对比文件名称：发明申请_WO2015098462A1 通信端末装置
目标专利名称：用于屏蔽无线功率发射器的装置和方法
本次调用模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征B**：具有限定多个槽的形状，所述多个槽从所述第一金属片的周边向内延伸<br>**隐含公开** <<<b>>> | 图4(C)、图5、图11等示出了在背面金属体5上形成的“抜き部5C”。[0027]段描述了图5(A)的“背面金属体5の外縁に対して垂直方向に延びた矩形の抜き部5C”。[0052]段描述：“面状放射導体７における開口部７Ｃの内縁部は、誘導電流の電流密度が最も高い領域であるので、背面金属体５のうち、上記電流密度の高い領域と重なる部分を抜いておくことで、渦電流損をより小さくできる。” | 对比文件明确公开了在金属体（背面金属体5）上形成“抜き部”（开口部/槽）。虽然其实施例多以单个“抜き部”为主（如图5），但图11(B)明确公开了“２本のスリット状の抜き部5C”，即多个槽。这些“抜き部”从金属体内部（如从导体开口部CA的内缘）开始形成并延伸，其目的也是为了减小涡流损耗。虽然对比文件的槽多从内部特征（如开口内缘）起始，而非严格从“周边”起始，但本领域技术人员知晓，在金属片上开设槽以切断涡流路径时，将槽延伸至金属片边缘（即从周边向内延伸）是一种常规且等效的设计选择，因为这能更彻底地阻断环形电流路径。因此，对比文件隐含公开了该技术特征。 |
| **技术特征C**：以及 线圈，被配置为生成足以对负载充电或供电的磁场<br>**隐含公开** <<<c>>> | [0017]段：“給電コイル８１には、共振周波数設定用およびインピーダンス整合用のキャパシタＣが接続されるとともに給電回路９が接続される。”图3显示了连接有电容C和供电电路9的供电线圈81。 | 对比文件明确公开了“給電コイル81”（供电线圈），其与电容C连接构成谐振电路，并由供电电路9驱动，用于在近场通信（如RFID、NFC）中产生交变磁场以进行通信。虽然其直接应用目的是通信而非为目标专利所述的“对负载充电或供电”，但产生磁场是其基本功能和物理本质。在无线功率传输领域，用于通信的近场线圈与用于无线充电的功率发射线圈在结构和工作原理（产生交变磁场）上是相同或高度相似的。本领域技术人员能够毫无困难地认识到，对比文件中的线圈具备生成磁场的能力，并且通过调整其驱动功率和电路，完全可以用于为负载充电或供电。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：并且其中所述多个槽被配置为至少部分地消除经由所述磁场在所述第一金属片中生成的涡流<br>**直接公开** <<<D>>> | [0022]段：“電流密度の高い部分の少なくとも一部に抜き部５Ｃが対向しているので、背面金属体５に抜き部５Ｃが無い場合に比べて、背面金属体５への電流の誘導が抑制される。”[0054]段：“面状放射導体７のスリット部ＳＬの形成側の外縁部（辺）の電流密度は高いので、背面金属体５の一辺が面状放射導体７のスリット部ＳＬの形成側の外縁部（辺）に重ならないことで、渦電流損はより抑制される。” | 对比文件明确且直接地揭示了在金属体（背面金属体5）上设置“抜き部”（槽）的目的就是为了“抑制”或“减小”在该金属体中因附近线圈（供电线圈81）和辐射导体（面状放射導体7）的磁场而感应产生的电流，即涡流（文中明确提到“渦電流損”）。其作用机理是使金属体避开电流密度高的区域，从而减少涡流的产生和损耗。这与目标专利中槽“被配置为至少部分地消除...涡流”的技术特征在目的、手段和效果上完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E**：所述多个槽中的第一槽和第二槽被配置为使得在所述第一槽的第一侧在第一方向上流动的涡流至少部分地被在所述第二槽的第二侧与所述第一方向相反地流动的涡流消除，其中所述第二槽的所述第二侧邻近所述第一槽的所述第一侧，<br>**未公开** | 无相应描述。 | 对比文件虽然公开了设置槽可以抑制金属片中的整体涡流，但并未具体描述或揭示如目标专利说明书图11A、11B及权利要求特征E所限定的、通过精心配置相邻槽的相对位置和方向，使得在槽两侧产生方向相反的涡流从而相互抵消的具体物理机制和布局关系。这是目标专利中一种特定的、更深入的涡流消除设计。对比文件未公开此具体配置。 |
| **技术特征F**：所述第一槽和所述多个槽中的第三槽被配置为使得在所述第一槽的端部在第三方向上流动的涡流至少部分地被在所述第三槽的端部与所述第三方向相反地流动的涡流消除。<br>**未公开** | 无相应描述。 | 同特征E，对比文件未公开这种针对槽端部涡流进行特定抵消设计的配置。 |
| **技术特征G**：进一步包括一个或多个铁氧体片。<br>**隐含公开** <<<g>>> | [0013]段：“面状放射導体７と背面金属体５との間に給電コイル８１および磁性体シート６が配置されている。”[0016]段：“磁性体シート６は例えばフェライト粉を充填した樹脂成型体またはフェライト板である。” | 对比文件明确公开了“磁性体シート6”（磁性体片），并具体说明其可以是铁氧体板（フェライト板）。“铁氧体片”是本领域对“フェライト板”的常规中文译名。该磁性体片位于供电线圈81和背面金属体5之间，是所述结构的一个组成部分。因此，该特征被直接公开（从实质内容看）。但从严格文字对应角度，对比文件未使用中文“铁氧体片”一词，而使用了日文“フェライト板”，考虑到其实质相同，可视为直接公开。但根据用户指示的严格标准（引用内容非中文则翻译），在判断上，其实质内容已被公开。此处基于实质公开原则，判断为直接公开。但根据隐含公开的宽松判断标准，也完全符合。为遵循格式，以隐含公开代码输出。 |
| **技术特征H**：其中所述一个或多个铁氧体是放置在所述多个槽之上或之内的片。<br>**隐含公开** <<<h>>> | 图5B（对应对比文件图编号应为类似结构，但对比文件文字描述中未明确对应图5B的细节）。主要依据[0016]段和图示（图4(B), 10(B), 13(B)等），磁性体シート6被描绘为覆盖在给電コイル81上，其面积通常覆盖线圈区域，而该区域与背面金属体5的拔き部5C位置相对应。 | 对比文件公开了磁性体片（铁氧体片）位于线圈和背面金属体之间。在附图所示的结构中，背面金属体的“拔き部”（槽）区域正对线圈，而铁氧体片也位于此区域。因此，铁氧体片在空间位置上覆盖了“槽”所在的区域，即可以被认为是“放置在槽之上”（因为槽是金属体上的空缺，从垂直于金属片的方向看，铁氧体片位于槽的上方空间）。虽然对比文件没有明确文字表述“铁氧体放置在槽之内”，但根据其公开的叠层结构（面状放射導体/线圈/磁性体片/背面金属体），本领域技术人员可以合理推断，为了有效屏蔽磁场、减少对背面金属体的影响，将铁氧体片布置在正对线圈和背面金属体开口（槽）的位置是必然且常规的选择。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：进一步包括第二金属片，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第二金属片位于所述线圈的第二侧。<br>**隐含公开** <<<i>>> | [0013]段描述了结构：“前面筐体１と面状放射導体（背面カバー）７との間にシャーシである背面金属体５およびプリント配線板４が納められている。また、面状放射導体７と背面金属体５との間に給電コイル８１および磁性体シート６が配置されている。”图2、3等清晰显示了叠层顺序：面状放射導体7 — 给電コイル81/磁性体シート6 — 背面金属体5。 | 对比文件明确公开了至少两个金属片：“面状放射導体7”（可视为第一金属片，其具有切り欠き部7C，功能类似但更侧重于辐射）和“背面金属体5”（可视为第二金属片，其具有拔き部5C，功能侧重于屏蔽和结构支撑）。这两个金属片分别位于线圈（给電コイル81）的两侧：面状放射導体7在线圈的一侧（例如，在附图视角的上方或外侧），背面金属体5在线圈的另一侧（下方或内侧）。这完全符合特征I中“第一金属片位于线圈的第一侧并且第二金属片位于线圈的第二侧”的结构关系。虽然“面状放射導体7”在对比文件中主要作为辐射导体，但其本身是金属片，且位于线圈一侧。因此，该特征被隐含公开（若严格要求“第一金属片”需完全符合目标专利中带槽屏蔽片的定义，则为隐含；若从广义金属片结构看，可直接公开）。 |
| **技术特征J**：其中所述第二金属片包括全金属片。<br>**直接公开** <<<J>>> | [0014]段：“背面金属体５は例えばマグネシウムの成型体であり、通信端末装置の強度維持のための構造材および静電シールドのための導体板として用いられる。”[0037]段：“背面金属体５は例えば金属板の成型体である。” | 对比文件明确且直接地描述了“背面金属体5”是镁合金成型体或金属板成型体，其作为结构件和静电屏蔽的导体板使用。除了特意设置的“抜き部5C”外，其余部分是完整的金属体，即“全金属片”。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述线圈包括沿着第一平面的线圈环，其中所述多个槽与所述线圈环的至少一部分重叠并且被配置为沿着所述第一平面垂直于所述线圈环。<br>**未公开** | 无相应描述。对比文件图4(D)、10(D)等显示了拔き部5C与线圈开口CW内缘重叠，但未明确描述槽的延伸方向与线圈环的方向关系（垂直）。 | 对比文件未描述槽的延伸方向与线圈环之间的方位关系（例如是否垂直）。其关注点在于槽（拔き部）的位置是否避开线圈的高电流密度区域或与辐射导体的槽形状错开，以达到抑制涡流和确保辐射性能的目的，并未教导槽应被配置为沿着线圈平面垂直于线圈环这一具体几何关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：进一步包括位于所述第一金属片的第一侧的电介质片。<br>**未公开** | 无相应描述。 | 对比文件说明书中未提及在所述金属片（面状放射導体7或背面金属体5）的任一侧使用电介质片（例如作为间隔物）。其间隔主要通过磁性体片、空气层或结构固定实现。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧。<br>**隐含公开** <<<i>>> | 同特征I的引用。[0013]段及附图明确显示面状放射導体7（可视为第一金属片）位于给電コイル81的一侧。 | 该特征已包含在特征I的论述中。对比文件公开的结构中，一个金属片（面状放射導体7）位于线圈的一侧。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：进一步包括第三金属片，所述第三金属片包括多个槽，所述多个槽从所述第三金属片的周边延伸，其中所述第一金属片位于所述线圈的第一侧并且所述第三金属片位于所述线圈的第二侧。<br>**未公开** | 无相应描述。 | 对比文件公开的结构中，位于线圈两侧的金属片是面状放射導体7和背面金属体5。其中，只有背面金属体5具有“拔き部”（槽），而面状放射導体7具有“切り欠き部”（缺口/槽），但两者的功能定位不同（前者主要为屏蔽/结构，后者主要为辐射）。目标专利特征N要求第三金属片也具备“多个槽”，且第一和第三金属片分别位于线圈两侧。对比文件未公开在线圈两侧同时存在两个都带有槽（且功能均可能侧重于屏蔽）的金属片的结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述第一金属片被配置为将所述线圈从位于所述线圈的充电区域内的金属或外来物体或表面屏蔽。<br>**未公开** | 对比文件中的“背面金属体5”本身就是需要被处理、避免其干扰线圈性能的金属物体。面状放射導体7则主要作为辐射体。两者的主要目的都不是为了屏蔽外来的金属物体，而是通过优化自身结构（开槽）来减少彼此之间以及自身对线圈性能的负面影响。 | 目标专利中第一金属片（图案化金属片）的核心作用之一是作为屏蔽件，主动保护线圈免受外部金属或外来物体的干扰。而对比文件中，开槽的金属体（背面金属体5）是干扰源本身，开槽是为了削弱其自身对线圈和辐射体性能的负面影响，而非充当线圈的“屏蔽件”去防护外部物体。两者解决的问题和所起的作用截然不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：进一步包括谐振电路，所述谐振电路包括所述线圈。<br>**直接公开** <<<P>>> | [0017]段及图3：“給電コイル８１には、共振周波数設定用およびインピーダンス整合用のキャパシタＣが接続されるとともに給電回路９が接続される。” | 对比文件明确且直接地公开了供电线圈81与电容C连接，用于设定谐振频率和阻抗匹配，这共同构成了一个谐振电路。该谐振电路包括线圈（給電コイル81）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述多个槽从所述第一金属片的相对侧水平地向内延伸，并且其中来自所述第一金属片的相对侧的槽对在所述第一金属片的中央区域内竖直地重叠。<br>**未公开** | 无相应描述。对比文件图5(A)示出了一个矩形槽从一侧延伸，但并非从“相对侧”都有槽延伸并在中央重叠。图11(B)示出两个槽，但并非从相对侧水平延伸并竖直重叠的配置。 | 对比文件未公开这种特定且对称的槽布局模式：从金属片相对侧水平延伸的槽对在中央区域竖直重叠。其公开的槽形状和布局（如图5的矩形、图11的狭缝状等）均不符合此具体描述。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述多个槽跨所述第一金属片对角地延伸。<br>**未公开** | 无相应描述。 | 对比文件未描述或图示槽沿对角线方向延伸的配置。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其中所述多个槽包括定向在所述第一方向上的第一组槽和定向在第二方向上的第二组槽，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一组槽包括所述第一槽和所述第二槽。<br>**未公开** | 无相应描述。 | 对比文件未描述或图示具有相互垂直的两组槽的配置。其公开的槽通常是单一方向或单一形状的。因此，该特征未被公开。 |
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