对比文件名称：US2014352440A1_Description_20260223_1513
目标专利名称：204具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | 第[0020]段：“In an ultrasonic sensor system, an ultrasonic transmitter may be used to send an ultrasonic wave... an ultrasonic sensor array configured to detect portions of the ultrasonic wave that are reflected from the object.” 第[0022]段：“Control electronics 50 may be coupled to the ultrasonic transmitter 20 and ultrasonic receiver 30... The control electronics 50 may then receive signals from the ultrasonic receiver 30 that are indicative of reflected ultrasonic energy 23.” | 对比文件明确描述了包含超声波接收器（ultrasonic receiver）的超声波传感器系统，该接收器用于检测从物体反射的超声波能量。这与目标专利中“超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量”的技术特征在功能和目的上完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征已被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | 第[0023]段：“The ultrasonic receiver 30 may include an array of pixel circuits 32 disposed on a substrate 34...”。 第[0040]段：“The TFT substrate 34 may be a thin substrate, e.g., a glass or plastic substrate, on which the pixel circuits 32 are fabricated.” | 对比文件明确公开了超声波接收器30包含布置在衬底34上的像素电路32的阵列（array of pixel circuits 32 disposed on a substrate 34）。这与目标专利的技术特征完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件的核心制造方法是“粘合”（bonding）预制的压电接收器层到TFT阵列上（例如，第[0034]段、第[0050]段），其使用的是粘合剂（adhesive）而不是含有聚合物的溶液。对比文件从头至尾均未提及“涂布”（coating）含有聚合物的溶液到阵列上这一工艺步骤。两种工艺路径（涂布溶液原位形成 vs. 粘合预制层）存在本质区别。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《直接公开》 | 第[0023]段：“In some implementations, each pixel circuit 32 may include one or more thin-film transistors... Each pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38 that electrically couples the piezoelectric receiver layer 36 to the pixel circuit 32.” | 对比文件明确记载了每个像素电路32包含一个或多个薄膜晶体管（TFT），并且包含像素输入电极38，其将压电接收器层电耦合到像素电路。这与目标专利的技术特征“每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极”完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件描述了提供压电接收器层（例如PVDF或PVDF-TrFE）（第[0044]段），但并未描述该层是通过将聚合物溶液涂布后再进行结晶而形成的。对比文件中的压电层是作为预制件提供的，其内部晶体结构（无论是结晶态还是其他形态）在粘合前已经形成，制造过程不涉及“使聚合物结晶”这一特定工艺步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件描述了使用压电聚合物层（如PVDF-TrFE）作为接收器层（第[0027]段），这些材料通常是铁电性的，在作为预制件提供时可能已经极化（成极）。但对比文件完全没有描述在其制造工艺（粘合工艺）中包含了“执行成极工艺”这一步骤，特别是“跨越结晶聚合物层施加电场以形成压电层”这一具体操作。其压电层的压电性是在粘合前获得的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | 第[0023]段：“In the illustrated implementation, a receiver bias electrode 39 is disposed on a side of the piezoelectric receiver layer 36 opposite the pixel circuits 32. The receiver bias electrode 39 may be grounded or biased to control which signals are passed to a TFT array.” | 对比文件明确公开了接收器偏置电极39设置在压电接收器层36上（与像素电路相对的一侧），并且其功能是接地或施加偏压以“控制哪些信号被传递到TFT阵列”。这与目标专利中“接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”的技术特征在结构、位置和作用上完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | 第[0023]段：“Each pixel circuit 32 may include a pixel input electrode 38 that electrically couples the piezoelectric receiver layer 36 to the pixel circuit 32.” | 对比文件公开了像素输入电极38的存在及其功能。在TFT阵列制造领域，像素输入电极通常由沉积的导电薄膜（如氧化铟锡ITO、金属等）形成，这是本领域的公知常识和常规技术手段。虽然对比文件没有明确说明“由导电薄膜形成”，但本领域技术人员根据其公开的像素电路结构以及电极的常规制造方法，能够合理且直接地推断出像素输入电极是由导电薄膜形成的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 第[0052]段：“In some implementations, a thin yet moderately resistive adhesive such as (3-aminopropyl) triethoxysilane (APTES) may be used.” 第[0062]段：“Prior to the application of APTES, surfaces may be cleaned and activated to improve bonding...” | 对比文件确实提到了使用助粘剂（如APTES）来改善粘合。然而，这一步骤是其“粘合”（bonding）工艺的一部分，用于促进预制压电层与TFT阵列的粘合，这与目标专利中作为“涂布含有聚合物的溶液”工艺一部分的“将助粘剂涂布到像素电路阵列上”在工艺目的、技术方案和整体制造流程中存在根本区别。目标专利的助粘剂是为了后续涂布聚合物溶液并形成压电层，而对比文件的助粘剂是为了粘合已经成型的压电层。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未涉及“涂布含有聚合物的溶液”这一核心工艺，因此自然也未曾公开用于执行该涂布的具体工艺手段，如旋涂、槽缝式涂布等。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | 第[0027]段：“Specific examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确列举了可采用的压电材料实例，包括铁电聚合物（ferroelectric polymers），如PVDF和PVDF-TrFE共聚物。这与目标专利中“聚合物包含铁电聚合物”的技术特征完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件虽然提到了铁电聚合物，但完全没有涉及这些材料的“居里温度和熔点”特性，更没有描述利用这些温度特性进行“焙烤”以使聚合物结晶的工艺步骤。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述“成极工艺”，因此也不可能描述在成极之前短路像素电路端子的步骤。虽然对比文件提到了在粘合柔性印刷电路（FPC）时使用冷却装置以防止压电接收器层过热和退极化（第[0055]段），但这与“在成极前短路像素电路端子”是完全不同的技术措施，目的和作用均不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未描述技术特征M，因此也未公开用于该步骤的特定导电材料（导电橡胶或导电墨水）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《隐含公开》 | 第[0045]段：“For example, one or more receiver or transmitter electrode layers may be formed from a layer of nickel or chrome between approximately 15 nm and 50 nm thick that is deposited on top of a layer of copper or copper alloy with a thickness between approximately 0.1 μm and 0.5 μm.” | 对比文件公开了接收器（或发射器）电极层可以形成自沉积在铜或铜合金层（厚度约0.1-0.5 μm）之上的镍或铬层（厚度约15-50 nm）。铜层和镍层的组合结构与目标专利的“第一铜子层和第二镍子层”相对应。虽然对比文件给出的厚度范围（镍层15-50 nm，约150-500埃；铜层0.1-0.5 μm，约1000-5000埃）与目标专利的具体数值（150埃和850埃）不完全相同，但本领域技术人员可以根据对比文件公开的“铜上沉积镍”的层状结构，并结合实际工艺需求，合理选择并调整各子层的具体厚度。因此，该技术特征（结构组成）被隐含公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件虽然公开了电极层可包含铜层和镍层（技术特征O），但并未给出目标专利权利要求中所限定的精确厚度数值（150埃和850埃）。对比文件提供的厚度是范围值（镍层15-50 nm，铜层0.1-0.5 μm）。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或必然地推理出150埃和850埃这两个特定数值。因此，该具体数值限定的技术特征未被公开。 |
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