**对比文件名称**：US2009161106A1_Description_20260218_1608
**目标专利名称**：179亚微米晶片对准CN107850759B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：第一透明晶片，其包括第一透镜阵列<br>**《未公开》** | 说明书第[0043]段：“As shown in the drawings, the lens mold 100 adopted in the wafer lens aligning method according to the invention has a lens forming portion 11, into which polymer-based resin is injected to mold a lens and which is formed in the central portion thereof, and a circular groove 12 formed around the lens forming portion 11.” | **论述**：对比文件公开了“模具”（lens mold）及其上的“透镜形成部分”（lens forming portion）。然而，目标专利的特征A明确限定为“第一透明晶片”及其上的“第一透镜阵列”。对比文件中的“模具”是用于成型透镜的工具，而非构成最终光学堆叠一部分的、具有成型后透镜的“透明晶片”。二者在结构、作用和制造阶段上均存在本质区别。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征B**：第二透明晶片，其包括第二透镜阵列，所述第二透镜阵列中的每一透镜与所述第一透镜阵列中的对应透镜形成透镜对<br>**《未公开》** | 说明书第[0050]段：“As shown in FIG. 5, a wafer 20 adopted in the wafer aligning method according to the invention has two types of patterns 21 (21a and 21b) and 22 formed on one surface thereof.” | **论述**：对比文件公开了“晶片”（wafer 20），其表面形成有图案。然而，该晶片是待与模具对准以在其上成型透镜的基板，其本身并不包含“第二透镜阵列”。目标专利的特征B要求两个晶片各自已具备透镜阵列并形成透镜对，这与对比文件中一个为模具、一个为待加工晶片的配置完全不同。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **技术特征C**：第一隔片晶片，其定位于所述第一透明晶片与所述第二透明晶片之间且包括包含开口阵列的隔片材料，每一透镜对中的至少一个透镜延伸到所述开口阵列中的开口中<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：对比文件的整个方案涉及晶片与模具的单层对准和接合，目的在于在晶片表面成型透镜。说明书中完全没有提及任何位于两个已具备透镜的透明晶片之间的“隔片晶片”（spacer wafer），也没有“开口阵列”或允许透镜伸入其中的结构。该特征在对比文件中不存在。 |
| **技术特征D**：第一对准标记，其设置于所述第一透明晶片上，所述第一对准标记包括定位于所述第一透镜阵列中的第一透镜周围的第一组同心环带<br>**《未公开》** | 说明书第[0050]段：“... the other type includes a plurality of minute patterns 22 for alignment between a lens formation position of the wafer and the lens mold 10 after the initial position of the wafer 20 is set.”<br>第[0059]段：“Preferably, the minute patterns 22 are formed of metal. Further, the minute patterns 22 may be formed in a linear shape so as to be symmetrical with each other or may be formed in a circular arc shape having an approximate curvature to the groove 12.” | **论述**：对比文件公开了晶片20上的“微细图案”（minute patterns 22），其可以是圆弧形（circular arc shape）。然而，目标专利的特征D明确限定对准标记是“定位于第一透镜周围的第一组同心环带”。首先，对比文件的图案22用于与模具10的凹槽12对准，其位置关系是图案与模具凹槽外缘或内缘的间距控制，并非明确围绕一个已存在的透镜。其次，虽然“圆弧形”可能在形状上与“环带的一部分”相似，但目标专利的“同心环带”是完整、闭合的环形图案组，用于产生特定的光学干涉（莫尔）效应，这与对比文件中用于中心重合对准的离散微细图案在结构、布局和功能上均不同。因此，对比文件未直接公开该特征，且本领域技术人员无法毫无疑义地得出“位于透镜周围的同心环带”这一具体方案。 |
| **技术特征E**：及第二对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第二对准标记包括与所述第一组同心环带互补且定位于所述第二透镜阵列中的第二透镜周围的第二组同心环带<br>**《未公开》** | 同特征D引用。另参见背景技术第[0013]-[0016]段，描述了现有技术中模具上的第一对准标记（凹槽）和晶片上的第二对准标记（遮光图案）可能形成莫尔条纹。 | **论述**：对比文件背景技术部分描述了一种现有技术，其中模具100上有由多个凹槽构成的第一对准标记120，晶片200上有对应的第二对准标记130（遮光图案241, 251），重叠时可能产生莫尔条纹（Moire fringes）。然而，本发明部分（第[0050], [0059]段）公开的“微细图案22”是单组图案，用于与模具凹槽进行中心对准，并未公开在另一个晶片（或部件）上设置与之“互补”的另一组同心环带图案。目标专利要求两个晶片上存在互补的环带标记，而对比文件的本发明方案是晶片图案与模具凹槽的对准，并非两个晶片之间的互补图案对准。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：，所述第一透镜与所述第二透镜形成一个透镜对，其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**《未公开》** | 背景技术第[0016]段：“When the mold 100 and the substrate 200 are accurately aligned with each other, concentric Moire fringes emerge as shown in FIG. 2A. Otherwise, when the mold 100 and the substrate 200 are not aligned with each other, Moire fringes are formed as shown in FIG. 2B.” | **论述**：对比文件背景技术提到了模具与晶片上的标记对准和未对准时会产生不同的莫尔条纹（Moire fringes），这类似于“波纹效应”。**然而**，首先，这是背景技术中描述的现有技术问题，并非本发明（US2009161106A1）要求保护的方案。其次，目标专利的特征F明确限定了效应是由**两个晶片上的互补同心环带**产生的，且对准时形成“实心环带”。对比文件背景技术中产生莫尔条纹的标记是模具上的凹槽组和晶片上的遮光图案，并非两个晶片上的互补同心环带，也未描述对准时形成“实心环带”的效果。对比文件本发明部分（第[0059]段）的“微细图案22”与模具“凹槽12”的对准方式是通过控制间距使中心重合，并未教导或暗示会产生上述特定的视觉效应。因此，该特征未被对比文件的本发明公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第一透镜、所述第二透镜及在所述开口阵列中的开口周围的所述隔片材料的一部分形成具有光轴的透镜堆叠。<br>**《未公开》** | 说明书第[0068]段，图8：“As shown in FIG. 8, a lens 30 separated from the lens mold 10 has a projection 32 formed with a predetermined height around an optical portion 31 projecting in a semi-circular shape on a bonding surface of the lens mold 10.” | **论述**：对比文件公开了最终成型的单个透镜30，其具有光学部分31。单个透镜具有光轴。**然而**，目标专利的特征G明确限定是由“第一透镜”、“第二透镜”以及“隔片材料的一部分”共同形成的“透镜堆叠”及其光轴。这是一个多层复合结构的光轴。对比文件仅涉及单层透镜的成型，没有公开任何由两个透镜和隔片构成的“堆叠”结构，因此也无法公开这种堆叠结构所具有的“光轴”。该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其进一步包括分束器层，所述分束器层设置于所述第一对准标记的第一平面与所述第二对准标记的第二平面之间的光学路径中心点处。<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：“分束器层”（beam splitter layer）是目标专利的核心构件之一，用于解决同时清晰观察两个位于不同平面的对准标记的难题。在对比文件的整个说明书中，完全没有提及任何分束器、半透半反镜或类似结构。对准过程依赖于直接观察图案或通过程序控制距离。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一组同心环带及所述第二组同心环带具有5μm的线厚度。<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：对比文件中未提及任何对准标记或图案的具体线厚度尺寸，特别是“5μm”这一数值。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：对比文件的方案仅涉及一个晶片（wafer 20）与一个模具（lens mold 10）的对准，以在晶片上成型透镜。没有公开或暗示存在包含透镜阵列的“第三透明晶片”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：如特征C所述，对比文件无任何“隔片晶片”的概念。更无位于两个晶片之间的“第二隔片晶片”。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：及第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括与所述第一组同心环带及所述第二组同心环带互补且定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第一透镜及所述第二透镜形成光学堆叠。<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：该特征涉及三层晶片堆叠的复杂对准标记系统。对比文件仅涉及单层对准，完全没有公开此类多层互补标记结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其进一步包括：第三透明晶片，其包含第三透镜阵列<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：同特征J，未被公开。 |
| **技术特征N**：第二隔片晶片，其定位于所述第二透明晶片与所述第三透明晶片之间且包括包含开口阵列的所述隔片材料<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：同特征K，未被公开。 |
| **技术特征O**：第三对准标记，其设置于所述第三透明晶片上，所述第三对准标记包括定位于所述第三透镜阵列中的第三透镜周围的第三组重复标记，所述第三透镜与所述第二透镜阵列中的第四透镜形成一对<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：该特征涉及另一配置的多层对准标记系统。对比文件未公开任何此类结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：第四对准标记，其设置于所述第二透明晶片上，所述第四对准标记包括与所述第三组重复标记互补且定位于所述第四透镜周围的第四组重复标记。<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：同特征O，未被公开。 |
| **技术特征Q**：其包括：将第一组同心环带安置于第一透明晶片的第一透镜阵列中的第一透镜周围<br>**《未公开》** | 参见特征D的引用。 | **论述**：对比文件公开了在晶片20上形成“微细图案22”（minute patterns 22）。然而，如特征D所述，这些图案并非明确“安置于透镜周围”，也未必是“同心环带”。目标专利的方法步骤Q具有明确的限定。对比文件未公开该具体步骤。 |
| **技术特征R**：将第二组同心环带安置于第二透明晶片的第二透镜阵列中的第二透镜周围，所述第二组同心环带与所述第一组同心环带互补<br>**《未公开》** | 参见特征E的引用。 | **论述**：对比文件未公开在另一个晶片上设置与第一组图案互补的同心环带。因此，该步骤未被公开。 |
| **技术特征S**：通过所述第一透明晶片及所述第一组同心环带来检视所述第二组同心环带<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：对比文件的对准方法涉及通过设备扫描识别图案位置（第[0063]段），或可能通过视觉/光学设备观察模具凹槽与晶片图案的相对位置（图6A，6B）。但并未公开“通过第一透明晶片及第一组同心环带来检视第二组同心环带”这一特定的检视方式和光路。目标专利此特征暗示了透过上层晶片观察下层标记的对准场景，而对比文件是观察模具（不透明或半透？）与晶片表面的相对关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：及使用所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片,其中所述第一组同心环带和与所述第一组同心环带互补的所述第二组同心环带可经定大小及定位使得其在所述第一及第二透明晶片为光学对准时产生跨越所有环带的实心环带且在所述第一及第二透明晶片未对准时产生波纹效应。<br>**《未公开》** | 说明书第[0056]段：“As the minute patterns 22 of the wafer 20 and the coordinate system of the lens mold 10 are caused to coincide with each other, the minute patterns 22 of the wafer 20 are aligned with the groove 12 formed on the top surface of the lens mold 10, as shown in FIGS. 6A and 6B, such that the lens can be molded in an accurate position.”<br>第[0065]段：“... the distance between the minute patterns 22 and the groove 12 is recognized by a control program. Then, the distance between the minute patterns 22 and the groove 12 is uniformly maintained, so that the center among the minute patterns 22 is caused to coincide with the center of the lens mold 10.” | **论述**：对比文件公开了使用晶片上的微细图案22与模具上的凹槽12进行对准，并使它们的中心重合。这是一种基于图案与凹槽相对位置（如距离）的对准方法。**然而**，目标专利的特征T明确限定为使用两组互补同心环带的“重叠”效应（实心环带/波纹效应）来进行对准。这是两种原理不同的对准方式：对比文件是基于中心重合和距离控制；目标专利是基于重叠产生的视觉干涉图案。因此，对比文件未公开该对准方法。 |
| **技术特征U**：其中所述检视包括捕捉所述第一组同心环带及所述第二组同心环带的图像数据，且其中所述对准包括经由硬件处理器而比较所述图像数据与至少一个模板图像以确定所述第一组同心环带与所述第二组同心环带是否对准。<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0063]段：“...the wafer 20 is loaded into a semiconductor equipment to scan the position recognition patterns 21a and 21b formed on the wafer 20...”<br>第[0065]段：“... the distance between the minute patterns 22 and the groove 12 is recognized by a control program.” | **论述**：对比文件描述了使用“半导体设备”扫描位置识别图案（scan the position recognition patterns），以及通过“控制程序”识别微细图案与凹槽之间的距离。本领域技术人员可以理解，在现代自动化半导体制造设备中，“扫描”图案通常意味着通过光学传感器（如CCD相机）捕捉图像数据，而“控制程序”识别距离或位置则必然涉及对捕捉到的图像数据进行处理和分析。虽然对比文件没有明确提及“比较图像数据与模板图像”，但为了实现自动化的图案识别和位置判断，将捕捉到的图案图像与预存的标准位置或图案（可视为一种“模板”）进行比较，是一种常规的、必然的技术手段。因此，本领域技术人员可以从对比文件公开的“扫描”和“由控制程序识别”中，合理地、毫无疑义地推断出该自动化过程包含了“捕捉图像数据”并“比较图像数据与模板（或标准数据）以确定是否对准”的步骤。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征V**：其进一步包括：将分束器层安置于所述第一组同心环带与所述第二组同心环带之间的光学路径中心点处<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：同特征H，对比文件未涉及任何分束器层。因此，该步骤未被公开。 |
| **技术特征W**：使显微镜物镜聚焦于所述第二组同心环带上<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：对比文件未具体描述使用显微镜物镜并对焦于特定一组环带上的步骤。其提及“扫描”和“识别”，可能使用光学系统，但未明确为“显微镜物镜”及所述特定对焦动作。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征X**：检视所述第二组同心环带以及所述第一组同心环带经由所述分束器层的反射<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：该特征依赖于分束器层的存在以实现同时检视。对比文件无分束器层，故该检视方式未被公开。 |
| **技术特征Y**：及使用通过所述显微镜物镜所检视的所述第一组同心环带与所述第二组同心环带的重叠而将所述第一透明晶片对准到所述第二透明晶片。<br>**《未公开》** | 无 | **论述**：该对准方法依赖于特征V、W、X的特定设置。由于这些前提特征均未被公开，因此该综合对准步骤也未被公开。 |
| **技术特征Z**：其中所述聚焦、所述检视及所述对准由一或多个物理计算装置以编程方式执行。<br>**《直接公开》** | 说明书第[0063]段：“...the wafer 20 is loaded into a semiconductor equipment to scan the position recognition patterns...”<br>第[0065]段：“... the distance between the minute patterns 22 and the groove 12 is recognized by a control program.”<br>第[0071]段：“Further, as the alignment between the lens mold and the wafer is achieved by the automated equipment, mass production can be achieved...” | **论述**：对比文件明确、反复地指出，其对准过程由“半导体设备”（semiconductor equipment）、“自动化设备”（automated equipment）和“控制程序”（control program）来执行。这直接公开了对准过程的自动化、程序化执行，即“由一或多个物理计算装置以编程方式执行”。目标专利特征Z中的“聚焦”、“检视”、“对准”是自动化对准过程中的具体动作，这些动作由自动化设备及其控制程序来执行，已完全被对比文件公开。 |
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