**对比文件名称**：WO2015171223A1_Description_20260218_2102
**目标专利名称**：183通孔材料选择和处理CN107004636B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A: 包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间** <br>《直接公开》 | [0033] “To access the first MOL interconnect layer 302, a single damascene process ... may be used. A first via 320 is opened, and filled with a first conductive material 306.” <br> [0034] “...first conductive interconnect layer 340-2 of the second conductive material 310 accesses the first MOL interconnect layer 302 through the first via 330 of the first conductive material 306.” | 对比文件图3及说明书[0033]-[0034]段明确公开了器件300包含第一导电材料306的第一通孔320，该第一通孔320连接了第一导电互连层340-2和第一MOL互连层302。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **B: ，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，** <br>《直接公开》 | [0033] “To access the first MOL interconnect layer 302, a single damascene process (similar to that shown in FIGURES 1 A- 1F) may be used.” | 对比文件[0033]段明确指出，用于接入第一MOL互连层302的第一通孔320是使用单镶嵌工艺制造的。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **C: 其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中** <br>《直接公开》 | [0034] “...first conductive interconnect layer 340-2 of the second conductive material 310...” <br> [0033] “A device 300 includes a dielectric layer 106... A first via 320 is opened...” | 对比文件[0034]段明确说明第一导电互连层340-2是由第二导电材料310构成的，即其第一部分是第二导电材料。同时，[0033]段描述了第一通孔320是在电介质层106中打开的，即被布置在电介质层中。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **D: 所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，** <br>《直接公开》 | [0034] “...a second via 330 and a first conductive interconnect layer 340... are formed... The first conductive interconnect layer 340-1 accesses the second MOL interconnect layer 304 through the second via 330.” <br> [0036] “...a dual damascene process is used to deposit a second conductive material 310 to form a second via 340 to the second MOL interconnect layer 304.” | 对比文件[0034]和[0036]段明确公开了由第二导电材料310构成的第二通孔330，该第二通孔330连接了第一导电互连层340-1（即其第二部分）与第二MOL互连层304。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **E: 所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，** <br>《直接公开》 | [0034] “To access the second MOL interconnect layer 304, a dual damascene process... may be used. Further, this process may also be used to access the first conductive material 306 of the first via 320. A dielectric layer 308 is patterned and the openings are filled with a second conductive material 310 to form a second via 330 and a first conductive interconnect layer 340...” | 对比文件[0034]段明确指出，用于形成第二通孔330和第一导电互连层340的工艺是双镶嵌工艺。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **F: 其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，** <br>《直接公开》 | [0034] “...first conductive interconnect layer 340-1 ... is of the second conductive material 310...” <br> [0034] “A dielectric layer 308 is patterned and the openings are filled with a second conductive material 310 to form a second via 330...” | 对比文件[0034]段明确说明第一导电互连层340-1是由第二导电材料310构成的，即其第二部分是第二导电材料。同时，第二通孔330是在被图案化的电介质层308中形成并被填充的，即被布置在电介质层中。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **G: 所述第一导电材料不同于所述第二导电材料** <br>《直接公开》 | [0034] “The second conductive material 310 may be a different material than the first conductive material 306...” | 对比文件[0034]段明确说明了第一导电材料306与第二导电材料310可以是不同的材料。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **H: 以及电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，** <br>《隐含公开》 | 说明书全文未明确提及“电路”。但根据半导体器件常识，MOL互连层的功能就是连接前端器件与后端互连。目标专利说明书[0044]段也指出，MOL互连层用于接入电路。对比文件图3所示的MOL互连层302、304必然需要连接到具体的半导体器件（即电路）才能实现其功能。 | 本领域技术人员知晓，MOL（中部制程）互连层的作用是连接FEOL（前端制程）形成的晶体管等有源器件（电路）与BEOL（后端制程）的金属互连。对比文件公开了第一和第二MOL互连层（302，304）及其连接关系，必然隐含了这些互连层需要耦合到具体的电路（如前端的晶体管）以实现电连接和信号传输的功能。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **I: 所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。** <br>《隐含公开》 | 说明书全文未明确描述此空间位置关系。但根据图3的结构，第一导电互连层340位于电介质层308中，而第一、第二MOL互连层302、304位于更下方的电介质层106中。从半导体器件典型结构推断，FEOL电路（如晶体管）位于MOL互连层下方，第一导电互连层（如M1）位于MOL互连层上方。 | 本领域技术人员基于对比文件图3的截面结构可以毫无疑义地推断，第一MOL互连层302和第二MOL互连层304在物理上位于基板（其上制作有FEOL电路）与第一导电互连层340之间。这种“被布置在...之间”的结构是实现从电路到互连层电连接的必然物理布局。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **J: 其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。** <br>《直接公开》 | 图3清晰显示了第一通孔320和第二通孔330的纵向尺寸（长度）明显不同。第一通孔320从第一导电互连层340-2延伸至第一MOL互连层302，第二通孔330从第一导电互连层340-1延伸至第二MOL互连层304，二者终点深度不同。 | 对比文件图3作为说明书附图，是其公开内容的一部分。图中明确、无疑义地显示出第一通孔320与第二通孔330的纵向延伸长度不同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **K: 其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。** <br>《隐含公开》 | [0034] “...the second conductive material 310 may be chosen based on material properties, such as conductivity...” <br> [0003] “Because some materials that are used to connect various interconnect layers have higher resistance, this may affect the timing and/or resistance properties of these "vias"...” <br> 图3显示两个通孔长度和材料均不同。 | 对比文件明确指出通孔的电阻特性受材料影响，且第二导电材料的选择基于导电性等特性。同时，对比文件已公开第一、第二导电材料不同（特征G），且第一、第二通孔长度不同（特征J）。电阻由材料（电阻率）和几何尺寸（长度、截面积）共同决定。本领域技术人员基于对比文件公开的材料不同、长度不同，可以合理推断出这两个通孔的电阻必然不同。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **L: 其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。** <br>《隐含公开》 | [0003] “As an example, tungsten is often used for vias between layers... Tungsten is often processed in a "single damascene" (SD) process... Copper is often processed in a "dual damascene" (DD) process.” <br> [0033] 描述了第一通孔320用SD工艺，[0034]描述第二通孔330用DD工艺。 | 对比文件在背景技术[0003]段明确指出了行业惯例：钨（W）常用于通孔，且通常在单镶嵌（SD）工艺中处理；铜（Cu）通常在双镶嵌（DD）工艺中处理。在具体实施方式中，对比文件明确第一通孔320使用SD工艺（特征B），第二通孔330使用DD工艺（特征E）。本领域技术人员结合该背景知识和具体工艺描述，能够毫无疑义地、合理地推断出第一导电材料是钨，第二导电材料是铜。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **M: 其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。** <br>《隐含公开》 | [0033] “The first conductive material 306 may be a material that can be deposited or otherwise placed into the via 320 with a large aspect ratio...” <br> [0034] “The second conductive material 310 may be a different material than the first conductive material 306, because the openings in the dielectric layer 308 may have different aspect ratios than that of dielectric layer 106.” | 对比文件[0033]段明确指出，选择第一导电材料306是基于其能够填入具有大纵横比（large aspect ratio）的通孔320。[0034]段指出，第二导电材料310与第一导电材料306不同，是因为电介质层308中的开口（形成第二通孔）可能具有与电介质层106（形成第一通孔）不同的纵横比。这直接教导了通孔的纵横比是选择导电材料（至少是第一导电材料）的一个考虑因素。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **N: 其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。** <br>《隐含公开》 | [0035] “The timing of the circuit accessed through the first conductive material 306 and the second conductive material 310 of the first and second vias 320 and 330 may be crucial. As a result, the size of the first and second vias 320 and 330, and the material characteristics of the first and second conductive material accessing that particular first MOL interconnect layer 302 can be selected...” | 对比文件[0035]段明确指出，通过通孔接入的电路的时序（timing）可能是关键的，因此可以选择通孔的尺寸和材料特性。这明确教导了材料的选择可以基于其接入的电路（具体而言是电路的时序性能要求）来进行。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **O: 其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。** <br>《直接公开》 | [0041] “...the remote units may be mobile phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, GPS enabled devices, navigation devices, set top boxes, music players, video players, entertainment units, fixed location data units such as meter reading equipment...” | 对比文件[0041]段明确列举了包含所公开器件（即具有所述互连结构的半导体器件）的远程单元，该列表几乎完全覆盖了目标专利权利要求中列举的设备类型，包括移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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