好的，我将以一名资深专利代理师的身份，对您提供的对比文件是否公开目标专利权利要求的各技术特征进行严谨评估。本次评估严格遵循您设定的规则，包括特征划分、公开性判断标准（直接公开与隐含公开）和输出格式要求。
**评估开始：**
* **对比文件名称：** 2015-11-25_发明授权_CN103095234B 一种全差分运算跨导放大器
* **目标专利名称：** 无削减信号包络地提升放大器增益 CN107852138B
* **本次调用模型名称：** 专利创造性特征比对评估模型
**技术特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子，《直接公开》** | [0043] “第一支路1，接收差分输入信号Vin和Vip，包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管M31、NMOS管M32、NMOS管M35、NMOS管M314和NMOS管M315。”<br>[0045] “NMOS管M31的栅极接收差分输入信号Vin...漏极连接于NMOS管M314的源极。”<br>[0046] “NMOS管M32的栅极接收差分输入信号Vip...漏极连接于NMOS管M315的源极。”<br>[0051] “PMOS管M310...漏极连接于NMOS管M312的漏极且输出差分输出信号Vop... NMOS管M313...漏极连接于PMOS管M311的漏极且输出差分输出信号Von” | 对比文件公开了差分放大器电路。由NMOS管M31和M32构成输入对管，其栅极（控制端子）分别接收差分输入信号Vin和Vip，这与目标专利中“第一晶体管...电连接到第一差分输入”对应。虽然对比文件的输出信号Vop和Von并非直接从M31或M32的漏极（输出端子）引出，而是通过后续的共源共栅结构（如M312、M310等）输出，但根据说明书[0051]段及图2，M31的漏极（输出端子）通过M314、M38、M310等器件最终连接到输出Vop。在差分放大器中，输入晶体管（M31）的输出端子（漏极）与最终的差分输出（Vop）之间通过有源负载或电流镜等电路进行信号传递是本领域的常规连接方式，其作用是将输入信号放大并输出。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地理解M31构成了差分级的一部分，其控制端子接收差分输入，其输出端子电连接到最终的差分输出，其作用与目标专利中差分级的第一晶体管相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **B：所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子，《直接公开》** | [0043] “第一支路1，接收差分输入信号Vin和Vip，包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管M31、NMOS管M32、NMOS管M35、NMOS管M314和NMOS管M315。”<br>[0046] “NMOS管M32的栅极接收差分输入信号Vip...漏极连接于NMOS管M315的源极。”<br>[0051] “...输出差分输出信号Von...” | 与特征A同理，对比文件明确公开了NMOS管M32作为差分输入对管的另一管，其栅极（控制端子）接收差分输入信号Vip。其漏极（输出端子）通过M315、M39、M311等器件最终连接到输出Von。因此，M32构成了差分级的第二晶体管，其连接和作用与目标专利中的第二晶体管相同。该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **C：第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子，《未公开》** | 对比文件说明书中未记载与“偏置晶体管”结构及连接关系相同的内容。 | 目标专利中的“第一偏置晶体管”（如M1）是直接连接在差分输入晶体管（M3）的栅极（控制端子）上，用于向其提供偏置电流，其输出端子直接连接到差分晶体管的控制端子（参见图3）。对比文件中不存在具有此连接关系和功能的独立晶体管。对比文件中的电流源由NMOS管M35、M36、M37等实现，但这些晶体管的漏极（相当于输出端子）连接到差分输入管（M31、M33）的源极，而非栅极。其作用是设置差分对的尾电流，而非直接偏置输入晶体管的控制端子。两者在电路结构、连接关系和作用上均不相同。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **D：第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子，《未公开》** | 对比文件说明书中未记载与“偏置晶体管”结构及连接关系相同的内容。 | 理由同特征C。对比文件中不存在输出端子连接到第二差分晶体管（M32）控制端子的“第二偏置晶体管”。M35、M36、M37等电流源管连接到源极，作用不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **E：第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间，《未公开》** | 对比文件说明书中未记载任何连接在“偏置晶体管”控制端子和输出端子之间的“反馈网络”。 | 目标专利的核心改进之一在于在偏置晶体管（M1）的栅极（控制端子）和源极（输出端子）之间引入反馈网络（如电容C），以改变其跨导（见说明书[0055]-[0057]段及图3）。对比文件全篇描述的是通过电流分流、共源共栅结构来提高增益和带宽的方案，完全没有提及在偏置点（或任何对应节点）引入此类反馈网络。因此，该技术特征未被公开。 |
| **F：以及第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间，《未公开》** | 对比文件说明书中未记载任何连接在“偏置晶体管”控制端子和输出端子之间的“反馈网络”。 | 理由同特征E。对比文件中没有与目标专利对应的“第二偏置晶体管”，更没有连接在其上的“第二反馈网络”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **G：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。《未公开》** | 对比文件说明书中未记载任何“电容性反馈电路”。 | 由于特征E和F所述的反馈网络本身未被公开，因此其具体构成“电容性反馈电路”也未被公开。对比文件中提到的电容CL是负载电容（见[0053]段），并非用于跨导反馈的电容。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。《未公开》** | 对比文件说明书中未记载通过反馈网络改变“偏置晶体管”跨导的内容。 | 目标专利中反馈网络的核心作用是改变偏置晶体管的跨导，从而提升放大器增益（见说明书摘要、[0055]段等式2）。对比文件提高增益的手段是通过电流分流增大输出电阻（见[0064]-[0066]段），以及通过减小电流来减小寄生电容以提高带宽（见[0070]-[0074]段），其技术原理和实现方式与目标专利完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。《未公开》** | 对比文件说明书中未记载通过反馈网络减小“偏置晶体管”跨导的内容。 | 理由同特征H。对比文件的技术方案不涉及通过反馈减小特定晶体管跨导来提升增益。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J：其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。《直接公开》** | [0043] “...包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管M31、NMOS管M32...”<br>[0045] “NMOS管M31的栅极...漏极连接于NMOS管M314的源极。”<br>[0046] “NMOS管M32的栅极...漏极连接于NMOS管M315的源极。” | 对比文件明确公开了第一晶体管M31和第二晶体管M32是N型晶体管（NMOS）。对于NMOS晶体管，其输出端子（即电流输出端、与后续电路连接的主要端子）常规上为漏极。在对比文件图2和描述中，M31和M32的漏极确实作为信号输出路径的关键节点（连接至M314/M315的源极）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **K：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。《未公开》** | 对比文件说明书中未记载任何“可变电容器”，更未记载其作为反馈网络的一部分。 | 由于反馈网络本身（特征G）未被公开，因此其包含“可变电容器”这一进一步限定的特征也未被公开。对比文件中无相关内容。 |
| **L：其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。《未公开》** | 对比文件说明书中未提及将“偏置晶体管的寄生电容”作为反馈网络的一部分。 | 目标专利中，反馈网络可以包括外部电容器和/或晶体管自身的寄生电容（见说明书[0041]段）。但该特征的前提是存在“第一反馈网络”和“第一偏置晶体管”。如前述，对比文件中既无目标专利定义的“偏置晶体管”，也无连接其上的“反馈网络”，因此更谈不上该反馈网络包括寄生电容。虽然任何晶体管都存在寄生电容，但对比文件并未将其作为实现特定功能（跨导调节）的反馈网络元件来公开或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **M：其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子 被增大，其中C是所述电容器的电容并且C par是所述第一晶体管的寄生电容。《未公开》** | 对比文件说明书中未记载在“偏置晶体管”控制端子和输出端子之间连接电容器以实现跨导调节的公式或方案。 | 该技术特征具体限定了反馈网络的具体实现（电容器连接）及其技术效果（跨导增大公式）。这是目标专利的核心发明点。对比文件完全没有公开或暗示任何类似结构或数学关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **N：其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。《未公开》** | 对比文件说明书中未提及“混频器电路”或“功率放大器”。 | 对比文件仅公开了一个独立的运算跨导放大器（OTA）电路。目标专利该特征限定了放大器在具体系统（如射频收发器）中的应用场景。对比文件并未公开或暗示其放大器连接有混频器或功率放大器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **O：进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。《直接公开》** | [0047] “NMOS管M35的源极接地，漏极连接于NMOS管M31的源极和NMOS管M32的源极，栅极接入偏置电压Vbn1。”<br>[0051] “NMOS管M36的源极接地...栅极接入偏置电压Vbn1；NMOS管M37的源极接地...栅极接入偏置电压Vcmfb。” | 在对比文件中，NMOS管M35、M36、M37作为电流源，通过其栅极偏置电压（Vbn1, Vcmfb）设置流经差分输入对管M31、M32、M33、M34的电流，从而设置这些晶体管的DC操作点（静态工作点）。例如，M35为M31和M32提供尾电流，M36和M37为另一支路的输入对提供尾电流。虽然这些电流源连接到差分管的源极而非目标专利中的栅极，但其核心作用“设置晶体管的DC操作点”是相同的。本领域技术人员能够理解，为晶体管设置DC操作点是放大器正常工作的基础，通过电流源实现是常规技术手段。因此，对比文件公开了用于设置DC操作点的电流源，该技术特征被直接公开。 |
**结论与代码输出：**
根据上述比对分析，对比文件CN103095234B仅直接公开了目标专利权利要求中的技术特征A、B、J、O。技术特征C、D、E、F、G、H、I、K、L、M、N均未被对比文件公开或隐含公开。
因此，在回答结尾插入的代码应为：<<<A>>><<<B>>><<<J>>><<<O>>>