对比文件名称：2010-03-04_US2010052478A_发明申请_US20100052478A1 Longitudinal Pulse Wave Array
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。《直接公开》 | 第[0020]段：Each waveguide array 25, 28 has the ability to convey acoustic energy from one side of the array to another side of the array. ... The reflected ultrasonic energy will be conducted ... to a second side 52 of the second waveguide array 28. At this point the reflected acoustic energy being emitted from the second side 52 of the second waveguide array 28 can be detected by a suitable acoustic detector 55... 第[0024]段：...an acoustic detector array 202 and an acoustic pulse array 203 as the two main subassemblies of its construction. ... The acoustic detector array 202 ... is sensitive to and will output signals in response to sonic pressure waves. | 对比文件明确公开了“声学探测器阵列”(acoustic detector array) 202，其功能是检测从目标物体反射回来的声波能量（例如超声波），并将声压波转换为电信号输出。这与目标专利中“超声波接收器”用于检测在其表面接收到的超声波能量的功能完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。《直接公开》 | 第[0024]段：The acoustic detector array 202 is constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques by applying a TFT array 209 onto a substrate 210... | 对比文件明确记载了声学探测器阵列202是使用标准的薄膜晶体管(TFT)技术构建的，通过将TFT阵列209应用到衬底210上。TFT阵列即对应于像素电路的阵列（每个TFT像素构成一个像素电路）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | 第[0024]段：... then applying an electrode array 208 that is in electrical contact to the inputs of the TFT array 209. Over the electrode array 208, a piezoelectric film 206b is applied... | 对比文件描述了在TFT阵列209上施加电极阵列208，然后在电极阵列208上“施加”(applied)压电薄膜206b。然而，对比文件并未公开“将含有聚合物的溶液涂布”这一具体制造步骤。“施加”(applied)是一个宽泛的上位概念，可以涵盖多种工艺，如溅射、蒸镀、层压、涂布等。对比文件没有明确或隐含地指出该压电薄膜是通过“涂布溶液”的方式形成的。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。《直接公开》 | 第[0024]段：The acoustic detector array 202 is constructed with standard thin film transistor (TFT) techniques by applying a TFT array 209 onto a substrate 210, then applying an electrode array 208 that is in electrical contact to the inputs of the TFT array 209. | 对比文件明确公开了探测器阵列包含TFT阵列209，并且有电极阵列208与TFT阵列的输入端电接触。TFT阵列中的每个TFT单元即构成一个像素电路，而与之电接触的电极阵列208中的每个电极即对应于该像素电路的输入电极。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | 第[0024]段：...a piezoelectric film 206b is applied... | 对比文件仅提及施加了压电薄膜206b，但完全没有描述该薄膜的制造过程，尤其是没有提及该薄膜由聚合物溶液结晶而成。结晶是形成特定压电聚合物（如PVDF-TrFE）压电性的关键步骤，但对比文件并未涉及此工艺。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| F：执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | 第[0024]段：...a piezoelectric film 206b is applied and over-coated with a continuous electrode 207b. | 对比文件描述了压电薄膜206b被施加并覆盖连续电极207b，但完全没有描述任何“成极工艺”(poling process)，即成极是使铁电聚合物等材料获得压电性的必要步骤。虽然对比文件使用了“压电薄膜”(piezoelectric film)这一称谓，暗示了其已具备压电性，但并未公开获得该压电性的具体工艺——成极。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | 第[0024]段：The acoustic detector array 202 can have a continuous electrode 207b on the surface away from the acoustic detector array 202... Between the continuous electrode 207b and the electrode array 208 there can be a piezoelectric film 206b... | 对比文件明确公开了在压电薄膜206b远离探测器阵列202的表面上设有连续电极207b。该连续电极207b位于压电薄膜上，并且与下方的电极阵列208及TFT阵列209共同构成探测器结构，其功能必然包括对压电薄膜施加偏置电压以控制信号产生和传递至TFT元件。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | 第[0024]段：...then applying an electrode array 208 that is in electrical contact to the inputs of the TFT array 209. | 对比文件公开了“电极阵列208”与TFT阵列209的输入端电接触。在电子器件制造领域，特别是在TFT阵列上形成互联电极，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，这种电极阵列通常由导电薄膜（如金属薄膜或ITO等透明导电薄膜）通过光刻、沉积等工艺形成。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 无相关记载。 | 对比文件完全没有提及任何关于“助粘剂”的内容。该特征涉及涂布工艺中的一个具体预处理步骤，以提高聚合物溶液与基底的附着力。对比文件中没有相关描述或暗示。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 无相关记载。 | 对比文件仅使用了宽泛的“applied”（施加）一词来描述压电薄膜206b的形成，完全没有提及任何具体的涂布工艺，如旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 第[0017]段：The piezoelectric film 13 can be polyvinylidenefluoride (“PVDF”) polymer or polyvinylidene fluoride trifluoroethylene (“PVDF-TrFE”)... | 对比文件在描述平面波发生器205的压电薄膜206a时，列举了PVDF或PVDF-TrFE作为材料。PVDF及其共聚物是典型的铁电聚合物。然而，此描述是针对发生器部分的薄膜206a，而非探测器部分的压电薄膜206b。虽然本领域技术人员可以合理推断探测器部分也可能使用类似的压电聚合物材料，但对比文件并未明确声明探测器压电薄膜206b的材料。因此，从严格意义上讲，该技术特征未被对比文件明确公开。但基于系统一致性，可以认为其被隐含公开。然而，考虑到特征划分的严格性，此处遵循最严格的比对标准，认为该特征未被公开。 |
| L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 无相关记载。 | 对比文件完全没有提及压电薄膜的结晶过程，更没有涉及结晶的具体工艺参数，如温度范围（居里温度与熔点之间）和时间（至少一小时）。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 无相关记载。 | 对比文件完全没有提及在执行任何工艺（特别是成极工艺，而该工艺本身也未公开）之前，施加导电材料以短路像素电路端子到接地的保护措施。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 无相关记载。 | 对比文件完全没有提及导电橡胶或导电墨水。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 无相关记载。 | 对比文件仅提及连续电极207b，但完全没有描述该电极的具体构成材料或分层结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 无相关记载。 | 对比文件完全没有提及电极的厚度或具体分层厚度。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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