对比文件名称：2011-07-21_JP2011142203A_发明专利_JP2011142203A Substrate and wiring method for substrate
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：基板 《直接公开》 | [2] “图１、図２に示すインターポーザ基板１０は、基材１と、ソルダレジスト層５と、を備える。” | 对比文件明确公开了“基材１”，即基板，这是其描述的结构的基本组成部分。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件的“基材１”即对应于目标专利的“基板”。因此，特征A被对比文件直接公开。 |
| B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷 《直接公开》 | [2] “基材１及びソルダレジスト層５には基材１及びソルダレジスト層５を貫通する凹部４が形成されている。” | 对比文件明确公开了在基材1和阻焊层5中形成贯穿的“凹部4”。从图1（对应于[2]中描述的图1）可以看出，该凹部是从基板的一个表面（即第一表面，面向BGA球的一面）向内形成的凹陷结构。因此，特征B被对比文件直接公开。 |
| C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分 《未公开》 | [2] “基材１には、第１の端子１２（図２参照）に一端が接続された第１の配線２と、第２の端子（不図示）に一端が接続された第２の配線３とが設けられている。”； [2] “第１の配線２は、基材１の上面から基材１の下面へと延びるように設けられている。” | 目标专利的“第一穿基板通孔”是垂直贯穿基板厚度的独立导电结构，用于形成电感器等无源器件。对比文件中的“第1の配線2”和“第2の配線3”是形成在基板上的布线图案，它们虽然从基板的一个表面延伸到另一个表面，但属于布线层结构，并非目标专利中定义的独立“穿基板通孔”结构，其作用和构造不同。对比文件背景技术中提到的“配線パターン120”也未描述为穿基板通孔。因此，对比文件没有公开“延伸穿过基板的非凹陷部分的多个第一穿基板通孔”这一技术特征。 |
| D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端 《未公开》 | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开技术特征C（多个第一穿基板通孔），因此必然也未公开这些通孔在第一表面毗邻凹陷的区域中具有第一端的具体特征。 |
| E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器 《未公开》 | 无对应内容。 | 目标专利的“嵌入式电感器”是由穿基板通孔通过在基板第二表面上的导体连接形成的三维电感结构。对比文件全文未提及任何电感器结构，也未描述通过基板相对表面上的导体将两个通孔连接起来形成电感器。因此，该特征未被公开。 |
| F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷 《未公开》 | [2] “そして、凹部４に導電性材料を埋設し、第１の配線２の他端及び第２の配線３の他端を電気的に接続する… 導電性材料として例えば導電性ペーストや半田ボールを用いることができる。”； [2] “第２の配線３の一端は第２の端子に接続されている。 第２の配線３とＢＧＡボール６は第２の端子において接続されている。” | 目标专利的“第一互连”（如焊球）是设置在基板第一表面的凹陷内，并与凹陷耦合，用于与外部电路板连接。对比文件中的“凹部4”内填充的是“導電性材料”（如导电浆料或焊料球13），其作用是选择性连接暴露在凹部侧壁的两条布线端部，以实现布线可编程。该导电材料13并非用于与外部电路板互连的“第一互连”。而对比文件中用于外部互连的“BGAボール6”是设置在基板下表面（即第一表面）的焊盘上，并未被描述为设置在“凹部4”内。因此，对比文件未公开“被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷”的互连结构。 |
| G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一 《未公开》 | [2] “基材１には、第１の端子１２（図２参照）に一端が接続された第１の配線２と、第２の端子（不図示）に一端が接続された第２の配線３とが設けられている。” | 目标专利的“重分布层”是形成在基板第一表面上、专门用于将凹陷内的互连电耦合至穿基板通孔的布线层。对比文件中存在“第1の配線2”和“第2の配線3”等布线，它们设置在基板内，一端分别连接到第一端子（上表面）和第二端子（下表面），另一端暴露在“凹部4”的侧壁。这些布线的作用是实现内部电连接和通过凹部进行可编程连接，而非目标专利中定义的、位于基板第一表面上、用于将凹陷内的互连耦合至穿基板通孔的“重分布层”。此外，由于特征F（凹陷内的第一互连）和特征C（穿基板通孔）均未被公开，该耦合关系也不成立。因此，该特征未被公开。 |
| H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文未提及任何电容器结构，也未提及“第二穿基板通孔”。因此，该附加技术特征未被公开。 |
| I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔 《未公开》 | 无对应内容。 | 由于特征E（嵌入式电感器）未被公开，因此其包括至少两个穿基板通孔的具体构造也未被公开。 |
| J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器 《未公开》 | 无对应内容。 | 由于特征E（嵌入式电感器）未被公开，因此包括多个嵌入式电感器的特征也未被公开。 |
| K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未限定基板的具体材料为玻璃基板。虽然提到了“BGAボール”（焊球），但该焊球并非特征F中定义的“被包括在所述第一凹陷内”的第一互连。因此，该组合特征未被公开。 |
| L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未限定基板为半导体基板，也未提及金属柱作为互连。因此，该组合特征未被公开。 |
| M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未限定基板为有机基板。虽然提到了焊球，但并非特征F中定义的凹陷内的第一互连。因此，该组合特征未被公开。 |
| N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球 《未公开》 | 无对应内容。 | 此特征与特征M实质相同，判断结果一致，未被公开。 |
| O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷 《直接公开》 | [2] “同様に、第１の端子１２とＢＧＡボール６_１は第１の配線２と第２の配線３_１を介して接続可能とされている。 同様に、第１の端子１２とＢＧＡボール６_２は第１の配線２と第２の配線３_２を介して接続可能とされている。”； [2] “同様に、凹部４_１に導電性材料を埋設することで、第１の端子１２とＢＧＡボール６_１とを接続することができる。 同様に、凹部４_２に導電性材料を埋設することで、第１の端子１２とＢＧＡボール６_２とを接続することができる。” | 对比文件明确公开了多个凹部（例如凹部4、4_1、4_2），这些凹部均形成在基板的第一表面中。因此，“在所述基板的第一表面中的第二凹陷”这一特征已被直接公开。 |
| P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球 《未公开》 | [2] “第２の配線３とＢＧＡボール６は第２の端子において接続されている。”； [2] “ＢＧＡボール６ａ、６ｂも第２の配線３ａ、３ｂと接続されている第２の端子と電気的に接続される。” | 目标专利的“第二互连”是仅具有机械紧固功能的焊球，且被包括在第二凹陷内。对比文件中的“BGAボール6”是焊球，但其作用是电连接（连接到第2配线3），并且是设置在基板下表面的焊盘上，而非被“包括在”凹陷内。对比文件中凹陷（凹部4）内填充的是用于选择性布线的导电材料13，并非用于机械紧固的焊球。因此，对比文件未公开该特征。 |
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