对比文件名称：2012-10-18_US2012261787A_发明申请_US20120261787A1 PASSIVE DEVICES FABRICATED ON GLASS SUBSTRATES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：基板 | 说明书第[0020]段：“glass substrate 10”（玻璃基板10） | 对比文件明确公开了“glass substrate 10”，其是承载无源器件（如电感器、电容器）的结构基础，与目标专利中作为封装核心支撑结构的“基板”作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>在所述基板的第一表面中的第一凹陷 | 未找到明确记载。图6示出了焊球（32）位于基板（10）的背侧（10a）表面，未见凹陷结构。 | 对比文件全文（包括附图）均未提及或显示在基板表面形成用于容纳互连的凹陷结构。焊球（32）是直接形成在平坦的基板背面（10a）或布线层（30）上的。因此，技术特征B未被对比文件公开。 |
| **技术特征C《直接公开》**<br>多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分， | 说明书第[0042]段：“through wafer via(s) (e.g., conductive wires) 36 can be formed by lithographic patterning of the wafer back side, etching the glass wafer and layer 14, if still present, and metal deposition processes...”（穿晶圆通孔（例如，导电线）36可以通过晶圆背面的光刻图案化、蚀刻玻璃晶圆以及层14（如果仍然存在）和金属沉积工艺来形成...） | 对比文件公开了在玻璃基板（10）中形成穿晶圆通孔（36），该通孔延伸穿过基板。由于对比文件未公开“凹陷”，因此其通孔必然是穿过基板的“非凹陷部分”。该通孔用于电连接，作用与目标专利中延伸穿过基板非凹陷部分的“第一穿基板通孔”相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 | 未找到明确记载。 | 由于对比文件未公开“第一凹陷”（技术特征B），因此无法确定其穿晶圆通孔（36）的末端是否位于“毗邻第一凹陷的区域中”。该技术特征依赖于凹陷的存在，未被公开。 |
| **技术特征E《隐含公开》**<br>其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 | 说明书第[0032]段：“The inductor can be, for example, a spiral conductor formed within the trench.”（电感器可以是例如在沟槽内形成的螺旋导体。）<br>说明书第[0033]段：“...inductors can be used in analog circuits...”（...电感器可用于模拟电路...） | 对比文件明确公开了可以在基板（玻璃）上形成电感器（18，24）。虽然未明确描述由两个穿基板通孔通过第二表面上的导体连接形成，但本领域技术人员知晓，嵌入式电感器的一种常见实现方式就是利用穿过基板的通孔（如TSV）与表面布线连接形成三维螺旋结构。对比文件公开了在基板中形成沟槽/通孔（36）以及在其上表面（frontside 10b）形成布线层（30）和导体（如螺旋导体），结合形成电感器的教导，本领域技术人员可以合理推断出，可以利用多个穿基板通孔（36）与基板表面（第二表面）的导体（如螺旋导体的一部分）相连接，从而构成嵌入式电感器。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 | 说明书第[0040]段：“A bond pad (e.g., TiN/AlCu/TiN, TiN/W, or TaN/Ta/Cu) and solder bump 32 are formed...”（形成焊盘（例如，TiN/AlCu/TiN, TiN/W, 或 TaN/Ta/Cu）和焊球32...）<br>图6示出了焊球（32）位于基板（10）的背侧（10a）。 | 对比文件公开了“solder bump 32”（焊球32）作为互连结构。然而，对比文件并未公开该焊球被容纳在“凹陷”内。如图6所示，焊球（32）是位于基板（10）的平坦背侧表面（10a）或布线层（30）之上的。因此，技术特征F中关于“被包括在所述第一凹陷内”的关键限定未被公开。 |
| **技术特征G《隐含公开》**<br>以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。 | 说明书第[0040]段：“The structure also includes a last wiring layer 30, formed in a dielectric layer of the additional levels 28.”（该结构还包括最后布线层30，形成于附加层28的电介质层中。）<br>说明书第[0042]段：“...through wafer via(s) ... 36 connecting it to the wafer frontside...”（...穿晶圆通孔...36将其连接到晶圆正面...）<br>图4和图6示出了布线层（30）与焊球（32）及通孔（36）的连接关系。 | 对比文件公开了在基板（10）上形成的“wiring layer 30”（布线层30），其作用是在器件之间（如无源器件18、24）以及器件与外部互连（焊球32）之间进行电连接和布线。图6明确显示了穿晶圆通孔（36）将背面的焊球（32）连接到正面（frontside）的电路。本领域技术人员可以理解，这种“布线层”必然起到将互连（焊球32）电耦合至穿基板通孔（36）的作用，这与目标专利中“重分布层”的功能实质相同。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。 | 说明书第[0032]段：“The capacitor, on the other hand, can be formed by filling the trench with plates and insulator material...”（另一方面，电容器可以通过用极板和绝缘体材料填充沟槽来形成...）<br>说明书第[0033]段：“...the one or more passive devices 18 can include, for example, a resistor, a capacitor, e.g., deep trench capacitor...”（...一个或多个无源器件18可以包括，例如，电阻器、电容器，例如深沟槽电容器...）<br>图2-4示出了无源器件（18，24）形成在基板（10）的正面（frontside 10b）。 | 对比文件明确公开了电容器（18）作为无源器件形成在基板（10）上。结合附图2-4，电容器位于基板的正面（frontside 10b），该面可对应于目标专利中的“第二表面”。对比文件也公开了穿晶圆通孔（36）。虽然没有明确描述一个专门从凹陷延伸的“第二穿基板通孔”来耦合电容器，但本领域技术人员基于对比文件公开的“在基板上形成电容器”和“形成穿晶圆通孔”的技术内容，可以合理推断出，为了将电容器连接到另一侧（例如背面）的互连（如焊球32），可以使用穿基板通孔（36）来实现这种电耦合。因此，技术特征H中“电容器毗邻第二表面”和“穿基板通孔电耦合至电容器”这两个技术手段均被隐含公开。 |
| **技术特征I《隐含公开》**<br>其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。 | 说明书第[0032]段：“The inductor can be, for example, a spiral conductor formed within the trench.”（电感器可以是例如在沟槽内形成的螺旋导体。） | 对比文件公开了在基板沟槽中形成螺旋导体以构成电感器。本领域技术人员熟知，实现一个三维螺旋电感器结构通常需要至少两个垂直通孔（即穿基板通孔）来连接不同层面的螺旋导体线段，以形成电流环路。因此，从公开的“螺旋导体”电感器可以合理推断出其必然包含至少两个穿基板通孔作为其结构的一部分。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J《隐含公开》**<br>其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。 | 说明书第[0020]段：“...the present invention includes the manufactures of passive devices such as, for example, ... inductors...”（...本发明包括制造无源器件，例如...电感器...）<br>说明书第[0032]段：“The inductor can be, for example, a spiral conductor...”（电感器可以是例如螺旋导体...） | 对比文件多次提及制造“passive devices”（无源器件），并明确列举电感器（inductors）为其中一种。说明书和附图（图2-4）中使用的复数形式“devices”和“inductors”暗示了可以在同一基板上制造多个无源器件，包括多个电感器。本领域技术人员阅读对比文件后，可以合理推断出可以根据电路需求制作多个嵌入式电感器。因此，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 | 说明书第[0020]段：“...on a glass substrate...”（...在玻璃基板上...）<br>说明书第[0040]段：“...solder bump 32...”（...焊球32...） | 对比文件明确且直接地公开了基板是玻璃基板（glass substrate 10），并且互连是焊球（solder bump 32）。这两个技术手段的组合已被公开。虽然对比文件的焊球未设于凹陷中，但该特征组合本身已被记载。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。 | 未找到明确记载。 | 对比文件全文聚焦于玻璃基板（glass substrate），未提及使用半导体基板。同时，也未公开互连为“金属柱”。因此，技术特征L未被对比文件公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 | 未找到明确记载。 | 对比文件全文聚焦于玻璃基板（glass substrate），未提及使用有机基板。因此，技术特征M未被对比文件公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。 | 未找到明确记载。 | 对比文件全文聚焦于玻璃基板（glass substrate），未提及使用有机基板。因此，技术特征N未被对比文件公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷 | 未找到明确记载。 | 同技术特征B，对比文件未公开任何在基板表面形成的凹陷结构。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。 | 未找到明确记载。 | 由于对比文件未公开“凹陷”（技术特征B、O），因此也就不存在被容纳在凹陷内的“第二互连”。此外，对比文件也未记载存在一个“仅具有机械功能”的焊球。其焊球（32）均用于电连接。因此，技术特征P未被对比文件公开。 |
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