对比文件名称：CN102231361A_Description_20260218_2254
目标专利名称：183通孔材料选择和处理CN107004636B
本次调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间。<br>**《隐含公开》** | 具体实施方式部分，结合图26、27、33描述：“导体352-362分别与镶嵌开口330-340的组合被称为镶嵌结构”、“非等向性地蚀刻氮化硅层366的暴露部分以暴露导体352、356、358、360和362的部分”、“导体406用作，如引线连接垫料”。图26显示导体352等通过镶嵌开口330等与下层的电阻器310等连接。 | 对比文件公开了通过镶嵌工艺（包括双镶嵌）形成的导电结构（如导体352）连接上方的互连层与下层的电路元件（如电阻器310）。根据目标专利说明书，MOL互连层是位于FEOL和BEOL之间的互连层，用于栅极和端子触点形成。对比文件中的电阻器310形成于介电层308之上，其作为无源电路元件，可以对应于半导体器件中的一个互连层次或连接点。尽管对比文件未明确使用“MOL互连层”的术语，但本领域技术人员可以理解，在半导体器件中，用于连接有源/无源器件的局部互连层属于MOL范畴。因此，对比文件隐含公开了在互连层（对应于第一导电互连层的一部分）与下层电路/互连结构（对应于第一级上的第一MOL互连层）之间存在由导电材料填充的通孔（如镶嵌开口330及内部的导体352）。 |
| **技术特征B**：，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，<br>**《隐含公开》** | 说明书第[0003]段：“电感器是采用铜镶嵌工艺制造在第三器件层次或第三电路元件层次中的”、“集成的有源器件是采用单镶嵌工艺或双镶嵌工艺来制造的”。 | 对比文件明确公开了在半导体制造中可以采用单镶嵌工艺来制造结构（如电感器）。虽然对比文件具体实施方式中详细描述的双镶嵌工艺实例（如图26的导体352-362）可能更突出，但其明确指出了单镶嵌工艺是可用的制造选项。本领域技术人员基于对单镶嵌工艺的普遍认知，结合对比文件提及的“采用单镶嵌工艺或双镶嵌工艺”，能够合理推断出通孔结构可以采用单镶嵌工艺来制造。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件中的互连层（如导体352）通常由铜等导电材料在电介质层（如TEOS层316）中形成。但特征C将“第一导电互连层的第一部分”与“第一通孔”关联，且指定该部分是“第二导电材料”。此特征组合了目标专利中特定的层级和材料关系（即，连接第一MOL层的单镶嵌通孔上方的互连层部分材质与连接第二MOL层的双镶嵌通孔材质相同）。对比文件未披露这种在特定层级（第一级MOL）上采用单镶嵌工艺形成的通孔及其上方互连部分的材质关系。 | 对比文件未公开此特征。对比文件中描述了通过镶嵌工艺形成的互连结构，但未区分用于连接不同层级互连层的通孔采用不同的镶嵌工艺，也未将特定互连层的部分材质与特定工艺的通孔进行关联。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体的技术方案。 |
| **技术特征D**：所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，<br>**《隐含公开》** | 具体实施方式部分，结合图26、27、33描述：通过双镶嵌工艺形成的导体352-362（包含通孔结构）连接了不同层级的电路。例如，导体356、358、360等可以连接到上层的其他互连或器件（如图33中的导体406作为垫料）。 | 对比文件公开了通过双镶嵌工艺形成的导电通孔结构（如镶嵌开口330-340及内部的导体），这些结构连接了不同垂直层次的电路元件（如电阻器310与上层的互连或电感器）。虽然对比文件未明确使用“第二级上的第二MOL互连层”这一术语，但本领域技术人员可以理解，半导体器件中存在多个互连层次。对比文件中通过双镶嵌工艺形成的互连/通孔结构，其连接的上层结构（例如后续形成的铝导体、垫料或更高层的互连）可以对应于“第二级上的互连层”。因此，对比文件隐含公开了第二导电材料（如铜）的通孔位于互连层（对应于第一导电互连层的第二部分）与更高层级的互连结构（对应于第二级上的第二MOL互连层）之间。 |
| **技术特征E**：所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，<br>**《直接公开》** | 说明书第[0003]段：“电感器是采用铜镶嵌工艺制造在第三器件层次或第三电路元件层次中的”。具体实施方式部分描述图26的形成过程：“钽层形成在TEOS层316和电阻器310的暴露部分上，氮化钽层形成在钽层上。铜层形成在氮化钽层上，且优选地填充开口330-340。采用例如CMP技术来平坦化铜层、氮化钽层和钽层。...部分346A、348A和350A共同形成导体352；...导体352-362分别与镶嵌开口330-340的组合被称为镶嵌结构”。 | 对比文件明确且直接地公开了使用铜镶嵌工艺（即双镶嵌工艺，参见背景技术对双镶嵌工艺的常规认知）来制造导电结构（如导体352-362）。这些结构既是通孔（垂直连接），也构成了该互连层的一部分（水平延伸的导线）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出，第二通孔和第一导电互连层是用双镶嵌工艺制造的。 |
| **技术特征F**：其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，<br>**《直接公开》** | 具体实施方式部分描述图26的形成过程：“铜层形成在氮化钽层上，且优选地填充开口330-340。...铜层的部分350A...保留在开口330-340内。部分346A、348A和350A共同形成导体352；...导体352-362分别与镶嵌开口330-340的组合被称为镶嵌结构”。其中开口330-340形成于电介质层（TEOS层316）中。 | 对比文件直接公开了通过双镶嵌工艺形成的互连结构（如导体352）由铜（第二导电材料）构成，并且该结构（包含通孔部分）被布置在电介质层（TEOS层316）中。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征G**：所述第一导电材料不同于所述第二导电材料<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件提到了用于不同元件的材料（如电阻器可用氮化钛、钨等，电感器用铜），但并未明确指出连接不同层级互连的两个通孔分别由两种不同的导电材料制成。具体实施方式中通过双镶嵌工艺形成的通孔/互连（如导体352-362）均使用铜。 | 对比文件未公开此特征。虽然对比文件暗示了不同电路元件可能使用不同材料，但并未披露如目标专利权利要求中明确限定的、分别采用单镶嵌和双镶嵌工艺制造的两个通孔使用不同导电材料。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该特定技术方案。 |
| **技术特征H**：以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，<br>**《隐含公开》** | 具体实施方式部分，例如图1、22及后续描述，显示了有源器件16、304和无源器件18、306（如电阻器310、电容器、电感器）与通过镶嵌工艺形成的互连/通孔结构（如导体352-362）相耦合。 | 对比文件公开了半导体部件中包含各种电路元件（如电阻器、电容器、电感器、晶体管等），这些电路元件通过互连结构（包括通孔）进行电连接。尽管对比文件未明确使用“MOL互连层”的术语，但本领域技术人员可以理解，这些电路元件必然耦合到器件内部的互连层（可对应于MOL互连层）。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征I**：所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件中的互连结构连接了电路元件（如基板上的器件）与上层的互连或垫料，但未明确描述存在两个特定层级的MOL互连层，且这两个层级都位于电路与某个特定的第一导电互连层之间。图26-33显示电阻器310（电路）通过通孔（如导体352）连接到上层互连，但未揭示两个不同层级的MOL互连层均位于该电路与同一个第一导电互连层之间的具体堆叠关系。 | 对比文件未公开此特征。对比文件公开了电路元件与互连层的连接，但未披露目标专利中特定的层级布置关系，即第一和第二MOL互连层均位于电路与同一个第一导电互连层之间。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该具体结构。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件中描述了形成不同深度的开口或通孔（例如，图11中的开口90、92深度可能不同），但并未明确将两个分别对应于单镶嵌和双镶嵌工艺、连接不同MOL层的通孔进行长度上的比较和区分。 | 对比文件未公开此特征。对比文件未教导或暗示连接不同层级互连的两个通孔具有不同的长度。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术方案。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件未讨论或比较不同通孔的电阻特性。 | 对比文件未公开此特征。对比文件未涉及通孔电阻的差异。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术方案。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件提到电阻器材料可以是钨（第[0003]段：“电阻器可以是由金属或其他电阻材料形成的精密电阻器”），以及电感器采用铜镶嵌工艺（第[0003]段：“电感器是采用铜镶嵌工艺制造”）。但并未明确指出连接第一级MOL层的通孔材料是钨，且连接第二级MOL层的通孔材料是铜。 | 对比文件未公开此特征。对比文件虽然提及钨和铜可用于不同器件，但并未将其分别指定为用于两个不同工艺（单镶嵌和双镶嵌）制造的通孔材料。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该具体的材料组合方案。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件未提及基于通孔纵横比来选择导电材料。 | 对比文件未公开此特征。对比文件未揭示材料选择与通孔纵横比之间的关系。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术方案。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件虽然描述了不同的电路元件（电阻器、电容器、电感器）可能使用不同的材料，但并未明确揭示选择用于连接特定MOL互连层的通孔材料是基于其所耦合的电路类型。 | 对比文件未公开此特征。对比文件未建立通孔材料选择与所连接电路之间的直接关联。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术方案。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。<br>**《未公开》** | 未找到明确或隐含的对应描述。对比文件未提及将所描述的半导体部件集成到任何具体的终端设备中。 | 对比文件未公开此特征。对比文件仅描述了半导体部件本身的结构和制造方法，未涉及其具体的应用或集成设备。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术方案。 |
<<<E>>><<<F>>><<<a>>><<<b>>><<<d>>><<<h>>>