对比文件名称：2011-02-17_发明专利_JP2011036095A Power converter and protection method of power converter
目标专利名称：时间温度传感器位置偏移误差校正 CN109642829B
模型名称：GPT-4
根据对目标专利说明书和对比文件说明书的深入分析，现创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A《直接公开》** | 对比文件说明书第[0007]段：“パワー半導体素子から離れた基準点の温度を測定する基準温度測定部”。（测量远离功率半导体元件的基准点温度的温度基准测量部） | 对比文件明确公开了设置基准温度测定部（3）来测量功率半导体元件（Tr）附近但非直接位于其上的一个基准点的温度（T0）。该测量值被提供给半导体元件温度算出部（2）用于后续计算。这与目标专利中“从传感器接收区的温度测量值”的技术特征在技术手段和作用上均相同，都是通过传感器获取一个区域的温度测量值作为后续处理的输入。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。 |
| **B《隐含公开》** | 对比文件说明书第[0007]、[0008]段及图1、2描述：“前記パワー半導体素子の温度を所定の伝達関数を用いて算出する半導体素子温度算出部”、“前記パワー半導体素子で発生する電力損失を演算する工程”。（使用预定传递函数算出所述功率半导体元件温度的半导体元件温度算出部；计算所述功率半导体元件中产生的电力损失的工序） | 对比文件的核心在于基于电力损失（功率）P来估算半导体结温Tj。为了计算电力损失P，必须获取半导体元件的工作信息。例如，在实施方式1中，通过电流测定部（11）和电压测定部（12）测量电流和电压来计算电力损失（见说明书对应图1、2的描述）。测量流经半导体开关（如IGBT、MOSFET）的电流，本质上就是测量该半导体元件（即一个“区”）的“活动”，因为电流是半导体开关工作（导通、切换）的直接表现。虽然对比文件未明确使用“活动”一词，但本领域技术人员能够理解，测量电流以计算功率损失是评估半导体工作状态（即其活动水平）的常规且直接的技术手段。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **C《未公开》** | 未发现相关内容。 | 对比文件涉及的是电力转换器中的功率半导体保护，其测量和计算均围绕电流、电压、功率损失、热阻抗等物理量展开。目标专利中提到的“高速缓存未命中的数量”或“管线暂停的数量”是典型的微处理器/CPU架构性能指标，用于衡量计算核心的“活动”或“性能”。对比文件完全没有涉及任何此类基于计算机体系结构的性能计数器或性能指标。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **D《直接公开》** | 对比文件说明书第[0007]段：“前記パワー半導体素子で発生する電力損失を演算する工程”。（计算所述功率半导体元件中产生的电力损失的工序）以及图1中“電力損失演算部21”。 | 对比文件明确公开了“电力损失演算部”（21），其功能是基于测得的电流、电压（或其他信号如门极指令信号）来计算功率半导体元件（Tr）产生的电力损失P。电力损失即功率。这直接对应于目标专利中“将所测量的活动转化为所述区的功率”。在对比文件中，测量的“活动”（电流）被用于计算功率损失（P），完成了从活动到功率的转化。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **E《直接公开》** | 对比文件说明书第[0007]、[0008]段及图3-5：“熱時定数の異なる複数の一次遅れ系伝達関数を有し、一次遅れ系伝達関数毎に前記パワー半導体素子で発生する電力損失に基づいて前記基準点と前記パワー半導体素子との温度差を演算し”。（具有热时间常数互不相同的多个一阶延迟系统传递函数，基于所述功率半导体元件中产生的电力损失，对每个一阶延迟系统传递函数计算所述基准点与所述功率半导体元件之间的温度差） | 对比文件公开了使用多个一阶延迟系统传递函数（如r_k/(1+sτ_k)）来模拟从半导体结到基准点的过渡热阻抗Z_th(t)。这些传递函数及其参数（热阻r_k，热时间常数τ_k）是预先通过实验或热分析获得的，并存储在系统中（例如，作为模型参数用于计算），构成了“所存储的热量模型参数”。半导体元件温度算出部（2）中的温度差演算部（22）利用这些存储的传递函数模型，对输入的电力损失P进行解释（运算），从而导出基准点与半导体结之间的温度差ΔT（即温度偏移）。这个过程完全对应于目标专利中“通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **F《直接公开》** | 对比文件说明书第[0007]段：“演算したそれぞれの温度差の和と前記基準点の温度とに基づいて前記パワー半導体素子の温度を算出する”。（基于计算出的各个温度差之和与所述基准点的温度，算出所述功率半导体元件的温度）以及图5中Tj = T0 + ΔT的图示。 | 对比文件公开了通过将计算出的温度差ΔT（即温度偏移）与测得的基准温度T0相加，来算出（即调节得到）功率半导体元件的结温Tj（Tj = T0 + ΔT）。这直接对应于目标专利中“至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值”。此外，计算出的Tj进一步被用于驱动控制部（4）进行过热保护控制（如降低载波频率、停止开关动作等），这体现了基于校正后温度进行调节的最终目的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **G《隐含公开》** | 对比文件说明书描述传递函数和计算时，例如说明书记载的公式及图5所示：ΔT = ΣΔT_k， ΔT_k 是基于功率P通过传递函数计算得出的。 | 对比文件存储的热量模型参数（即多个一阶延迟系统传递函数的参数，如热阻r_k和热时间常数τ_k）定义了从功率P到温度差ΔT_k的映射关系。在运算过程中，对于给定的实时功率P，通过这些模型参数可以计算出一个对应的温度差ΔT。这意味着所存储的参数本质上建立了“所估计的功率”（即输入P）与“温度差”（即输出ΔT）之间的匹配关系。虽然对比文件没有明确使用“匹配”一词，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，其计算过程正是利用存储的模型参数将实时功率解释（匹配）为相应的温度差。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **H《隐含公开》** | 同上，对比文件中最终计算出的半导体结温Tj是一个绝对温度值（Tj = T0 + ΔT）。 | 与特征G类似，对比文件存储的热量模型参数（传递函数）用于从功率P计算出温度差ΔT，再将ΔT与基准绝对温度T0相加，得到最终的绝对温度Tj。因此，整个计算链条实现了从“所估计的功率”P到“绝对温度”Tj的映射。模型参数在其中起到了关键的转换作用，可以认为这些参数隐含了与最终计算出的绝对温度相匹配的功率关系。本领域技术人员通过阅读对比文件能够合理推断出这一点。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I《直接公开》** | 对比文件说明书第[0007]段及图1、2描述：电流測定部（11）测量流经パワー半導体素子Tr（如IGBT、MOSFET）的电流。这些元件作为电源开关使用。 | 对比文件明确公开了测量流经功率半导体元件（Tr）的电流，这些元件在电力转换器中充当开关（开关元件）。这直接对应于目标专利中“所测量的活动包括电流流动穿过电源开关”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **J《未公开》** | 未发现相关内容。 | 目标专利中“所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能”是指基于处理器/SoC等装置的内部性能指标（如指令吞吐量、效率）来衡量活动。对比文件仅涉及电力电子领域的电流、电压、功率等物理量测量，完全不涉及计算装置（如CPU、SoC）的“性能”概念及其测量。因此，该技术特征未被公开。 |
| **K《未公开》** | 未发现相关内容。 | 目标专利中的“性能计数器”是计算机架构中用于监测CPU核心性能（如高速缓存命中率、分支预测错误率）的专用硬件单元。对比文件涉及的是电机驱动和功率转换领域，其测量均为模拟电信号（电流、电压），不存在也无需使用此类“性能计数器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L《隐含公开》** | 对比文件说明书提及半导体元件温度算出部可包含在微机等中（例如说明书对应部分），且电力损失演算部（21）进行的是数字计算。 | 对比文件虽然没有明确使用“数字功率监测器/计量器”这一术语，但其系统必然包含将模拟电流/电压信号转换为数字信号进行处理的过程（例如通过ADC）。电力损失演算部（21）根据数字化的电流、电压等信号计算功率损失P，这实质上执行了“活动的测量以及所述区所消耗的功率转换”的功能。考虑到现代电力电子控制普遍采用数字化处理，本领域技术人员能够合理推断出对比文件中的功率监测和计算是通过数字化方式（即隐含了数字功率监测/计量功能）执行的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
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