对比文件名称：US2016107194A1_Description_20260223_1513
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0003] “... Such transducers may include piezoelectric micromechanical ultrasonic transducers (PMUTs) ... The piezoelectric layer stack may receive reflected ultrasonic pressure waves from an object in the propagation medium, and convert the received ultrasonic pressure waves into electrical signals that may be read by transceiver circuitry...” <br> [0005] “... the PMUT may be configured to simultaneously transmit first ultrasonic signals by way of the first electrode and to receive second ultrasonic signals by way of the second electrode.” | 对比文件明确公开了压电微机械超声波换能器（PMUT）可以接收来自传播介质中物体的反射超声波压力波，并将其转换为可由收发器电路读取的电信号（[0003]段）。此外，[0005]段也明确PMUT被配置为通过第二电极接收第二超声波信号。因此，对比文件直接公开了用于检测超声波能量的超声波接收器这一技术特征。 |
| **技术特征B：** 所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0004] “... The cavity 120 may be formed in a semiconductor substrate 160 such as, for example, a silicon wafer, a silicon-on-insulator (SOI) wafer, or as a glass or polymer substrate with thin film transistor (TFT) circuitry.” <br> [0055] “In some implementations, PMUT devices may be co-fabricated with thin-film transistor (TFT) circuitry on the same substrate, which may be silicon, glass or plastic substrate in some examples. The TFT substrate may include row and column addressing electronics, multiplexers, local amplification stages and control circuitry.” | 对比文件[0004]段公开了PMUT可以形成在带有薄膜晶体管（TFT）电路的玻璃或聚合物衬底上。[0055]段进一步说明PMUT可以与TFT电路共同制造在相同的衬底（硅、玻璃或塑料）上，并且该TFT衬底可以包含行和列寻址电子器件、多路复用器、本地放大级和控制电路。本领域技术人员能够理解，这种包含寻址、放大等控制电路的TFT衬底构成了一个像素电路阵列，该阵列安置在衬底上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C：** 其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件US2016107194A1主要描述了三端口压电微机械超声波换能器（PMUT）的结构、电极配置和操作模式。其制造工艺涉及在衬底上形成腔体、沉积压电层和电极层等微加工工艺，例如[0049]段提及“deposition, masking and etching”。全文未提及通过“将含有聚合物的溶液涂布”到阵列上来形成压电层或任何功能层。对比文件的压电材料示例包括氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、锆钛酸铅（PZT）等（参见[0090]段），这些材料通常通过溅射、化学气相沉积（CVD）等物理或化学气相沉积工艺形成，而非溶液涂布。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：** 所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极，《未公开》 | [0055] “In some implementations, PMUT devices may be co-fabricated with thin-film transistor (TFT) circuitry on the same substrate... The TFT substrate may include row and column addressing electronics, multiplexers, local amplification stages and control circuitry.” | 对比文件[0055]段提到PMUT可以与TFT电路共同制造在相同衬底上，并且TFT衬底包含寻址电子器件等。然而，该描述是针对衬底上的外围寻址和控制电路，并未明确揭示“每一个像素电路”内部都包含“至少一个TFT元件”。更关键的是，对比文件描述的PMUT作为传感单元，其电信号是通过上、下电极（如内电极413、外电极414、下电极412）直接连接到收发器电路（参见图5及对应描述），并未提及在像素电路与压电层之间存在一个专门的“像素输入电极”用于将电荷耦合到像素电路。目标专利中的“像素输入电极”是连接压电层和像素电路TFT的关键结构。对比文件中缺乏此对应结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E：** 使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层，《未公开》 | 未发现相关内容。 | 如对技术特征C的论述，对比文件未涉及任何聚合物溶液涂布工艺，因此自然也未曾提及使聚合物结晶以形成结晶聚合物层的后续工艺步骤。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F：** 以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触，《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未涉及任何“成极工艺”（poling）。对比文件中提到的压电材料如AlN、ZnO、PZT（[0090]段）通常在其沉积或后退火过程中即具有压电性，或通过其他方式（如对于PZT的快速热退火）形成铁电畴取向，而非通过向已结晶的聚合物层施加电场进行“成极”。此外，由于技术特征D（像素输入电极）和技术特征E（结晶聚合物层）均未被公开，使得该压电层与像素输入电极电接触的整个技术方案在对比文件中没有基础。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0003] “On or proximate to each of an upper and a lower surface of the piezoelectric layer, a respective upper and lower electrode layer may be disposed.” <br> [0049] “... a common reference or ground electrode.” <br> 如图5及相关描述：下电极412作为参考电极，可以接地。 | 对比文件明确公开了在压电层（115, 415）的上下表面设置有上电极和下电极（[0003]段）。在描述三端口PMUT时，[0049]段明确指出存在一个公共的参考或接地电极。具体在图5所示的实施方案中，下电极412被描述为参考电极，并且可以接地。该电极位于压电层415的下方（即压电层的一侧），其功能是提供公共参考电位。在超声波接收过程中，该电极的电位状态（如接地）直接影响哪些信号能通过压电效应被耦合到上方的接收电极（如外电极414），从而“控制相应信号被传递”。虽然对比文件中该电极不称为“接收器偏置电极”，但其位置（在压电层上）和功能（作为参考/接地电极以控制信号传递）与本技术特征相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于技术特征D中的“像素输入电极”本身未被对比文件公开，因此其由何种材料（导电薄膜）形成的进一步限定特征自然也未被公开。 |
| **技术特征I：** 其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未涉及任何溶液涂布工艺，因此更未提及在涂布前使用助粘剂的步骤。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J：** 其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于技术特征C中的“将含有聚合物的溶液涂布”这一上位工艺未被公开，其具体的涂布方式（旋涂、槽缝式涂布等）自然也未被公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述聚合物包含铁电聚合物。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件提及的压电材料为AlN、ZnO、PZT等（[0090]段），并未提及任何铁电聚合物（如PVDF或PVDF-TrFE）。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：** 其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未涉及任何聚合物材料的结晶工艺，因此更未提及基于居里温度和熔点的特定焙烤结晶条件。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M：** 其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未描述任何“成极工艺”，因此自然也未曾提及在成极前使用导电材料将像素电路端子短接到接地的保护性步骤。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于技术特征M未被公开，其导电材料的具体类型（导电橡胶或导电墨水）自然也未被公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | [0003] “The electrode layers may be patterned or unpatterned.” | 对比文件虽然公开了电极层的存在（[0003]段），但并未具体披露这些电极层是多层结构，更未披露其由特定的铜子层和镍子层构成。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件完全没有提及任何电极的具体厚度数值，因此该具体厚度限定的技术特征未被公开。 |
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