导体图案并通过过孔垂直连接，是形成螺旋电感器的常见方式。本领域技术人员在阅读对比文件后，结合其公开的多层布局和过孔连接方式，能够合理推断出为实现所需的电感值，无论是集总常数型还是分布常数型滤波器中的电感器，均有可能并通常被实施为螺旋电感器或其他等效形状（如U形、蜿蜒形）。因此，该特征被隐含公开。 |
| **K：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <隐含公开> | 对比文件[0052]-[0054]段描述了电感器L1的形成：部分导体图案形成在第六介电层M6上，其一端通过过孔V6-2等连接至下层，另一端通过过孔V7-6连接至第七介电层M7上的导体图案，如此层层向上连接至第十一介电层M11。这构成了一个垂直方向上的多层螺旋或蜿蜒结构。 | 目标专利中该特征描述了电感器的具体多层薄膜结构。对比文件中的电感器（如L1）由形成在不同介电层（如M6-M11）上的导电子层（即导体图案）和连接它们的过孔导体构成，这些介电层起到了绝缘子层的作用。虽然对比文件未使用“内部导电子层”、“绝缘子层”、“外部导电子层”等特定术语，但其披露的结构——即导电子层被绝缘介质层分隔并通过过孔垂直互连——是实现多层螺旋电感器的实质技术手段。本领域技术人员可以毫无困难地理解，对比文件公开的电感器结构必然包含与绝缘体接触的导电层、绝缘层以及另一导电层的基本叠层关系。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **L：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <隐含公开> | 对比文件[0074]段描述了电感器L6的形成：L形元件部分形成在第八至第十一介电层（M8-M11）上，并通过过孔（如V9-11, V10-5, V11-11）垂直连接，形成螺旋轮廓的电感器。 | 同理于特征K的论述。对比文件中的第二子集内的电感器（如分布常数型滤波器中的L6）同样是通过在多个介电层上布置导电子层并通过过孔连接而构成。这隐含了其具有多层导电层与绝缘层交替接触的结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **M：所述第二电容器包括与所述绝缘体的所述第二表面接触的第二内部导电层、与所述第二内部导电层接触的第二介电层、以及与所述第二介电层接触的第二中间导电层。** <隐含公开> | 对比文件[0049]-[0051]段描述了电容器C6、C10的形成：一个电极形成在第三介电层M3上，另一个电极形成在第四介电层M4上，并且电极C8形成在第五介电层M5上，它们共同构成电容。 | 目标专利中该特征描述了第二电容器的具体层叠结构。对比文件中第二子集的电容器（如C6、C10）同样是通过在不同介电层上设置电极，并利用介电层作为电容介质而形成的。例如，电容器C6涉及第三层M3上的电极和第四层M4上的电极，中间以介电层M4（或其部分）为介质。虽然未精确对应“第二表面”、“内部”、“中间”等位置描述，但其揭示的“电极-介电层-电极”的基本三明治结构是相同的。本领域技术人员能够合理推断出此类多层电容器必然包含与基板某层接触的导电层、介电层以及另一导电层。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **N：所述第一电感器包括与所述第一中间绝缘体接触的第一内部导电子层、与所述第一内部导电子层接触的第一绝缘子层、以及与所述第一绝缘子层接触的第一外部导电子层** <隐含公开> | 同技术特征K的引用内容。 | 此特征与特征K的限定完全相同。基于相同的理由和对比文件公开内容（如电感器L1的多层形成方式），该技术特征被隐含公开。 |
| **O：以及所述第二电感器包括与所述第二中间绝缘体接触的第二内部导电子层、与所述第二内部导电子层接触的第二绝缘子层、以及与所述第二绝缘子层接触的第二外部导电子层。** <隐含公开> | 同技术特征L的引用内容。 | 此特征与特征L的限定完全相同。基于相同的理由和对比文件公开内容（如电感器L6的多层形成方式），该技术特征被隐含公开。 |
| **P：一个或多个第一过孔，被布置在所述第一中间绝缘体中并且被配置用于将所述第一电感器耦合至所述第一电容器** <直接公开> | 对比文件[0053]段：“形成在第六介电层M6上的电感器L1部分的一端连接到过孔导体V6-2，并因此通过相应的过孔导体V5-2、V4-2和V3-2连接到形成在第二介电层M2上的电容器C1的电极的站点P2-2。” | 对比文件明确记载了过孔导体（如V6-2, V5-2, V4-2, V3-2）布置在介电层（即绝缘体）中，并且用于将第一子集中的电感器（L1）电耦合至第一子集中的电容器（C1）。这直接公开了该技术特征。 |
| **Q：以及一个或多个第二过孔，被布置在所述第二中间绝缘体中并且被配置用于将所述第二电感器耦合至所述第二电容器。** <直接公开> | 对比文件[0074]段描述了电感器L6通过过孔导体（如V8-5, V9-11, V10-5, V11-11, V12-5）连接，并与谐振元件R11、R12（其本身由过孔导体构成）串联，而谐振元件又连接到电容器C7。这建立了第二子集内电感器与电容器的耦合。 | 对比文件明确记载了在第二子集（分布常数型滤波器）中，使用过孔导体（布置在介电层中）来连接电感器（如L6）和谐振元件/电容器（如C7）。这直接公开了该技术特征。 |
| **R：所述至少一个导电侧壁包括一个或多个电路接触表面，所述一个或多个电路接触表面包括以下项中的一个或多个：低频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第一子集** <直接公开> | 对比文件[0046]段：“所述双工器具有接地端子T1至T3、低频侧端子T4、高频侧端子T5和天线端子或公共端子T6。” [0053]段记载电感器L1的另一端连接到低频侧端子T4。 | 对比文件中明确存在“低频侧端子T4”，其形成在多层基板的侧面（即导电侧壁），并且电连接到集总常数型滤波器（即电路元件的第一子集）。这直接对应于目标专利的“低频带接触表面”。 |
| **S：高频带接触表面，电耦合至所述电路元件的第二子集** <直接公开> | 对比文件[0046]段：“所述双工器具有接地端子T1至T3、低频侧端子T4、高频侧端子T5和天线端子或公共端子T6。” [0049]段描述高频侧端子T5连接到电容器C10的电极。 | 对比文件中明确存在“高频侧端子T5”，其形成在多层基板的侧面（即导电侧壁），并且电连接到分布常数型滤波器（即电路元件的第二子集）。这直接对应于目标专利的“高频带接触表面”。 |
| **T：以及天线接触表面，被配置用于将所述电路元件的第一子集和所述电路元件的第二子集中的一个或多个电耦合至天线。** <直接公开> | 对比文件[0046]段：“所述双工器具有接地端子T1至T3、低频侧端子T4、高频侧端子T5和天线端子或公共端子T6。” [0041]段和图5等效电路显示公共终端ANT（对应于T6）同时连接到低通滤波器10和带通滤波器20。 | 对比文件中明确存在“天线端子或公共端子T6”，其形成在多层基板的侧面（即导电侧壁），并且作为公共端口同时电连接到集总常数型滤波器（第一子集）和分布常数型滤波器（第二子集），用于连接天线。这直接对应于目标专利的“天线接触表面”。 |
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