对比文件名称：2008-02-07_US2008033298A_发明申请_US20080033298A1 Ultrasonic probe
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。**《直接公开》** | [0003] ...The ultrasonic waves sent are reflected by a tissue in the body, received by the ultrasonic probe and converted by the piezoelectric element into electric signals. <br> [0033] ...an organic piezoelectric element layer made of an organic material and for receiving an ultrasonic wave; | 对比文件明确公开了“超声探头”用于接收从身体组织反射回来的超声波，并将其转换为电信号（[0003]）。其具体结构包括由有机材料制成的用于接收超声波的“有机压电元件层”（[0033]），该层即构成了用于检测超声波能量的超声波接收器。这与目标专利中超声波接收器的基本功能相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：** 所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件公开的是用于医疗诊断的阵列型超声探头，其“阵列”指的是压电元件（无机或有机）的排列（例如[0004]），而非目标专利中定义的、每个像素包含TFT元件和像素输入电极的“像素电路阵列”。对比文件全文未提及任何“像素电路”、“衬底上的阵列”或“TFT”等概念。因此，技术特征B未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：** 其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。**《直接公开》** | [0042] Overlapping the reception-use organic piezoelectric element 1 may be carried out by solvent dissolution, flow casting and overlapping of a polymer.<br>[0058] ...an organic piezoelectric element 1 is preferably laminated on the electrode layer 2 by coating or casting.<br>[0074]-[0080] 详细描述了通过流延法（flow casting）或涂布法（coating）使用DMF或丙酮溶液制造有机压电层（M1-M6）的多个实施例。 | 对比文件详细描述了通过“涂布（coating）”或“流延（flow casting）”含有聚合物（如PVDF共聚物）的溶液（如DMF溶液、丙酮溶液）来形成接收用的有机压电元件层（1）（[0042], [0058]），并在具体实施例（[0074]-[0080]）中多次实施。虽然涂布对象是“无机压电元件”或“电极层”，而非“像素电路阵列”，但“将含有聚合物的溶液涂布到...上”这一核心制造步骤已被直接公开。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：** 所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件描述的是传统的压电换能器阵列，每个阵元是独立的压电元件（无机或有机）。全文未提及任何“薄膜晶体管（TFT）”、“像素电路”或“像素输入电极”等基于有源矩阵寻址的像素化传感器结构。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| **技术特征E：** 使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件在描述有机压电层（如M1-M6）的制造时（[0074]-[0080]），提到了通过流延、涂布或气相沉积形成聚合物层，并随后进行极化，但未明确记载“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”这一特定的材料处理步骤。其关注的工艺重点是“极化”以使材料具备压电性，而非通过控制结晶过程来形成压电层的前提。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：** 执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。**《部分直接公开/部分未公开》** | [0008] ...polarizing the ultrasonic wave receiving piezoelectric element layer...<br>[0009] ...the polarizing step is conducted with a DC voltage applying step, a AC voltage applying step or a corona discharging step.<br>[0063]-[0067] 详细描述了极化工艺的条件，包括直流、交流或电晕放电处理，施加的电场强度等。 | 对比文件明确且详细地公开了对“超声波接收压电元件层”（即有机压电层）执行“极化（polarizing）”工艺，该工艺包含施加直流、交流电压或进行电晕放电，即施加电场（[0008], [0009], [0063]-[0067]）。因此，“执行成极工艺，其包含跨越...层施加电场以形成压电层”这一部分被直接公开。然而，对比文件的极化目的是使有机压电层本身具备压电性，其层结构是独立的，并未公开极化后的压电层需要与“像素输入电极”电接触，因为对比文件中根本不存在“像素输入电极”。因此，技术特征F中“以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触”的目的和结构未被公开。 |
| **技术特征G：** 沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。**《未公开》** | [0058] ...the surfaces of the reception-use organic piezoelectric element coats on the exposed side (organic piezoelectric layers) were gold-metalized to form electrodes... | 对比文件提到了在有机压电层（压电层）的暴露面上形成金属化电极（如金）（[0058]），该电极用于信号引出。然而，目标专利中的“接收器偏置电极”是特指用于控制信号传递至下方TFT元件的电极，其功能与TFT像素电路紧密相关。对比文件的电极是用于传统换能器阵列的整体偏置或信号收集，没有“控制信号传递至TFT”的功能或配置，因为其不存在TFT元件。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。**《未公开》** | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开“像素输入电极”（技术特征D），因此其构成材料自然也未被公开。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：** 其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。**《未公开》** | [0059] ...it is preferable to use an organic bonding material between the electrode and the organic piezoelectric element. In other words, an organic biding layer is coated on the electrode layer... | 对比文件提到了在电极层上涂覆有机粘合层（organic binding layer）以增强其与后续涂布的有机压电层之间的粘合力（[0059]）。这公开了在涂布聚合物溶液之前或之中使用粘合剂的构思。然而，该粘合层是涂覆在“电极层”上，用于粘合无机压电元件和有机压电元件，而非目标专利中涂覆在“像素电路阵列”上以增强与压电层粘合。两者应用的对象和场景不同。因此，技术特征I未被直接公开。从最宽松的隐含公开角度考虑，对比文件公开了为改善层间粘合而使用粘合剂层的一般技术手段。本领域技术人员在面临将聚合物层粘合到另一固体表面（无论该表面是电极层还是像素电路阵列）的需求时，有可能根据对比文件的教导推理出使用粘合剂。但鉴于目标专利的像素电路阵列包含精密TFT元件，其与对比文件的整体电极层在结构和功能上差异显著，此推理存在不确定性。为严谨起见，**此处不作隐含公开判断**。 |
| **技术特征J：** 其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。**《未公开》** | [0042] ...by solvent dissolution, flow casting and overlapping of a polymer.<br>[0058] ...by coating or casting. | 对比文件公开了“涂布（coating）”或“流延（flow casting）”的方法（[0042], [0058]）。“流延（casting）”可视为“涂布”的一种具体方式。但对比文件未明确列举“旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射”这些具体的涂布技术。虽然本领域技术人员知道“涂布”可以涵盖这些具体手段，但对比文件本身并未直接或隐含地揭示这些特定选项。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述聚合物包含铁电聚合物。**《直接公开》** | [0046] For an organic piezoelectric sheet used for a reception-use organic piezoelectric element, a polymer piezoelectric coat like vinylidene fluoride/ethylene trifluoride copolymer...<br>[0047] ...vinylidene fluoride copolymerization proportion 60 to 99 mol percent is preferable. | 对比文件明确公开接收用有机压电元件层使用的聚合物材料例如“偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物”（vinylidene fluoride/ethylene trifluoride copolymer）（[0046]），即PVDF-TrFE，这是最典型的铁电聚合物之一。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L：** 其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件虽然公开了极化工艺可在一定温度范围内进行（[0066]），但该温度是针对“极化”步骤，而非针对“结晶”步骤。全文未提及聚合物的“居里温度”概念，也未记载通过在居里温度与熔点之间焙烤来使聚合物结晶的工艺。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：** 其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未提及任何在极化前将电路端子短路到接地的保护措施，因为其不存在类似目标专利中需要保护的TFT像素电路。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。**《未公开》** | 无对应内容。 | 由于技术特征M未被公开，作为其具体材料的技术特征N自然也未被公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。**《未公开》** | [0058] ...were gold-metalized to form electrodes... | 对比文件公开了在有机压电层上形成金属化电极，例如“镀金”（gold-metalized）（[0058]），但未公开该电极具有特定的铜和镍子层结构。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件完全没有提及电极具有如此具体厚度规格的铜和镍子层。因此，技术特征P未被公开。 |
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