**对比文件名称**：2012-07-05_JP2012125560A_发明专利_JP2012125560A Ultrasonic imaging using thin film transistor backplane
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件JP2012125560A的比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0004]：“...送信器を複数の受信器要素に音響的に接続して、撮像媒体を通じて送信信号を生成する。それぞれが薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路および超音波受信トランスデューサ（ポリマ、圧電材料、ＭＥＭ、または他の材料）で構成された受信要素のアレイを大面積基板上に構成する。” （...将发射器声学连接到多个接收器元件，以通过成像介质产生发射信号。在大面积基板上构造接收元件阵列，每个接收元件由薄膜晶体管（TFT）电路和超声波接收换能器（聚合物、压电材料、MEMS或其他材料）构成。） | 对比文件明确公开了“超声波接收换能器”，其用于接收超声波信号（由发射器产生并通过介质传播），这与目标专利中“用于检测超声波能量的超声波接收器”的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0004]：“...受信要素のアレイを大面積基板上に構成する。” （...在大面积基板上构造接收元件阵列。） 图2明确显示了受信器アレイ220安置在基板210上。 | 对比文件明确公开了接收器元件（即像素电路）的阵列被构造在大面积基板（即衬底）上。这与目标专利特征B的描述完全一致。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《直接公开》 | [0004]：“ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥは下部電極が接触している状態でＴＦＴ表面上に容易に紡ぎ出されたり、または積層されたりするとともに、ＴＦＴプロセスと非常に相性が良い。” （PVDF-TrFE可以容易地纺丝或层压在TFT表面上，同时下部电极保持接触，并且与TFT工艺非常兼容。） | 对比文件明确公开了使用PVDF-TrFE（一种聚合物）作为接收器换能器材料，并指出其可以“紡ぎ出され”（spun out，即旋涂）在TFT表面上。这直接公开了将含有聚合物的溶液（PVDF-TrFE溶液）涂布到阵列（TFT表面）上的步骤。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《隐含公开》 | [0004]：“それぞれが薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路および超音波受信トランスデューサで構成された受信要素のアレイ...” （每个由薄膜晶体管（TFT）电路和超声波接收换能器构成的接收元件阵列...） 图2显示了受信器トランスデューサ（接收器换能器）与TFTアレイ225（TFT阵列）连接。 | 对比文件明确公开了每个接收元件包含TFT电路（即至少一个TFT元件）。虽然未明确使用“像素输入电极”一词，但为了使“超音波受信トランスデューサ”（压电材料）与下伏的TFT电路实现电接触以传输信号，必然需要存在一个电极结构。本领域技术人员根据图2所示的堆叠结构以及电学连接的常规知识，能够毫无疑义地推断出需要设置一个像素输入电极来实现压电层与TFT电路的电耦合。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《隐含公开》 | [0004]：“受信器トランスデューサは、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）で作られてもよい。” （接收器换能器可以由聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）制成。） 公知常识：PVDF-TrFE是一种半结晶性铁电聚合物，其压电性能依赖于β晶相的形成。 | 对比文件公开了使用PVDF-TrFE作为接收器材料。PVDF-TrFE作为一种众所周知的压电聚合物，其压电性来源于经过适当处理（如退火）后形成的结晶相（尤其是β相）。虽然对比文件未明确描述“使聚合物结晶”的步骤，但本领域技术人员知晓，要获得具有压电性的PVDF-TrFE层，必须使其结晶。这是使用该材料制造功能性压电层的必然和公知的工艺环节。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件虽然公开了使用PVDF-TrFE作为接收器换能器材料，但全文未提及任何对聚合物材料进行“极化”或“成极”的工艺步骤。压电聚合物的压电性并非天然存在，必须通过施加强电场进行极化处理才能使偶极子定向排列，从而获得压电性。这是目标专利的一个关键制造步骤。对比文件既未描述该工艺，也未暗示其存在。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0004]：“受信器アレイ２２０上には、複数の受信器要素全体にわたって分散される合成バイアス信号を含んでいてもよい導電層２３５がある。” （在接收器阵列220上，存在导电层235，其可以包含分布在所有接收器元件上的合成偏置信号。） 图2明确显示了导电层235位于受信器アレイ220之上。 | 对比文件明确公开了在接收器阵列（即压电层）上设置了一个“導電層”，该层用于向所有接收器元件提供合成偏置信号（包含基准信号和栅极信号）。该导电层的作用正是偏置和控制信号向TFT元件的传递，这与目标专利中“接收器偏置电极”配置以控制信号传递的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未描述连接压电材料与TFT电路的电极的具体构成或形式（例如是否为“薄膜”）。虽然可以推断存在电极，但其具体结构（如导电薄膜）未被公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件在描述涂布PVDF-TrFE时，未提及任何使用助粘剂的步骤或内容。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》(部分) | [0004]：“ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥは...ＴＦＴ表面上に容易に紡ぎ出されたり...” （PVDF-TrFE可以容易地纺丝在TFT表面上...） | 对比文件明确公开了“紡ぎ出され”，即旋涂（spin-coating）这一具体涂布方式。这直接公开了技术特征J所列举的多种涂布方式中的“旋涂”。因此，该特征被直接公开（部分公开）。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0004]：“受信器トランスデューサは、ポリフッ化ビニリデン−三フッ化エチレン（ＰＶＤＦ−ＴｒＦＥ）で作られてもよい。” | PVDF-TrFE是公知的铁电聚合物。对比文件明确公开了使用PVDF-TrFE作为接收器材料，因此直接公开了聚合物包含铁电聚合物这一特征。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件虽然公开了使用PVDF-TrFE，但完全没有提及任何关于其结晶工艺的具体条件，例如在居里温度和熔点之间进行焙烤，以及焙烤时间。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未描述任何在执行特定工艺前，使用导电材料将像素电路端子短路到接地的保护措施。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于特征M未被公开，该具体材料限定也未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件仅提到“導電層”，未描述该导电层的具体材料或分层结构，特别是没有公开包含特定材料的子层（如铜子层和镍子层）。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于特征O未被公开，该具体的厚度限定也未被公开。 |
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