对比文件名称：2012-06-14_US2012144920A_发明申请_US20120144920A1 ULTRASONIC IMAGING USING THIN FILM TRANSISTOR BACKPLANE
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 《直接公开》 | [0020]段：“An array of receive elements, each consisting of a thin-film transistor (TFT) circuit and an ultrasonic receive transducer (polymer, piezoelectric, MEMs, or otherwise) is constructed onto a large-area substrate.”（接收元件阵列，每个接收元件由薄膜晶体管（TFT）电路和超声波接收换能器（聚合物、压电、MEMS或其他）构成，构建在大面积衬底上。） | 对比文件明确公开了由TFT电路和超声波接收换能器构成的接收元件阵列，该阵列用于接收超声波信号（参见[0027]段对接收器工作的描述）。其作用与目标专利中“超声波接收器用于检测超声波能量”相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 《直接公开》 | [0027]段：“The receiver array 220 is deposited on the substrate 210 and may have a plurality of receiver elements to detect in-phase and quadrature signals. … The TFT array may be deposited on the substrate 210.”（接收器阵列220沉积在衬底210上，并且可以具有多个接收元件以检测同相和正交信号。…TFT阵列可以沉积在衬底210上。） | 对比文件直接公开了接收器阵列（包含TFT电路）安置在衬底上。这里的“TFT array”即对应目标专利中的“像素电路的阵列”，其作用均是构成超声波接收器的传感部分。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 《直接公开》 | [0028]段：“Using PVDF-TrFE is advantageous for many reasons. … it is easily spun or laminated onto the TFT surface with bottom electrode contacts and is highly compatible with the TFT process.”（使用PVDF-TrFE有许多优点。…它可以很容易地旋涂或层压到带有底部电极接触的TFT表面，并且与TFT工艺高度兼容。） | 对比文件明确指出了聚合物PVDF-TrFE可以“旋涂（spun）”到TFT表面。旋涂是将含有聚合物的溶液涂布到表面的一种常见方式。该操作的作用是在TFT阵列上形成接收换能器层，与目标专利中涂布聚合物溶液以制造接收器的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 《隐含公开》 | [0027]段：“Each of the receiver elements may include a receiver transducer and a thin-film transistor (TFT) receiver circuit in a TFT array.”（每个接收元件可以包括接收换能器和TFT阵列中的薄膜晶体管（TFT）接收电路。） [0043]段：“…the charge on the receiver circuit 700…”（…接收电路700上的电荷…） | 对比文件明确公开了每个接收元件包含TFT接收电路，因此必然包含至少一个TFT元件。虽然未明确提及“像素输入电极”这一术语，但接收换能器需要将产生的电荷耦合到TFT电路进行检测和处理（如[0043]段提及电荷），这隐含了存在一个电连接点或电极来实现此功能，即像素输入电极。本领域技术人员能够合理推断出该结构。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 《隐含公开》 | [0028]段：“The receiver transducer may be made of polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE).”（接收换能器可以由聚偏氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）制成。） | 对比文件公开了使用PVDF-TrFE这种铁电聚合物作为接收换能器材料。本领域技术人员公知，为了获得良好的压电性能，PVDF及其共聚物（如PVDF-TrFE）通常需要经过结晶处理以使聚合物链形成规则的晶体结构。因此，从对比文件公开的聚合物材料及其在超声波接收器中的应用，可以合理推断出需要使聚合物结晶以形成结晶聚合物层这一工艺步骤。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 《隐含公开》 | [0028]段：“The receiver transducer may be made of polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE).”（接收换能器可以由聚偏氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）制成。） [0029]段：“On the receiver array 220 is a conductive layer 235 which may contain a composite bias signal that is distributed across the plurality of receiver elements.”（在接收器阵列220上是一个导电层235，其可以包含分布在多个接收元件上的复合偏置信号。） | 对比文件公开了使用PVDF-TrFE作为压电接收换能器材料。本领域技术人员公知，铁电聚合物如PVDF-TrFE在结晶后需要经过极化（成极）工艺，即施加强电场使其内部偶极子定向排列，才能表现出压电性。此外，导电层235（相当于偏置电极）施加偏置信号，以及接收换能器与TFT电路的电连接（隐含特征D），共同暗示了形成的压电层必须与下层的电路电极（像素输入电极）保持电接触以实现信号传递。因此，可以合理推断出执行成极工艺以形成压电层并确保电接触。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 《直接公开》 | [0029]段：“On the receiver array 220 is a conductive layer 235 which may contain a composite bias signal that is distributed across the plurality of receiver elements.”（在接收器阵列220上是一个导电层235，其可以包含分布在多个接收元件上的复合偏置信号。） [0043]段：“Then, the DC component of the Rbias waveform biases the diode 730 at a particular range gate…”（然后，Rbias波形的直流分量在特定的距离门对二极管730进行偏置…） | 对比文件明确公开了在接收器阵列（即压电聚合物层）上设置有导电层235，该层用于分布包含偏置信号的复合信号（Rbias）。该偏置信号用于控制接收电路的工作（如[0043]段所述），从而控制信号传递至TFT元件。其作用与目标专利中接收器偏置电极“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 《隐含公开》 | [0028]段：“…with bottom electrode contacts…”（…带有底部电极接触…） | 对比文件提到了“底部电极接触”。在TFT阵列制造领域，此类与TFT电路连接的电极通常由透明导电薄膜（如ITO）或其他金属薄膜制成，这是本领域的公知常识。因此，尽管对比文件未明确说明其材料，但本领域技术人员能够合理推断该像素输入电极是由导电薄膜形成的。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 未被公开 | 无相关内容 | 对比文件虽然提到了旋涂聚合物（PVDF-TrFE），但完全没有提及在涂布前或涂布过程中使用助粘剂。使用助粘剂是改善特定聚合物与衬底间附着力的可选工艺，并非本领域技术人员阅读对比文件后必然或合理能推断出的步骤。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 《直接公开》 | [0028]段：“…it is easily spun or laminated onto the TFT surface…”（…它可以很容易地旋涂或层压到TFT表面…） | 对比文件明确提到了“旋涂（spun）”这一具体涂布方式。旋涂是目标专利权利要求所列的涂布方式之一。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 《直接公开》 | [0028]段：“The receiver transducer may be made of polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE).”（接收换能器可以由聚偏氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）制成。） | PVDF-TrFE是本领域公知的铁电聚合物。对比文件明确公开了使用PVDF-TrFE作为接收换能器材料，因此直接公开了聚合物包含铁电聚合物。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 未被公开 | 无相关内容 | 对比文件仅提及使用PVDF-TrFE材料，但完全没有涉及该材料的居里温度、熔点，以及具体的结晶工艺参数（如特定温度范围内焙烤至少一小时）。这些具体的工艺条件属于选择性的、优化的制造参数，不能从对比文件公开的简单材料信息中合理推断出来。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 未被公开 | 无相关内容 | 对比文件完全没有提及在执行任何极化（成极）工艺之前，采用导电材料对像素电路端子进行短路接地的保护性步骤。该特征是一种具体的工艺保护措施，并非形成压电接收器的必然步骤，无法从对比文件中推断。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 未被公开 | 无相关内容 | 由于技术特征M未被公开，因此其所用的具体导电材料（导电橡胶或导电墨水）自然也未被公开。对比文件中不存在相关内容。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 未被公开 | 无相关内容 | 对比文件虽然公开了接收器偏置电极（导电层235），但未披露其具体的层状结构或材料组成。铜子层和镍子层的特定组合是一种具体的电极构成方式，不能从对比文件中的一般性“导电层”描述中合理推断。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 未被公开 | 无相关内容 | 对比文件完全没有提及接收器偏置电极的任何厚度信息。因此，该具体的厚度参数（150埃和850埃）未被公开。 |
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