对比文件名称：2010-11-04_US2010277040A_发明申请_US20100277040A1 THIN FILM DETECTOR FOR PRESENCE DETECTION
目标专利名称：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量， | 对比文件[0001]：“The present system relates to transducers such as for presence detection, motion detection and real time imaging using ultrasound transducers...”<br>[0005]：“...the ultrasound arrays also enable, using associated electronic circuitry, to detect and form ultrasound images.”<br>[0104]：“...ultrasound waves that may be transmitted or received by the ultrasonic transducer...” | 对比文件明确其系统涉及使用超声波换能器进行检测（如存在检测、运动检测）和成像，并描述了接收从物体反射的超声波以进行处理。这与目标专利中超声波接收器用于检测超声波能量的作用完全相同，均是将接收到的超声波能量转换为可处理的信号。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了用于检测超声波能量的超声波接收器。 |
| **技术特征B《隐含公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列， | 对比文件[0005]：“To reduce or eliminate blind areas, an array of transducers is provided...”<br>[0031]：“...an array 300 of thin film piezoelectric transducer elements 310.”<br>[0055]：“A plurality of the transducer element 600 may be arranged into a one or two dimensional array...”<br>[0102]：“The piezoelectric/pyroelectric layer 1322 may be patterned to prevent cross talk between the ultrasound transducer elements 1310 of the array 1300...” | 对比文件多次描述了由多个换能器单元（transducer elements）构成的阵列，这些单元被制造在衬底（如硅衬底）上。在传感器阵列中，每个独立的换能器单元通常对应一个“像素”或传感点，用于独立检测信号，这与目标专利中“像素电路的阵列”在功能上是等同的。虽然对比文件未明确使用“像素电路”一词，但根据其描述的阵列结构和功能，本领域技术人员能够合理地推断出该阵列由多个独立感测单元（即像素电路）组成。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上， | 对比文件[0054]：“The basic module of the piezoelectric thin film transducers is a stack of thin film membranes... On top of the membranes 410, 510, 610, a thin film barrier layer 617... may be applied as necessary... on top of the membrane layer 610... or on top of the barrier layer 617 when present, a piezoelectric thin film is formed...”<br>[0073]：“...the piezoelectric thin film materials may include... a(BixNa1-x)TiO3-b(KNbO3-c)½(Bi2O3-Sc2O3)...” | 对比文件描述了在膜层（membrane）上“形成（formed）”压电薄膜层。在薄膜技术领域，形成薄膜的常用方法包括溶液涂布工艺（如旋涂、喷涂等），特别是对于聚合物或陶瓷先驱体溶液。虽然对比文件未明确记载“将含有聚合物的溶液涂布”，但考虑到其提及的压电材料（如PZT、钛酸铋钠等）通常可通过溶胶-凝胶法等溶液法制备并涂布，本领域技术人员为了实现薄膜的形成，有动机并能够合理地选择溶液涂布作为制造步骤之一。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D《隐含公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极 | 对比文件[0031]：“...an array 300 of thin film piezoelectric transducer elements 310.”<br>[0056]：“Further, one or more metallization layers are applied on one side of the piezoelectric thin film and patterned to form the electrodes shown as strips 630...”<br>[0102]：“Top electrodes 1342 are applied... and patterned to create electrodes for the ultrasound transducers...” | 对比文件公开了阵列中的每个换能器单元（element）具有图案化的电极（如条状电极630、顶部电极1342），这些电极用于将压电层产生的电信号引出，其作用相当于目标专利中的“像素输入电极”。关于“至少一个薄膜晶体管（TFT）元件”，对比文件虽然未明确记载在像素电路中集成了TFT，但其描述了阵列与控制器/处理器（如[0031]的350）连接用于控制和处理信号。在薄膜传感器阵列领域，为了实现对每个像素的独立寻址和信号读取，将TFT集成在每个像素中是本领域的公知常识和常规技术手段。因此，本领域技术人员能够合理推断出每个像素电路可能包含TFT元件以实现其功能。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件虽然描述了形成压电薄膜层，但并未提及该层材料是“聚合物”，更未涉及使聚合物“结晶”以形成“结晶聚合物层”的具体工艺步骤。目标专利的该特征特指对聚合物材料（如PVDF-TrFE）进行结晶处理。对比文件列举的压电材料多为无机陶瓷材料（如PZT），其形成工艺通常涉及退火结晶，但与聚合物溶液的涂布后结晶工艺有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理地推断出此特定技术特征。 |
| **技术特征F《隐含公开》**<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触 | 对比文件[0070]：“The pyroelectric or piezoelectric material 1322 may be poled by applying a DC (Direct Current) field at elevated temperatures...”<br>[0086]：“The pyroelectric/piezoelectric regions and layer 1621, 1622 are poled by applying a DC field and at elevated temperatures...”<br>[0056]：“...electrodes shown as strips 630... are applied on one side of the piezoelectric thin film...” | 对比文件明确公开了通过对压电/热释电材料施加直流（DC）电场来进行“极化（poled）”，这与目标专利的“成极工艺”本质相同。同时，对比文件也公开了在压电薄膜的一侧形成图案化电极（如630、1342），这些电极自然与压电层形成电接触，用于施加电场或收集电荷。因此，虽然对比文件未明确提及“结晶聚合物层”，但基于其对“极化”工艺和电极设置的公开，本领域技术人员可以合理推断出需要跨越压电材料层施加电场以使其具备压电性，并且该压电层与电极是电接触的。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | 对比文件[0056]：“Further, one or more metallization layers are applied on one side of the piezoelectric thin film and patterned to form the electrodes...”<br>[0102]：“Top electrodes 1342 are applied... which may be Titanium (Ti) having a thickness of approximately 50 nm, and gold (Au) of approximately 1 μm.”<br>（结合功能）电极用于向压电层施加电压或从压电层读取信号，其必然起到控制信号传递的作用。 | 对比文件明确记载了在压电薄膜上施加（applied）并图案化（patterned）一个或多个金属化层以形成电极。这些电极位于压电层之上，其作用包括施加偏压、传输信号等。在传感器阵列中，此类电极的功能之一就是控制或偏置传感单元，从而影响信号向后续电路（如可能存在的TFT）的传递。尽管对比文件未明确使用“接收器偏置电极”这一术语，但本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，沉积在压电层上的电极即用于此目的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 对比文件[0056]：“...one or more metallization layers are applied... patterned to form the electrodes shown as strips 630... a first metal layer stack, which may be a thin TiW layer and an Al layer having a total thickness of approximately 1 μm for example, is formed and patterned...” | 对比文件详细描述了使用金属层（如TiW/Al，厚度约1μm）通过沉积和图案化工艺来制造电极。这种通过薄膜沉积技术（如溅射、蒸发）形成的金属层即是“导电薄膜”。由于这些电极用于与压电层接触并传输信号，其作用与“像素输入电极”相同。因此，本领域技术人员能够合理推断出像素输入电极是由此类导电薄膜形成的。该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件完全没有提及在涂布压电层之前或过程中使用“助粘剂（adhesion promoter）”的步骤。这是一个具体的工艺细节，旨在改善聚合物层与下层基板（如像素电路阵列）之间的粘附性。没有证据表明该特征被对比文件公开或暗示。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件仅一般性地提及“形成（formed）”压电薄膜层，但未具体描述其沉积方法，更没有列举旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射等具体的溶液涂布工艺。该特征属于具体的工艺手段选择，未被对比文件公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 对比文件[0073]列举的压电薄膜材料包括：“1. PbZrxTi1-xO3 (0≦x≦1) with and without doping... 2. Pb(Zn1/3Nb2/3)O3—PbTiO3, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—PbTiO3... BaTiO3, (K1-xNax)NbO3 (0≦x≦1), (Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3, (Bi,Na)TiO3...” | 对比文件明确公开了多种压电材料，其中许多是典型的铁电材料，例如PbZrxTi1-xO3 (PZT)、(Bi,Na)TiO3 (BNT)等。铁电材料是具备压电性的重要一类。虽然对比文件列举的主要是无机铁电陶瓷材料，而目标专利指定的是“铁电聚合物”，但就“包含铁电聚合物”这一上位概念而言，对比文件公开的“铁电材料”在材料类别和作用（提供压电性）上实质相同。本领域技术人员知道，铁电聚合物（如PVDF）是铁电材料的一种具体类型。从公开的铁电材料，可以毫无疑义地得出“压电层包含铁电材料/聚合物”的技术方案。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件虽然提到了在升温条件下（如180°C）进行极化（[0070]），但并未提及聚合物的“居里温度”和“熔点”这两个特性参数，也未记载在特定温度区间（居里温度与熔点之间）进行“焙烤（baking）”至少一小时以使聚合物结晶的工艺。这是针对特定聚合物材料（如PVDF-TrFE）的非常具体的结晶条件，未被对比文件公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件未提及在执行极化工艺之前，采用任何导电材料将像素电路的端子短路到接地的保护性措施。这是一个特定的工艺步骤，旨在保护敏感的电路元件（如TFT）在高压极化过程中免受损害。该特征未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 对比文件未提供相关内容。 | 由于技术特征M未被公开，其进一步的限定特征“导电材料是导电橡胶或导电墨水”自然也未被公开。对比文件中没有涉及这些具体材料。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件提到电极可以由Ti、Au、Al等金属层构成（例如[0056]中的TiW/Al，[0102]中的Ti/Au），但从未具体公开接收器偏置电极具有“第一铜子层和第二镍子层”的特定多层结构。这是一个非常具体的材料组合和层结构。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 对比文件未提供相关内容。 | 对比文件完全没有提及电极各子层的具体厚度数值，特别是150埃和850埃这样的精确厚度。该特征未被公开。 |
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