**对比文件名称**：2013-10-07_JP2013538010A_发明专利_JP2013538010A Integrated passive components and power amplifier
**目标专利名称**：203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | [0007]段：“基板はガラス基板であり得る。”（基板可以是玻璃基板。） | 对比文件明确公开了“基板”（例如玻璃基板），其作用是为无源组件和集成电路提供支撑，与目标专利中基板作为封装基础结构的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出技术特征A。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷<br>**未被公开** | 未发现相关内容。对比文件描述了焊球（はんだボール）直接附着在基板表面的导电焊盘上（例如图10A-10G），但未提及基板表面形成用于容纳互连的凹陷。 | 对比文件未公开在基板第一表面中形成凹陷。在对比文件中，互连（如焊球）直接放置于表面，其作用是提供电连接和机械连接，而目标专利的凹陷用于降低封装高度，两者的结构和技术手段不同。因此，技术特征B未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分<br>**《直接公开》** | [0008]段：“複数のスルーガラスビア（through-glass via）を有し得る。”（可以具有多个穿玻璃通孔。）<br>图10A等示出了贯穿基板1007的通孔1010a。 | 对比文件明确公开了延伸穿过基板（如玻璃基板）的多个“スルーガラスビア”（穿玻璃通孔）。由于对比文件的基板没有凹陷，这些通孔必然延伸穿过基板的非凹陷部分（即整个基板厚度）。其作用是在基板两侧之间提供电连接或热连接，与目标专利中第一穿基板通孔的作用实质相同。因此，本领域技术人员能直接得出技术特征C。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端<br>**未被公开** | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开基板表面的“凹陷”，因此不可能公开通孔端部“毗邻第一凹陷的区域”。该特征涉及凹陷与通孔端部的特定位置关系，对比文件完全没有披露。因此，技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器<br>**未被公开** | 对比文件提到了无源组件包括电感器（インダクタ）（例如[0009]段），并且图示了电感器（如1120a, 1120b等，图11B）。然而，这些电感器是由基板表面上的图案化金属层形成的平面电感器，并非由一对穿基板通孔通过基板另一侧的导体连接而形成的三维“嵌入式电感器”。 | 对比文件公开的电感器是表面图案化的组件，其形成方式与目标专利中通过一对穿基板通孔在基板第二表面上用导体连接以形成嵌入式电感器的技术方案不同。目标专利的嵌入式电感器利用通孔长度来获得稳健电感，是对封装高度与电感性能矛盾的特定解决方案。对比文件没有给出通过穿基板通孔对形成电感器的教导或启示。因此，技术特征E未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷<br>**未被公开** | 对比文件公开了互连，如焊球（はんだボール1020，图10A），但它们被直接放置在基板表面的导电焊盘（1015）上，并未被容纳在基板的凹陷内（参见图10A-10G）。 | 对比文件中的互连（焊球）是凸出于基板表面的，其作用是与外部电路板连接。目标专利的互连被“包括在凹陷内”，这是实现低剖型封装的关键结构，用于减少封装整体高度。两者结构完全不同。由于对比文件未公开凹陷，自然也谈不上互连被包括在凹陷内。因此，技术特征F未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一<br>**《隐含公开》** | [0020]段：“電気伝導性ボンディングパッドが、相互接続ビアの少なくとも一方の端部上に形成されるかまたはそれに電気的に接続され得る。”（导电焊盘可以在互连通孔的至少一端上形成或与其电连接。）<br>图10A、14G等示出了图案化的金属层（如铜层1421）形成导电焊盘（1015）和导线，将焊球（1020）与穿基板通孔（1010a）电连接。 | 对比文件虽然没有明确使用“重分布层（RDL）”这一术语，但明确公开了在基板第一表面上形成图案化的导电层（如铜层1421），该层被配置为将焊球（互连）电耦合至穿基板通孔。例如，图10A中，焊球1020通过焊盘1015和通孔1010a与上方的电路连接。该图案化导电层在对比文件中起到重新分布电连接路径的作用，与目标专利中“重分布层”的功能实质相同。本领域技术人员根据对比文件公开的内容，能够合理推断出使用这样的导电层来实现互连与通孔之间的电耦合。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器<br>**未被公开** | 对比文件公开了电容器作为无源组件（例如[0009]段，图14G中的电容器1425）。然而，这些电容器通常形成在基板的“第一表面”（即与集成电路同侧，如图10A、14G所示），并未明确描述为“毗邻基板的对向第二表面”。此外，对比文件未区分“第一”和“第二”穿基板通孔，也没有公开从“凹陷”延伸的、长度更短的“第二穿基板通孔”来专门耦合电容器。 | 目标专利的特征H包含两个紧密关联的限定：电容器毗邻第二表面，以及由特定的“第二穿基板通孔”电耦合。对比文件虽然公开了电容器，但其位置通常在集成电路同侧（第一表面侧），且连接电容器的通孔是普通的穿基板通孔，并非目标专利所定义的、从凹陷起始的“第二穿基板通孔”。因此，对比文件没有公开该特征的整体技术方案，本领域技术人员无法直接或通过合理推理得出。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔<br>**未被公开** | 如特征E所述，对比文件未公开由穿基板通孔对形成的嵌入式电感器。 | 由于形成嵌入式电感器的核心特征（特征E）未被公开，因此作为其进一步限定的“包括至少两个第一穿基板通孔”自然也未被公开。技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器<br>**未被公开** | 如特征E所述，对比文件未公开由穿基板通孔对形成的嵌入式电感器。 | 同理，多个此类嵌入式电感器的特征也未被公开。技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《直接公开》** | [0007]段：“基板はガラス基板であり得る。”<br>[0012]段：“相互接続ビアは、電力増幅システムとメタライズパッドとの間の電気的接続のために構成され得る。…はんだボール”（互连通孔可以被配置为功率放大系统与金属化焊盘之间的电连接...焊球）<br>图10A等多处示出了焊球（1020）。 | 对比文件明确且直接地公开了基板可以是玻璃基板，并且互连包括焊球。这与技术特征K的限定完全一致。在对比文件中，玻璃基板用于集成无源器件，焊球用于外部电连接，作用与目标专利相同。因此，技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱<br>**未被公开** | 对比文件提到了“シリコン基板”（硅基板）等半导体基板作为集成电路的基板（例如[0011]段），但未提及该半导体基板作为目标专利权利要求中所述的“基板”（即集成无源器件的封装基板）。此外，对比文件中的互连主要描述为焊球（はんだボール），未提及“金属柱”作为互连。 | 目标专利的特征L限定了“基板包括半导体基板”且“第一互连包括金属柱”的特定组合。对比文件虽然提及半导体基板，但那是用于承载集成电路（如功率放大器芯片）的基板，并非承载凹陷和无源器件的封装基板。同时，对比文件未公开金属柱互连。因此，该特定组合的技术方案未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**未被公开** | 未发现对比文件提及“有机基板”。对比文件主要聚焦于玻璃基板、硅基板等。 | 对比文件完全没有公开“有机基板”。因此，技术特征M未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>（注：与特征M重复，判断同特征M）<br>**未被公开** | 同特征M。 | 同特征M。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br>**未被公开** | 同特征B，对比文件未公开任何基板表面的凹陷。 | 由于第一凹陷（特征B）未被公开，进一步包括的第二凹陷自然也未被公开。技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球<br>**未被公开** | 同特征B和F，对比文件未公开凹陷，也未公开仅具机械功能的、置于凹陷内的焊球。 | 该特征依赖于凹陷的存在以及互连功能的特定限定。对比文件均未公开这些要素。因此，技术特征P未被公开。 |
### 公开性判断总结
- **直接公开**的技术特征：**A**、**C**、**K**。
- **隐含公开**的技术特征：**G**。
- **未被公开**的技术特征：B、D、E、F、H、I、J、L、M、N、O、P。
根据输出格式要求，对于直接公开的特征插入大写代码，对于隐含公开的特征插入小写代码。
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