对比文件名称：2014-10-30_发明申请_US20140319325A1 LAMP SIGNAL GENERATION CIRCUIT AND CMOS IMAGE SENSOR
目标专利名称：基于事件的计算机视觉计算CN106716441B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：比较使用计算机视觉CV特征计算硬件计算的与传感器元件阵列的主体传感器元件相关联的先前局部CV特征与使用所述CV特征计算硬件计算的与所述主体传感器元件相关联的当前局部CV特征<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未涉及计算机视觉(CV)特征的计算或比较。 | **直接公开判断**：对比文件全文描述的是CMOS图像传感器的斜坡信号生成和列并行模数转换(ADC)电路，用于将像素的模拟电压信号转换为数字值。其中提到的“比较”是指电压比较器(23)将像素输出信号与斜坡信号进行比较以确定AD转换的计数时间（参见[0026]段）。该比较的对象是像素的模拟电压值和斜坡参考电压值，目的是进行模数转换，而非比较“先前局部CV特征”与“当前局部CV特征”。CV特征（如LBP、HSG标记）是经过特定计算机视觉算法处理后的高级表征，对比文件完全未提及。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出与技术特征A相同的技术方案。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件描述了存储和比较“先前值”的可能性，例如在ADC过程中，计数器(24)记录的时间值反映了像素的当前光强，但该过程并不涉及对“局部CV特征”（如基于相邻像素关系计算出的特征标记）的计算和存储以供后续比较。对比文件的核心是模拟信号到数字信号的转换，而非特征提取与跟踪。因此，本领域技术人员通过推理也不可能从对比文件中得出技术特征A。 |
| **技术特征B**：，其中对于所述先前局部CV特征和所述当前局部CV特征，所述CV特征计算硬件使用来自所述主体传感器元件的各个读数和来自与所述主体传感器元件相邻的传感器元件的各个读数来计算所述各个CV特征，<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未涉及使用主体及相邻传感器元件的读数进行CV特征计算。 | **直接公开判断**：对比文件中，每个列ADC (20j)处理其对应列（第j列）的像素输出信号（参见[0025]段）。电压比较器(23j)仅比较该列像素的模拟输出与对应单位电路(22j)产生的斜坡信号。整个过程是独立的列并行处理，不存在为计算某个主体像素的“特征”而同时读取并使用其自身及其相邻像素读数并进行特定运算（如LBP、HSG）的硬件或方法。因此，技术特征B未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件中的像素阵列(10)是二维的，且读取像素时是按行进行的（参见[0030]段），理论上可以访问相邻像素的值。然而，对比文件公开的电路结构和数据处理流程明确限于为每个像素生成一个代表其光强的数字值，没有任何迹象表明需要或存在硬件去执行基于多个相邻像素读数的特征计算（例如比较、编码以产生LBP标记）。这种特征计算是目标专利所指向的特定计算机视觉预处理步骤，与对比文件基础的图像信号转换目的不同。因此，技术特征B也未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：以及其中：所述传感器元件阵列包括多个传感器元件，所述多个传感器元件至少沿着所述传感器元件阵列的第一维度和第二维度布置，像素包括所述主体传感器元件和像素内电路，<br>**《直接公开》** | [0025]段：“The pixel array 10 comprises pixels 1111 to 111N, 1121 to 112N, . . . , 11M1 to 11MN arranged two-dimensionally in M rows by N columns. Each pixel 11 has a known structure using a photodiode and a MOS transistor, for example.” （像素阵列10包括像素1111至111N、1121至112N、……、11M1至11MN，这些像素以M行N列二维排列。每个像素11具有使用例如光电二极管和MOS晶体管的已知结构。） | **直接公开判断**：对比文件明确公开了像素阵列(10)，其中的像素(11)以二维（即第一维度和第二维度，行和列）方式布置。每个像素(11)包含光电二极管（传感器元件）和MOS晶体管等电路，这构成了“像素包括主体传感器元件和像素内电路”。虽然对比文件的“像素内电路”可能主要指用于光电转换和信号读出的晶体管电路，而目标专利的“像素内电路”可能特指包含CV计算硬件的电路，但在技术特征C的描述层面，两者都满足“像素包括传感器元件和电路”这一结构特征。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出技术特征C。 |
| **技术特征D**：以及所述CV特征计算硬件被实施为所述像素内电路的一部分<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未提及计算机视觉(CV)特征计算硬件。 | **直接公开判断**：技术特征D限定了CV特征计算硬件的具体实施位置——像素内电路的一部分。对比文件中，像素(11)内部包含光电二极管和MOS晶体管（[0025]段），其功能是感光和输出模拟信号。列并行ADC(20)中的单位电路(22)、比较器(23)、计数器(24)等是位于像素阵列外围的列级处理电路（参见图1及[0026]段），并非“像素内电路”。更重要的是，这些电路的功能是生成斜坡信号和进行模数转换，而非计算任何形式的“CV特征”。因此，技术特征D未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件未提供任何关于在像素内部实施特征计算硬件的教导或启示。其改进点在于通过连接各列单位电路的节点来减小斜坡信号的梯度变化（[0041]段），这属于模拟电路设计范畴，与在像素内进行数字特征计算的目标相去甚远。本领域技术人员无法从对比文件的内容中合理推断出将CV特征计算硬件集成到像素内电路的技术方案。 |
| **技术特征E**：基于所述比较来产生与所述主体传感器元件相关联的事件，所述事件包括所述主体传感器元件的位置和特征有效负载，所述特征有效负载包括表示与所述主体传感器元件相关联的所计算的当前局部CV特征的多个位<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未涉及基于CV特征比较产生“事件”，也未提及包含CV特征有效负载的事件。 | **直接公开判断**：对比文件中，列ADC(20j)的输出是计数器(24j)的数字计数值（参见[0030]段），该值代表像素的光强度。这个输出过程是图像传感器常规的数据读出流程，并非由“CV特征变化”触发产生的“事件”。输出数据中虽然隐含了像素的位置（由列地址确定），但其“有效负载”是光强数字值，而不是“表示所计算的当前局部CV特征的多个位”。因此，技术特征E未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件的数据输出是系统性的、按帧或按行读取的结果，而非响应于某个特定条件（如特征变化）而异步产生的事件。其输出内容（数字计数值）是模拟信号的数字化表示，与经过特定算法处理得到的“CV特征标记”（如LBP码）有本质区别。本领域技术人员不可能从对比文件中推理出技术特征E所定义的基于特征比较的事件产生机制及其特定数据内容。 |
| **技术特征F**：以及将所述事件发送至处理器。<br>**《未公开》** | 无明确对应内容。对比文件描述了数字信号从计数器(24)输出（[0030]段），但未明确其最终目的地是否为“处理器”。 | **直接公开判断**：技术特征F要求将事件“发送至处理器”。对比文件中，ADC转换后的数字信号从计数器(24)输出，根据常规图像传感器系统架构，这些数据很可能被后续的图像信号处理器(ISP)或主处理器接收。然而，对比文件说明书本身并未明确描述这一发送步骤或指定接收端为“处理器”。更关键的是，其发送的数据是光强数字值，而非技术特征E所定义的“事件”。因此，严格来说，技术特征F未被对比文件直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：尽管可以合理地推断数字图像数据最终会由某个处理器处理，但技术特征F是技术特征E的延续，其发送的对象是特定的“事件”。由于对比文件未公开此类“事件”的生成，因此“将事件发送至处理器”这一特征也无从谈起。本领域技术人员无法从对比文件中隐含得出这一技术特征。 |
| **技术特征G**：其中所述局部化CV特征包括局部二值模式LBP标记或所述LBP标记的变体。<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未提及局部二值模式(LBP)标记或其变体。 | **直接公开判断**：LBP标记及其变体是特定的计算机视觉特征描述符，用于纹理分类、特征检测等。对比文件涉及的是图像传感器的信号转换电路，完全未涉及任何计算机视觉特征提取算法或描述符。因此，技术特征G未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件解决的问题是模拟信号转换精度和功耗，属于传感器底层硬件设计领域。而LBP标记属于上层图像处理算法范畴。两者技术领域和解决的问题不同。本领域技术人员没有动机也没有依据从对比文件的斜坡信号生成电路中推理出LBP标记的计算。因此，技术特征G未被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中所述局部化CV特征包括带正负号梯度直方图HSG标记。<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未提及带正负号梯度直方图(HSG)标记。 | **直接公开判断**：与技术特征G类似，HSG标记是另一种具体的计算机视觉特征描述符。对比文件全文未提及任何与梯度直方图相关的概念或计算。因此，技术特征H未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：理由同技术特征G。对比文件的内容与HSG标记的计算无任何关联，本领域技术人员不可能从中推断出该技术特征。 |
| **技术特征I**：其中所述传感器元件阵列是视觉传感器并且所述传感器元件阵列的所述多个传感器元件中的每一个包括至少一个光电二极管。<br>**《直接公开》** | [0025]段：“Each pixel 11 has a known structure using a photodiode and a MOS transistor, for example.” （每个像素11具有使用例如光电二极管和MOS晶体管的已知结构。）<br>[0002]段提及该技术应用于CMOS图像传感器领域。 | **直接公开判断**：对比文件明确其技术应用于CMOS图像传感器（标题及[0002]段），这是一种典型的视觉传感器。同时，[0025]段明确指出每个像素(11)包含一个光电二极管。这与技术特征I的描述完全一致。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出技术特征I。 |
| **技术特征J**：其中所述事件是使用动态视觉传感器DVS电路产生的。<br>**《未公开》** | 无对应内容。对比文件未提及动态视觉传感器(DVS)电路。 | **直接公开判断**：动态视觉传感器(DVS)是一种特殊类型的传感器，其像素异步响应于光强的变化（事件）并输出。对比文件描述的是传统的、基于帧或行扫描的CMOS图像传感器，其像素按固定时序被读出并转换为数字值（[0030]段），不具备DVS的异步事件驱动特性。因此，技术特征J未被直接公开。<br><br>**隐含公开判断**：对比文件的核心电路是斜坡信号生成器和积分型ADC，用于精确测量像素的绝对光强值。这与DVS电路检测相对光强变化并产生脉冲事件的工作原理完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中推理出使用DVS电路来产生事件。 |
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