对比文件名称：2010-04-27_US7704796B_发明授权_US07704796B2 Semiconductor device and method of forming recessed conductive vias in saw streets
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | 说明书[0030]段：“A semiconductor wafer generally includes an active surface having semiconductor devices disposed thereon, and a backside surface formed with bulk semiconductor material, e.g., silicon.” 以及图3a-3j、图5等示出的半导体芯片（die）或晶圆（wafer），其作为器件的基础支撑结构。 | 对比文件明确公开了半导体晶圆（wafer）或单个半导体芯片（die），例如图3j中的半导体芯片94，其作为封装结构的基础部件，起到了承载和支撑的作用。这与目标专利中“基板”的作用（作为封装的基础支撑结构）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| 技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《直接公开》 | 说明书[0047]段：“The grinding process leaves conductive vias 130 recessed with respect to the back surface of semiconductor wafer 90.” 以及图3j、图4c、图5等示出的凹陷（recessed）导电通孔（conductive vias）130。 | 对比文件公开了在半导体芯片（基板）的背面（即一个表面）形成凹陷的导电通孔130（参见图3j）。该凹陷（recessed feature）用于容纳后续的互连结构（如焊球），以降低整体封装高度（参见说明书[0051]段）。这与目标专利中在第一表面形成凹陷以容纳互连、降低封装高度的作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分，《未公开》 | 对比文件中的通孔130是“recessed conductive vias”，其描述为“a thickness of the conductive via is less than a thickness of the semiconductor wafer”（说明书[0007]段），且通过从背面研磨形成（图3h），使得通孔厚度小于晶圆厚度。即，这些通孔是从背面凹陷底部开始、延伸一部分但并未完全穿透至基板（芯片）的正面（有源面）。它们并非目标专利所定义的“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”的“第一穿基板通孔”。 | 目标专利的“第一穿基板通孔”明确为延伸穿过整个基板厚度（从第一表面到对向的第二表面）的通孔，且特别强调其“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”。对比文件中的导电通孔130是“凹陷的（recessed）”，其深度小于基板厚度，并未完全穿透基板，其末端终止于基板内部。两者结构、形成方式和作用均不同。对比文件未公开完全穿透基板的通孔，更未公开其延伸穿过“非凹陷部分”。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《未公开》 | （基于特征C未公开）对比文件未公开“延伸穿过基板”的通孔，因此自然不存在此类通孔在“第一表面中毗邻第一凹陷的区域中”的“第一端”。 | 由于对比文件未公开目标专利定义的“第一穿基板通孔”，因此该通孔在特定位置具有第一端的特征也未被公开。对比文件中的凹陷导电通孔130的“第一端”位于凹陷内部，而非“毗邻第一凹陷的区域”。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未公开》 | 对比文件全文未提及“电感器（inductor）”，也未描述将两个通孔通过基板第二表面上的导体相互耦合以形成无源电感结构。 | 目标专利的嵌入式电感器是核心技术之一，通过第二表面上的导体连接两个穿基板通孔形成。对比文件中的导电通孔130仅用于实现芯片堆叠时的垂直电互连（如连接不同芯片的接触垫或重分布层），其目的是信号传输，而非形成电感器。本领域技术人员无法从对比文件的内容中合理推断出形成嵌入式电感器的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《直接公开》 | 说明书[0050]段：“The solder material is reflowed by heating the solder material above its melting point to form spherical balls or bumps 136.” 及图4c、图5等示出焊球（solder bumps）136形成在凹陷的导电通孔130内。 | 对比文件明确公开了将焊球（solder bumps）136放置在凹陷的导电通孔130内（参见图4c）。焊球136作为第一互连，被容纳在凹陷内并与凹陷（具体是凹陷内的导电通孔材料）电耦合，用于实现与外部（如下层芯片或基板）的电连接。这与目标专利中“第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷”的特征和作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。《隐含公开》 | 说明书[0045]段：“An electrically conductive layer or redistribution layer (RDL) 120 is patterned and deposited on active surface 96 of semiconductor die and active surface 102 of semiconductor die 100 using an evaporation, electrolytic plating, electroless plating, or other suitable metal deposition process. RDL can be made with Al, Cu, Sn, Ni, Au, Ag, or other suitable conductive material. RDL 120 extends from contact pads 98 and 104 to conductive via , as shown in FIG. 3f.” | 对比文件公开了在基板（芯片）的有源表面（第一表面）上形成重分布层（RDL）120，其图案化以从接触垫98、104延伸至导电通孔（via）119（即后来的130）。虽然对比文件明确描述RDL 120连接的是接触垫和通孔，但焊球136被放置并电连接至该凹陷通孔130。本领域技术人员可以理解，焊球136通过导电通孔130内的导电材料，与RDL 120实现了电连接。因此，RDL 120实质上构成了将位于凹陷内的第一互连（焊球136）电耦合至导电通孔（即“多个第一穿基板通孔之一”的类似结构）的导电路径。尽管对比文件的通孔130并非完全穿透基板，但其在基板中形成的电连接路径与目标专利中“重分布层将互连耦合至通孔”的配置在电学功能上是等同的。基于此，可以合理推断该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。《未公开》 | 对比文件全文未提及在基板第二表面集成“电容器（capacitor）”，也未描述有专门电耦合至电容器的“第二穿基板通孔”。 | 目标专利中集成电容器是特定技术特征，用于说明封装可包含其他无源器件。对比文件仅涉及导电互连结构的形成，未公开任何集成的电容器结构，也未提及用于耦合电容器的特定通孔。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。《未公开》 | （基于特征E未公开）对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | 由于作为前提的“嵌入式电感器”未被公开，因此其包括至少两个穿基板通孔的具体构成特征自然也未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。《未公开》 | （基于特征E未公开）对比文件未公开“嵌入式电感器”。 | 由于作为前提的“嵌入式电感器”未被公开，因此其数量特征自然也未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 对比文件明确公开基板是“semiconductor wafer”或“semiconductor die”（例如硅），参见[0030]段。未提及玻璃基板。 | 目标专利明确限定基板材料为“玻璃基板”。对比文件的基础基板是半导体材料（如硅），二者材料不同。虽然第一互连都包括焊球，但基板材料的限定未被公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。《未公开》 | 对比文件公开了基板是半导体基板（semiconductor die/wafer），但第一互连是“solder bumps”（焊球），参见[0050]段。未提及“金属柱（metal pillar）”。 | 目标专利明确限定第一互连为“金属柱”。对比文件公开的互连是“焊球”，二者是不同类型的互连结构。因此，该组合特征未被公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 对比文件的基础基板是半导体（硅），有机材料（如BCB, PI）112是填充在锯道（gap）中的绝缘材料，并非作为承载无源器件的主体“基板”。参见[0042]段。 | 目标专利明确限定基板材料为“有机基板”。对比文件的主体基板是半导体，不是有机材料。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》 | 同特征M。 | 同特征M。 |
| 技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《直接公开》 | 说明书[0047]段及图3j、图5等示出多个“recessed conductive vias”130。例如，图5中半导体芯片140上有多个凹陷的导电通孔146。 | 对比文件公开了在基板（芯片）上形成多个凹陷的导电通孔（例如130，146等）。这些多个凹陷结构对应于目标专利中“第一凹陷”和“第二凹陷”的表述。因此，该“第二凹陷”特征被直接公开。 |
| 技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。《未公开》 | 对比文件公开了放置在凹陷导电通孔内的焊球（如136），但其明确用于电互连（electrical connection），参见[0050]-[0051]段。例如，焊球136用于连接上下芯片的导电层或通孔。 | 目标专利明确限定第二互连是“仅具有机械功能”的焊球，即不用于电连接。对比文件中的所有焊球（如136，172，192等）均用于建立电连接，没有公开任何仅用于机械紧固的焊球。因此，该特定限定特征未被公开。 |
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