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对比文件名称:US2017038552A1_Description_20260218_1608

目标专利名称:179亚微米晶片对准CN107850759B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:第一透明晶片,其包括第一透镜阵列《直接公开》[0020] “a first transparent wafer comprising a first array of lenses;”对比文件第[0020]段明确记载了“第一透明晶片包括第一透镜阵列”。该内容在对比文件中构成光学晶片堆叠的基础组成部分,与目标专利中第一透明晶片承载透镜阵列的作用相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B**:第二透明晶片,其包括第二透镜阵列,所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对《直接公开》[0020] “a second transparent wafer comprising a second array of lenses, each lens of the second array of lenses forming a lens pair with a corresponding one of the first array of lenses;”对比文件第[0020]段明确记载了第二透明晶片包括第二透镜阵列,且第二阵列中的每个透镜与第一阵列中的对应透镜形成透镜对。该内容在对比文件中用于描述构成透镜对的晶片结构,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征C**:第一隔片晶片,其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料,每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中《直接公开》[0020] “a first spacer wafer positioned between the first transparent wafer and the second transparent wafer and comprising a spacer material including an array of openings, at least one lens of each lens pair extending into an opening of the array of openings;”对比文件第[0020]段明确记载了位于第一与第二透明晶片之间的第一隔片晶片,其包含具有开口阵列的隔片材料,且每个透镜对中的至少一个透镜延伸到开口中。该内容在对比文件中用于为透镜提供空间并形成堆叠,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征D**:第一对准标记,其设置于所述第一透明晶片上,所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带《直接公开》[0020] “a first alignment mark provided on the first transparent wafer, the first alignment mark comprising a first set of repeating marks positioned around a first lens of the first array of lenses;” 以及 [0021] “the first set of repeating marks comprises a first set of concentric annuli”对比文件第[0020]段记载了设置于第一透明晶片上的第一对准标记,其包括位于第一透镜阵列中第一透镜周围的第一组重复标记。第[0021]段进一步明确该第一组重复标记包括第一组同心环带(concentric annuli)。该内容在对比文件中用于晶片对准,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征E**:及第二对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带《直接公开》[0020] “a second alignment mark provided on the second transparent wafer, the second alignment mark comprising a second set of repeating marks complementary to the first set of repeating marks and positioned around a second lens of the second array of lenses, the first lens and the second lens forming one lens pair.” 以及 [0021] “the second set of repeating marks comprises a second set of concentric annuli”对比文件第[0020]段记载了设置于第二透明晶片上的第二对准标记,其包括与第一组重复标记互补且位于第二透镜阵列中第二透镜周围的第二组重复标记,且第一透镜与第二透镜形成一个透镜对。第[0021]段进一步明确该第二组重复标记包括第二组同心环带。该内容在对比文件中用于与第一标记共同实现对准,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征F**:,所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。《直接公开》[0021] “When the first alignment mark is aligned with the second alignment mark, the first and second sets of concentric annuli can form a continuous circular shape when viewed from a top-down perspective...” 以及 [0062]-[0064] 描述了互补图案在未对准时产生莫尔效应(moiré effect)。对比文件第[0021]段明确描述了当第一与第二对准标记对齐时,第一和第二组同心环带会形成连续的圆形形状(即跨越所有环带的实心环带)。第[0062]-[0064]段详细说明了使用互补高频标记(如同心环带)进行对准,并在未对准时产生莫尔图案(moiré pattern)或波纹效应(moiré effect)。这些内容在对比文件中用于提供对准的视觉指示,与目标专利中描述的功能完全相同。因此被直接公开。
**技术特征G**:其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。《直接公开》[0021] “The first lens, the second lens, and a portion of the spacer material around an opening of the array of openings can form a lens stack having an optical axis.”对比文件第[0021]段明确记载了第一透镜、第二透镜以及开口周围的隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。该内容在对比文件中定义了所构建的光学结构,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征H**:其进一步包括分束器层,所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。《直接公开》[0021] “The optical wafer stack can further comprise a beam splitter layer provided at an optical center point between a first plane of the first alignment mark and a second plane of the second alignment mark.”对比文件第[0021]段明确记载了光学晶片堆叠可进一步包括设置在第一对准标记的第一平面与第二对准标记的第二平面之间的光学中心点处的分束器层。该内容在对比文件中用于使两个对准标记能在同一焦平面被同时观察,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征I**:其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。《直接公开》[0011] “The first set of repeating marks and the second set of repeating marks can comprise concentric annuli having a line thickness of 5 μm.”对比文件第[0011]段明确记载了第一组重复标记和第二组重复标记可包括具有5μm线厚度的同心环带。该内容在对比文件中作为对准标记的具体尺寸示例,与目标专利中技术特征的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征J**:其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列《直接公开》[0022] “The optical wafer stack can further comprise... a third transparent wafer including a third array of lenses;”对比文件第[0022]段明确记载了光学晶片堆叠可进一步包括包含第三透镜阵列的第三透明晶片。该内容在对比文件中用于扩展堆叠的层数,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征K**:第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料《直接公开》[0022] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and comprising the spacer material including an array of openings;”对比文件第[0022]段明确记载了位于第二与第三透明晶片之间的第二隔片晶片,其包括包含开口阵列的隔片材料。该内容在对比文件中用于分隔和容纳更多透镜层,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征L**:及第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。《直接公开》[0022] “and a third alignment mark provided on the third transparent wafer, the third alignment mark comprising a third set of repeating marks complementary to the first and second sets of repeating marks and positioned around a third lens of the third array of lenses, the third lens forming an optical stack with the first lens and the second lens.”对比文件第[0022]段明确记载了设置在第三透明晶片上的第三对准标记,其包括与第一和第二组重复标记互补且位于第三透镜周围的第三组重复标记,且该第三透镜与第一、第二透镜形成光学堆叠。该内容在对比文件中用于多层晶片的对准,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征M**:其进一步包括:第三透明晶片,其包含第三透镜阵列《直接公开》[0023] “The optical wafer stack can further comprise... a third transparent wafer including a third array of lenses;”对比文件第[0023]段明确记载了光学晶片堆叠可进一步包括包含第三透镜阵列的第三透明晶片。该内容与特征J的引用实质相同,在对比文件中用于描述另一种堆叠配置。因此被直接公开。
**技术特征N**:第二隔片晶片,其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料《直接公开》[0023] “a second spacer wafer positioned between the second transparent wafer and the third transparent wafer and comprising the spacer material including an array of openings;”对比文件第[0023]段明确记载了位于第二与第三透明晶片之间的第二隔片晶片,其包括包含开口阵列的隔片材料。该内容与特征K的引用实质相同。因此被直接公开。
**技术特征O**:第三对准标记,其设置于所述第三透明晶片上,所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记,所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对《直接公开》[0023] “a third alignment mark provided on the third transparent wafer, the third alignment mark comprising a third set of repeating marks positioned around a third lens of the third array of lenses, the third lens forming a pair with a fourth lens of the second array of lenses;”对比文件第[0023]段明确记载了设置在第三透明晶片上的第三对准标记,其包括位于第三透镜周围的第三组重复标记,且该第三透镜与第二透镜阵列中的第四透镜形成一对。该内容在对比文件中描述了另一种对准标记的配对方式。因此被直接公开。
**技术特征P**:第四对准标记,其设置于所述第二透明晶片上,所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。《直接公开》[0023] “a fourth alignment mark provided on the second transparent wafer, the fourth alignment mark comprising a fourth set of repeating marks complementary to the third set of repeating marks and positioned around the fourth lens.”对比文件第[0023]段明确记载了设置在第二透明晶片上的第四对准标记,其包括与第三组重复标记互补且位于第四透镜周围的第四组重复标记。该内容与特征O共同描述了晶片间另一种对准配置。因此被直接公开。
**技术特征Q**:其包括:将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围《直接公开》[0024] “disposing a first set of repeating marks around a first lens of a first array of lenses of a first transparent wafer;” 以及结合[0021]中“concentric annuli”的定义。对比文件第[0024]段记载了将第一组重复标记安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围。根据第[0021]段,重复标记包括同心环带。因此,该步骤在对比文件中公开,用于对准方法的初始步骤,与目标专利中的作用相同。因此被直接公开。
**技术特征R**:将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围,所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补《直接公开》[0024] “disposing a second set of repeating marks around a second lens of a second array of lenses of a second transparent wafer, the second set of repeating marks complementary to the first set of repeating marks;” 以及结合[0021]中“concentric annuli”的定义。对比文件第[0024]段记载了将第二组重复标记安置于第二透镜阵列中的第二透镜周围,且该第二组重复标记与第一组互补。根据第[0021]段,重复标记包括同心环带。因此,该步骤在对比文件中公开,用于设置互补对准标记。因此被直接公开。
**技术特征S**:通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带《直接公开》[0024] “viewing the second set of repeating marks through the first transparent wafer as well as the first set of repeating marks;”对比文件第[0024]段明确记载了“通过第一透明晶片检视第二组重复标记以及检视第一组重复标记”。该描述涵盖了通过第一透明晶片(及设置于其上的第一组标记)来检视第二组标记的过程,与目标专利中技术特征S的实质内容相同。该步骤在对比文件中用于观察对准状态。因此被直接公开。
**技术特征T**:及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。《直接公开》[0024] “and aligning the first transparent wafer to the second transparent wafer using overlap of the first and second sets of repeating marks.” 结合 [0021]和[0062]-[0064]关于产生连续圆形形状和莫尔效应的描述。对比文件第[0024]段明确记载了使用第一和第二组重复标记的重叠来将第一透明晶片对准到第二透明晶片。结合第[0021]段(对齐时形成连续圆形)和第[0062]-[0064]段(未对准时产生莫尔效应),公开了所述环带定大小和定位以产生所述视觉效果的功能。该内容在对比文件中构成了对准方法的核心步骤。因此被直接公开。
**技术特征U**:其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据,且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。《直接公开》[0025] “the viewing can comprise capturing image data of the first and second sets of repeating marks, and the aligning can comprise comparing, via a hardware processor, the image data to at least one template image to determine whether the first and second sets of repeating marks are aligned.”对比文件第[0025]段明确记载了检视包括捕捉第一和第二组重复标记的图像数据,且对准包括经由硬件处理器比较图像数据与至少一个模板图像以确定是否对准。该内容在对比文件中描述了自动化对准的具体实现方式。因此被直接公开。
**技术特征V**:其进一步包括:将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处《直接公开》[0026] “disposing a beam splitter layer at an optical midpoint between the first and second sets of repeating marks;”对比文件第[0026]段明确记载了将分束器层安置于第一和第二组重复标记之间的光学中点处。该步骤在对比文件中用于改进对准的观察条件。因此被直接公开。
**技术特征W**:使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上《直接公开》[0026] “focusing a microscope objective on the second set of repeating marks;”对比文件第[0026]段明确记载了使显微镜物镜聚焦于第二组重复标记上。该步骤在对比文件中是使用分束器进行对准时的关键操作。因此被直接公开。
**技术特征X**:检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射《直接公开》[0026] “viewing the second set of repeating marks as well as a reflection of the first set of repeating marks via the beam splitter layer;”对比文件第[0026]段明确记载了检视第二组重复标记以及经由分束器层的第一组重复标记的反射。该步骤在对比文件中用于同时观察两个标记。因此被直接公开。
**技术特征Y**:及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。《直接公开》[0026] “and aligning the first transparent wafer to the second transparent wafer using overlap of the first and second sets of repeating marks viewed through the microscope objective.”对比文件第[0026]段明确记载了使用通过显微镜物镜检视的第一和第二组重复标记的重叠来对准晶片。该步骤是该方法的目的。因此被直接公开。
**技术特征Z**:其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。《直接公开》[0026] “The focusing, viewing, and aligning can be performed programmatically by one or more physical computing devices and/or hardware processors.”对比文件第[0026]段明确记载了聚焦、检视和对准可以由一个或多个物理计算装置和/或硬件处理器以编程方式执行。该内容在对比文件中描述了自动化控制。因此被直接公开。

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