### 对比文件名称：2015-01-19_发明专利_JP2015502039A 自己整合コンタクト及びローカル相互接続を形成する方法
### 目标专利名称：缩放布局设计中将虚栅极接地 CN105981157B
### 本次调用模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落编号/位置) | 公开性论述 |
| 技术特征A：半导体器件有源区中的虚栅极《隐含公开》 | [2]「例えば、ゲート１０４'は、トランジスタ１００内の他のゲートから分離され得る（例えば、ゲート１０４'は、トランジスタの分離領域内に存在し、その他のゲートは、活性領域内に存在する）。」(例如，栅极104'可以与晶体管100内的其他栅极分离（例如，栅极104'存在于晶体管的隔离区域内，而其他栅极存在于活性区域内）。) | 对比文件公开了“分离栅极”(gate 104')，其位于隔离区域(分離領域)而非活性区域(活性領域)。目标专利说明书[0046]明确指出，“虚栅极”是用于控制器件（如ESD或高速器件）的额外栅极，需要被电接地以防止浮动偏置电压激活器件。本领域技术人员可以理解，位于隔离区域或不直接参与有源器件主电流通路的“分离栅极”，其作用和地位与“虚栅极”类似，都是为了特定的电路目的（如控制、隔离）而设置的非功能性或有特殊功能的栅极。因此，对比文件隐含公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点《直接公开》 | [2]「ソース／ドレイン１１２は、基板１０１のウェル領域１０８内に形成されている。」(源极/漏极112形成在基板101的阱区域108内。)<br>结合图2、15可知，源极/漏极112与栅极104/104'相邻。 | 对比文件明确公开了源极/漏极(ソース／ドレイン)112，其对应于目标专利中的“有源触点”（如MD1触点）。图2、15等附图明确显示，源极/漏极112与栅极（包括分离栅极104'）相邻设置。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口《直接公开》 | [2]「絶縁層１２６を、マンドレル１２０、マンドレルスペーサ及び絶縁層１１４上に形成（堆積）させる。」(在掩模120、掩模间隔物124和绝缘层114上形成（沉积）绝缘层126。)<br>[2]「絶縁層１２６及び絶縁層１１４を通じてソース／ドレイン１１２へトレンチ１２８を形成することができる。」(可以在绝缘层126和绝缘层114中形成到达源极/漏极112的沟槽128。)<br>段落[0028]描述了类似过程。 | 对比文件中的“绝缘层”(絶縁層)126、114等对应于目标专利中的“电介质层”。对比文件明确描述了在这些绝缘层中通过蚀刻形成“沟槽”(トレンチ)128，该沟槽即为电介质层上的开口，用于后续形成接触。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层《直接公开》 | [2]「絶縁層１２２を、マンドレル及び絶縁層１１４上に形成（堆積）させる。」(在掩模和绝缘层114上形成（沉积）绝缘层122。)<br>[2]「絶縁層の部分を除去（エッチバック）して、…マンドレルスペーサ１２４を形成する。」(通过除去（回蚀）绝缘层的部分，…形成掩模间隔物124。)<br>段落[0026]描述了绝缘层122的沉积。 | 对比文件公开了沉积绝缘层122（如氮化硅），然后通过回蚀形成“掩模间隔物”(マンドレルスペーサ)124。该掩模间隔物124位于后续形成的沟槽（开口）128的侧壁上（见图9），起到隔离作用，对应于目标专利中“开口侧壁上的第一隔离层”。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| 技术特征E：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点《直接公开》 | [2]「導電性材料１３０で充填する。…トランジスタ１００を…平坦化することができる。…平坦化の後に、トレンチ１２８内の導電性材料１３０により、ソース／ドレイン１１２に対するトレンチコンタクト１３２が形成される。」(用导电材料130填充。…可以将晶体管100…平坦化。…平坦化之后，通过沟槽128内的导电材料130，形成用于源极/漏极112的沟槽接触132。)<br>段落[0031]有类似描述。 | 对比文件明确描述了用导电材料130填充沟槽128，形成与下方源极/漏极112电连接的“沟槽接触”(トレンチコンタクト)132。该接触132形成于电介质层的开口中，并电耦合至有源区（源极/漏极），其结构和功能与目标专利的“第一堆叠式触点”相同。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| 技术特征F：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离《隐含公开》 | [2]「絶縁層１３４は、…マンドレル１２０及びマンドレルスペーサ１２４と同じ絶縁材料を含む。…絶縁層１３４は、下方の層を封入する薄い絶縁層であってよい。」(绝缘层134包含…与掩模120和掩模间隔物124相同的绝缘材料。…绝缘层134可以是封装下方层的薄绝缘层。)<br>段落[0034]描述了绝缘层134的沉积。 | 对比文件公开了在平坦化后的结构上沉积绝缘层134（如氮化硅），该层覆盖了沟槽接触132的上表面，相当于“盖层”。同时，由掩模间隔物124（即第一隔离层）在侧壁提供隔离，防止接触132与相邻栅极短路。虽然对比文件未明确描述盖层沉积在“与有源触点相对的表面”上，但本领域技术人员从图11-12的结构可以毫无疑义地推断，绝缘层134沉积在接触132的整个上表面，自然包括与下方源极/漏极相对的表面。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地《隐含公开》 | [2]「トレンチ２０８を用いて、ゲート１０４'…へのローカル相互接続経路を形成することができる。」(可以使用沟槽208形成到栅极104'…的局部互连路径。)<br>[2]「導電性材料２１０を、トレンチ２０６及びトレンチ２０８に充填することができる。…トレンチ２０８内の導電性材料２１０によって、ゲート開口トレンチコンタクト２０４へのローカル相互接続２１２Ｂが形成される。」(可以将导电材料210填充到沟槽206和沟槽208中。…通过沟槽208内的导电材料210，形成到栅极开口沟槽接触204的局部互连212B。)<br>结合图29，局部互连212B连接了栅极接触204和沟槽接触132。 | 对比文件中的“局部互连”(ローカル相互接続)212B相当于目标专利的“第一通孔”。它穿过绝缘层（电介质层）136，落在栅极接触204上（该接触连接至分离栅极104'），并通过蚀刻掉绝缘层134的一部分（即盖层的一部分）而直接落在沟槽接触132的表面上，从而将接触132（及相连的源极/漏极）电耦合至分离栅极104'。虽然对比文件未明确说明此连接是为了“使栅极接地”，但将栅极电连接到源极/漏极是本领域中实现接地的常规技术手段。因此，本领域技术人员可以从对比文件公开的结构合理推断出该技术特征，技术特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐《直接公开》 | [2]「ゲート開口トレンチ１４２内の導電性材料１３０によって、ゲート１０４'へのゲート開口トレンチコンタクト２０４が形成される。」(通过栅极开口沟槽142内的导电材料130，形成到栅极104'的栅极开口沟槽接触204。)<br>结合图16、23，栅极接触204通过掩模120和掩模间隔物124（作为第二隔离层）定义，与源极/漏极112自对准，并且与沟槽接触132通过同一掩模间隔物工艺自对准。段落[0043]有相关描述。 | 对比文件明确公开了“栅极开口沟槽接触”(ゲート開口トレンチコンタクト)204，其直接形成在分离栅极104'上。该接触的侧壁由掩模间隔物124（即第二隔离层）定义。由于制造工艺（使用掩模和掩模间隔物）使得沟槽接触132和栅极接触204都与相同的特征（如栅极、掩模）自对准，因此栅极接触204被自对准到源极/漏极112（有源触点）以及沟槽接触132（第一堆叠式触点）。技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点《直接公开》 | 参见技术特征B的引用及图2、15等。对比文件中，多个源极/漏极112布置在栅极两侧。 | 对比文件附图（如图2、15）明确显示，在分离栅极104'的相邻位置存在多个源极/漏极112。因此，毗邻于该分离栅极（虚栅极）的“第二有源触点”已被直接公开。 |
| 技术特征J：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离《隐含公开》 | [2]「トレンチ２０６内の導電性材料２１０によって、トレンチコンタクト１３２へのローカル相互接続２１２Ａが形成される。」(通过沟槽206内的导电材料210，形成到沟槽接触132的局部互连212A。)<br>结合图29，局部互连212A与沟槽接触132连接，且沟槽接触132与另一个源极/漏极112对齐。局部互连212A、212B通过同一掩模/蚀刻工艺形成，彼此自对准，并由绝缘材料（如绝缘层134、136）电隔离。 | 对比文件公开了电耦合至第二有源触点（源极/漏极112）的另一个沟槽接触132（相邻堆叠式触点）。同时，公开了局部互连212A（对应于目标专利可能的第一通孔或另一互连）与该沟槽接触132连接。虽然目标专利中“第一通孔”连接虚栅极，而对比文件中局部互连212A连接的是普通源极/漏极接触，但自对准和电隔离的原理相同。对比文件中的局部互连212A和212B是通过同一 patterning 工艺形成的，因此是自对齐的，并且它们之间的绝缘层（134,136）确保了电隔离。本领域技术人员可以合理推断，如果存在连接虚栅极的通孔，其与相邻堆叠式触点的自对齐和电隔离关系是类似的。因此，技术特征J被隐含公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离《隐含公开》 | [2]「マンドレルスペーサ１２４は、…下部においてより幅広になっており…。そのため、マンドレルスペーサ１２４の縁部は、少なくとも下側のゲート１０４の縁部を超えて延びる。」(掩模间隔物124…在下部更宽…。因此，掩模间隔物124的边缘至少延伸到下方栅极104的边缘之外。)<br>结合图9、11，掩模间隔物124（第一隔离层）的底部较宽，覆盖了栅极边缘并部分覆盖源极/漏极区域。图29中局部互连212B与栅极接触204自对齐。 | 对比文件明确说明了掩模间隔物124（第一隔离层）具有倾斜轮廓，底部较宽，其边缘至少延伸超过下方栅极的边缘，这意味着它至少部分与源极/漏极区域（第一有源触点）交叠。同时，图29显示局部互连212B（第一通孔）与栅极接触204自对齐。本领域技术人员可以理解，掩模间隔物124在交叠区域的存在，在物理上隔离了沟槽接触132（第一堆叠式触点）的侧壁与局部互连212B（第一通孔）的填充材料，从而提供了电隔离。虽然对比文件未用文字精确描述“将第一堆叠式触点的一部分与第一通孔的一部分电隔离”，但这是该结构必然产生的技术效果。因此，技术特征K被隐含公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，进一步包括：有源栅极《直接公开》 | [2]「ゲート１０４は、…基板１０１のウェル領域１０８（トランジスタ１００の活性領域）の上方に形成され…。」(栅极104…形成在基板101的阱区域108（晶体管100的活性区域）上方…。) | 对比文件明确公开了形成在活性区域（ウェル領域）上方的栅极104，其作为晶体管的有源栅极。技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点《直接公开》 | 同技术特征B、I的引用。图2显示源极/漏极112毗邻有源栅极104。 | 对比文件明确公开了与有源栅极104相邻的源极/漏极112。技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层《直接公开》 | 同技术特征D、E的引用。沟槽接触132电耦合至源极/漏极112，其侧壁的掩模间隔物124（第二隔离层）将其与相邻的有源栅极104电隔离。 | 对比文件公开的沟槽接触132（第二堆叠式触点）电耦合至源极/漏极112（第二有源触点），并且其侧壁上的掩模间隔物124（第二隔离层）确保了接触132与相邻栅极（包括有源栅极104）之间的电隔离。技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔《未公开》 | 对比文件中未描述电连接到有源栅极104且与沟槽接触132自对齐的“第二通孔”。图29中的局部互连212A连接到沟槽接触132，而非有源栅极。 | 对比文件没有公开电耦合至有源栅极（如图2中左侧的栅极104）的“第二通孔”，并且要求该通孔与第二堆叠式触点（沟槽接触132）自对齐。对比文件中的局部互连主要连接到源极/漏极接触或分离栅极接触，未描述针对有源栅极的此类特定自对齐通孔结构。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中《隐含公开》 | [2]「上述した実施形態を用いて、マイクロプロセッサ、記憶装置（例えば、ＳＲＡＭ装置）、モバイル技術装置又は（製造時において置換ゲートフローを用いる）他の任意の装置技術のために用いられる半導体装置を形成することができる。」(可以使用上述实施例，形成用于微处理器、存储装置（例如SRAM装置）、移动技术装置或使用置换栅极工艺制造的任何其他装置技术的半导体装置。) | 对比文件明确指出其公开的半导体器件可用于“移动技术装置”(モバイル技術装置)，这涵盖了目标专利中列举的移动电话、PCS单元等移动设备。同时，“微处理器”、“存储装置”等也隐含了在计算机、娱乐单元等设备中集成的可能性。虽然列举不完全一致，但本领域技术人员可以合理推断，对比文件公开的半导体器件能够被集成到目标专利所列举的各类电子设备中。因此，技术特征P被隐含公开。 |
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