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2010-12-16_JP2010283777A_发明专利_JP2010283777A5 JP2010283777A5 -_+++A_B_D_E_F_G_I_h+++ - 副本.docx
2026-02-23 21:27
2010-12-16_JP2010283777A_发明专利_JP2010283777A5 JP2010283777A5 -_+++A_B_D_E_F_G_I_h+++.docx
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2012-03-01_US2012050015A_发明申请_US20120050015A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++G_K_g_h_i_j+++ - 副本.docx
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2012-03-01_US2012050015A_发明申请_US20120050015A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++G_K_g_h_i_j+++.docx
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2012-03-01_WO2012027397A_发明申请_WO2012027397A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++K_a_d_h_i_j+++ - 副本.docx
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2012-03-01_WO2012027397A_发明申请_WO2012027397A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++K_a_d_h_i_j+++.docx
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2013-05-22_CN103119854A_发明公开_CN103119854A 用于装置保护的寄生电路_+++B_D_H_I_K_a_e_g_q+++ - 副本.docx
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2013-05-22_CN103119854A_发明公开_CN103119854A 用于装置保护的寄生电路_+++B_D_H_I_K_a_e_g_q+++.docx
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2013-07-03_EP2609687A_发明公开_EP2609687A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++B_E_G_I_K_a_d_f_h_j_o+++ - 副本.docx
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2013-07-03_EP2609687A_发明公开_EP2609687A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++B_E_G_I_K_a_d_f_h_j_o+++.docx
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2013-10-07_JP2013208012A_发明专利_JP2013208012A Antenna coil unit and magnetic field resonance power supply system_+++A_B_D_f_h+++ - 副本.docx
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2013-10-07_JP2013208012A_发明专利_JP2013208012A Antenna coil unit and magnetic field resonance power supply system_+++A_B_D_f_h+++.docx
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2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection_+++A_G_H_K_e_i_j+++ - 副本.docx
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2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection_+++A_G_H_K_e_i_j+++.docx
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2013-12-30_KR1020130143016A_发明公开_KR1020130143016A 디바이스 보호용 기생 회로_+++a_b_d_e_g_h_i_j_k_q+++ - 副本.docx
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2013-12-30_KR1020130143016A_发明公开_KR1020130143016A 디바이스 보호용 기생 회로_+++a_b_d_e_g_h_i_j_k_q+++.docx
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2014-05-08_US2014125275A_发明申请_US20140125275A1 SYSTEMS AND METHODS FOR FORWARD LINK COMMUNICATION IN WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_f_h+++ - 副本.docx
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2014-05-08_US2014125275A_发明申请_US20140125275A1 SYSTEMS AND METHODS FOR FORWARD LINK COMMUNICATION IN WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_f_h+++.docx
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2014-06-04_JP5509389B_发明专利_JP5509389B2 Parasitic circuit for device protection_+++B_I_K_d_e_g_h+++ - 副本.docx
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2014-06-04_JP5509389B_发明专利_JP5509389B2 Parasitic circuit for device protection_+++B_I_K_d_e_g_h+++.docx
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2014-06-05_DE102013224964A_发明专利_DE102013224964A1 Intelligentes NFC-Antennenanpassungsnetzwerksystem und Benutzervorrichtung, die dieses beinhaltet_+++H_I_J_a_b_d_f+++.docx
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2014-06-05_US2014154980A_发明申请_US20140154980A1 SMART NFC ANTENNA MATCHING NETWORK SYSTEM AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME_+++B_H_I_J_f+++ - 副本.docx
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2014-06-05_US2014154980A_发明申请_US20140154980A1 SMART NFC ANTENNA MATCHING NETWORK SYSTEM AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME_+++B_H_I_J_f+++.docx
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2014-06-11_CN103856250A_发明公开_CN103856250A 智能NFC天线匹配网络系统及其用户装置_+++D_H_I_J_b_f+++ - 副本.docx
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2014-06-11_CN103856250A_发明公开_CN103856250A 智能NFC天线匹配网络系统及其用户装置_+++D_H_I_J_b_f+++.docx
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2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치_+++A_B_D_F_H_I_J+++ - 副本.docx
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2014-06-13_KR1020140072643A_发明公开_KR1020140072643A 스마트 근거리무선통신 안테나 매칭 네트워크 시스템 및 그것을 포함한 유저 장치_+++A_B_D_F_H_I_J+++.docx
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2014-06-26_JP2014117150A_发明专利_JP2014117150A Near field communication antenna matching network system and user device including the same_+++A_D_F_H_I_J_b+++ - 副本.docx
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2014-06-26_JP2014117150A_发明专利_JP2014117150A Near field communication antenna matching network system and user device including the same_+++A_D_F_H_I_J_b+++.docx
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2014-09-04_US2014246916A_发明申请_US20140246916A1 ACTIVE AND ADAPTIVE FIELD CANCELLATION FOR WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_G_I_K_L_O_e_f_h_j+++ - 副本.docx
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2014-09-04_US2014246916A_发明申请_US20140246916A1 ACTIVE AND ADAPTIVE FIELD CANCELLATION FOR WIRELESS POWER SYSTEMS_+++A_B_D_G_I_K_L_O_e_f_h_j+++.docx
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2014-10-16_JP2014197930A_发明专利_JP2014197930A 電力伝送システム_+++A_B_I_e_g_h+++ - 副本.docx
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2014-10-16_JP2014197930A_发明专利_JP2014197930A 電力伝送システム_+++A_B_I_e_g_h+++.docx
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2014-10-16_JP2014197932A_发明专利_JP2014197932A 電力伝送システム_+++A_B_D_H_I_e_g_j_o+++ - 副本.docx
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2014-10-16_JP2014197932A_发明专利_JP2014197932A 電力伝送システム_+++A_B_D_H_I_e_g_j_o+++.docx
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2015-04-30_US2015115727A_发明申请_US20150115727A1 SYSTEMS, APPARATUS, AND METHOD FOR A DUAL MODE WIRELESS POWER RECEIVER_+++D_K_a_g_h_i_q+++ - 副本.docx
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2015-04-30_US2015115727A_发明申请_US20150115727A1 SYSTEMS, APPARATUS, AND METHOD FOR A DUAL MODE WIRELESS POWER RECEIVER_+++D_K_a_g_h_i_q+++.docx
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2015-05-07_WO2015065810A_发明申请_WO2015065810A1 SYSTEMS, APPARATUS, AND METHOD FOR A DUAL MODE WIRELESS POWER RECEIVER_+++d_g_h_i_k_q+++ - 副本.docx
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2015-05-07_WO2015065810A_发明申请_WO2015065810A1 SYSTEMS, APPARATUS, AND METHOD FOR A DUAL MODE WIRELESS POWER RECEIVER_+++d_g_h_i_k_q+++.docx
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2015-11-19_US2015334884A_发明申请_US20150334884A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++D_E_G_H_Q_a_b_c_i_j_k+++ - 副本.docx
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2015-11-19_US2015334884A_发明申请_US20150334884A1 PARASITIC CIRCUIT FOR DEVICE PROTECTION_+++D_E_G_H_Q_a_b_c_i_j_k+++.docx
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2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection_+++A_G_H_K_e_i_j+++ - 副本.docx

**对比文件名称**:2013-11-28_JP2013543161A_发明专利_JP2013543161A Parasitic circuit for device protection

**目标专利名称**:177用于异相场减轻的方法和装置CN107534321B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek-R1

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### **特征比对表格**

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:第一线圈,具有至少一个环路,所述至少一个环路在所述至少一个环路的边界内部形成内部区域并且在所述至少一个环路的边界外部形成外部区域。对比文件第[2]段描述了“ループ”アンテナ(环路线圈)(参见图3、图11及其说明)。例如,图11示出了デバイス840具有“受信コイル864”(接收线圈864)。线圈本身会占据一个物理区域,根据电磁学基本常识,线圈的环路会定义一个边界。对比文件明确公开了“コイル”(线圈)这一部件,其必然具有环路结构。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,任何线圈的环路都会在其导线所围成的边界内部形成一个区域(即线圈内部区域),并在边界外部形成另一个区域(即线圈外部区域)。因此,技术特征A被对比文件**直接公开**。 <<<A>>>
**技术特征B**:所述第一线圈被配置为生成用于对无线电力设备充电或供电的第一交变磁场。对比文件第[2]段描述了“送信アンテナ”(发射天线)生成用于能量传输的“場”(场)(参见图1, 场106)。图11中的“受信コイル864”被描述为可配置为在例如13.56MHz接收无线电力(ワイヤレス電力を受信するように構成可能である)。目标专利中的“第一线圈”是电力发射线圈,用于“生成”交变磁场。对比文件中的“受信コイル864”虽名为接收线圈,但其在无线电力系统中工作的物理基础是耦合(接收)外部发射线圈生成的交变磁场。从功能上看,对比文件的线圈是用于“接收”磁场以供电,而非“生成”磁场用于充电。两者作用相反。虽然从广义电磁感应原理看,任何通交流电的线圈都会“生成”交变磁场,但对比文件并未将“受信コイル864”描述或配置为主动生成用于对外充电的磁场源。因此,技术特征B未被对比文件直接公开。进一步判断,对比文件也未教导或暗示将该接收线圈用作发射线圈。因此,技术特征B既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征C**:所述第一交变磁场具有在所述内部区域中的具有第一相位的第一磁场分量,所述第一交变磁场还具有在所述外部区域中的具有第二相位的第二磁场分量,并且所述第二相位不同于所述第一相位。对比文件全文未提及磁场在发射线圈内部和外部区域具有不同相位(位相)的特性,也未描述任何关于“异相场”或“反相场”的现象。技术特征C定义了目标专利要解决的核心物理问题——发射线圈边缘的异相(反相)场效应。对比文件关注的是通过寄生线圈生成对抗场来保护设备,完全不涉及对发射线圈自身磁场相位分布的分析或描述。本领域技术人员无法从对比文件中推导出或联想到发射线圈磁场存在内部同相、外部异相的特定分布。因此,技术特征C既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征D**:以及第二线圈,其围绕所述第一线圈的周界的至少一部分。对比文件图11示出了“寄生コイル856”(寄生线圈856)和“受信コイル864”(接收线圈864)并排设置。文字描述为寄生线圈856位于需要屏蔽的区域860(例如LCD屏幕)附近(領域860(例えば、LCD画面またはタッチ画面)の近傍にあり得る)。对比文件公开了存在两个线圈:一个接收线圈864和一个寄生线圈856。然而,附图11和文字描述并未显示或说明寄生线圈856“围绕”接收线圈864的周界。它们更可能是一种相邻或部分重叠的布置,目的是让寄生线圈保护接收线圈附近的特定区域(如屏幕),而非围绕其周界以影响其整个外围磁场。因此,技术特征D中“围绕…周界”的特定位置关系未被对比文件公开。本领域技术人员从对比文件中无法必然推导出这种围绕关系。因此,技术特征D既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征E**:所述第二线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小。对比文件第[2]段明确描述:“寄生コイル856は、磁場850に対抗する(参照番号852により示す)磁場を発生可能である”(寄生线圈856可以生成对抗磁场850的磁场(由参考标号852表示))。其目的是在区域860(如屏幕)实现“磁場がない状態”(无磁场状态),从而对该区域进行保护。技术特征E中“第二线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小”,在目标专利中特指减小发射线圈在其自身外部区域产生的异相磁场分量。对比文件中,寄生线圈856被配置为生成一个对抗“外部で生成される磁場850”(外部生成的磁场850)的磁场852,以在局部区域(860)抵消外部磁场,从而实现保护。虽然两者具体针对的磁场源和目标区域不同(目标专利针对自身发射线圈的异相场;对比文件针对外部发射器的磁场以保护局部区域),但从线圈的**功能作用**来看,都是“通过生成一个场来抵消/减小另一个特定磁场的大小”。这种“通过生成对抗磁场来减小原有磁场”的技术手段是相同的。在隐含公开的宽松标准下,可以认为对比文件公开了“使用一个线圈来减小特定区域磁场大小”这一基本技术手段。因此,技术特征E被对比文件**隐含公开**。 <<<e>>>
**技术特征F**:其中所述第一线圈限定第一xy平面,并且其中所述第二线圈包括在第二xy平面中的从所述第一xy平面偏移的单个导线环路。对比文件未描述第一线圈和第二线圈之间是否存在平面偏移关系。图11的示意图是二维的,无法确定线圈之间的三维空间关系。对比文件完全没有提及两个线圈是否处于不同平面或存在“偏移”关系。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特定位置关系。因此,技术特征F既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征G**:其中所述第二线圈被配置为生成对抗所述第二磁场分量的第二交变磁场以便减小所述第二磁场分量的大小。同技术特征E的引用,对比文件明确描述了寄生线圈856生成对抗外部磁场850的磁场852。该特征与技术特征E的本质相同,进一步明确了“生成对抗磁场”的手段。对比文件已经直接公开了“寄生线圈生成对抗(外部)磁场的磁场”这一配置。因此,技术特征G被对比文件**直接公开**。 <<<G>>>
**技术特征H**:其中所述第二交变磁场响应于电流流过所述第二线圈而被生成,所述电流响应于在所述第二线圈中感生的电压而流动,所述电压基于所述第一交变磁场而被感生。对比文件第[2]段依据楞次定律进行说明:“レンツの法則により、外部の磁場により励起される受信コイルの付近の範囲内に置かれる、任意の非同調の短絡した寄生コイルは、外部で励起された磁場に対抗する磁場電流を発生させることになる。” (根据楞次定律,放置在由外部磁场激发的接收线圈附近范围内的任何非调谐的短路的寄生线圈,将产生对抗外部激发磁场的磁场电流。)对比文件明确依据楞次定律解释了寄生线圈的工作原理:外部磁场(相当于目标专利的“第一交变磁场”)在寄生线圈中感生电压,从而产生电流,该电流进而生成对抗场。这与技术特征H描述的工作原理完全一致。因此,技术特征H被对比文件**直接公开**。 <<<H>>>
**技术特征I**:第一谐振电路,包括所述第一线圈并且被配置为以谐振频率谐振。对比文件第[2]段描述了无线电力系统中发射和接收天线可以调谐到谐振频率(“共振周波数”),以及图3示出了为环路天线添加电容器152、154以产生谐振信号156的谐振电路。对于接收线圈864,其作为接收电路的一部分,通常也会被调谐以在特定频率(如13.56MHz)高效接收。在无线电力传输领域,为了使能量传输更高效,发射线圈和接收线圈通常被配置为谐振电路的一部分。对比文件公开了无线电力系统包含可调谐至谐振频率的线圈(无论是发射还是接收)。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,对比文件中的“受信コイル864”(作为接收部件)必然需要被调谐(例如通过匹配电路)以在操作频率(如13.56MHz)谐振,从而实现有效接收。因此,包含第一线圈(接收线圈)并被配置为谐振的电路被**隐含公开**。 <<<i>>>
**技术特征J**:以及第二谐振电路,包括所述第二线圈并且被配置为实质上以所述第一谐振电路的谐振频率谐振。对比文件第[2]段描述了图7-9的电路702,其包括线圈704和由C1、C2、L1组成的电路706,该电路被配置为在6.78MHz呈现低阻抗(短絡),在13.56MHz呈现高阻抗(開放)。这实质上是一个可调谐的谐振电路,其谐振特性被设计为在特定频率(6.78MHz)发生特定响应(低阻抗)。对比文件公开了包含寄生线圈(704/856)的电路(702/706),该电路被设计为在特定频率(6.78MHz,这是一个常见的无线电力传输频率)具有特定的阻抗特性(低阻抗),以实现生成对抗场的功能。虽然电路702的配置是为了在多个频率点(6.78MHz和13.56MHz)实现不同的阻抗,但其在6.78MHz的低阻抗状态本身就依赖于该电路在该频率附近的谐振特性。本领域技术人员可以理解,为了实现有效的场抵消,该寄生电路需要在其要对抗的磁场频率(例如6.78MHz)上有效工作,这通常意味着其被配置为在该频率或其附近谐振。因此,包含第二线圈并被配置为在相关频率(可与第一线圈频率相同)谐振的电路被**隐含公开**。 <<<j>>>
**技术特征K**:78MHz。对比文件第[2]段多次提到无线电力传输的操作频率可以是“6.78MHz”。例如,“発振器は、調整信号123に応答して調整可能である、468.75KHz、6.78MHzまたは13.56MHzなどの所望の周波数で信号を発生させるように構成される。”以及电路702被配置为在6.78MHz呈现低阻抗。对比文件明确将“6.78MHz”记载为无线电力传输系统可能使用的操作频率之一。因此,频率“6.78MHz”被对比文件**直接公开**。 <<<K>>>
**技术特征L**:其中所述第二线圈电耦合到驱动电路,所述驱动电路被配置为利用信号来操作地驱动所述第二线圈以减小所述第二磁场分量的大小。对比文件全文未提及任何用于驱动寄生线圈856或704的“驱动电路”。寄生线圈的工作方式是被动的,基于外部磁场感生电流(如技术特征H所述),而非由主动的驱动电路驱动。技术特征L要求第二线圈被主动的驱动电路操作地驱动。对比文件中寄生线圈是完全被动工作的,其电流由外部磁场感应产生,没有独立的驱动信号源。两者工作原理不同。因此,技术特征L既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征M**:其中所述驱动电路进一步被配置为利用包括所述第二线圈的谐振电路的谐振频率的所述信号来操作地驱动所述第二线圈,所述谐振电路被配置为以所述谐振频率谐振。同技术特征L,对比文件未公开驱动电路。由于驱动电路本身未被公开,此进一步限定的特征自然也未被公开。因此,技术特征M既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征N**:还包括控制器,被配置为确定指示所述无线电力设备的接收线圈处的电压的信息,其中所述驱动电路被配置为基于确定的所述信息来生成用于操作地驱动所述第二线圈的所述信号。对比文件未公开任何用于确定接收线圈电压信息并据此控制驱动信号的控制器。对比文件中的寄生保护系统是静态的、被动的,不具备基于反馈信息进行动态控制的控制器和驱动电路。因此,技术特征N既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征O**:还包括位于所述外部区域中的多个线圈,所述多个线圈被配置为减小所述第二磁场分量的大小并且包括所述第二线圈。对比文件仅描述了一个寄生线圈(856或704)用于保护一个区域(860)。未提及使用多个线圈来协同减小磁场。对比文件仅公开了单个寄生线圈的方案,没有教导或暗示使用多个线圈。本领域技术人员无法从中推导出使用多个线圈的技术方案。因此,技术特征O既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征P**:还包括控制器,被配置为:基于所述无线电力设备与所述多个线圈的至少一部分的耦合来确定所述无线电力设备的位置,以及部分地基于确定的所述位置来选择性地激活所述多个线圈中的一个或多个线圈,以减小所述第二磁场分量的大小。对比文件未公开任何控制器,也未涉及通过检测耦合来确定设备位置并选择性激活多个线圈的技术。该特征涉及复杂的主动检测和选择性控制方案,完全超出了对比文件所公开的被动保护电路的范围。因此,技术特征P既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征Q**:其中所述第二磁场分量包括反相场。对比文件未讨论磁场的相位,也未提及“反相场”(anti-phase field)的概念。技术特征Q是技术特征C中“第二相位不同于第一相位”的具体化定义(即反相)。由于技术特征C本身未被公开,作为其下位概念的反相场自然也未被公开。因此,技术特征Q既未被直接公开,也未被隐含公开。

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